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INSTITUTO TECNOLGICO

DE
MATAMOROS


Electrnica Digital I

Familias Lgicas

Aula K4
10:00AM - 11:00AM

Edgar Jovany Salazar Correa

\


Ing. Arturo Vela Aguilar



H. Matamoros, Tam. A 12 de Octubre del 2009
Familia Lgica
Una familia lgica es el conjunto de circuitos integrados (CIs) los cuales pueden ser
interconectados entre si sin ningn tipo de Interface o aditamento, es decir, una salida de un CI
puede conectarse directamente a la entrada de otro CI de una misma familia. Se dice entonces que
son compatibles.
Las familias pueden clasificarse en bipolares y MOS. podemos mencionar algunos ejemplos.
Familias bipolares: RTL, DTL, TTL, ECL, HTL, IIL. Familias MOS: PMOS, NMOS, CMOS.
Las tecnologas TTL (lgica transistor- transistor) y CMOS (metal oxido-semiconductor
complementario) son los mas utilizadas en la fabricacin de CIs SSI (baja escala de integracin) y
MSI (media escala de integracin).

















Familia TTL (transistor-transistor logic)

TTL es la sigla en ingls de transistor-transistor logic, es decir, "lgica transistor a transistor". Es una
familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En
los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son
transistores bipolares.

Caractersticas

Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75v y los 5,25V (como se
ve un rango muy estrecho).
Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,2V y 0,8V para el estado
L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto).
La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta caracterstica le hace
aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de
TTL como FAST, LS, S, etc y ltimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede
alcanzar poco ms de los 250 MHz.
Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de circuitos adicionales de
transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves prdidas).

Historia

Aunque la tecnologa TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania, fue Signetics la compaa
que la populariz por su mayor velocidad e inmunidad al ruido que su predecesora DTL, ofrecida por
Fairchild Semiconductor y Texas Instruments, principalmente. Texas Instruments inmediatamente pas a
fabricar TTL, con su familia 74xx, que se convertira en un estndar de la industria.
Familias TTL
Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en las series militares e
industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras que representa la familia y posteriormente
uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.

Con respecto a las familias cabe distinguir:
TTL : Serie estndar
TTL-L (low power) : Serie de bajo consumo
TTL-S (schottky) : Serie rpida (usa diodos Schottky)
TTL-AS (advanced schottky) : Versin mejorada de la serie anterior
TTL-LS (low power schottky) : Combinacin de las tecnologas L y S (es la familia ms extendida)
TTL-ALS (advanced low power schottky) : Versin mejorada de la serie AS
TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky)
TTL-AF (advanced FAST) : Versin mejorada de la serie F
TTL-HC (high speed C-MOS) : Realmente no se trata de tecnologa TTL bipolar sino CMOS
TTL-HCT (high speed C-MOS) : Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles con TTL
TTL-G (GHz C-MOS) : GHz ( From PotatoSemi)






Versiones

A la familia inicial 7400, o 74N, pronto se aadi una versin ms lenta pero de bajo consumo, la
74L y su contrapartida rpida, la 74H, que tena la base de los transistores dopada con oro para producir
centros de recombinacin y disminuir la vida media de los portadores minoritarios en la base. Pero el
problema de la velocidad proviene de que es una familia saturada, es decir, los transistores pasan de corte a
saturacin. Pero un transistor saturado contiene un exceso de carga en su base que hay que eliminar antes
de que comience a cortarse, prolongando su tiempo de respuesta. El estado de saturacin se caracteriza por
tener el colector a menos tensin que la base. Entonces un diodo entre base y colector, desva el exceso de
corriente impidiendo la introduccin de un exceso de cargas en la base. Por su baja tensin directa se
utilizan diodos de barrera Schottky. As se tienen las familias 74S y 74LS, Schottky y Schottky de baja
potencia. Las 74S y 74LS desplazaron por completo las 74L y 74H, debido a su mejor producto
retardoconsumo. Mejoras en el proceso de fabricacin condujeron a la reduccin del tamao de los
transistores que permiti el desarrollo de tres familias nuevas: 74F (FAST: Fairchild Advanced Schottky
Technology) de Fairchild y 74AS (Advanced Schottky) y 74ALS (Advanced Low Power Schottky) de Texas
Instruments. Posteriormente, National Semiconductor redefini la 74F para el caso de bferes e interfaces,
pasando a ser 74F(r).

