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Calentador por inducción de alta frecuencia
http://www.qsl.net/lw1ecp Ing. Daniel Pérez LW1ECP (Última actualización: Diciembre 2012) (Febrero 2009, la nota se irá ampliando y corrigiendo próximamente. No apunta necesariamente a cómo construir el circuito, sino brindar criterios de diseño y detalles de cómo se llegó al circuito final). Video del calentador en funcionamiento: http://www.youtube.com/watch?v=kP_tOQWToio (Aquí se dejó más tiempo para llevar la pieza al rojo, si bien la aplicación requerida exige temperaturas menores) Esto nació para incorporarlo a un trabajo práctico de la carrera Mecánica de la UTN FRBA, año 2008 (*) en que se debía automatizar un proceso. - Proceso elegido: dilatar un buje o camisa de hierro, y calzarlo alrededor de un rodamiento. Habitualmente se calienta los bujes en un horno a gas y luego se colocan manualmente. - Proyecto: producir el aumento de temperatura de aprox. 200 grados en un lapso de 20 segundos, por medios electrónicos, y manipular las piezas en forma neumática y/o magnética. El calentamiento se hará aplicando un intenso campo magnético de decenas o cientos de kHz al buje. Esto genera calor debido a: - Las corrientes parásitas inducidas (llamadas corrientes de Foucault o "eddy"), que producen calor gracias a las pérdidas por resistividad del metal (efecto Joule), reforzadas por el efecto pelicular. - En el caso de metales ferromagnéticos también se produce calor por histéresis: las moléculas del material se resisten a los cambios del campo magnético. (*) El grupo "Calentador por Inducción para el Montaje de Rodamientos sobre Camisas" obtuvo el 1er puesto de la categoría Trabajos Prácticos en la Feria de Proyectos 2009 UTN FRBA, el 30/04/09. Cálculo de la potencia necesaria: La pieza elegida para el trabajo tiene peso = 133g, alto = 26mm, D interno mínimo = 43mm, externo = 55mm. El calor específico del hierro es de 3537 joule / (dm3 * Kelvin) a la temperatura ambiente (el número exacto depende de cómo fue trabajado el metal). Expresado en palabras, esto significa que para aumentar en 1 grado la temperatura de 1dm3 de hierro hace falta entregarle 3537 joules de energía. Como ese dm3 pesa 7,87kg (o mejor dicho, tiene una masa de 7,87kg), equivale a decir que hace falta 449 joule por kg. Como comparación, el agua necesita 4186 joules/kg, o bien 1 "caloría chica" por gramo para los nostálgicos. Para elevar 200 grados en 20s a nuestros 133g se necesitará 449J/(kg*K) * 0,133kg * 200K / 20s = 600W. Se debe proyectar el circuito para entregar una potencia mayor, ya que parte de su salida se perderá en la bobina, en las partes metálicas circundantes, y además la pieza calentada irá disipando parte de lo recibido durante el período de calentamiento. Se decidió adoptar 1kW como meta. Para tener una estimación del gradiente de temperatura en las pruebas, se recurrió a determinar el instante en que la pieza es capaz de fundir un trozo de la soldadura común para electrónica (60% Sn 40% Pb), que comienza a ablandarse a los 183 grados y se funde completamente a los 190. Si se necesitase una forma definitiva de medir la temperatura en producción sería por métodos sin contacto, mediante la longitud de onda pico en el espectro radiado por la pieza (leyes de Wien y Planck). Los métodos tradicionales (diodo, termistor, termocupla, PT100) no son convenientes para medir la temperatura de una pieza removible, ya que precisamente una recomendación común a ellos es que tengan un buen contacto térmico con ella. De todos modos, como todas las piezas en

que sólo sirve para aumentar la corriente total a la salida. un generador de tensión de onda cuadrada ideal. la temperatura final no es un parámetro crítico. Cómo inducir las pérdidas: Básicamente se coloca una bobina alrededor o cerca de la pieza a calentar. desperdiciando parte de la tensión de que es capaz la etapa de potencia. no admite una excitación de onda cuadrada desde una salida de baja Z como los totem-pole (transistor saturado arriba / transistor saturado abajo). Debemos cancelar de algún modo la reactancia inductiva mediante una capacitiva.pdf circuito cuya impresionante sencillez tentó a construir una versión estado sólido de menor potencia: . La etapa de potencia verá una carga que es parcialmente resistiva y parcialmente inductiva. Hay dos o tres maneras: 1) Capacitor en paralelo con la bobina: la Z del conjunto será máxima en la f de resonancia. entonces la X obliga a la etapa de salida a entregar una parte de corriente reactiva inútil.drexel.Si queremos verlo como R y X en serie.edu/sam/sspo1sch. pero baja en las armónicas. bastará con medir la temperatura por única vez cada vez que haya un cambio en las mismas.Si lo vemos como un paralelo. . a la frecuencia fundamental de la excitación. Un ejemplo se muestra en: http://repairfaq. menos crítica la colocación) y el tiempo y potencia necesarios. Sí puede excitarse por un único transistor o válvula. pensemos que la X impide aplicar la totalidad de la tensión a la R. Podemos estudiarlo usando indistintamente el equivalente R L serie o el paralelo (obviamente cada uno tendrá distintos valores de R y XL): . en que el elemento activo conduce sobre sólo una parte del ciclo: cuando la tensión que tiene aplicada es más bien baja. Por otro lado. en clase C. y se le aplicar la excitación. Dicho de otra forma.ece. sino un compromiso entre la dilatación (cuanto mayor. Por lo tanto.el proceso seriado tendrán la misma masa y aleación. Veamos por qué la parte inductiva impide aprovechar al máximo esta etapa. aplicado a un capacitor ideal. produce picos de corriente infinita en los flancos.

