APORTE TRABAJO COLABORATIVO 2 FISICA ELECTRONICA

TUTOR HENRY EDILSON RIVERA

JOSE DAVID ZAMBRANO TURIZO CODIGO: 1.064.110.814

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD) CURSO FISICA ELECTRONICA LA JAGUA DE IBIRICO - CESAR Mayo, 2013

FASE 1
1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.
Conductores Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de conduccin. No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina. Un ejemplo son todos los metales. Semiconductores En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran separadas por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin hace que sea relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les hace imposible el movimiento. La magnitud de la banda prohibida es pequea ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida. El germanio y el silicio son semiconductores. Aislantes En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y facilidad. La magnitud de la banda prohibida es muy grande (6 eV), de forma que todos los electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo

que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula. Un ejemplo es el diamante, lana de roca, lana de vidrio, poliestireno expandido, porexpan, agramiza, etc.

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro?

Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos con cinco electrones de valencia al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.

Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos de tres electrones de valencia al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

Cualidades y caractersticas respecto al semiconductor puro Los semiconductores tipo N y tipo P, adquieren la propiedad de conductores. El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. El material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el fotodiodo.
Diodo de conmutacin Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el estado conduccin y el estado de bloqueo y a la inversa. Diodo semiconductor Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona n, rica en electrones. Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM. Diodo IMPACT (Del ingls: Impact Avalanche and Transit Time) Diodo cuyo funcionamiento asocia la multiplicacin por avalancha de los portadores de carga y su tiempo de propagacin en la unin. Esto conduce, para ciertas frecuencias muy elevadas, a una resistencia

negativa que permite utilizar el diodo en modo amplificador o en modo oscilador Diodo de seal Diodo semiconductor empleado para la deteccin o tratamiento de una seal elctrica de baja potencia. Diodo de unin Diodo formado por la unin de un material semiconductor tipo n y otro semiconductor tipo p. Diodo Gunn Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene una unin sino una sucesin de tres capas tipo n ms o menos dopadas. En presencia de campos elctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de oscilaciones a muy alta frecuencia. Diodo Schottky Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperacin. Un diodo Schottky puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300Mhz. Diodo Schokley Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida. Adems, la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo semiconductor de dos regiones.

4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP?
TRANSISTORES BIPOLARES NPN Y PNP Es un componente semiconductor que tiene tres terminales BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR (c)

Internamente est formado por un cristal que contiene una regin P entre dos N (transistor NPN) o una regin N entre dos regiones P, (transistor PNP) Est formado por dos uniones PN

Transistor PNP Caractersticas El terminal de base acta como terminal de control, manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la del emisor y el colector. El emisor contiene una relacin de impurezas muy superior a la del colector. Emisor y colector no son intercambiables Las tensiones transistor PNP. y corrientes van en sentido contrario alas de un

Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente. La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante corriente de base [pic]

Transistor NPN Caractersticas Se comporta de manera equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones. En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de [pic] pero la variacin es pequea.

La corriente que circule por el colector se controla mediante corriente De base [pic].

la

El parmetro principal que mide la caracterstica del transistor es la ganancia de corriente . La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo.

Diferencias La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad de sus electrodos

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores de forma y tamao equivalentes, los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones. Se diferencian en su rapidez, el transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos. (Mayoritarios del emisor en cada caso). Comparando ambos transistores en la configuracin de emisor comn, en el transistor NPN se aplica una corriente positiva a la unin base-emisor, y entonces por el efecto amplificador del transistor se obtiene una corriente mayor entre colector-emisor.

5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico?

El Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores del Instituto de Ciencias (ICUAP) cuenta desde hace dos aos con un Laboratorio de Caracterizacin Estructural de Materiales por Difraccin de rayos X, que se ha convertido en una unidad indispensable para la caracterizacin y desarrollo de materiales semiconductores tiles en el desarrollo tecnolgico.

La importancia que los semiconductores tienen en las tecnologas actuales, microelectrnica, comunicaciones, comunicaciones pticas y censores, as como su potencialidad en el futuro, hace que sea necesario mantener grupos de investigacin en estos temas. Se potenciar la investigacin en materiales directamente relacionados con el fin de que emitan suficiente radiacin para ser utilizado como fuente luminosa, as como en materiales de Gap ancho para aplicaciones a alta temperatura.