Puerta NAND en tecnologa TTL estndar (N)

Tecnologa

La tecnologa TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le nombra:
Etapa de entrada por emisor. Se utiliza un transistor multiemisor en lugar de la matriz de diodos de DTL.
Separador de fase. Es un transistor conectado en emisor comn que produce en su colector y emisor
seales en contrafase.
Driver. Est formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero va conectado al emisor
del separador de fase y drenan la corriente para producir el nivel bajo a la salida. El segundo grupo va
conectado al colector del divisor de fase y produce el nivel alto.
Esta configuracin general vara ligeramente entre dispositivos de cada familia, principalmente la etapa de
salida, que depende de si son bferes o no y si son de colector abierto, tres estados (ThreeState), etc.
Mayores variaciones se encuentran entre las distintas familias: 74N, 74L y 74H difieren principalmente en
el valor de las resistencias de polarizacin, pero la mayora de los 74LS (y no 74S) carecen del transistor
multiemisor caracterstico de TTL. En su lugar llevan una matrz de diodos Schottky (como DTL). Esto les
permite aceptar un margen ms amplio de tensiones de entrada, hasta 15V en algunos dispositivos, para
facilitar su interface con CMOS. Tambin es bastante comn, en circuitos conectados a buses, colocar un
transistor pnp a la entrada de cada lnea, para disminuir la corriente de entrada y as cargar menos el bus.
Existen dispositivos de interface que integran impedancias de adaptacin al bus para disminuir la
reflexiones u aumentar la velocidad.
Famialia CMOS

CMOS (del ingls complementary metal oxide semiconductor, "semiconductor de metal
oxido complementario") es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos
integrados (chips). Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de
tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de
energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa
CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, DSPs y muchos otros tipos de chips digitales.
Cuando la entrada es 1, el transistor nMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente
conectada a tierra (0), el valor 0 se propaga al drenador y por tanto a la salida de la puerta lgica.
El transistor pMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin
Cuando la entrada es 0, el transistor pMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente
conectada a la alimentacin (1), el valor 1 se propaga al drenador y por tanto a la salida de la
puerta lgica. El transistor nMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin.
Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal
degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0 o 1,
siempre y cuando an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.