casi listo para armar.charter. El diodo se encarga de ajustar automáticamente la polarización para evitar este peligro.richieburnett. tendiendo a funcionar como una salida horizontal.co. 3) Varios circuitos usan una red que involucra una bobina de acoplamiento adicional a la de "trabajo". 2) Capacitor en serie: la alta Z del conjunto en las armónicas es bienvenida por los transistores de salida.net/dawill/tmoranwms/Elec_IndHeat1. Finalmente se abandonó el prototipo al comprobar que sería imposible aprovechar al máximo el transistor (debido al bajo ciclo de trabajo de Id a que obliga la clase C).Idealmente la tensión pico a pico en drenaje es de 2 * Vdd. pero algo complicado). Es la configuración finalmente adoptada. porque ello aumenta la Vds pico tras pasar al corte.html (circuito bien explicado. Circuito finalmente armado (a la fecha de la última actualización de esta página): . logrando una transformación de impedancia en dos etapas.html (buena explicación teórica con formas de onda) http://webpages.uk/indheat. sumado al desafío de lograr una etapa de potencia autooscilante que se comportase de forma predecible. Por ejemplo: www. Es importante evitar un excesivo ángulo de conducción.

27. Vent=0 19. R30: 4 de 0. ver paralelo texto Todos los NPN y PNP no indicados son BC548 y BC558.C2: 1n mylar C17: 330u 385V C23: 1000u 50V R21: shunt no inductivo R22. 32. 28: 10W en serieMKP. Todos los diodos no indicados son 1N4148. 16.47 26. 20. L1: cuenta ferrite VR1: 1k lineal Contactor: opcional Frecuencia: . R42: 47k 1W R38: ajustar para Vce Q18 a punto de cambiar. con C15. 25.

debido a la menor profundidad del efecto pelicular. 30MHz". pero ello es sólo para desacoplarla a la frecuencia de trabajo. el transformador de alimentación tendrá un secundario de doble tensión y se agregará un regulador de 24V para la bobina.O bien. y se debe elegir transistores con doble corriente de pico. Soluciones posibles: . Esto hará que el valor eficaz de la tensión de alta frecuencia se divida por raíz de 2 (promediando a lo largo de un semiciclo de la red). Pero esto tiene relevancia sólo para ciertos tratamientos térmicos. el C actuará como un varistor. Nota: la tradicional calificación de "alta frecuencia" es simplemente para destacar que es mucho más alta que la de red. No es necesario estabilizar frente a variaciones de la red.Agregar una R en serie desde la red. inicialmente se decidió diseñarla para 300Vcc (220V rectificados y filtrados. . . y luego evita que éste la provea a la etapa de potencia.La frecuencia para estas aplicaciones depende de la profundidad del material a calentar. A la lámpara le llega una onda (cuadrada en este caso) modulada por la alimentación de onda completa no filtrada. y que involucran temperaturas muy superiores a la buscada aquí. En ese caso. y no hará falta sobredimensionar el fusible. reemplazar el varistor con un electrolítico en serie con un diodo. Se agrega un R de "sangrado" en paralelo para evitar que la tensión del C se vaya incrementando ante una sucesión de sobretensiones. Arbitrariamente se adoptó 50kHz. Sobretensiones breves desde la red: Al no usar electrolíticos tras el puente.. De todos modos. convendrá que el circuito de control le corte la alimentación mediante un contactor para minimizar la probabilidad de daños.Tampoco se producirá un pico de corriente desmedido en el momento de conectar a la red con los electrolíticos descargados. . éstas simplemente ocasionan una variación del tiempo necesario para alcanzar la temperatura. breves pero con tensiones muy altas. se decidió utilizar 220V rectificados onda completa pero sin filtrar. Luego se cambió de idea: ya que no es importante si la señal de salida tiene o no amplitud constante. El diodo carga al C al valor pico de la onda normal de red por única vez. Otros bonus: . la definición que se aplica no es la de "HF = 3 . Se corrige reduciendo a la mitad la R de carga para mantener la potencia. si la etapa de potencia va a permanecer inactiva la mayor parte del día. el mismo transistor que se encargaría de la bobina se utiliza para controlar la pata de reset del divisor como forma de habilitar o no la excitación. como cuatro de los transistores). o sea con un excelente factor de potencia. . el cual debe ser capaz de absorber una energía importante. por la gran inercia térmica de la pieza. o la caída de un rayo cercano. el puente rectificador estará agradecido. desgraciadamente tampoco se filtran los picos peligrosos desde la red.Se evita los picos en la corriente de red característicos de los rectificadores con capacitor de entrada. En "Protect your equipment from damaging power-line transients" QST Feb 1982 se menciona la probabilidad de picos de 6kV por 10us en líneas de 115V. Alimentación: Para simplificar la alimentación de la etapa de potencia. y en fase con la V de red.. y un varistor en paralelo. menos caídas en diodos y R en serie). la corriente sobre la red será bastante senoidal. esto reduce la potencia entregada a la mitad. Se aprecia que hay una pequeña capacitancia (~2uF) filtrando la alimentación. con pocas armónicas. pero esto se compensa ampliamente con el menor costo en electrolíticos (1000uF cuestan aprox. del lado rectificado. De no usarse contactor. Pero ante una sobretensión breve.También se ahorra un volumen importante. Y como la corriente consumida por la etapa de salida es prácticamente proporcional a la tensión recibida. Son producidos por la conmutación de grandes consumos. Cientos de kHz producen un calentamiento más superficial que con decenas. El C de filtro sería del orden de 1000 a 2000uF. Esta misma solución es común en los "transformadores electrónicos" para lámparas dicroicas: se prescinde del electrolítico de filtro.

