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Tema 2.- Semiconductores.

El diodo de
unión.
1 . - Es t ruc t ura c ris t alina y c onduc t ividad.
Un cristal está formado por un conjunto de átomos muy próximos entre sí dispuestos
espacialmente de forma ordeanada de acuerdo con un determinado patrón geométrico.
La gran proximidad entre los átomos del cristal hace que los electrones de su última
capa sufran la interacción de los átomos vecinos. El nivel energético de cada uno de estos
electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o en la "banda de conducción" del
cristal. Un electrón que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia está ligado a un átomo
del cristal y no puede moverse libremente por él mientras que si el nivel ocupado pertenece a
la banda de conducción, el electrón puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo
formar parte de una corriente eléctrica.
Entre la banda de valencia y la de conducción existe una "banda prohibida", cuyos
niveles no pueden ser ocupados por ningún electrón del cristal. Según la magnitud de esta
banda, los cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores.
Aislantes.
La magnitud de la banda prohibida es muy grande ( 6 eV ), de forma que todos los
electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo
que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad eléctrica del cristal es nula.
Un ejemplo es el diamante.
Conductores.
No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conducción. Esto
hace que siempre haya electrones en la banda de conducción, por lo que su conductividad es
muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto
de las vibraciones de los átomos de la red cristalina.
Un ejemplo son todos los metales.
Semiconductores.
La magnitud de la banda prohibida es pequeña ( 1 eV ), de forma que a bajas
temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van
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alcanzando niveles de energía dentro de la banda de conducción, aumentando la
conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es añadiendo impurezas que
habiliten niveles de energía dentro de la banda prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.
2 . - Se mic onduc t ore s int ríns e c os y e xt ríns e c os .
En un semiconductor como el silicio
(Si), que tiene 4 electrones en su última
capa, los átomos están unidos por enlace
covalente formando una red cristalina
tetraédrica. A temperaturas cercanas al cero
absoluto (-273
o
C) todos los electrones
ocupan sus enlaces y el cristal se comporta
como un perfecto aislante, pero a
temperatura ambiente (25
o
C) y más
elevadas, algunos electrones (e
_
) adquieren
energía y se "escapan" de su enlace. El
enlace desocupado se denomina "hueco"
(h
+
) y también contribuye a la
conductividad del cristal comportándose
como un portador de carga positiva.
Si se aplica un campo eléctrico externo al cristal, los electrones libres se mueven en
dirección opuesta al campo, formando una corriente eléctrica y los electrones de valencia van
saltando hacia los huecos, de forma que es como si éstos se moviesen en la misma dirección
del campo, formando una corriente de cargas positivas que se suma a la anterior. En
EG ≈ 6 eV
EG ≈ 1 eV
Banda de
Conducción
Banda de
Valencia
Banda de
Conducción
Banda de
Valencia
Banda
Prohibida
electrones
libres
huecos
(a) (b) (c)
Estructura de bandas de energía de: (a) un aislante, (b) un semiconductor, (c) un conductor
Si Si
Si Si Si
Si Si
e
_
Generación de un par electrón-hueco
por efecto de la temperatura
energía
Si
h
+
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definitiva, los semiconductores poseen dos
portadores de carga "libres", los electrones
(negativa) y los huecos (positiva).
Semiconductores intrínsecos.
Son los cristales semiconductores
puros. En ellos, el número de huecos es
igual al número de electrones y es función
de la temperatura del cristal.
La conductividad a temperatura
ambiente no suele ser muy alta.
Semiconductores extrínsecos.
Son cristales semiconductores a los que se han añadido impurezas, es decir, otro tipo de
átomos que ocupan nudos en la red critalina. La concentración de estas impurezas en el cristal
es muy pequeña ( como mucho es de un átomo de impureza por cada 10
12
átomos de
semiconductor ) pero su efecto en el aumento de la conductividad es muy grande.
Se consideran dos tipos de impurezas:
Donadoras: Tienen 5 electrones en su última capa ( P, As y Sb ).
Aceptoras: Tienen 3 electrones en su última capa ( B, Ga e In ).
Según esto, hay dos tipos de semiconductores extrínsecos, los dopados con impurezas
donadoras o tipo N y los dopados con impurezas aceptoras o tipo P.
Semiconductores tipo N.
El electrón que sobra en la última capa necesita muy poca energía para abandonar el
átomo al que pertenece y convertirse en un electrón libre, de forma que a temperatura
ambiente, todos los electrones de los átomos de impurezas están libres, aumentando
enormemente la conductividad del cristal.
