You are on page 1of 15

Hiệu suất detector ghi nhận phổ gamma

Đặng Nguyên Phương
dnphuong1984@gmail.com
Ngày 21 tháng 5 năm 2014
1 Mở đầu
Trong nhiều thí nghiệm, điều mà chúng ta cần biết chính là các đặc trưng của tia gamma cũng
như các đặc trưng của nguồn mà ta quan tâm. Các đặc trưng này có thể là năng lượng tia
gamma hay hoạt độ của nguồn, trong khi đó thứ mà ta thu được chỉ là các số đếm ghi nhận
được từ detector. Để có thể suy ngược từ các số đếm này ra hoạt độ nguồn ta cần phải biết hiệu
suất của detector.
Tất cả các detector ghi bức xạ nói chung đều sẽ tăng các số đếm xung cho mỗi hạt vào tương
tác với vùng thể tích hoạt động của nó. Các hạt bức xạ mang điện cơ bản chẳng hạn như alpha
hay beta tương tác bằng cách ion hoá hay kích thích các nguyên tử của môi trường. Tương tác
này diễn ra một cách tức thời ngay khi các hạt đi vào trong vùng thể tích hoạt động (active
volume) hay còn gọi là vùng nhạy (sensitive volume) của detector. Các hạt này sẽ hình thành
đủ các cặp ion dọc theo quãng đường đi để chắc chắn rằng các xung được tạo ra đủ lớn để được
ghi nhận. Do vậy, rất dễ dàng để detector ghi nhận được mỗi hạt alpha hay beta vào trong vùng
thể tích hoạt động của nó. Trong những tình huống này, detector được xem như là có hiệu suất
100%.
Mặt khác, các hạt không mang điện tích chẳng hạn như tia gamma hay neutron đầu tiên phải
trải qua các tương tác vật lý trong detector trước khi việc ghi nhận có thể được tiến hành. Bởi vì
các bức xạ này có thể đi qua một quãng đường lớn trước khi tương tác, hiệu suất ghi nhận của
detector thường nhỏ hơn 100%. Do vậy cần thiết phải có được cấu hình dự đoán cho hiệu suất
của detector để có thể liên hệ được giữa số đếm xung với số photon hoặc neutron đến detector.
2 Hiệu suất detector
2.1 Cách tính hiệu suất
Hiệu suất của detector có thể được tính bằng cách sử dụng các nguồn mà ta đã biết trước hoạt
độ (ta tạm gọi là các nguồn chuẩn). Để biết được hoạt độ của nguồn chuẩn vào thời điểm hiện
tại C(t), trước tiên ta cần biết hoạt độ ban đầu C
0
vào thời điểm xuất xưởng, sau đó áp dụng
công thức
C(t) = C
0
e
−λt
(1)
Ứng với mỗi loại hiệu suất sẽ có các cách tính khác nhau, điều này sẽ được trình bày rõ hơn
trong Phần 2.2.
Hiệu suất của một tia gamma có năng lượng xác định có thể được nội suy hoặc ngoại suy từ các
hiệu suất của các tia gamma chuẩn mà ta đã tính trước đó. Lưu ý là bằng cách kết hợp việc đo
các nguồn chuẩn với việc đo các nguồn chưa chuẩn ở cả năng lượng thấp và cao đôi khi tránh
được rủi ro trong việc ngoại suy này.
1
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
Hiệu suất của việc đo nguồn có thể tích có thể được tính bằng cách đo các nguồn điểm chuẩn
tại các vị trí khác nhau mô phỏng theo hình học của nguồn có thể tích. Nếu chúng ta không
biết vật liệu phóng xạ nằm ở đâu trong lớp vỏ bọc hãy lặp lại việc đo sau khi lật nguồn lại và
tính hiệu suất trung bình.
2.2 Phân loại hiệu suất
Chúng ta có thể chia hiệu suất của detector thành hai loại: hiệu suất tuyệt đối và hiệu suất nội.
Hiệu suất tuyệt đối (absolute efficiency) được định nghĩa là tỉ số giữa số các xung ghi nhận
được và số các lượng tử bức xạ phát ra bởi nguồn. Hiệu suất này phụ thuộc không chỉ vào tính
chất của detector mà còn phụ thuộc vào bố trí hình học (chủ yếu là khoảng cách từ nguồn đến
detector).
ε
abs
=
Số đếm ghi nhận
Số photon phát ra từ nguồn
(2)
Hiệu suất thực/nội (intrinsic efficiency) được định nghĩa là tỉ số giữa số các xung ghi nhận
được và số các lượng tử bức xạ đến detector.
ε
int
=
Số đếm ghi nhận
Số photon tới detector
(3)
Đối với nguồn đẳng hướng, hai hiệu suất này liên hệ với nhau một cách đơn giản như sau
ε
int
= ε
abs
(4π/Ω) (4)
với Ω là góc khối của detector được nhìn từ vị trí của nguồn (Hình 1).
Hình 1: Minh họa góc khối nguồn - detector
Trong một số trường hợp, việc sử dụng hiệu suất nội thích hợp hơn so với hiệu suất tuyệt đối
bởi vì sự phụ thuộc hình học ít hơn. Hiệu suất nội của detector chỉ phụ thuộc chủ yếu vào vật
liệu detector, năng lượng bức xạ và độ dày vật lý của detector theo chiều của bức xạ tới. Vẫn
có sự phụ thuộc nhẹ của hiệu suất nội vào khoảng cách giữa nguồn với detector bởi vì quãng
đường trung bình của bức xạ đến detector có thể bị thay đổi một ít với khoảng cách này.
Mặt khác, hiệu suất của detector còn có thể được phân loại bởi việc ghi nhận toàn bộ hay một
phần sự kiện.
2
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
Hiệu suất toàn phần hay còn gọi là hiệu suất tổng (total efficiency) nếu chúng ta chấp nhận
tất cả các xung của detector. Trong trường hợp này tất cả các tương tác, không quan tâm đến
năng lượng, đều xem như là được ghi nhận.
