UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE SAN JUAN DEL RIO

INNOVACIÓN PARA EL DESARROLLO

MATERIA:
CONTROL DE MOTORES.

TEMA:
ELECTRONICA DE POTENCIA.

PROFESOR:
M en C. SALVADOR HERNÁNDEZ GONZALEZ.

PRESENTA EL ALUMNO:
JOAQUIN ALVARADO MARTINEZ.

GRUPO:
MECATRONICA MEC02SV-13




SAN JUAN DEL RIO, QRO ABRIL 2014

1. Encapsulados
Es la envoltura que recubre y provee a los semiconductores (transistores, triacs, circuitos
integrados,…) de la rigidez necesaria y el aislamiento del medio. El material que lo
envuelve puede ser de plástico, cerámico o metálico.



Funciones de los encapsulados:

 Excluir las influencias ambientales: Los encapsulados evitan influencias externas
y protegen los chips de silicio de fenómenos externos como la humedad, el polvo,
golpes, campos magnéticos…
 Permitir la conectividad eléctrica: El encapsulado permite la fijación de
conductores metálicos denominados pines que permiten que las señales sean
enviadas o recibidas por el dispositivo semiconductor.
 Disipar el calor: Otra función muy importante del encapsulado es que permite
disipar o liberar el calor que genera el chip o semiconductor, ya que este en muchas
ocasiones se calienta produciendo un mal funcionamiento, incluso su destrucción.
 Manejo y montaje: Permite de una forma sencilla su manipulación así como su
montaje en placas.

Cápsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un
radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en él. Abajo en la
imagen vemos su distribución de terminales, observando que el colector es el chasis del
transistor. Nótese que los otros terminales no están a la misma distancia de los dos
agujeros. Tambien vemos la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y la
mica aislante. La función de la mica es la de aislante eléctrico y a la vez conductor térmico.
De esta forma, el colector del transistor no está en contacto eléctrico con el radiador.

Cápsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de
tensión en fuentes de alimentación y para tiristores y triacs de baja potencia. Generalmente
necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es necesario, si la potencia que van a
disipar es reducida.
Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y el tornillo de sujeción. Se suele colocar
una mica aislante entre el transistor y el radiador, así como un separador de plástico para el
tornillo, ya que la parte metálica está conectada al terminal central y a veces no interesa que
entre en contacto eléctrico con el radiador.

Cápsula TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no resulta
generalmente necesario colocarles radiador.
Abajo vemos la asignación de terminales de un transistor BJT y de un Tiristor, vemos dos
transistores que tienen esta cápsula colocados sobre pequeños radiadores de aluminio y
fijados con su tornillo correspondiente.

Cápsula TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequeña señal. debajo vemos la
asignación de terminales en algunos modelos de transistores, vistos desde abajo.
Abajo vemos dos transistores de este tipo montados sobre una placa de circuito impreso.
Nótese la indicación "TR5" de la serigrafía, que indica que en ese lugar va montado el
transistor número 5 del circuito, de acuerdo al esquema eléctrónico.

Cápsula TO-18. Se utiliza en transistores de pequeña señal. Su cuerpo está formado por
una carcasa metálica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor.


Cápsula miniatura. Se utiliza en transistores de pequeña señal. Al igual que el anterior,
tienen un tamaño bastante pequeño.


2. El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para
SCR y TRIACs.
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se
muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está compuesto
solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de
impurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos. Sin embargo, al
cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones
libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta
cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cómo funciona este
dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:

R
1
y R
2
equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los
terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los cristales P-N entre
el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las dos bases, la
tensión que aparece entre el emisor y la base será la que corresponda en el circuito
equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensión se cumplirá que:

Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.
El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V1 y VBB.
Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a 0,85 y
queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y la base 1 al
aplicar 12V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que aplicar para
que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensión de 8V al
emisor, éste no conducirá, ya que en el cátodo del diodo D existe un potencial positivo de
10,2V correspondiente a la tensión intrínseca, por lo que dicho diodo permanecerá
polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensión superior a 10,9V (los
10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera del diodo D), el diodo comenzará a
conducir, produciéndose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el
UJT entre en estado de conducción es necesario aplicar al emisor una tensión superior a la
intrínseca.
Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensión de polarización
directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal P (huecos)
inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar
que el cristal P está fuertemente contaminado con impurezas y el N débilmente). Este
efecto produce una disminución repentina de la resistencia R1 y, con ella, una reducción de
la caída de tensión en la base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor
aumente considerablemente.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (I
v
), el diodo
permanecerá en conducción como si de un biestable se tratase. Esta corriente se especifica
normalmente en las hojas de características y suele ser del orden de 5mA.
En la figura anterior, se muestra el aspecto de una de las curvas características de un UJT.
V
p
(punto Q
1
) nos indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor para provocar el
estado de encendido del UJT (recordar que V
p
= V
1
+ 0,7). Una vez superada esta tensión,
la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que I
p
), provocándose el descebado del UJT
cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento I
v
(punto
Q2
).