La preocupación más básica en cuanto a la seguridad de los transistores se logra con zeners espalda contra espalda entre compuerta y surtidor. Sin embargo es inevitable la presencia de picos de tensión debidos a L * di/dt donde L es la inductancia de las conexiones. Por ello conviene diseñar la ubicación física de los MOS en el disipador de modo que la conexión entre ellos y el desacople de la alimentación sean bien cortos. los transistores verán una R menor y entregarán mayor potencia. ya que un transistor se cortará en el momento en que su corriente había caído a cero. que está sólo para tomar mediciones. con sólo poner un R en serie con cada compuerta por separado. los precios de los MOS han bajado tanto que ya no es necesario hacer los balances de costos para tomar decisiones que se encuentran en los textos de los '90 u '80. cuerpo celeste). El resistor de 1M entre la masa del circuito de control y la flotante es para descargar tensiones estáticas entre ambas secciones. Por otro lado. el diodo interno de cada transistor debería garantizar que la Vds del otro no pueda exceder la V de alimentación. 2. Su alta velocidad de conmutación y amplia área segura de operación (SOA) (por carecer de segunda ruptura) simplifica el diseño. se disminuye la cantidad de espiras. teóricamente. Los MOS se pueden paralelear sin inconvenientes. manteniendo su posición enhebrando las espiras en costillas como se muestra en la imagen. necesitará mayor C en serie. la pieza a calentar. los IGBT no estoy seguro. 18 resistores de 1. pero requieren más cuidados. especialmente si se los trabaja en más de 50 o 100kHz: 1. Las protecciones dinámicas se detallan en otro apartado.Tienen la gran desventaja de los bipolares: la segunda ruptura. 3. Terminó constando de 29 espiras d=2mm macizo (no tubo) en tres capas de 9 2/3 cada una. no sólo debe ser no inductivo.1 ohm es un shunt no inductivo al sólo efecto de monitorear la corriente durante el desarrollo.Transistores de salida: Se decidió utilizar MOS de potencia. El diámetro es de 70mm entre centros del alambre para la capa interior. obviando algunas preocupaciones que exigen los bipolares. Puede considerársela como un transformador de impedancia. Trabajar con una carga resonante tiene como ventaja adicional que los transistores no necesariamente deben tener alta velocidad de conmutación. parece que tampoco puede ser de un material magnético (el nichrome contiene níquel). En teoría. Este efecto es menos serio si se hace conmutar de un transistor al otro cuando Id es baja. y las demás capas quedan gobernadas por las costillas perforadas que se indican. por culpa del efecto pelicular instantáneo.8 ohm 1W anduvieron bien. la bobina se verá como una menor reactancia. y di/dt es la velocidad de variación de Id. y luego se fue . se conectaron directamente sobre cada MOS (no en la placa) a fin de mantenerlos protegidos aún si accidentalmente se cortaran las conexiones a la placa de control durante las pruebas.son más lentos: siguen conduciendo una "cola" de corriente después de apagarlos por lo que hay que conmutarlos en corriente cero y además tensión cero (ZCS/ZVS) lo que se logra con una segunda resonancia gracias a los C en paralelo con los transistores. merece una nota aparte. Es increíble la deformación en la forma de onda que introducía un shunt hecho con un par de cm de nichrome. ej. Debe ser un modelo de alta tensión (metal glaze. método similar al de las bobinas de salida en transmisores.y algunos más viejos piden tensión negativa en compuerta para apagarlos bien. Están bobinadas al aire. y tanteando la cantidad de espiras para que en resonancia ofrezca a los transistores el valor de componente resistiva necesario para la potencia deseada. El resistor de 0. Si p. [agregado Dic 2012] Con IGBT se puede llegar a mucha mayor potencia que con MOS. La bobina: L2 se construyó experimentalmente. El shunt R21. y el otro se encenderá con una corriente que subirá gradualmente desde cero. con un diámetro interior algo mayor al externo de la pieza. Cada capa se bobinó sobre un cilindro de diámetro algo inferior al definitivo. en que el secundario es 1 espira.