Historia

La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah, de Fairchild Semiconductor, a
principios de los aos 60. Sin embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su famosa
familia lgica CD4000. Posteriormente, la introduccin de un bfer y mejoras en el proceso de
oxidacin local condujeron a la introduccin de la serie 4000B, de gran xito debido a su bajo
consumo (prcticamente cero, en condiciones estticas) y gran margen de alimentacin (de 3 a 18
V). RCA tambin fabric LSI en esta tecnologa, como su familia COSMAC de amplia aceptacin
en determinados sectores, a pesar de ser un producto caro, debido a la mayor dificultad de
fabricacin frente a dispositivos NMOS.
Pero su taln de Aquiles consista en su reducida velocidad. Cuando se aumenta la frecuencia de
reloj, su consumo sube proporcionalmente, hacindose mayor que el de otras tecnologas. Esto se
debe a dos factores:
La capacidad MOS, intrnseca a los transistores MOS, y
La utilizacin de mos de canal P, ms lentos que los de canal N, por ser la movilidad de los
huecos menor que la de los electrones.
El otro factor negativo era la complejidad que conlleva el fabricar los dos tipos de transistores, que
obliga a utilizar un mayor nmero de mscaras. Por estos motivos, a comienzos de los 80, algunos
autores pronosticaban el final de la tecnologa CMOS, que sera sustituida por la novedosa I
2
L,
entonces prometedora.
Esta fue la situacin durante una dcada, para, en los ochenta, cambia el escenario rpidamente:
Por un lado, las mejoras en los materiales, tcnicas de litografa y fabricacin, permitan reducir el
tamao de los transistores, con lo que la capacidad MOS resultaba cada vez menor.
Por otro, la integracin de dispositivos cada vez ms complejos obligaba a la introduccin de un
mayor nmero de mscaras para asegurar el aislamiento entre transistores, de modo que no era
ms difcil la fabricacin de CMOS que de NMOS.
En este momento empez un eclosin de memorias CMOS, pasando de 256x4 bits de la 5101 a
2kx8 de la 6116 y 8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como consumo reducido y
velocidad a sus contrapartidas NMOS. Tambin los microprocesadores, NMOS hasta la fecha,
comenzaron a aparecer en versiones CMOS (80C85, 80C88, 65C02...).
Y aparecieron nuevas familias lgicas, HC y HCT en competencia directa con la TTL-LS,
dominadora del sector digital hasta el momento.
Para entender la velocidad de estos nuevos CMOS, hay que considerar la arquitectura de los
circuitos NMOS:
Uso de cargas activas. Esto es: un transistor se polariza con otros transistores y no con resistencias
debido al menor tamao de aquellos. Adems, el transistor MOS funciona fcilmente como
fuente de corriente constante. Entonces un inversor se hace conectando el transistor inversor a la
carga activa. Cuando se satura el transistor, drena toda la corriente de la carga y el nivel da salida
baja. Cuando se corta, la carga activa inyecta corriente hasta que el nivel de salida sube. Y aqu est
el compromiso: es deseable una corriente pequea porque reduce la necesidad de superficie en el
silicio (transistores ms pequeos) y la disipacin (menor consumo). Pero las transiciones de nivel
bajo a nivel alto se realizan porque la carga activa carga la capacidad MOS del siguiente transistor,
adems de las capacidades parsitas que existan, por lo que una corriente elevada es mejor, pues
se cargan las capacidades rpidamente.
Estructuras de almacenamiento dinmicas. La propia capacidad mos se puede utilizar para retener
la informacin durante cortos periodos de tiempo. Este medio ahorra transistores frente al
biestable esttico. Como la capacidad mos es relativamente pequea, en esta aplicacin hay que
usar transistores grandes y corrientes reducidas, lo que lleva a un dispositivo lento.
La tecnologa CMOS mejora estos dos factores:
Elimina la carga activa. La estructura complementaria hace que slo se consuma corriente en las
transiciones, de modo que el transistor de canal P puede aportar la corriente necesaria para cargar
rpidamente las capacidades parsitas, con un transistor de canal N ms pequeo, de modo que la
clula resulta ms pequea que su contrapartida en NMOS.
En cmos se suelen sustituir los registros dinmicos por estticos, debido a que as se puede bajar el
reloj hasta cero y las reducidas dimensiones y bajo consumo de la celda CMOS ya no hacen tan
atractivos los registros dinmicos.
CMOS analgicos
Los transistores MOS tambin se emplean en circuitos analgicos, debido a dos caractersticas
importantes:
Alta impedancia de entrada: La puerta de un transistor MOS viene a ser un pequeo
condensador, por lo que no existe corriente de polarizacin.
UN TRANSISTOR DEBE TENER SI O SI CORRIENTE DE POLARIZACIN...SINO NO
ANDA!!!!!!!!
Baja resistencia de canal: Un MOS saturado se comporta como una resistencia cuyo valor
depende de la superficie del transistor. Es decir, que si se le piden corrientes reducidas, la cada de
tensin en el transistor llega a ser muy reducida.
Estas caractersticas posibilitan la fabricacin de amplificadores operacionales "Rail-to-Rail", en los
que el margen de la tensin de salida abarca desde la alimentacin negativa a la positiva. Tambin
es til en el diseo de reguladores de tensin lineales y fuentes conmutadas.
CMOS y Bipolar
Se emplean circuitos mixtos bipolar y CMOS tanto en circuitos analgicos como digitales, en un
intento de aprovechar lo mejor de ambas tecnologas. En el mbito analgico destaca la tecnologa
BiCMOS, que permite mantener la velocidad y precisin de los circuitos bipolares, pero con la
alta impedancia de entrada y mrgenes de tensin CMOS. En cuanto a las familias digitales, la idea
es cortar las lneas de corriente entre alimentacin y masa de un circuito bipolar, colocando
transistores MOS. Esto debido a que un transistor bipolar se controla por corriente, mientras que
uno MOS, por tensin.
Problemas
Hay tres problemas principales relacionados con la tecnologa CMOS, aunque no son exclusivos
de ella:
Sensibilidad a las cargas estticas. Histricamente, este problema se ha resuelto mediante
protecciones en las entradas del circuito. Pueden ser diodos en inversa conectados a masa y a la
alimentacin, que, adems de proteger el dispositivo, reducen los transitorios o zener conectados a
masa. Este ltimo mtodo permite quitar la alimentacin de un slo dispositivo.
Latch-Up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura cmos que se dispara
cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad cuando existen
transitorios por usar lneas largas mal adaptadas, excesiva impedancia en la alimentacin o
alimentacin mal desacoplada. El Latch-Up produce un camino de baja resistencia a la corriente
de alimentacin, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la destruccin del dispositivo. Las
ltimas tecnologas se anuncian como inmunes al latch-up.
Resistencia a la radiacin. El comportamiento de la estructura MOS es sumamente sensible a la
existencia de cargas atrapadas en el xido. Una partcula alfa o beta que atraviese un chip CMOS
puede dejar cargas a su paso, cambiando la tensin umbral de los transistores y deteriorando o
inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos" (Hardened), fabricados
habitualmente en silicio sobre aislante (SOI)




