3. SCR,
El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un
dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn
(Figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La
conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y
amplificador a la vez.









En esta área (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y
corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las
curvas:
• Curva A y B: límite superior e inferior de la tensión puerta-cátodo en función de la
corriente positiva de puerta, para una corriente nula de ánodo.
• Curva C: tensión directa de pico admisible V
GF
.
• Curva D: hipérbola de la potencia media máxima P
GAV
que no debemos sobrepasar.


Figura 3. Curva características de puerta del tiristor.




4. TRIAC.
El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos de
control: los tiristores. El triac es en esencia la conexión de dos tiristores en paralelo pero
conectados en sentido opuesto y compartiendo la misma compuerta. (ver imagen).
A1: Ánodo 1, A2: Ánodo 2, G: Compuerta
El triac sólo se utiliza en corriente alterna y al igual que el tiristor, se dispara por la
compuerta. Como el triac funciona en corriente alterna, habrá una parte de la onda que será
positiva y otra negativa.

La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y cuando haya
habido una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de arriba
hacia abajo (pasará por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasará por el triac siempre y cuando haya
habido una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente circulará de abajo
hacia arriba (pasará por el tiristor que apunta hacia arriba)
Para ambos semiciclos la señal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o
compuerta). Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla
y así, controlar el tiempo que cada tiristor estará en conducción. Recordar que un tiristor
sólo conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay
un voltaje positivo de un valor mínimo para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor está en conducción, se puede controlar la
corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que consume.
Ejemplo: Una aplicación muy común es el atenuador luminoso de lámparas incandescentes
(circuito de control de fase).
Dónde:
- Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lámpara
- P: potenciómetro
- C: condensador (capacitor)
- R: Resistor
- T: Triac
- A2: Anodo 2 del Triac
- A3: Anodo 3 del Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac
El triac controla el paso de la corriente alterna a la lámpara (carga), pasando continuamente
entre los estados de conducción
(cuando la corriente circula por el triac)
y el de corte (cuando la corriente no
circula)
Si se varía el potenciómetro, se varía el
tiempo de carga de un capacitor
causando que se incremente o reduzca
la diferencia de fase de la tensión de
alimentación y la que se aplica a la
compuerta
5. DIAC.
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseñado para disparar
TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensión). Tiene dos terminales: MT1
y MT2.

El DIAC se comporta como dos diodos Zener conectados en serie, pero orientados en
formas opuestas. La conducción se da cuando se ha superado el valor de tensión del Zener
que está conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene
una pequeña corriente de fuga. La
conducción aparece cuando la tensión de
disparo se alcanza.
Cuando la tensión de disparo se alcanza, la
tensión en el DIAC se reduce y entra en
conducción dejando pasar la corriente
necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en
aplicaciones de control de potencia
mediante control de fase. La curva
característica del DIAC se muestra a continuación



6. Tiristores foto activados (LASCR)
Estos tiristores, se activan por radiación de luz directa, en la oblea de silicio, en la zona de
la juntura “J2”. La radiación de luz genera en esta zona (polarizada inversamente, con
tensión de bloqueo directo, en los extremos del tiristor), generando suficiente pares
electrón-huecos que, por el proceso de realimentación, activan al tiristor. La estructura de la
compuerta se diseña de tal forma que proporciona suficiente sensibilidad para ser activado
con fuentes luminosas normales como por ejemplo radiación luminosa provenientes de
fibras ópticas o diodos emisores de luz(LEDS).
Estos tiristores se usan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, a frecuencia industrial,
como las conversiones para transmisiones CC de alto voltaje (HVDC) y compensación de
potencia reactiva. Los LASCR, tienen un aislamiento eléctrico completo entre la fuente de
radiación de activación y el circuito conversor que trabaja a alta tensión. Las
especificaciones eléctricas máximas de estos dispositivos, llegan a 4000 V a 1500 con una
potencia de activación, menor de 100 mW. Soportan una dv/dt de hasta 2000 V/μseg y di/dt
de unos 250 A/mseg.