Una vez terminadas de insertar las tres capas. Se lubricó los agujeros para facilitar el deslizamiento. Pero en el orden de decenas de kW me imagino que aun el "alambre" más fino (usando muchas vueltas) perfectamente puede ser un tubo. y tampoco se cancela con un simple C en serie porque el circuito quedaría sintonizado a una frecuencia. Yo simplemente dimensioné por tanteo la bobina como para no necesitar transformador. soplándola entre operaciones. capacitor mucho más grande. La única ventaja que veo de usar pocas vueltas es que entonces se puede hacer de tubo lo cual permite enfriar con agua. para no depender de la integridad del esmalte. no me siento cómodo de ir contra la mayoría. Si se requiriese que la pieza alcance mayores temperaturas. 2. la resistencia de pérdidas al ser únicamente la de la bobina hace que la corriente sea muy alta. Agradeceré me informen qué problema puede acarrear mi diseño.el LC es paralelo y se transforma la Z con un inductor en serie (topología "LLC". En transmisores de UHF. Esto no ocurre si la configuración es L adaptadora en serie con un LC paralelo. Pero qué importaría si se incluye una protección contra sobrecorriente?. la Z de entrada de un bipolar es esencialmente la L de la conexión de base en serie con su R de entrada. Los capacitores: Deben ser capaces de tolerar la corriente de la bobina. o bien: 2.provee aislación galvánica para no quedar electrocutado al tocar las conexiones de la bobina. Las costillas se hicieron de plaquetas de fiberglass. también llamada "LCL"). previo enjuague de los restos de aceite. Para dar rigidez al conjunto. una red LCL y pocas espiras reducirían la radiación de armónicas.insertando la punta del alambre por cada agujero de costilla. pero con muchas vueltas de alambre fino se logra mayor Q y tal vez hasta permita prescindir del agua cuando no es alta potencia. a contramano del resto.. ej. El . se pensó en el tipo utilizado para acoplar las bobinas de los yugos horizontales. se procede a conectarlas en serie cuidando que queden en fase: por razones constructivas. se aplicó cianoacrilato alrededor de los agujeros. [agregado Dic 2012] Posibles respuestas parciales a las dudas anteriores serían: 1. en ausencia de pieza para calentar. pero debe haber otro motivo. Realmente ignoro por qué se toma este camino menos eficiente. ya que una bobina de pocas vueltas presenta menor Q. Para tratar de utilizar un modelo que sea común en plaza.en un circuito resonante SERIE como el mío. y el acople a la etapa de potencia es mediante: 1.un transformador reductor. conductor más grueso. pero en el calentador no necesitamos banda ancha. el extremo izquierdo de una capa deberá unirse al derecho de la siguiente pasando por encima del conjunto.. Una observación: los circuitos de calentadores por inducción que se encuentran en web utilizan bobinas de muchas menos vueltas. Se colocó lengüetas de tela térmica entre capas en los lugares donde la irregularidad del devanado pudiese hacer que haya contacto físico. Y ya que hablamos de RF. será necesario usar otro material como el PTFE (Teflón (R) ) y prever el enfriamiento de la bobina p. No conviene recubrir las capas totalmente para permitir que se ventilen los alambres. salvo por la posibilidad de refrigerarla por agua si se hace de caño. y para banda ancha se usan redes tipo CLC o CLCLC de bajo Q.

el film que vendan. no habrá self healing. y si se habla de decenas o cientos de amperes no creo que se pueda confiar en que tocándose entre sí. Esto es por si justo una de ellas tiene una burbuja. El mylar queda descartado. tiene un Q demasiado bajo. polipropileno con un tipo de metalización (film-foil) resistente a las altas corrientes impulsivas. está la cuestión de cómo contactarlas a todas confiablemente. aunque apretadas. En cuanto al grosor. en 10kHz anda por 100. no se sabe cuánto de parejo será en su espesor. A menos que se importe un film específico para este uso.) y se volvía loco con las burbujas o zonas delgadas. hagan buen contacto. pero se asumió que son similares a los Siemens B32651-B32656. hay que probar lo que venden. Otra razón para no escatimar espesor: los fabricantes de capacitores metalizan el plástico. con un Q de 10. Una cosa es segura: van a salir bastante más grandecitos que los comerciales!. Tesla. ojo que cuando uno compra un rollo de plástico no necesariamente tiene la misma calidad que el destinado a fabricar capacitores. permitiendo que el resto del capacitor siga funcionando normalmente. uno querrá lo más fino que pueda aguantar el pico de la tensión de trabajo pero nuevamente. si se pinchó se murió todo el capacitor. Fue imposible hallar la hoja de características. Así que hay que sobredimensionar. O mejor: usar film del espesor teórico pero poner de a dos capas en paralelo. Estos números son sacados de manuales de capacitores. el aire siempre tiene menos rigidez dieléctrica que el plástico. Si se usa chapas de aluminio.000. . [agregado Dic 2012] Reflexiones sobre la construcción casera del capacitor.68uF 400Vcc Siemens Brasil modelo TMACF. donde hay una burbuja ahí se pincha el capacitor. etc. Yo sugeriría elegir el doble de lo que dé la cuenta con la rigidez dieléctrica. ya que no se pueden soldar por medios convencionales (en los comerciales se sueldan por sputter). esto hace que sean "auto curables": si en algún lugar falló la aislación. Mi hijo había armado máquinas de alta tensión (Bonetti. Pero si se usa hoja metálica.dieléctrico MKP es de los mejores. Se disponía de un lote de capacitores de 0. antiguamente empleados precisamente para acople de yugo. la temperatura del chispazo evaporó el aluminio alrededor y esa zona queda amputada. Todos los capacitores para inducción son de polipropileno.