Trong phân bố độ cao xung vi phân giả thuyết trong Hình 2, toàn bộ diện tích dưới phổ bằng
tất cả các xung được ghi nhận, không quan tâm đến biên độ, và được ghi nhận để xác định hiệu
suất toàn phần. Trong thực tế, rất nhiều hệ thống đo đạc luôn luôn đặt ra một yêu cầu rằng
các xung phải lớn hơn một mức ngưỡng xác định nào đó được thiết lập để phân biệt chống lại
các xung rất nhỏ từ các nguồn nhiễu điện tử. Do vậy, chúng ta chỉ có thể tiến tiệm cận đến hiệu
suất toàn phần lý thuyết bằng cách làm thấp ngưỡng này hết mức có thể.
Hiệu suất đỉnh (peak efficiency) chỉ ghi nhận những tương tác nào mất toàn bộ năng lượng
của bức xạ tới.
Trong phân bố độ cao xung vi phân ở Hình 2, các hiện tượng mất năng lượng toàn phần này
được thể hiện bởi một đỉnh xuất hiện ở vị trí cuối của phổ. Các hiện tượng mà chỉ mất một
phần năng lượng của bức xạ tới sẽ xuất hiện ở phía trái của đỉnh phổ. Số các hiện tượng mất
năng lượng toàn phần có thể được thu bởi một tích phân đơn giản diện tích toàn phần dưới
đỉnh, được cho thấy qua những phần gạch chéo trong Hình 2.
Hình 2: Phổ phân bố độ cao xung
Hiệu suất toàn phần và hiệu suất đỉnh được liên hệ với nhau qua tỉ số đỉnh/toàn phần (peak-total
ratio) P/T (trong một số trường hợp người ta có thể sử dụng tỉ số toàn phần/đỉnh T/P)
P/T =
ε
peak
ε
total
(5)
Tỉ số này phụ thuộc yếu vào khoảng cách từ nguồn tới đầu dò vì thế có thể bỏ qua hiệu ứng
khoảng cách. Trong thực nghiệm, người ta sử dụng một số nguồn đơn năng như
241
Am,
109
Cd,
51
Cr,
203
Hg,
137
Cs,
54
Mn,
65
Zn,... để xác định tỉ số P/T.
Thông thường đứng trên quan điểm thực nghiệm người ta chỉ sử dụng các hiệu suất đỉnh, bởi
vì nó sẽ không tính đến các hiện tượng được gây ra do các hiệu ứng nhiễu chẳng hạn như tán
xạ từ các vật thể xung quanh hay nhiễu loạn. Từ đó, giá trị của hiệu suất đỉnh có thể được thu
thập và ứng dụng một cách phổ quát cho các điều kiện khác nhau trong phòng thí nghiệm, nơi
mà hiệu suất toàn phần có thể bị ảnh hưởng bởi các điều kiện khác nhau.
Do đó, tốt nhất hiệu suất của detector nên được mô tả dựa theo cả hai tiêu chí phân loại được
nêu ở trên. Ví dụ, dạng thông dụng nhất của hiệu suất thường được lập bảng cho các detector
đo tia gamma là hiệu suất đỉnh thực (intrinsic peak efficiency), còn hiệu suất được sử dụng thực
3
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
tế phổ biến nhất là hiệu suất đỉnh tuyệt đối (absolute peak efficiency) hay còn gọi là hiệu suất
đỉnh năng lượng toàn phần (full-energy peak efficiency − FEPE)
ε
p
=
Số đếm ghi nhận tại đỉnh năng lượng toàn phần (full-energy peak)
Số photon phát ra từ nguồn
(6)
2.3 Hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần (FEPE)
Hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần (FEPE) hay gọi tắt hiệu suất đỉnh (peak efficiency) được
định nghĩa là xác suất của một photon phát ra từ nguồn mất mát toàn bộ năng lượng của nó
trong thể tích hoạt động của detector. Trong thực nghiệm hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần
ε
p
được xác định bởi
ε
p
(E) =
N
p
(E)
AI
γ
(E)t
(7)
với N
p
, A, I
γ
(E) và t lần lượt là diện tích đỉnh năng lượng toàn phần, hoạt độ tại thời điểm đo
(Bq), xác suất phát tia gamma, thời gian đo (s).
Hiệu suất đỉnh là một hàm theo năng lượng tia gamma và khoảng cách giữa nguồn − detector.
Sự phụ thuộc vào khoảng cách có thể được bỏ qua nếu chúng ta thay thế bằng hiệu suất thực,
xác định bằng số đếm của đỉnh năng lượng toàn phần chia cho số tia gamma đến detector.
Ở các mức năng lượng tia gamma đủ cao thì các detector trở nên tương đối trong suốt (xác suất
tương tác nhỏ hơn 20 hay 30%), hiệu suất thực gần như tỉ lệ với thể tích hoạt động toàn phần
của detector. Do vậy, hầu hết các detector thương mại được đặc trưng bởi thể tích hoạt động
toàn phần của chúng (được tính theo cm
3
).
Đối với các detector có dạng không đối xứng, hiệu suất thực có thể thay đổi đáng kể phụ thuộc
vào sự định hướng của nguồn tương đối với trục của detector, bởi vì bề dày trung bình của
detector dọc theo chiều của bức xạ tới hầu như quyết định trong việc xác định hiệu suất thực.
Đối với detector đồng trục hay có dạng hình học phức tạp, hiệu suất thực thường khó tính toán
một cách chính xác từ các số đếm ghi nhận được bởi vì độ bất định trong việc xác định góc khối
hiệu dụng của detector.
2.4 Hiệu suất tổng
Hiệu suất tổng (ε
t
) được định nghĩa như là xác suất của một photon phát ra từ nguồn mất bất
kì năng lượng khác không của nó trong thể tích hoạt động của detector. Để xác định được hiệu
suất tổng, trước tiên ta cần xác định số đếm tổng, số đếm này có thể được tính theo công thức
N
t
=
R