El número de electrones libres es mucho mayor que el número de huecos, por lo que la
corriente eléctrica en estos cristales es debida mayoritariamente a los electrones.
Semiconductores tipo P.
Las impurezas sólo tienen 3 electrones en su última capa, de forma que dejan un enlace
sin llenar. Cualquien electrón de un átomo de silicio vecino necesita muy poca energía para
Movimiento de huecos bajo un campo eléctrico
E
(Movimiento aparente del hueco)
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dejar su enlace y ocupar el que tiene libre la impureza, originando un hueco. A temperatura
ambiente, todos los enlaces de las impurezas están llenos, existiendo un gran número de
huecos que hace que la conductividad del cristal aumente en gran magnitud.
El número de huecos es mucho mayor que el número de electrones libres, por lo que la
corriente eléctrica en estos cristales es debida mayoritariamente a los huecos.
3 . - Corrie nt e e lé c t ric a e n un s e mic onduc t or.
En un semiconductor, la corriente eléctrica puede ser de dos tipos, de arrastre y de
difusión.
Corriente de arrastre.
Es la que se da en los conductores y está originada por la presencia de un campo
eléctrico externo que hace que tanto los electrones como los huecos se muevan
ordenadamente con velocidad proporcional a la intensidad del campo ( Ley de Ohm ).
Corriente de difusión.
Es típica de los semiconductores y se produce cuando los portadores ( electrones o
huecos ) no están distribuidos de forma homogénea en el cristal, ocasionando un
desplazamiento de cargas que tiende a equilibrar dicha distribución, es decir, tanto los huecos
como electrones tienden a desplazarse desde donde son más numerosos hacia donde son
menos numerosos.
4 . - La unión P-N.
El diodo de unión P-N es el dispositivo semiconductor más elemental. Consiste en el
dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N)
y en la otra con impurezas aceptoras (tipo P). De esta forma, en la parte P existe mucha mayor
concentración de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es
diferente según sea el sentido en que se
aplique un campo eléctrico externo. Existen
dos posibilidades de aplicación de este
campo: polarización inversa y
polarización directa.
Polarización inversa.
Consiste en aplicar a la parte N del
diodo una tensión más positiva que a la
parte P. De esta forma, el campo eléctrico
ID
+
VD
h
+
e
_
Zona P Zona N
Estructura física de un diodo y
símbolo de circuito
P N
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estará dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tenderán a circular en ese sentido
mientras que los electrones tenderán a circular en sentido contrario. Esto significa que
circularían huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son
mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusión que
tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios
(parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prácticamente nula. Algo
totalmente análogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido
contrario a la de difusión, contrarrestándose ambas y produciendo una corriente total
prácticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se denomina
corriente inversa de saturación ( I
s
). En la práctica, el valor de esta corriente es muy pequeño
(del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar
ésta.
Polarización directa.
Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión más positiva que a la parte N. De
esta forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que
circularían huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son
minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusión. De
esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso análogo ocurre para la
corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma
un valor elevado a partir de un determinado valor de tensión (tensión umbral, V
γ
) que
depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el
Germanio de 0,2 V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental, ya que permite
el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.
5 . - Curva c arac t e rís t ic a y mode los de c irc uit o de l diodo.
La curva característica de un
dispositivo de dos terminales es la
representación gráfica de la intensidad que
circula por él frente a la tensión que existe
entre sus extremos.
Si esta expresión es una línea recta, el
dispositivo es lineal y en caso contrario no
lineal.
El diodo es un dispositivo no lineal,
siendo su curva característica la
representada en la figura. En polarización
inversa, la intensidad que circula por el
ID
VD
iD = Is (e
VD/VT
- 1)
(VT = kT/q ; k = cte. de Boltzmann; T =
temperatura en
o
K; q = carga del electrón)
Curva característica del diodo
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diodo es prácticamente nula y en polarización directa la intensidad es una función exponencial
de la tensión.
Este modelo no es adecuado para el análisis manual de circuitos ya que al ser no lineal,
la resolución de las ecuaciones se hace muy compleja, por lo que en la práctica se utilizan
modelos aproximados.
Modelo ideal.
El diodo se comporta como un
circuito abierto en polarización inversa y
como un cortocircuito en polarización
directa.
Modelo con tensión umbral.
El diodo se comporta como un
circuito abierto en polarización inversa y
como una fuente de tensión igual a la
umbral en polarización directa.