Diferencias que existen en TTL y CMOS

NIVELES LOGICOS
Para que un CI TTL opere adecuadamente, el fabricante especifica que una entrada baja vare de
0 a 0.8V y una alta vare de 2 a 5V. La regin que esta comprendida entre 0.8 y 2V se le denomina
regin prohibida o de incertidumbre y cualquier entrada en este rango dara resultados
impredecibles.
Los rangos de salidas esperados varan normalmente entre 0 y 0.4V para una salida baja y de 2.4 a
5V para una salida alta.
La diferencia entre los niveles de entrada y salida (2-2.4V y 0.8-0.4V) es proporcionarle al
dispositivo inmunidad al ruido que se define como la insensibilidad del circuito digital a seales
elctricas no deseadas.
Para los CI CMOS una entrada alta puede variar de 0 a 3V y una alta de 7 a 10V (dependiendo
del tipo de CI CMOS). Para las salidas los CI toman valores muy cercanos a los de VCC Y GND
(Alrededor de los 0.05V de diferencia).
Este amplio margen entre los niveles de entrada y salida ofrece una inmunidad al ruido mucho
mayor que la de los CI TTL.
VELOCIDAD DE OPERACIN
Cuando se presenta un cambio de estado en la entrada de un dispositivo digital, debido a su
circuitera interna, este se demora un cierto tiempo antes de dar una respuesta a la salida. A este
tiempo se le denomina retardo de propagacin. Este retardo puede ser distinto en la transicin de
alto a bajo (H-L) y de bajo a alto (L-H).
La familia TTL se caracteriza por su alta velocidad (bajo retardo de propagacin) mientras que la
familia CMOS es de baja velocidad, sin embargo la subfamilia de CI CMOS HC de alta velocidad
reduce considerablemente los retardos de propagacin.
FAN-OUT O ABANICO DE SALIDA
Al interconectar dos dispositivos TTL (un excitador que proporciona la seal de entrada a una
carga) fluye una corriente convencional entre ellos.
Cuando hay una salida baja en el excitador, este absorbe la corriente de la carga y cuando hay una
salida alta en el excitador, la suministra. En este caso la corriente de absorcin es mucho mayor a
la corriente de suministro.
Estas corrientes determinan el fan-out que se puede definir como la cantidad de entradas que se
pueden conectar a una sola salida, que para los CIs TTL es de aproximadamente de 10. Los CIs
CMOS poseen corrientes de absorcin y de suministro muy similares y su fan-out es mucho mas
amplio que la de los CIs TTL. Aproximadamente 50.