i=ETZ
C
i
+ C
ETZ
ETZ (8)
Ở đây R là số kênh tương ứng với biên phải của đỉnh năng lượng toàn phần, C
i
là số đếm tại
kênh thứ i, C
ETZ
là số đếm trung bình tại kênh ngưỡng cắt của phổ ETZ (extrapolation to
zero). Khi đó hiệu suất tổng được tính bằng công thức sau
ε
t
(E) =
N
t
(E)
AI
γ
(E)t
(9)
2.5 Hiệu suất danh định
Đối với các detector germanium, hiệu suất đỉnh có thể được trình bày bằng nhiều cách khác
nhau. Một trong những cách trình bày đó là sử dụng hiệu suất danh định (nominal efficiency).
4
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
Đây là giá trị hiệu suất detector được trình bày bởi hầu hết các nhà sản xuất thương mại.
Hiệu suất danh định là hiệu suất đỉnh tương đối so với hiệu suất đỉnh của một tinh thể nhấp
nháy NaI(Tl) hình trụ chuẩn có kích thước 3

×3

, khoảng cách giữa nguồn với detector được
cho là 25cm trong cả hai trường hợp để chuẩn hoá. Đỉnh năng lượng thông thường được sử dụng
để xác định hiệu suất là quang đỉnh 1.333MeV từ nguồn
60
Co. Tuy vậy, chỉ có diện tích quang
đỉnh của germanium có thể được đo trực tiếp, còn giá trị hiệu suất của detector NaI(Tl) được
tính bằng cách sử dụng một nguồn chuẩn và bằng cách giả sử một hiệu suất đỉnh tuyệt đối có
giá trị 1.2 ×10
−3
.
Tỉ lệ hiệu suất của detector germanium khi chúng được giới thiệu lần đầu tiên trong thập kỉ 60
chỉ là vài phần trăm nhưng hiện giờ đã có thể đạt tới 200% đối với detector lớn nhất hiện nay.
Những phát triển trong tương lai chẳng hạn như các kĩ thuật chế tạo tinh thể vẫn đang được
tiếp tục nhằm tạo ra những detector có hiệu suất cao hơn nữa.
3 Đường cong hiệu suất
Khi hiệu suất của detector được đo ở nhiều năng lượng bằng cách sử dụng nguồn chuẩn, người
ta nhận thấy cần thiết phải làm khớp nó thành một đường cong từ các điểm này để có thể mô
tả hiệu suất toàn vùng năng lượng mà ta quan tâm.
Đối với các detector germanium, một số công thức thực nghiệm đã được mô tả trong các tài liệu
và cũng đã được đưa vào trong các gói phần mềm sử dụng cho việc phân tích phổ tia gamma.
Hai dạng thông dụng nhất của detector germanium là cấu hình phẳng và đồng trục
Detector có cấu hình phẳng (planar detector) công thức đơn giản được đưa ra đầu tiên
bởi Mowatt cho nhiều loại detector khác nhau trên vùng năng lượng từ 60keV đến 1863keV
ε =
K [τ + σ Q exp(−RE)]
τ + σ
{1 −exp [−P(τ + σ)]} (10)
với τ và σ là các hệ số hấp thụ quang điện và Compton trong germanium ở năng lượng E; và
K, Q, R, P là các hệ số được làm khớp từ các điểm thực nghiệm.
Detector có cấu hình đồng trục (coaxial detector) đối với detector dạng này có nhiều hàm
làm khớp được đưa ra, phát triển và so sánh trong khoảng năng lượng từ 50keV đến 8500keV .
Các hàm thông dụng nhất chứa từ 3 đến 9 thông số thực nghiệm mà chúng được làm khớp từ
các đỉnh đo được trong thực nghiệm, một số thông số có thể được bỏ qua nếu khoảng năng
lượng được giới hạn. Những công thức có nhiều thông số hơn nói chung thoả những khoảng năng
lượng rộng hơn, nhưng cũng nhiều nguy cơ xuất hiện các các dao động phi vật lý trong hàm làm
khớp nếu các điểm dữ liệu nằm trong một khoảng rộng. Trong một vài trường hợp, các khoảng
năng lượng được chia ra làm hai hay nhiều phần và người ta thường làm khớp từng phần theo
từng khoảng năng lượng riêng biệt này. Để bao quát các khoảng năng lượng rộng lớn, người ta
thường sử dụng một công thức tuyến tính thể hiện mối tương quan giữa logarit của hiệu suất
và logarit của năng lượng
ln ε =
N

i=1
a
i

ln
E
E
0

i−1
(11)
với E
0
là năng lượng tham khảo được làm khớp và a
i
là các thông số được làm khớp.
5
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
3.1 Đường cong hiệu suất theo năng lượng
Do xác suất của mỗi cơ chế tương tác phụ thuộc vào năng lượng của photon tới nên hiệu suất
đỉnh và tỉ số đỉnh – toàn phần sẽ phụ thuộc theo năng lượng. Do đó khi hiệu chuẩn hiệu suất
cần khảo sát sự phụ thuộc theo năng lượng. Sự đo đạc các hiệu suất chuẩn với các nguồn chuẩn
đơn năng cung cấp cho chúng ta một bộ các giá trị hiệu suất tại các năng lượng xác định. Bước
tiếp theo là sử dụng bộ các điểm này để xây dựng một đường cong chuẩn hay một hàm cho
phép tính hiệu suất ở bất kì năng lượng nào nằm trong khoảng năng lượng được tính toán.
Phương pháp nội suy đơn giản nhất là bằng mắt thường. Tuy nhiên, với các hệ phổ kế xử lý
hoàn toàn tự động được sử dụng để đo đạc ngày nay, phương pháp thông dụng nhất là sử dụng
các hàm giải tích được làm khớp với các dữ liệu thực nghiệm bằng phương pháp bình phương
tối thiểu. Các hàm giải tích thường được sử dụng là hàm đa thức với log(E/E
0
) hay 1/E là đối
số; hàm mũ; hàm mũ exponential hay sự kết hợp giữa chúng và các hàm đặc biệt khác. Một số
hàm giải tích thông dụng được dùng để chuẩn đường cong hiệu suất được cho dưới đây
Hàm tuyến tính (linear function) được đưa ra trong những ngày đầu của phổ kế gamma với
detector Ge(Li), được xấp xỉ trong khoảng năng lượng từ 200 đến 2000keV .
log ε = a
0
−a
1
log(E/E
0
) (12)
hay
ε = c(E/E
0
)
−a
1
(13)
Hàm đa thức (polynomial function) có thể dùng cho các photon năng lượng trên 200keV ,
để xấp xỉ dạng hàm cho toàn bộ khoảng năng lượng, đường cong hiệu suất thường bao gồm hai
hàm đa thức với điểm nối nằm gần 200keV .
log ε =
N