En el esquemático se incluyen muchos componentes entre el transformador y los MOS. "I" y "S" son los tiempos en que conduce el transistor inferior y superior respectivamente.Por otro lado. por lo que las compuertas recibirán +14 y -14V en conducción y corte respectivamente.En las ondas. En nuestro circuito. pero después se comprobó su necesidad para evitar una oscilación subamortiguada en Vgs. Por simplicidad. uno de los transistores debe tener una excitación flotante con respecto al otro (el surtidor del transistor superior está a 300Vpp de "distancia" del inferior). Se prefirió un núcleo con sección generosa (alto Al) para conseguir la L de magnetización necesaria con mínima cantidad de espiras. Esto implica el peligro de que un transistor comience a conducir cuando el otro aún no se haya cortado totalmente. Se decidió usar un excitador totem-pole de simetría complementaria. El transformador tiene relación 1:2 entre primario y cada secundario. que no están colocados. con serio peligro para los transistores. 14Vpp. Los secundarios se devanaron bifilarmente. Son en previsión de que se necesite excitar cargas . La idea en {simult} es agregar una red resistor-diodo en cada compuerta de modo que la Cgs se cargue lentamente pero se descargue rápido. la Z desde el excitador no resultó tan baja como sería deseable. Se empleó alambre forrado tomado de un multipar telefónico. . Etapa driver: Debe considerar estos aspectos: . por más que los MOS casi no tengan tiempo de almacenamiento. con mejor aislación que un esmaltado. Diámetro = 0. sin tiempo muerto entre semiciclos. Cabe aclarar que estas formas de onda valen para impedancia de generador cero. otra medida para bajar la L de dispersión.40. Tendríamos un cortocircuito (crowbar) momentáneo sobre la alimentación. Alimentado con la tensión antes del regulador de 12V producirá una salida de aprox. lentificando la velocidad de crecimiento de Vgs. ni fueron probados. +14V es un valor generoso en comparación con los +10V que se suele recomendar para plena conducción. La R de 1 ohm en el retorno del primario se había colocado inicialmente para medir la I primaria. ésta es el factor limitante para la velocidad de crecimiento de Vgs.Los MOS de potencia poseen una capacitancia de entrada en el orden de miles de pF. Estas precauciones apuntan a maximizar el acoplamiento (disminuir la L de dispersión). Además está el "efecto Miller" introducido por la capacitancia de realimentación interna (Cdg) que complica el análisis. El núcleo está groseramente sobredimensionado: E42/15 (42 x 42 entre las dos E. se eligió como excitación una simple onda cuadrada. en los emisores. diámetros no críticos. y 10 en cada secundario. con el primario sobre ellos tratando de cubrir la misma longitud. El transformador T1 consta de 5 espiras en primario. lo que obliga a suministrar generosos impulsos de corriente (del orden del ampere o más) si se la desea cargar y descargar rápidamente. no crítico. Aún así. 15 x 12 de rama central). por lo que aún sin la red R-D no debería haber mucho problema.

