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Diferencia entre un bjt y un fet

interruptores amplificadores y comunicaciones.


fet: controlado por voltaje, involucra una fabricacin de sustrato, dioxido de silicio como
aislante y metal para las termnales, consume poca potencia, uso en el`rea digital, puede
fabricarse en tamaos minsculos todos los microprocesasdores estn hechos a base de
fet dnde puedes encontrar en un chip millones de estos transistores, como la corriente el
mnima la potencia y calentamiento tiende a cero. !dems tiene la cualidad de tener una
"ona donde se corporta como resistencia por lo tanto en circuitos integrados se puede
usasr para suplir a las resistencia por #ue son mas pe#ueos #ue las resistencias. $ienen
tiempos de conmutacin mas rpidos #ue los bjt.
%a diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de #ue el &'$ es
un dispositivo controlado por corriente, mientras #ue el transistor '()$ es un dispositivo
controlado por voltaje. )n otras palabras, la corriente *+ es una funci,n directa del nivel de
*&. -ara el ()$ la corriente *. ser/ una funci,n del voltaje 012 aplicado a la entrada del
circuito.
%a semejan"a #ue hay entre el '()$ y un transistor bipolar es #ue ambos dispositivos
tienen tres terminales de conexi,n externas, ambos tiene dos diodos internos con una
barrera de potencial de 3.4 0 y ambos tienen tres regiones de inter5s. !dem/s ambos
pueden amplificar una seal de entrada y son dispositivos de control de corriente *+ , *..
Que condiciones deben de cumplirse para que un jfet trabaje como un switch
-ara #ue el transistor funcione como un interruptor o s6itch, se deben
cumplir ciertas situaciones de operaci,n, las m/s importantes son las de
corte y saturaci,n. )n situaci,n de corte, la corriente de colector
simboli"ada *c debe tener un valor m7nimo y la tensi,n entre el colector y
el emisor debe tener un valor m/ximo. )l transistor en situaci,n de
saturaci,n tambi5n debe cumplir ciertas caracter7sticas como son una
corriente de colector, simboli"ada *c con un valor m/ximo, y una tensi,n
entre el colector y el emisor m7nimo o de cero volts.
porque los jfet generan menos ruido que los bjt
la caracter7stica de #ue un amplificador ()$ genera menor ruido #ue un &'$ es debido a
#ue el ()$ tiende a tener menores corrientes de fuga, por lo #ue las etapas de
amplificaci,n se encuentran aisladas una de otra 8aisladas en cuanto a ruidos generados
por etapas posteriores9, en el caso de los amp a &'$ en algunas ocaciones los ruidos
generados pueden volver al sistema inestable llev/ndolo a resonancia::
Como esta constituido un jfet explique el movimiento delos portadores
-uesto #ue hay una tensi,n positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluir/n
desde el surtidor al drenador 8o viceversa seg;n la configuraci,n del mismo9, aun#ue hay
#ue notar #ue tambi5n fluye una corriente despreciable entre el surtidor 8o drenador9 y la
puerta, ya #ue el diodo formado por la uni,n canal < puerta, esta polari"ado inversamente.
)n el caso de un diodo polari"ado en sentido inverso, donde inicialmente los
huecos fluyen hacia la terminal negativa de la bater7a y los electrones del material =,
fluyen hacia el terminal positivo de la misma.
%o anteriormente dicho se puede aplicar al transistor ()$, en donde, cuando se aumenta
0.2 aumenta una regi,n con empobrecimiento de cargas libres
empobrecimiento de cargas libres
+uando seleccionamos un transistor tendremos #ue conocer el tipo de encapsulado, as7
como el es#uema de identificaci,n de los terminales. $ambi5n tendremos #ue conocer
una serie de valores m/ximos de tensiones, corrientes y potencias #ue no debemos
sobrepasar para no destruir el dispositivo. )l par/metro de la potencia disipada por el
transistor es especialmente cr7tico con la temperatura, de modo #ue esta potencia
decrece a medida #ue aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la
instalaci,n de un radiador o aleta refrigeradora. $odos estos valores cr7ticos los
proporcionan los fabricantes en las hojas de caracter7sticas de los distintos dispositivos.
>n transistor de efecto campo 8()$9 t7pico est/ formado por una barrita de material p , n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material #ue
forma con el canal una uni,n p?n.
)n los extremos del canal se hacen sendas conexiones ,hmicas llamadas
respectivamente sumidero 8d?drain9 y fuente 8s?source9, m/s una conexi,n llamada puerta
8g?gate9 en el collar.
conexi,n llamada puerta 8g?gate9 en el collar
Como esta constituido un mosfet explique el movimiento delos portadores