i=0
a
i

log
E
E
0

i
(14)
Hàm spline (spline function) đây là một phương pháp làm khớp linh hoạt dùng các kỹ thuật
nội suy spline. Ưu điểm của kỹ thuật spline là khả năng ứng dụng của nó cho các dạng đường
cong hiệu suất tuỳ ý, dù cho các thông số được làm khớp cần thời gian tính toán cao hơn so với
các phương pháp bình phương tối thiểu phi tuyến.
Một số hàm giải tích khác chẳng hạn như
• Willett (1970): từ 110 keV đến 1333 keV
log ε = a
1
log(E/E
0
) + a
2
(log(E/E
0
))
2
−a
3
/E
3
(15)
• Gray và Ahmad (1985): từ 80 keV đến 1850 keV
ε =
1
E
8

i=0
a
i
(log(E/E
0
))
i−1
(16)
với a
5
= a
7
= 0.
6
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
• Sanchez-Reyes et al(1987): từ 63 keV đến 3054 keV
log ε = a
1

a
2
+ a
3
e
−a
4
E

e
−a
5
E
ln(E/E
0
) (17)
4 Các nhân tố ảnh hưởng đến hiệu suất detector
Các nhân tố ảnh hưởng đến hiệu suất của detector là năng lượng của tia tới, hình học đo, hiệu
ứng trùng phùng tổng, hệ điện tử và hiệu ứng tự hấp thụ
4.1 Sự phụ thuộc năng lượng của hiệu suất đỉnh
Sự phụ thuộc năng lượng của hiệu suất đỉnh được thể hiện trong Hình 3. Hiệu suất giảm ở vùng
năng lượng thấp là do sự hấp thụ tia gamma năng lượng thấp trên lớp chết mặt ngoài detector
tăng lên. Tại vùng năng lượng cao, hiệu suất giảm là do hạn chế về thể tích của detector. Để xác
định sự phụ thuộc của hiệu suất vào năng lượng chúng ta có thể dùng các nguồn chuẩn có năng
lượng đã biết trước chẳng hạn như
51
Cr,
54
Mn,
57
Co,
60
Co,
85
Sr,
88
Y,
109
Cd,
137
Cs,
139
Ce,...
tương ứng với các đỉnh năng lượng 320keV , 834keV , 122keV , 1173 và 1332keV , 540keV , 898
và 1836keV , 88keV , 661keV , 165keV ,...
Hình 3: Minh họa đường cong hiệu suất theo năng lượng
4.2 Yếu tố hình học đo
Hầu hết các hệ phổ kế bán dẫn đều không chỉ được sử dụng cho riêng một hình học đo riêng lẻ
nào cả. Các nguồn được đo có thể khác nhau một cách đáng kể về hoạt độ và thành phần cho
nên khoảng cách từ nguồn đến detector hay hình học đo phải được điều chỉnh tương ứng. Các
nguồn có thể khác nhau về kích thước hay là vật liệu phóng xạ có thể được đưa vào trong các
chất nền khác nhau. Nếu tốc độ phát photon được xác định, một sự chuẩn hoá phải được thực
hiện cho mỗi hình học đo. Vấn đề của việc cung cấp những sự chuẩn hoá khác nhau có thể được
giải quyết trực tiếp bằng cách làm chuẩn hiệu suất cho mỗi một bộ tập hợp các điều kiện. Tuy
nhiên, đây là một việc khó nhọc nếu phải bao gồm một số lớn các hình học; và nó có thể trở
nên bất khả thi nếu không có các nguồn chuẩn thích hợp.
7
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
Ảnh hưởng do khoảng cách của nguồn và đầu dò Nói chung cường độ tia gamma phát
ra từ một nguồn sẽ giảm theo khoảng cách tương ứng với quy luật nghịch đảo bình phương.
Điều này có thể áp dụng cho các nguồn điểm và các đầu dò điểm. Nhưng quy luật nghịch đảo
bình phương này có thể áp dụng cho hệ phổ kế gamma được không? Chúng ta có thể sử dụng
nó cho các số đếm tương ứng với các khoảng cách khác nhau được không?
Một vấn đề dễ nhận thấy nhất là không thể đo trực tiếp khoảng cách thực sự từ nguồn đến bề
mặt vùng hoạt động của đầu dò. Bởi vì sự hấp thụ toàn phần của các tia gamma thường bao
gồm cả tán xạ nhiều lần bên trong đầu dò, điểm tương ứng khoảng cách zero phải ở đâu đó bên
trong tinh thể đầu dò. Điểm này có thể được suy ra bằng thực nghiệm. Giả sử rằng quy luật
nghịch đảo bình phương có tác dụng do đó tốc độ đếm R phải thay đổi theo
R ∝
1
d
2
(18)
Bây giờ khoảng cách d là tổng của khoảng cách đã biết từ nguồn đến lớp vỏ ngoài của detector
D và khoảng cách chưa biết từ điểm tương ứng khoảng cách zero bên trong đầu dò đến lớp vỏ
ngoài detector d
0
d = D + d
0
(19)
Bằng cách kết hợp cả hai phương trình (18), (19) và sắp xếp lại nhận được
1

R
= kD + kd
0
(20)
với k là hằng số.
Vậy nếu như hoạt độ của một nguồn được đo ở các khoảng cách D khác nhau và 1/