Ésta podría darse p. Si en ese momento aún estaba conduciendo el diodo del transistor anterior.capacitivas aún mayores. Su primario es 1 espira de chapa de cobre en serie con el retorno de la bobina de trabajo. e insistirá en seguir conduciendo un ratito más hasta que acepte la realidad de que debería estar cortado. Un C en paralelo plancha el fuerte ringing en los flancos. excitar con una sola polaridad beneficiaría a los transistores del primario por la menor relación de transformación: verán la cuarta parte de capacitancia reflejada.2 o 0. . y sin estas precauciones el apagado se demora en el orden de 1us. y su secundario de cientos de espiras está cargado con una R sobre la que se desarrolla una tensión proporcional a la corriente muestreada. restan dos factores de peligro durante el uso: . lamento no poder dar mejor precisión. será el otro MOS el que conduzca. o la introducción de una pieza no ferrosa (ausencia de pérdidas por histéresis). por la ausencia de pieza (la salida verá muy baja R debido a que la bobina no tiene amortiguación de su Q).Recuperación forzada del diodo interno. lo que altera seriamente la simetría de la excitación. con lo que el LC se lo excitará fuera de resonancia. o sea que su período es demasiado largo. se obliga al oscilador a aumentar su frecuencia. Ya que un MOS está perfectamente cortado con Vgs=0. pero no importa frente a la baja Z desde la cual se los excita. la orden de cortarse le llegará al MOS después que su Id haya llegado a 0. Pero se decidió sensar los dos en caso de que resultase importante alivianar el filtrado del lazo.Exceso de corriente. La red RC en base del pre-driver también es vital para acelerar el apagado. Entonces tendremos un breve cortocircuito sobre la alimentación: un . La excitación será de una sola polaridad (~+12V y 0V). Si cualquiera de los picos de esta tensión excede un umbral de 1 juntura. El primario es excitado por un totem-pole que suministra las altas corrientes de pico en los flancos. y el otro por emisor. Las altas Ic transitorias de los drivers exigieron un desacople de su alimentación bien cercano. conduce su diodo interno. disminuyendo así la corriente. Bien. Se toma una muestra de la corriente de salida mediante el transformador de corriente T2. La técnica de retornar los resistores retornados al primario es el conocido método de bootstrap para tener la máxima excursión posible en las bases. Tengamos en cuenta que a 50kHz cada semiciclo dura 10us. En el caso del NPN fue necesario poner dos en paralelo ya que se quedaba corto de hfe a esas corrientes. Muy poco después. El diodo de germanio entre base y colector en el pre-driver disminuye su tiempo de apagado al evitar la saturación (conduce cuando el colector es 0.3mH según rezaba una inscripción. cuando el LC es excitado con una f inferior a la de resonancia. Su inductancia con núcleo era de 5. ej. Sabemos que un MOS excitado en conducción presenta una baja Rds que también vale para Id negativa. El inductor mostrado es una cuenta de ferrite para desalentar oscilaciones de MHz. El transformador será de relación 1:(1+1). Aún si no se emplean los transistores adicionales. Bastaría con sensar uno solo de los semiciclos ya que ambos son prácticamente iguales. El secundario de este transformador es el balasto de una fluorescente compacta de 20W. tenemos un serio problema: el diodo de un MOS es mucho más lento para cortarse (recuperarse) que su transistor propiamente dicho. Pero cuando Vds se hace más negativa que 1 juntura. para duplicar la velocidad de respuesta ante excesos de corriente repentinos.3V más negativo que la base). Se estima visualmente que tiene 8 capas de unas 35 espiras c/u. y que se fracture el vidrio al doblar las patas. Precauciones ya olvidadas sobre los diodos de germanio: evitar recalentarlos. Las impedancias de entrada de cada caso son muy distintas. También se prevé unos pocos V de semiciclo negativo (determinados por el zener) en caso de emplear IGBTs que lo requieran. y con un cerámico en paralelo con el electrolítico. Protecciones: Una vez seguros de que nuestros MOS trabajan holgados en cuanto a tensión y temperatura. Un transistor sensa un semiciclo entrando por la base. más aún en régimen permanente o si la carga varía lentamente. o sea que intentará cortarse teniendo Id negativa. aplicarle un semiciclo negativo simétrico al positivo es desperdiciar coulombs. en caso de utilizar MOS en paralelo.

con la ayuda de un PNP para rapidizar la descarga a fin de maximizar la relación frecuencia / corriente. A su vez. Se aprovecha el resto de la cadena divisora del contador para bajar hasta una frecuencia audible = fsal / 128. se le conectó en paralelo un inductor de 600uH (una bobina de FI de AM. Como se necesitó disminuirla un poco más. y descargado desde la salida del Schmitt. se decidió producir un adelanto de fase en el transformador de corriente. Oscilador: Es un VCO que en el 1er prototipo consistía en un NE555. El C es cargado por una fuente de corriente variable. por lo que sólo se detecta la corriente negativa en uno de los semiciclos (la pata 1 de la 4023 se conectó a Vdd como remedio). e irla reduciendo hasta notar que el sonido se hace sucio. La ventana de tiempo para la detección se implementó usando la frecuencia de excitación. El R de descarga inicialmente no existía. fue necesario apelar a otra solución. variable entre 200 y unos 800kHz. Spica). se hace subir la f del oscilador aumentando la fuente de corriente. Ante la actuación de una de las protecciones. y R33 se retornaría a la salida D0 del 4040 en vez de Vdd. pero esto retardaba mucho el corte del transistor. La forma en que se lo evitó es detectando la polaridad de la corriente muestreada en la 2a mitad de cada semiciclo: si se detecta polaridad anormal en algún momento. por lo tanto éste funciona al cuádruple de la f de excitación. al modularse 100 veces por segundo debido a la protección contra Id negativa. Esto puede causar la destrucción de los transistores. La forma de usar el calentador por primera vez es. se omitió agregar un inversor en una de las entradas de las NAND. Entonces se retrocede el control ligeramente. el diodo en emisor es necesario porque la Vbe inversa durante la carga excede la Vbe de ruptura del transistor. y compuertas NAND. Inicialmente se había colocado en serie con la base. el cambio de un MOS al otro se produce un cierto tiempo después que se cerró la ventana de detección. pero la efectividad de la protección resultó ser adecuada de todos modos. Para corregir esto. esta frecuencia doble se obtiene tras dividir por 2 el oscilador maestro para lograr un ciclo de trabajo constante frente a los cambios de frecuencia del VCO. El C es de mylar. Si no se toma esta precaución podría darse un caso extremo en que el transistor se sature en el pico positivo del diente de sierra. Los LED verdes en base de la fuente de corriente limitan la máxima excitación a la misma. comenzar con el potenciómetro en máxima frecuencia. con el núcleo colocado. Nota: por un error grosero. Como luego se necesitó hacerlo trabajar al cuádruple de la f de salida (por lo mencionado en Protecciones). Si se insistiese en sensar ambos semiciclos sin agregar packs de compuertas. Debido a los retardos de la etapa driver y de salida. Esta condición de corriente muy breve y muy alta también aumenta el ringing en Vds debido a las inductancias de las conexiones. más una onda con el doble de frecuencia. Se adoptó un oscilador basado en un inversor CMOS con histéresis (disparador Schmitt). una idea es usar una cuádruple NAND de 2 entradas: la NAND extra se usaría para el inversor omitido. y la descarga era tan rápida que el Schmitt no reaccionaba a tiempo al alcanzarse el umbral inferior y la descarga seguía por debajo de éste. . Se terminó por eliminar su núcleo de ferrite quedando en 443uH. en serie con un MOS recién encendido. dando así al operador una respuesta inmediata del estado del funcionamiento. Por otro lado. por lo que puede llegar a haber algo de corriente negativa que pase inadvertida. gracias a la simetría de la salida. disminuyendo su inductancia. Con un potenciómetro se le da un rango de 200 a 400kHz (normalmente trabajará cerca de la mínima). esto se observa fácilmente con el osciloscopio. su frecuencia sube.diodo que aún no llegó a cortarse. la que es aplicada a un parlantito.