CIRCUITOS INTEGRADOS TTL
Esta familia utiliza elementos que son comparables a los transistores bipolares diodos y resistores
discretos, y es probablemente la mas utilizada. A raz de las mejoras que se han realizado a los CI
TTL, se han creado subfamilias las cuales podemos clasificarlas en:
1. TTL estndar.
2. TTL de baja potencia (L).
3. TTL Schottky de baja potencia (LS).
4. TTL Schottky (S).
5. TTL Schottky avanzada de baja potencia (ALS).
6. TTL Schottky avanzada (AS).
Como sus caractersticas de voltaje son las mismas (La familia lgica TTL trabaja normalmente a
+5V), analizaremos sus velocidades y consumo de potencia.


Velocidad aproximada Subfamilia TTL
1.5 ns Schottky avanzada
3 ns Schottky
4 ns Schottky avanzada de baja potencia
10 ns Schottky de baja potencia
10 ns estndar
33 ns baja potencia
Tabla 1: Velocidades de las distintas subfamilias TTL
Consumo de potencia por puerta Subfamilia TTL
1 mW baja potencia
1 mW Schottky avanzada de baja potencia
2 mW Schottky de baja potencia
7 mW Schottky avanzada
10 mW estndar
20 mW Schottky
Tabla 2: Consumo de potencia de las subfamilias TTL
Observemos que las subfamilias Schottky de baja potencia como la Schottky avanzada de baja
potencia renen excelentes caractersticas de alta velocidad y bajo consumo de potencia.
Debido a su configuracin interna, las salidas de los dispositivos TTL NO pueden conectarse
entre si a menos que estas salidas sean de colector abierto o de tres estados.


CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Estos CIs se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya que se fabrican a
partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia de entrada su consumo de
potencia es mnimo.
Estos CIs se pueden clasificar en tres subfamilias:
Familia Rango de tensin Consumo potencia Velocidad
estndar (4000) 3 15 V 10 mW 20 a 300 ns
serie 74C00 3 15 V 10 mW 20 a 300 ns
serie 74HC00 3 15 V 10 mW 8 a 12 ns
Tabla 3: Subfamilias CMOS






La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00.
DESCARGAS ELECTROSTTICAS
Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al dao por descargas electrostticas entre un par de
pines.
Estos daos pueden prevenirse:
1. Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
2. Usando soldadores alimentados por batera o conectando a tierra las puntas de los
soldadores alimentados por ac.
3. Desconectando la alimentacin cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien
conexiones en un circuito.
4. Asegurando que las seales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de
alimentacin.
5. Desconectando las seales de entrada antes de las de alimentacin.
6. No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra
segn se requiera.
MARCAS EN UN CI
Dependiendo del fabricante, un CI puede presentar distintas demarcaciones en la parte superior
del mismo, pero una marca comn en un CI TTL es como la que se describe a continuacin:

Figura 1: Marcas de un CI
El pin o patilla 1 se identifica con un punto, muesca o banda coloreada en uno de los extremos del
CI. Siempre se sita a la izquierda colocando el integrado con el extremo demarcado hacia arriba.
El logotipo o el pequeo dibujo que identifica al fabricante puede aparecer en cualquiera de los
dos extremos y el numero de circuito aparece generalmente centrado junto al costado izquierdo.
Un ejemplo de numero de circuito de un CI TTL puede ser el DM74ALS76N. Veamos como se
decodifica este numero:
DM: Las primeras letras identifican al fabricante (National Semiconductor)
74: Los dos primeros nmeros indican la serie (serie 7400)
ALS: Estas letras indican la subfamilia TTL (Schottky avanzada de baja potencia)
76: Los nmeros siguientes especifican la funcin (doble flip-flop JK)
N: El sufijo N indica que es un CI encapsulado en doble linea
Para un CI CMOS las marcas son muy similares. Un ejemplo podra ser el MC74HC32N:
MC: Identifica al fabricante (Motorola)
74HC: Indica la subfamilia o serie del integrado (74HC00)
32: Especifica la funcin (4 puertas OR de dos entradas) N: Este es el cdigo de National
Semiconductor para un CI DIP
CARACTERISTICAS TTL 411

Cicuito integrado AND TTL 7411


Cuadro de propiedades Norma CEI Cpsula
Cicuito Integrado:
Operador:
Tecnologa:
Puertas:
Entradas:
Cpsula:
Comentario:
7411, 74LS11, 74S11
AND
TTL
3
3 por puerta
DIP 14 pins
X


Caractersticas tcnicas:
Parmetro 7411 74LS11 74S11 UNIDAD
Tensin de alimentacin Vcc 5 0.25 50.25 50.25 V
Tensin de entrada nivel alto VIH 2.0 a 5.5 2.0 a 7.0 2.0 a 5.5 V
Tensin de entrada nivel bajo VIL -0.5 a 0.8 -0.5 a 0.8 -0.5 a 0.8 V
Tensin de salida nivel alto VOH
condiciones de funcionamiento:
V CC = 4.75, VIH = 2.0, VIL = 0.8
2.4 a 3.4 2.7 a 3.4 2.7 a 3.4 V
Tensin de salida nivel bajo VOL
condiciones de funcionamiento:
V CC = 4.75, VIH = 2.0
0.2 a 0.4 0.35 a 0.5 mx 0.5 V
Corriente de salida nivel alto IOH mx -0.4 mx -0.4 mx -1 mA
Corriente de salida nivel alto IOL mx 16 mx 8 mx 20 mA
Tiempo de propagacin 10.0 9.0 5.0 ns


Entradas Salida Tabla veritativa
A B C Y
La tabla veritartiva se llama de verdad y tabla de
combinaciones. Expresa los valores de una
expresin lgica para las diferentes
combinaciones de los valores de las variables
que figuran en la expresin.
L L L L
L L H L
L H L L
L H H L
H L L L
H L H L
H H L L
H H H H
TTL, acrnimo Ingls de Transistor-Transistor Logic o "Lgica Transistor a Transistor".
Tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales, en los que los elementos de entrada
de la red lgica son transistores, as como los elementos de salida del dispositivo. Las
caractersticas de la tecnologa utilizada, en la familia TTL, condiciona los parmetros que se
describen en sus hojas de caracteristicas segn el fabricante: Su tensin de alimentacin
caracteristica se halla comprendida entre los 4'75V y los 5'25V como se ve un rango muy estrecho
debido a esto, los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0'2V
y 0'8V para el estado L y los 2'4V y Vcc para el estado H. La velocidad de transmisin entre los
estados lgicos es su mejor baza, ciertamente esta caracteristica le hacer aumentar su consumo
siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como
FAST, LS, S, etc y ltimamente los TTL: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar
poco mas de los 250Mhz.
La electrnica digital de alta velocidad actual se encuentra dominada por dos tecnologas
fundamentales : una basada en la lgica transistor-transistor (TTL) y la otra en la lgica MOSFET
complementario (CMOS).
En electrnica digital, los dos posibles estados binarios se representan mediante tensiones y se
conoce como tecnologa TTL. Esta particularidad presenta una gran diferencia entre los sistemas
digitales y los analgicos. En los digitales, el valor exacto de la tensin no es importante; por
ejemplo, una tensin de 3,6 V tiene el mismo significado que una tensin de 4,5 V. En los
sistemas analgicos, el valor exacto es muy importante. Eso implica que los sistemas digitales son
ms inmunes al ruido; es decir, que una variacin de la tensin, dentro del rango permitido, no es
importante.
Operador:
Y, se denomina operador AND, operador interseccin, operador conjuncin, la salida est en
estado 1 si, y solamente si, todas las entradas estn en estado 1.


