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10/5/99
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
/2
V
DD
V
o
V
in
C
F
R
A
R
O
R
A R
A
R
O
= 37.5R
A

V
DD
= 5V
S
V
DD
V
DD
V
DD
3
----------
V
DD
V
out
A
B
C
D
E
F
13/14
10/5/99
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
E(interno)
Por difusión
Por el campo total
Por difusión
Por el campo total
Unión pn polarizada en directa
Las corriente de difusión supera a la de arrastre
E(externo)
corriente neta formada por portadores mayoritarios
p
n
corriente grande
p
n
12/14
10/5/99
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
E(interno)
Por difusión
Por el campo total
Por difusión
Por el campo total
Unión pn polarizada en inversa
Las corriente de arrastre supera a la de difusión
E(externo)
corriente neta formada por portadores minoritarios
p
n
corriente pequeña y dependiente de la temperatura
p
n
11/14
10/5/99
_
_
_
_
_
_
_
_
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_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
E(interno)
Difusión + recombinación
Por difusión
Por el campo interno
Por difusión
Por el campo interno
Unión pn en equilibrio
Las corrientes de difusión y arrastrese cancelan
p
n
p
n
10/14
10/5/99
+
+
+4
+4
+4
+4
+4
+5
+4
+4
+5
+4
+4
+4
+4
+4
+5
+4
material de tipo n
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
electrón que se desplaza
carga positiva fija
9/14
10/5/99
_
_
+4
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+3
+4
+4
+4
+4
+4
+3
+4
_
hueco que se desplaza
carga negativa fija
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
material de tipo p
8/14
10/5/99
x
n(x)
x
n(x)
x ∆
n ∆
flujo de partículas
S
S
I
Dn
SD
n
q
x ∂
∂n
=
I
Dp
S – D
p
q
x ∂
∂p
=
concentración de electrones por unidad de volumen
depende del material y la temeratura
CORRIENTE TOTAL = CORRIENTE DE ARRASTRE + CORRIENTE DE DIFUSIÓN
CORRIENTE DE DIFUSIÓN
7/14
10/5/99
CORRIENTE TOTAL = CORRIENTE DE ARRASTRE + CORRIENTE DE DIFUSIÓN
s
campo eléctrico
+
_ V
I
ρ
I
V
R
---
SV
l
ρ
-------
σ
SV
l
-----------
nq
µ
SV
l
----------------- = = = =
l
CORRIENTE DE ARRASTRE
6/14
10/5/99
+4
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+3
+4
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+3
material de tipo p
se introducen impurezas aceptoras
se aumenta la concentración de huecos
5/14
10/5/99
+4
+4
+4
+4
+4
+5
+4
+4
+5
+4
+4
+4
+4
+4
+5
+4
+5
material de tipo n
se introducen impurezas donadoras
se aumenta la concentración de electrones
4/14
10/5/99
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
campo eléctrico
CORRIENTE DE ELECTRONES
CORRIENTE DE HUECOS
CORRIENTE TOTAL
+
3/14
10/5/99
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
1
2
3
campo eléctrico
mecanismo de conducción de los huecos
2/14
10/5/99
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Generación de un par e
-
-h
+
Recombinación de un par e
-
-h
+
Cristal semiconductor
1/14
10/5/99
Banda de conducción
Banda de valencia
Eg > 5eV
E
n
e
r
g
í
a
Banda de conducción
Banda de valencia
Eg
E
n
e
r
g
í
a
Banda de conducción
Banda de valencia
E
n
e
r
g
í
a
electrones libres, capaces de generar corriente
electrones de valencia, ligados a los enlaces
Las bandas se solapan
Eg = 1.1 eV (Si)
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg = 1.41 eV (GaAs)
AISLANTE SEMICONDUCTOR CONDUCTOR
electrones de valencia, ligados a los enlaces