R được
vẽ theo khoảng cách, điểm giao với trục x sẽ là d
0
, R có thể là tốc độ đếm toàn phần hay tốc
độ đếm ở một đỉnh riêng biệt được xác định bằng diện tích đỉnh trong phổ.
Ảnh hưởng của sự khác biệt hình học nguồn Tại một khoảng cách từ nguồn đến đầu dò
cố định, sự phân bố vật liệu phóng xạ bên trong một thể tích khác với việc tập trung nó trong
một nguồn điểm làm giảm cường độ tia gamma đến đầu dò. Với một nguồn điểm việc tính toán
góc khối tới đầu dò giúp xác định cường độ tia gamma đến là dễ dàng. Đối với các nguồn có
kích thước, sự tính toán góc khối hiệu dụng là phức tạp vì mỗi điểm bên trong nguồn đều có
một ảnh hưởng khác nhau đối với đầu dò và do vậy sẽ đóng góp vào cường độ tia gamma toàn
phần với các mức độ khác nhau.
Đối với một đĩa mỏng, các phương trình xấp xỉ đã được xây dựng để hiệu chỉnh hoạt độ phóng
xạ của một nguồn phân bố đối so với một nguồn điểm tương đương (ví dụ các công trình của
Faires và Boswell (1981) và Debertin và Helmer (1988)). Đối với nguồn có kích thước, các tích
phân phức tạp hơn và không thể dẫn ra được một biểu thức đơn giản để tính toán hệ số hiệu
chỉnh hình học. Thực tế là hầu hết các phòng thí nghiệm chỉ làm việc với một số nhỏ các hình
học mẫu chuẩn và giả sử rằng cách đơn giản nhất để thiết lập mối quan hệ của các mẫu có hình
học khác nhau là bằng các phương pháp xác định hệ số thông qua việc đo đạc thực sự.
Đối với những hình học không chuẩn, sự ước lượng của các hệ số hiệu chỉnh hình học sẽ phức
tạp hơn. Việc tính toán ngay cả với sự hỗ trợ của máy tính là rất khó khăn và việc so sánh với
thực nghiệm với các hình học khác nhau cũng khó có thể được thực hiện.
8
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
4.3 Hiệu ứng trùng phùng tổng
Hiệu ứng trùng phùng tổng (summing coincidence) gây ra do hai hay nhiều tia gamma sinh ra
trong quá trình dịch chuyển từ các trạng thái kích thích về trạng thái cơ bản của hạt nhân.
Hình 4 cho thấy hiệu ứng trùng phùng tổng trong khi đo nguồn
60
Co. Hai tia gamma 1173
và 1332MeV phát ra từ nguồn này xuất hiện trong khoảng thời gian cách nhau rất nhỏ nên
detector ghi nhận như một tia gamma có năng lượng bằng tổng năng lượng hai tia riêng biệt.
Khi đó, hiệu suất ghi 2 tia riêng biệt giảm đi và trên phổ xuất hiện thêm một đỉnh ứng với năng
lượng tổng.
Hình 4: Ví dụ trùng phùng tổng khi đo nguồn
60
Co
Gọi ε
1
, ε
1
lần lượt là hiệu suất thực của tia γ
1
, γ
2
và η
1
, η
2
, η
s
lần lượt là hiệu suất ghi nhận
được của tia γ
1
, γ
2
và đỉnh tổng. Ta có thể viết
η
1
= ε
1
(1 −a
2
T
2
) (21)
Trong đó, a
2
T
2
là xác suất ghi tia γ
2
(a
2
là tỷ số phân nhánh của γ
2
và T
2
là hiệu suất tổng ghi
nhận tia γ
2
)
η
2
= ε
2
(1 −a
1
T
1
) (22)
Trong đó, a
1
T
1
là xác suất ghi nhận tia γ
1
và (1 −a
1
T
1
) là xác suất để không ghi nhận tia γ
1
.
Từ đó ta có thể suy ra hiệu suất ghi nhận đỉnh tổng
η
s
= ε
1
ε
2
(23)
Với trường hợp sơ đồ phân rã phức tạp ta có công thức phức tạp hơn nhiều và việc tính toán
được thực hiện bởi một phần mềm chuyên dụng cho phép ta hiệu chỉnh hiệu suất ghi các đỉnh
khi có trùng phùng.
4.4 Hiệu ứng trùng phùng ngẫu nhiên
Trong quá trình xử lý xung tín hiệu của đầu dò, khi nguồn có hoạt độ cao thì sẽ có hiện tượng
trùng phùng ngẫu nhiên (random coincidence) xảy ra. Một xung được tính trong một tổng bất
cứ khi nào nó không đi trước hay theo sau một xung khác trong một khoảng thời gian cố định.
Khoảng thời gian τ này là thời gian phân giải của hệ điện tử.
Sử dụng phân bố Poisson thì xác suất của một trùng phùng ngẫu nhiên p
c
trong khoảng thời
9
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
gian τ là
p
c
= 1 −e
−2Rτ
(24)
với R là tốc độ đếm trung bình. Do vậy, nếu A là diện tích đỉnh được đo và A
T
là diện tích đỉnh
thực thì
(A
T
−A)/A
T
= p
c
= 1 −e
−2Rτ
(25)
Sắp xếp lại phương trình này có thể đưa ra một phương trình đơn giản để hiệu chỉnh các diện
tích đỉnh cho trùng phùng ngẫu nhiên
A
T
= Ae
2Rτ
(26)
Lấy ln của phương trình (26) và sắp xếp lại sẽ nhận được
ln A = ln A
T
−2τR (27)
Thừa số 2τ là độ dốc của đồ thị tuyến tính của ln A theo tốc độ đếm R. Để xác định R, người ta
lấy tổng số đếm trong phổ chia cho thời gian đo. Cách ước lượng R này không tuyệt đối chính
xác bởi vì các xung tín hiệu ở dưới ngưỡng ADC và các xung ở ngoài cửa sổ tuyến tính sẽ không
được tính.
Bởi vì trùng phùng là ngẫu nhiên nên sự hiệu chỉnh này là có thể áp dụng cho tất cả các đỉnh
trong phổ.
4.5 Hệ điện tử
Hai yếu tố chính của hệ điện tử thường hay ảnh hưởng đến hiệu suất của detector là thời gian
chết và pile-up
• Thời gian chết (dead time) là khoảng thời gian nhỏ nhất mà phải được chia ra giữa hai sự
kiện để đảm bảo rằng chúng được ghi nhận như hai xung riêng biệt.
• Tổng ngẫu nhiên (pile-up) là hiện tượng mà xung khuếch đại của hai sự kiện liên tục có
thể bị chồng lên nhau và tạo ra một xung duy nhất ở ngõ ra.
Hai hiệu ứng này dẫn đến hiện tượng mất số đếm ở đỉnh năng lượng toàn phần. Độ lớn của
những mất mát này tăng cùng với sự tăng của tốc độ đếm nhưng không phụ thuộc vào khoảng
cách nguồn đến detector hay sơ đồ phân rã. Đối với việc đo định lượng tốc độ phát của photon
thì cần thiết phải xác định xem những mất mát đó có thể bỏ qua được hay không và nếu không
thì phải hiệu chỉnh chúng một cách thích hợp
4.6 Sự tự hấp thụ
Đối với nguồn thể tích hay mẫu đo môi trường thì một số tia gamma phát ra bị mất một phần
hay toàn bộ năng lượng của chúng trong nguồn (mẫu) trước khi rời khỏi nguồn (hộp đựng mẫu).
Kết quả này làm giảm bớt số tia gamma được ghi nhận bởi detector. Ảnh hưởng này gọi là sự
tự suy giảm (self-attenuation) hay sự tự hấp thụ (self-absorption).
Mức độ tự hấp thụ phụ thuộc hình học (bề dày, thể tích mẫu) và chất nền (matrix) của mẫu.
Khi đó ảnh hưởng chất liệu nền trong nguồn và mật độ của nó cũng phải được hiệu chỉnh khi
tính toán hiệu suất của hệ phổ kế. Nếu các nguồn được sử dụng để chuẩn hoá và các nguồn cần
khảo sát có sự khác nhau về tính chất tự suy giảm của photon (thông thường là khác nhau về
chất nền hay mật độ) thì ta cũng cần phải đưa vào hệ số hiệu chỉnh khác biệt tự hấp thụ giữa
các nguồn với nhau.
10
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
Để hiệu chỉnh sự tự hấp thụ cho tốc độ đếm của đỉnh phổ gamma R chúng ta có thể sử dụng
phương trình đơn giản
R
0
=
Rµt
1 −e
−µt
(28)
với t là bề dày của mẫu và µ là hệ số suy giảm tuyến tính ở năng lượng thích hợp của vật liệu
làm thành mẫu. Việc áp dụng phương trình (28) là đủ đơn giản khi mà hệ số suy giảm được
biết. Nếu matrix của mẫu không phải là một hợp chất đơn giản, giá trị của µ hầu như không
biết. Đối với nhiều loại matrix giá trị µ hiệu dụng có thể được ước lượng từ những vật liệu tương
tự. Nếu hợp chất của mẫu được thiết lập hợp lí một phương pháp để ước lượng hệ số hấp thụ
khối µ/ρ cho hợp chất từ các hệ số hấp thụ khối của các thành phần (µ/ρ)
i
được trình bày theo
công thức
µ
ρ
=