Compatibilidad electromagnética: El circuito actualmente carece de filtrado de interferencia conducida hacia la red. Esto implica que en las cercanías del circuito. e interferencia radiada. debido a la particular forma de alimentar a la etapa de potencia. aunque ello sería más rigurosamente exacto si el Q cargado del LC fuese mayor.La interferencia conducida se reduce con un filtro similar al que tienen (o deberían tener) las fuentes de PC. normalizando uno de ellos en cada vez para mejor conveniencia: En nuestro caso: . tres veces. Deducciones sobre la forma de onda: La onda de excitación es un caso especial para analizar. En todos los países hay límites de interferencia establecidos que deben respetarse para poder comercializar dispositivos electrónicos. pero en nuestro caso será más difícil de aplicar ya que parte del sistema inevitablemente debe estar en el exterior. un choke bifilar en serie con los conductores de red. El caso de una senoidal rectificada de onda completa y de media onda son bien conocidos. . y capacitores grado "Y" entre cada polo y tierra.La interferencia radiada normalmente se controla encerrando el circuito en un recipiente metálico. Necesitamos conocer el valor eficaz y pico tanto en cada transistor (que conduce durante media onda) como en la bobina. con capacidad de corriente adecuada. . más capacitores grado "X" en paralelo con la red. se tabuló las relaciones entre los valores. los receptores de onda media y parte baja de HF pueden recibir fuerte interferencia al sintonizarlos en las armónicas de la frecuencia de conmutación. monitores y TV. Por simplicidad adoptaremos que ésta es senoidal.

se deberá reducir las resistencias a la mitad. O sea que las potencias bajan a la mitad. Hasta ese momento se consideraba el uso de transistores IRFP450. Desgraciadamente.48 @ 100 grados).Como se mencionó. los que requieren temperaturas muy superiores a la de este proyecto. los que además poseen menor Rds (<0.3A). hubo etapas del proyecto en que se recurrió a tanteos. Como los transistores conducen de a uno.Un calentador por inducción tendrá más aplicaciones en la industria si se lo prevé para tratamientos térmicos. Para mantenerlas. en c) se considera una única Rds en serie permanentemente. con Rds máxima = 0. En b) se agrega la presencia de los transistores y el Q no infinito de la bobina (y capacitores). Esto implicará doble corriente de pico que con CC pura (25. En a) se ignoran las pérdidas por Rds en los MOS y las pérdidas propias de la bobina. En {potenc04} tenemos un balance de potencias para el caso de alimentar con CC pura. Por lo tanto se decidió a cambiar a transistores IRFP460.41. la I eficaz se divide por 1. del orden de los 900 grados para lograr la estructura en austenita. por lo que algunos de los números a continuación no corresponden al estado final del circuito. vemos que a igualdad del resto de valores. tras elegir alimentación con continua pulsante. cuando se . Lista de deseos: .8 ohm para una temperatura de 100 grados. Nótese que una senoidal procedente de una cuadrada a la que se le sacaron todas las armónicas tiene una tensión de pico superior. Por las relaciones informadas en las formas de onda.