7. Tiristores de apagado por compuerta (GTO)
EL GTO, en forma similar a un SCR, se puede activar con una señal pulsante positiva en la
compuerta, pero tiene la posibilidad de apagarlo con una señal negativa aplicada en la
misma compuerta. Los GTO, se pueden construir con especificaciones de tensión y
corrientes parecidas a los SCR, con las siguientes ventajas:
1) No necesitan elementos auxiliares de conmutación en convertidores que necesitan la
conmutación forzada, reduciendo el costo peso y volumen del convertidor.
2) Reducción del ruido acústico y electromagnético por eliminación de los reactores de
conmutación.
3) Desactivación más rápida lo que le permite trabajar con frecuencias de conmutación más
elevada.
4) Mayor eficiencia de los convertidores en aplicaciones de baja potencia, los GTO
también tienen ventajas sobre los transistores bipolares:
1) Mayor especificación de voltaje de bloqueo.
2) Alta relación de corriente pico controlable a corriente promedio.
3) Alta relación de corriente pico de sobrecarga y la corriente promedio. (10:1)
4) Alta ganancia entre la corriente en el estado activo y la corriente de compuerta necesaria
para su activación (1:600).
5) Señal pulsante de corta duración en compuerta para su activación y desactivación a
diferencia del transistor bipolar que requiere señal permanente en estado activo.

A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional “n+” cerca del ánodo, que forma un
circuito de apagado entre la compuerta y el cátodo, en paralelo con la compuerta de
encendido. El circuito equivalente es similar al SCR, excepto por su mecanismo de apagado
interno. La activación se logra con un pulso de corriente entrante, aplicado entre la
compuerta y el cátodo. Para lograr la realimentación interna que lo lleve al estado activo o
encendido, el pulso de corriente entrante debe cumplir especificaciones, dadas por el
fabricante, respecto al gradiente de elevación, corriente máxima y duración del impulso.
El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el cátodo y la
compuerta (corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de carga
del cátodo, que correspondería al emisor del transistor Q2 (transistor npn, en el circuito
equivalente) para cortarlo y de esa manera sacar al transistor Q1 de la acción regenerativa.
Con esta acción, el transistor Q1 queda con la base abierta y el GTO vuelve al estado
desactivado o no conductor. De la misma forma, el pulso de corriente de apagado debe
cumplir con las especificaciones dadas por el fabricante.
Respecto a la corriente de encendido del ánodo, esta debe ser por lo menos del 1% del
pulso de activación, para asegurarse que la compuerta mantenga la retención del estado
activo. Durante el apagado, la corriente de ánodo, tiene una larga “cola residual de
apagado” por lo que se debe esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado la
carga residual del ánodo y se pueda, nuevamente activarlo. En la próxima figura se muestra
las especificaciones que debe cumplir el pulso positivo de encendido, como así también la
forma típica de la corriente de ánodo en función del pulso negativo de apagado.



8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor convencional
del tipo SCR y un transistor MOSFET. Este último cuando se le aplica un voltaje en su
compuerta, conduce la corriente de disparo o activación del tiristor. La tensión necesaria
aplicable al MOSFET para el disparo, es de unos 3 volt. Este dispositivo, tiene alta
velocidad de conmutación y altos valores de di/dt y dv/dt.

El encendido es por tensión eléctrica, pero no se puede apagar, salvo por la conmutación
natural o forzosa. Tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo óptico para dar
aislamiento eléctrico entre la señal de control y la del circuito convertidor.

9. Tiristor de apagado por MOS (MTO)
El MTO es una combinación de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las
capacidades de apagado del GTO. Vimos que en este último, necesitamos una corriente
inversa considerable para cortar la corriente de emisor del transistor npn y de esta manera
eliminar la realimentación con el transistor pnp para así desactivar al GTO. En el caso del
MTO, el transistor MOS, que esta conectado entre la base y emisor del transistor bipolar
npn, hace caer la tensión base emisor por debajo del umbral y de esta manera éste transistor
deja de conducir, eliminando la realimentación.
La estructura es parecida al GTO, conservando las ventajas de alto voltaje (hasta 10Kv) y
elevada corriente (4000 A), con aplicaciones de gran potencia (1 a 20 MVA).El MTO se
apaga mas rápidamente que el GTO y casi se eliminan las perdidas asociadas a las cargas
de almacenamiento. También tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al GTO, tienen
una larga cola de corriente de apagado.