f
i

µ
ρ

i
(29)
với f
i
là tỉ số của mỗi thành phần riêng biệt và ρ là mật độ tương ứng
4.7 Hiệu chỉnh phân rã phóng xạ
Hoạt độ của các nguồn chuẩn phải được hiệu chỉnh phân rã về cùng một thời gian thông qua
phương trình phân rã thông thường
R
0
= R
t
exp

ln 2
T
1/2
t

(30)
với R
t
và R
0
là tốc độ phân rã tại thời điểm t và tại thời gian tham chiếu; T
1/2
là chu kì bán rã
của hạt nhân. Cần thận trọng khi hiệu chỉnh phân rã đối với từng trường hợp riêng biệt.
Để hiệu chỉnh sự rã trong thời gian đo thì R
t
phải được tính như sau
R
t
=
R
M
λ∆t
1 −e
−λ∆t
(31)
với λ là hằng số phân rã, R
t
là hoạt độ ở thời điểm bắt đầu đo và R
M
là hoạt độ được đo, ∆t
là thời gian đo toàn phần.
5 Các phương pháp xác định hiệu suất
Việc xác định hiệu suất đỉnh tuyệt đối là nhiệm vụ quan trọng trong việc sử dụng hệ phổ kế
gamma với detector bán dẫn trong đo đạc. Nói chung, có ba cách khác nhau để giải quyết bài
toán này:
• Phương pháp tương đối (hay phương pháp thực nghiệm): được sử dụng trong những trường
hợp mà mẫu và chuẩn rất giống nhau. Các kết quả thu được thường là đáng tin cậy nhưng
sai số hệ thống của mẫu chuẩn có thể khó được xác định.
• Phương pháp tuyệt đối (hay phương pháp Monte Carlo): hiệu suất chỉ được xác định bởi
kỹ thuật Monte Carlo. Trong việc tính toán này, các dữ liệu của detector được cung cấp
với độ chính xác cao là cần thiết, cùng với thành phần hoá học của nguồn. Một vấn đề cơ
bản khác là chất lượng của chương trình (tương tác của photon và electron trong detector
và các vật liệu bao quanh, giá trị tiết diện của các tương tác,...) cũng cần phải được xem
xét.
• Phương pháp bán thực nghiệm: là sự kết hợp giữa đo đạc và ước lượng.
11
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
Đối với một cấu hình đo đạc được đưa ra, hệ số hiệu chỉnh diễn tả tỉ số của hiệu suất giữa chuẩn
và mẫu
f
S
=
ε(E, standard)
ε(E, sample)
(32)
Không cần quan tâm phương pháp nào được lựa chọn cho việc xác định sự hiệu chỉnh tự hấp
thụ, quy trình này luôn được áp dụng, với f
S
thu được từ nhiều mật độ khác nhau và từ các
năng lượng photon được thu thập và làm khớp thành một hàm thích hợp f
S
(r) hay f
S
(E, r).
5.1 Phương pháp tương đối
Đây là phương pháp truyền thống trong việc chuẩn hoá hiệu suất của các detector, đó là xác
định trực tiếp sự đáp ứng của detector đối với các bức xạ gamma với năng lượng khác nhau
để biết hoạt độ của các đồng vị phóng xạ. Các đồng vị phóng xạ đặc trưng được chọn thông
thường ở dạng dung dịch đơn hay đa nguyên tố. Hiệu suất được tính toán của các đồng vị hay
năng lượng được chọn sau đó sẽ được ngoại suy trên toàn bộ vùng năng lượng quan tâm để tạo
nên đường cong hiệu suất đủ để tính toán các hoạt độ của các đồng vị có trong mẫu mà gamma
phát ra có thể có hoặc không tồn tại trong bộ gamma chuẩn được dùng để tạo nên đường cong
chuẩn.
Hoạt độ của các mẫu trong hệ phổ kế gamma được tính toán từ đường cong hiệu suất ε(E)
được xác định bởi một nguồn chuẩn. Trong trường hợp nguồn có thể tích phương pháp đưa ra
các kết quả xuất sắc khi mà mẫu và chuẩn có cùng cấu hình đo, cùng hợp chất hóa học và mật
độ, do đó có cùng sự tự hấp thụ.
Trong ứng dụng thực tế, không phải lúc nào vật liệu mẫu và nguồn hoàn toàn giống nhau. Các
mẫu môi trường có thể thay đổi rất lớn về thành phần hoá học, mật độ của chúng có thể thay
đổi từ gần 0 cho đến gần 2.0g/cm
3
. Đó là lý do mà hệ số tự hấp thụ f
S
được đưa vào để hiệu
chỉnh sự tự hấp thụ giữa mẫu và chuẩn.
5.2 Phương pháp Monte Carlo
Phương pháp Monte Carlo được đưa ra cùng với sự phát triển của máy tính điện tử và là một
phương pháp có thể đưa ra những hứa hẹn cho tương lai. Khi các detector bán dẫn đạt được sự
thống trị vào đầu thập kỉ 1970, sự quan tâm đã được dịch chuyển về các ứng dụng của phương
pháp Monte Carlo để tính toán hiệu suất của các detector này.
Trên nguyên tắc, không có giới hạn nào được đưa ra cho nguồn hay dạng của detector và hình
học đo dù cho có sự sắp xếp đối xứng trụ sẽ làm cho dễ dàng hơn trong tính toán. Ngay cả sự
vận chuyển của photon qua một collimator ngoài cũng có thể ảnh hưởng đến kết quả. Những
thông tin đầu vào cần thiết cho những chương trình Monte Carlo như vậy bao gồm:
• Kích thước nguồn và khoảng cách nguồn đến detector.
• Kích thước của giá đỡ detector, vùng nhạy và vùng bất hoạt của detector.
• Thành phần và mật độ của tất cả vật liệu mà photon có thể đi qua.
• Các hệ số suy giảm của các vật liệu này đối với photon.
• Tiết diện phụ thuộc năng lượng và góc của vật liệu detector cho các loại tương tác photon
khác nhau.
• Thông tin về sự vận chuyển electron và positron trong vật liệu detector.
Hầu hết các công trình nghiên cứu so sánh các kết quả mô phỏng đối với thực nghiệm có được
sự phù hợp trong khoảng sai số ±10% và trong một số trường hợp là ±5%. Do độ bất định của
12
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
các giá trị thực nghiệm thường là nhỏ hơn nhiều so với 5%, sự khác biệt từ 5 đến 10% phải được
gây ra bởi sai số hay độ bất định của các giá trị tính toán. Độ bất định hay sai số ở mức này là
hợp lí và được gây ra chủ yếu bởi 3 nguyên nhân sau:
Đầu tiên đó là sự hạn chế về mặt thống kê. Một chương trình Monte Carlo mô phỏng các quá
trình vật lý thật của sự mất năng lượng trong tinh thể mà không làm quá nhiều các xấp xỉ đơn
giản cần một thời gian chạy máy dài tính trên một đỉnh năng lượng nếu các kết quả cần có sự
bất định thấp. Đây là một vấn đề trong việc tính toán đối với các tinh thể lớn và năng lượng
cao. Để đạt được sai số thống kê tương đối cỡ 2% đối với detector kích thước trung bình với
năng lượng cỡ 3 MeV, quá trình lấy mẫu phải tích lũy khoảng 2500 hiện tượng hấp thụ năng
lượng toàn phần. Vì chỉ có một vài phầm trăm của tất cả các hiện tượng là hấp thụ toàn phần,
lịch sử của khoảng 105 photon phát vào góc khối của detector phải được theo dõi. Bởi vì sự cần
thiết của một số lớn các hiện tượng như vậy cho nên với thời gian tiêu thụ để chạy máy thấp
thì kết quả đưa ra có độ bất định khoảng vài phần trăm.
Thứ hai, bản thân detector cũng có sự giới hạn là có một độ bất định đáng kể trong hình dạng
và kích thước nhạy của tinh thể, đặc biệt là cho các detector khuếch tán lithium và đồng trục
là những loại detector có hơn một vùng bất hoạt. Các nhà sản xuất detector cung cấp thông
tin về kích thước của detector và của vùng bất hoạt nhưng những kích thước này thường không
chính xác tuyệt đối.
Thứ ba, có một sự giới hạn trong việc mô phỏng các quá trình vật lý, xác suất tương tác của
các photon và electron và sự phân bố góc là bất định. Các hệ số hấp thụ khối của photon có thể
có độ bất định từ 2% đến 5% tuỳ thuộc vào năng lượng. Do vậy, gây nên độ bất định hệ thống
trong phân bố riêng phần của sự chuyển hoá năng lượng. Tình trạng này có thể trở nên tồi tệ
hơn đối với các tiết diện quang điện, Compton và tạo cặp riêng lẻ mà độ bất định của chúng
có thể lớn hơn. Rất khó để ước lượng sự truyền sai số của chúng vào sai số toàn phần của hiệu
suất đỉnh năng lượng toàn phần được tính toán.
Một vấn đề khác nảy sinh khi so sánh hiệu suất tính toán và thực nghiệm. Số đếm được xác
định từ đỉnh năng lượng toàn phần đo được không cần phải tương ứng với số hiện tượng hấp
thụ năng lượng toàn phần được tính bởi Monte Carlo. Trong trường hợp cá biệt đuôi năng lượng
thấp của một đỉnh được đo có thể chỉ được bao gồm một phần trong diện tích đỉnh, nhưng tất
cả những hiện tượng này đều có khả năng được bao gồm trong diện tích đỉnh tính toán. Do vậy,
khi kết quả thu được bằng Monte Carlo so với dữ liệu thực nghiệm, sự khác biệt trong định
nghĩa này có thể ảnh hưởng đến sự sai biệt trong so sánh.
5.3 Phương pháp bán thực nghiệm
Phương pháp góc khối hiệu dụng
Phương pháp góc khối hiệu dụng, được giới thiệu vào đầu thập kỉ 80, là cố gắng đầu tiên để
thực hiện các quy trình toán học dùng để chuẩn hiệu suất của các detector germanium. Quy
trình gồm 3 bước: đầu tiên là xác định hiệu suất của một nguồn điểm tham khảo nằm trên trục
và sau đó xác định góc khối của cấu hình nguồn − detector tương đối với góc khối được xác
định bởi nguồn tham khảo và detector. Việc thiết lập tỉ số này cho phép một sự hiệu chỉnh của
hiệu suất đỉnh tham khảo để cung cấp một giá trị cho cấu hình nguồn − detector được thiết kế.
ε
geo
p
=
ε
geo
p
·
¯

geo
¯

ref
(33)
Trong đó:
ε
geo
p
hiệu suất đỉnh của nguồn cần đo
ε
ref
p
hiệu suất nguồn điểm tham khảo
¯