CMOS 4011



Cicuito integrado NAND CMOS HE4011

Cuadro de propiedades Norma CEI Cpsula
Cicuito Integrado:
Operador:
Tecnologa:
Puertas:
Entradas:
Cpsula:
Comentario:
HE4011
NAND
CMOS
4
2 por puerta
DIP 14 pins
X


Caractersticas tcnicas:
Parmetro VDD
Valor
UNIDAD
Tpico Mximo
Tiempo de propagacin nivel alto a nivel bajo tPHL
5 55 110 ns
10 25 45 ns
15 20 35 ns
.
Tiempo de propagacin nivel bajo a nivel alto tPLH
5 55 110 ns
10 25 45 ns
15 20 35 ns
.

Tiempo de transicin nivel alto a nivel bajo tPHL
5 60 120 ns
10 30 60 ns
15 20 40 ns
.
Tiempo de transicin nivel bajo a nivel alto tPLH
5 60 120 ns
10 30 60 ns
15 20 40 ns

Entradas Salida Tabla veritativa
I1 I2 O1
La tabla veritartiva se llama de verdad y tabla de
combinaciones. Expresa los valores de una expresin lgica
para las diferentes combinaciones de los valores de las
variables que figuran en la expresin.
L L H
L H H
H L H
H H L
TTL, acrnimo Ingls de Transistor-Transistor Logic o "Lgica Transistor a Transistor".
Tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales, en los que los elementos de entrada
de la red lgica son transistores, as como los elementos de salida del dispositivo. Las
caractersticas de la tecnologa utilizada, en la familia TTL, condiciona los parmetros que se
describen en sus hojas de caracteristicas segn el fabricante: Su tensin de alimentacin
caracteristica se halla comprendida entre los 4'75V y los 5'25V como se ve un rango muy estrecho
debido a esto, los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0'2V
y 0'8V para el estado L y los 2'4V y Vcc para el estado H. La velocidad de transmisin entre los
estados lgicos es su mejor baza, ciertamente esta caracteristica le hacer aumentar su consumo
siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como
FAST, LS, S, etc y ltimamente los TTL: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar
poco mas de los 250Mhz.
La electrnica digital de alta velocidad actual se encuentra dominada por dos tecnologas
fundamentales : una basada en la lgica transistor-transistor (TTL) y la otra en la lgica MOSFET
complementario (CMOS).
En electrnica digital, los dos posibles estados binarios se representan mediante tensiones y se
conoce como tecnologa TTL. Esta particularidad presenta una gran diferencia entre los sistemas
digitales y los analgicos. En los digitales, el valor exacto de la tensin no es importante; por
ejemplo, una tensin de 3,6 V tiene el mismo significado que una tensin de 4,5 V. En los
sistemas analgicos, el valor exacto es muy importante. Eso implica que los sistemas digitales son
ms inmunes al ruido; es decir, que una variacin de la tensin, dentro del rango permitido, no es
importante.










COMPATIBILIDAD ENTRE AMBAS FAMILIAS
Ya que los requerimientos para estas dos familias son bastante diferentes, requieren para su
interconexin la utilizacin de interfaces. A continuacin hay algunos ejemplos de interfaces
cuando los dispositivos trabajan con una misma fuente de voltaje y cuando trabajan con voltajes
distintos. (grficos de interfaces).


Figura 2: Interfaz estndar TTL a CMOS utilizando un resistor de "pull up"


Figura 3: Interfaz Schottky TTL de baja potencia a CMOS utilizando un resistor de "pull up"