sincronizados en fase. y se evita un factor limitante de la velocidad de conmutación (la L de dispersión). No se pretende que se escale el circuito de esta nota a potencias mayores. se puede seguir con el resto de los módulos sin interrumpir el servicio. 380 = 220 * sqr(3). o sea pocas espiras. En los niveles de potencia en que termina la gama de los MOS. Lamentablemente en la actualidad poseen tensiones máximas que los limitarían para diseños alimentados desde 220Vca. en que la tensión rectificada tiene bastante menos ripple sin necesidad de filtrar con capacitores.6% del de pico.A la fecha. y lograr mayores temperaturas con un alto ciclo de trabajo. Mayor potencia.También es deseable contar con mayor potencia. debiendo conformarnos con sólo las pérdidas Joule por las corrientes inducidas y la resistividad. Es lo que se utiliza en las etapas de potencia en radiodifusión.707)^2 = 5. con lo que el factor de aumento de potencia termina siendo de 3 * (0. . En teoría.supera la llamada temperatura de Curie del hierro (unos 768 grados según la aleación) desaparecen las propiedades magnéticas y por lo tanto las pérdidas por histéresis. Para subir aún más. por lo que se impone un diseño más cuidadoso. Su valor eficaz es 95. Una alternativa mejor al paralelo es tener varios módulos individuales. como los usados en variadores de velocidad para motores asincrónicos. Nuestro circuito. Como es sabido. tema de una próxima actualización. .Otras aplicaciones para un inversor CC-CA como el de este proyecto serían soldadura por arco o por punto. En los diseños que emplean baja inductancia. Los capacitores también requerirán una cuidadosa atención. lo cual simplifica el circuito. Circuito impreso: .956 / 0. la molestia de armar el transformador. Para poder seguir subiendo se necesita cambiar la transformación de impedancia. el circuito está restringido a menos de 1kW mediante el resistor de potencia externo de 20 ohm. . la tensión en la carga aumentará en raíz de 3. se recomienda buscar diseños de la potencia deseada ya probados. Éste se dejó hasta localizar y corregir un indeseable aumento gradual de Vds(on) de los MOS con el correr de los segundos. comienza la de los IGBT (insulated gate bipolar transistor). se agrega transistores en paralelo. los IGBT tienen inconvenientes similares a los bipolares en cuanto a SOA y tiempos de conmutación. con sólo una disminución en la potencia. Ante una eventual puesta en cortocircuito de uno de los transistores se evita la destrucción de los que están en el otro lado de la alimentación. so pena de una muerte prematura. llega al punto de Curie que corresponde a un rojo sombra en la pieza. Pero como en definitiva es un bipolar interno el que se encarga de conmutar la corriente. 1kW es apenas el umbral de los equipos comerciales. como la línea IR2xxx. pueden trabajar en mayores frecuencias cuando la carga es resonante como en nuestro caso. triplicando la potencia manteniendo la misma L y C. y la corriente también. dejándolo el tiempo suficiente. lo que achica la profundidad pelicular. Afortunadamente. Para aumentar la potencia puede recurrirse a transistores con mayor capacidad de corriente.Una mejor forma de excitar los MOS es mediante circuitos integrados específicos para ese uso.5. Esto requerirá transistores con Vds de 800V. El rectificador convertirá 380V eficaces en continua pulsante con 537V de pico (menos caídas). Pero también se tendrá el conocido beneficio de la trifásica. . Además. se suele utilizar caño de cobre refrigerado con líquido interiormente. implicarán mejorar el enfriamiento de la bobina. y exagerar las pérdidas por las corrientes subiendo la frecuencia. y combinar sus salidas. Una mayor potencia también implicará cambiar a red trifásica.

(Al guardar la página quedará en tamaño original) Aspectos de seguridad: La parte de potencia de este circuito NO tiene aislación con respecto a la red eléctrica en su sección de potencia. Aprovecho para recomendar la navegación de Don Lancaster's Guru's Lair . al menos atribúyase sólo sus mejoras. Tome todos los recaudos para evitar un contacto con el cuerpo!. si no. ármelo tal cual o modificado. Aspectos legales: La información de esta nota se presenta según la modalidad "vivir y dejar vivir": haga lo que quiera con ella. Si tiene un transformador 220:220 de 1kVA será mucho más saludable. Durante todo el desarrollo se trabajó sobre una mesa de madera y colocando un hardboard en el piso bajo la silla y los pies.tinaja. mejor.PDF donde recomienda "publish all your key secrets and ideas in a major magazine". Sírvase descargar mi artículo a su equipo. Se tuvo que cortar a propósito la 3a pata en la ficha del osciloscopio para poder hacer mediciones con respecto a chassis vivo.asp en especial: The Case Against Patents CASAGPAT. incluyendo la bobina. si quiere mencionar la fuente.com/patnt01. PERO me reservo el derecho de hacer dinero con ella si el día de mañana me viere obligado. Es precisamente lo que estoy haciendo aquí.Patent Avoidance Library www. si gana dinero no le voy a cobrar comisión. por hobby o lucro. .

y de sacar de resonancia al tanque de salida como forma de variar la potencia. HP Journal Aug 1981 .Las ideas de alimentar las compuertas sin tiempo muerto. se tomaron de "200kHz power FET technology in new modular power supplies".