geo
góc khối của cấu hình nguồn-detector cần đo
13
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
¯

ref
góc khối của cấu hình nguồn-detector của nguồn điểm tham khảo
Phương pháp này tính toán sự suy giảm của photon trong nguồn và bất kì lớp suy giảm nào kể
cả giá đỡ detector. Nó dựa trên sự tính toán hiệu suất toàn phần ε
t
được xác định bởi xác suất
mà một photon đập vào vùng hoạt của detector mà không có bất kì một tương tác nào trước đó
trong nguồn hay các lớp ở giữa và nó tương tác với vật liệu detector bằng hiệu ứng quang điện,
Compton và tạo cặp. Tất cả kích thước của detector (đường kính và bề dày vật liệu của vùng
hoạt, kích thước lõi, lớp chết và lớp tiếp xúc, giá đỡ) và các hệ số suy giảm khối của tất cả các
vật liệu xuyên qua được đưa vào trong tính toán dưới dạng góc khối hiệu dụng. Các tích phân
của quy trình này sẽ được giải số. Để thu được hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần ε các tác
giả đã giả sử và chứng minh rằng tỉ số ε/ε
t
là độc lập với cả hình học đo lẫn hình học mẫu và
nó là đặc trưng riêng của detector. Nếu hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần ε
p
của hình học
nguồn điểm được xác định bằng thực nghiệm, hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần ε
v
của dạng
hình học bất kì được tính từ công thức
ε
v
=
ε
p
· ε
t,v
ε
t,p
(34)
với ε
t,v
và ε
t,p
là các kết quả tương ứng của việc tính toán của hiệu suất toàn phần. Chú ý rằng
ε
t
được xác định không giống với cách xác định trong Phần 2. Hiệu suất toàn phần thực nghiệm
được thu bởi tỉ số của toàn bộ số đếm được ghi nhận chia cho toàn bộ số photon được phát ra,
thường là lớn hơn bởi vì tất cả các photon tán xạ không liên kết trong nguồn và vật liệu xung
quanh đóng góp vào trong phổ nhưng không được tính trong giá trị của ε
t
dùng cho mục đích
này.
Ưu điểm của phương pháp này là dựa trên sự thật là có một tỉ số cho tất cả các hiệu suất được
tính cho nên sai số của thông tin đầu vào sẽ có xu hướng được bỏ qua, ít nhất trong một vài
trường hợp.
Biểu thức bán thực nghiệm có tính đến các tiết diện tương tác
Đối với các photon năng lượng thấp là vùng mà hiệu ứng quang điện chiếm ưu thế, sự thay đổi
của hiệu suất có thể được ước lượng một cách tương đối sử dụng tích của xác suất mà photon
tới detector và xác suất mà nó được hấp thụ hoàn toàn trong vùng thể tích hoạt động của tinh
thể. Mô hình này giả sử không có tương tác trên đường đi qua detector và tất cả tương tác đều
đóng góp vào đỉnh năng lượng toàn phần.
Đối với những năng lượng cao nơi mà các quá trình tương tác Compton và tạo cặp trở nên đáng
kể, công thức có tính đến cả ba quá trình tương tác, sự phụ thuộc của hiệu suất đỉnh năng lượng
toàn phần vào năng lượng được cho bởi
ε(E) = a
1

τ(E) + σ(E)a
2
e
−a
3
E

(35)
Trong đó τ(E) và σ(E) là các tiết diện quang điện và Compton, a
i
là các hệ số điều chỉnh. Thừa
số a
2
e
−a
3
E
được sử dụng để hiệu chỉnh cho tiết diện tán xạ Compton trong các trường hợp mà
photon tán xạ thoát khỏi tinh thể. Sự phụ thuộc vào năng lượng của xác suất thoát này được
xấp xỉ bởi thừa số exponential trong khi các thông số a
2
và a
3
phụ thuộc vào kích thước tinh
thể. Công thức này đã được áp dụng thành công cho các detector nhỏ và năng lượng từ 500 đến
1500keV .
Phương pháp hiệu suất đỉnh riêng phần
Phương pháp này dựa trên việc tính tích phân số (numerical integration) của các nguồn điểm.
Nó có thể được ứng dụng rộng rãi cho nhiều dạng hình học mẫu khác nhau và có thể được dùng
để hiệu chỉnh sự tự hấp thụ trong mẫu. Hiệu suất của một nguồn có kích thước lớn có thể được
tính từ tích phân của hàm toán học của các hiệu suất nguồn điểm thu được ở các vị trí khác
14
Đặng Nguyên Phương Tài liệu nội bộ NMTP
nhau trước bề mặt của detector. Vì hộp đựng mẫu thông thường là đối xứng trục nên vị trí của
một nguồn điểm có thể biểu diễn trong hệ toạ độ trụ (θ, r, h).
Hiệu suất đỉnh ε
p
(V ) cho một nguồn có thể tích V được biểu diễn bởi tích phân của hiệu suất
nguồn điểm η(θ, r, h) trong một thể tích nhỏ dv
ε
p
(V ) =
1
V

η(θ, r, h)dv (36)
η(θ, r, h) được giả sử đẳng hướng với θ, do vậy phương trình trên có thể được đơn giản thành
ε
p
(V ) =

V

rη(r, h)drdh (37)
Nếu tính đến sự tự hấp thụ, công thức bên trong tích phân kép phải được nhân thêm bởi thừa
số tự hấp thụ f
S
= e
−µ˙ s(r,h)
với µ là hệ số suy giảm của vật liệu mẫu và s(r, h) là bề dày của
lớp mẫu mà photon phải đi xuyên qua, công thức (37) trở thành
ε
p
(V ) =

V

rη(r, h)f
s
drdh (38)
Hiệu suất đỉnh riêng phần của detector có thể được tính bằng thực nghiệm hoặc bằng tính toán
Monte Carlo.
Tài liệu
[1] K. Debertin, R.G. Helmer, Gamma and X-Ray Spectrometry with Semiconductor Detector,
North-Holland, Amsterdam (1988).
[2] G.F. Knoll, Radiation Detection and Measurement, 3
rd
Edition, John Wiley & Sons Inc.,
New York (1999).
[3] William R. Leo, Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments: A How-To Ap-
proach, 2
nd
Edition, Springer-Verlag (1994).
15