10. Tiristores de apagado por emisor (ETO)
El ETO es un dispositivo hibrido compuesto por un MOS y un GTO, en el que se combinan
las ventajas de ambos semiconductores. Tiene dos compuertas, una normal para activarlo y
otra, con un MOSFET conectado en serie, para apagarlo. Su estructura y circuito
equivalente, se muestra en la siguiente figura:

La activación se logra aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2; de esta manera el
MOSFET de canal P se mantiene en condición de bloqueado y el MOSFET de canal N
conduce, permitiendo un flujo de corriente a la compuerta del GTO. Esta corriente inicia el
proceso de realimentación interna la realimentación haciendo que el GTO conduzca y asi el
ETO pasa al estado de conducción o activación.
El apagado se logra aplicando un voltaje negativo a la compuerta 2, apagando el MOSFET
de canal N ; la corriente principal se desvía del cátodo (emisor del transistor bipolar npn del
GTO) , hacia la base a través del MOSFET de canal P, deteniendo el proceso de
realimentación interna y apagando o desactivando al ETO.
En forma parecida al GTO, el ETO también tiene una cola larga de la corriente de ánodo, al
final del apagado, por lo que se debe esperar para el siguiente encendido, hasta que la
corriente residual, del lado del ánodo, se haya disipado por el proceso de recombinación. Se
disponen de estos dispositivos con tensiones de bloqueo directo e inverso de valores de
hasta 6 KV y corrientes de hasta 4000 A.

11. Tiristores conmutados por compuerta integrada
(IGCT)
En el IGCT, se integran un tiristor conmutado por
compuerta (GCT) y un activador de compuerta en tarjeta
de circuito impreso multicapa. El GCT, es un GTO de
conmutación permanente con un pulso de corriente de
compuerta muy rápido y de valor muy alto, prácticamente
del mismo valor que toma la corriente de cátodo y la lleva
a la compuerta en aproximadamente en 1 μseg para
asegurar un apagado rápido.
La estructura interna de GCT y su circuito equivalente, es parecido al GTO, como se
muestra en la siguiente figura, que además tiene un diodo integrado en paralelo:

El encendido del IGCT es similar al GTO, aplicando una corriente de encendido a la
compuerta. Para apagarlo, se recurre a una tarjeta de circuito impreso multicapa de
compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rápida, por ejemplo una corriente de 4
KA/μsg, con solo un voltaje de 20 volt de compuerta –cátodo. Con esta variación de la
corriente de compuerta, el transistor npn, del lado del cátodo, se apaga en su totalidad en
menos de aprox. 1 μseg. y de hecho el transistor pnp al quedar su base abierta , también se
apaga y el IGCT se desactiva. Debido a la muy corta duración del pulso, el consumo de
compuerta se reduce al mínimo.


12. Tiristores controlados por MOS (MCT)
En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas, con
una estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de compuerta
aislada (IGBT), se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de efecto de
campo; el conjunto resulta en una mejoría respecto a un tiristor con un par de MOSFET,
que lo activan y lo desactivan. Existen varios dispositivos de estas estructuras MCT;
solamente analizaremos una de ellas, el MCT de canal “p” de mayor difusión. En la
próxima figura representaremos su estructura interna:

El proceso de construcción de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos
remitiremos a su circuito eléctrico equivalente, formado por dos transistores bipolares, uno
npn, el otro pnp y dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro de canal
p, conectados como muestra la siguiente figura:

Los MCT tienen las siguientes características eléctricas:
1) Tiene baja caída de tensión en sentido directo durante su estado conductor.
2) Tienen un corto tiempo de activación, normalmente 0,4μseg. y un corto tiempo de
apagado de aproximadamente 1,25 μseg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A.
3) Tiene bajas perdidas por conmutación.
4) Baja capacidad de bloqueo de la tensión inversa.
5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito
generador de pulsos de excitación de compuerta.
6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas desviaciones
de las especificadas.
7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para
evitar falsas excitaciones.
La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite el
encendido y apagado rápido con bajas perdidas por conmutación. La potencia o energía
para su activación y desactivación es baja y el retardo debido al almacenamiento de cargas,
también es muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el dispositivo de
retención, ideal, para ser usado en los convertidores de energía eléctrica