Modelo linealizado general.
El diodo se comporta como un
circuito abierto en polarización inversa y
como una fuente de tensión igual a la
umbral en serie con una resistencia Rd en
polarización directa.
6 . - El diodo Ze ne r.
El diodo Zener es un tipo especial de
diodo que se caracteriza porque conduce en
zona inversa a partir de una tensión
negativa V
Z
. Esto significa que el diodo
Zener tiene tres zonas de funcionamiento.
La zona de polarización directa tiene las
mismas características que la del diodo
básico, mientras que en polarización
inversa se diferencian dos zonas, una en la
que el diodo no conduce intensidad y otra
en la que circula intensidad ( en sentido
Polarización inversa (V
D
< 0) : i
D
≈ -I
s
Polarización directa (V
D
>> V
T
) : i
D
≈ I
s
e
VD/VT
Modelo ideal:
∀ vD ≤ 0 ⇒ iD = 0
∀ iD ≥ 0 ⇒ vD = 0
Modelo con Vγ:
∀ vD ≤ Vγ ⇒ iD = 0
∀ iD ≥ 0 ⇒ vD = Vγ
Modelo linealizado:
∀ vD ≤ Vγ ⇒ iD = 0
∀ vD ≥ Vγ ⇒
iD = (VD - Vγ) / RD
vD
iD
vD
iD

Vγ vD
iD
1/RD
iD
vD
Curva característica del diodo Zener
VZ
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contrario a como circula en conducción directa ) y la tensión tiene un valor menor o igual a
V
Z
.
El modelo del diodo Zener se forma a partir de cualquiera de los modelos del diodo
básico añadiendo una nueva zona de operación, la de conducción inversa. La expresión en
polarización directa permanece sin cambios, pero en la zona inversa hay que introducir una
modificación en la condición, que queda: V
Z
≤ V
D
≤ 0 para el modelo ideal y V
Z
≤ V
D
≤ V
γ
para los otros modelos. La expresión general para la zona de conducción inversa es:
I
D
= (V
D
- V
Ζ
) / R
Z
∀ V
D
≤ V
Z
, siendo R
Z
el inverso de la pendiente de la característica en
dicha zona.
El modelo más utilizado del diodo Zener es el que supone que las resistencias RD y RZ
tienen un valor nulo, quedando:
∀ i
D
≥ 0 ⇒ v
D
= V
γ
∀ V
Z
≤ v
D
≤ V
γ
⇒ i
D
= 0
∀ i
D
≤ 0 ⇒ v
D
= V
Z
7 . - Ot ros t ipos de diodos .
a) Diodos emisores de luz ( LED ).
Están fabricados con un compuesto semiconductor, el Arseniuro de Galio ( AsGa ) y se
caracterizan porque emiten fotones de luz visible o infrarroja cuando conducen en
polarización directa. En polarización inversa se comportan como un diodo básico, aunque se
diferencian en que la tensión umbral V
γ
es aproximadamente igual a 1,6 voltios. La intensidad
de la radiación luminosa es proporcional a la intensidad de corriente que circula por el diodo.
En ciertas condiciones, la luz emitida puede ser monocromática y coherente ( LASER ),
conociéndose en este caso como LASER de estado sólido.
b) Fotodiodos.
Cuando se ilumina una unión P-N polarizada inversamente se produce un aumento de la
corriente inversa que es proporcional a la intensidad de luz aplicada. Este fenómeno se da
porque los fotones de luz generan nuevos pares electrón-hueco en las dos zonas, de forma
que los portadores minoritarios ( h
+
en la N y e
-
en la P ) pueden atravesar la unión por la
acción del potencial inverso, contribuyendo a un aumento apreciable de la corriente inversa.
Este hecho es el que se aprovecha en la fabricación de fotodiodos, cuya estructura está
formada por un diodo en cuyo encapsulado se ha practicado una abertura sobre la zona de la
unión por la se permite que la luz incida sobre ella. La banda de luz más utilizada para activar
al fotodiodo es la del infrarrojo.
Símbolo del diodo Zener
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c) Diodos Schottky.
Estos diodos están formados por la unión de un metal, normalmente aluminio, y un
cristal semiconductor de tipo N cuyo dopado ( bastante débil ) hace que el comportamiento de
la unión sea de tipo rectificador, es decir, similar al de una unión P-N en la que el aluminio
tiene un comportamiento análogo al de la zona P. Cuando el dopado del cristal es fuerte, se
dice que la unión es de tipo óhmico ya que su comportamiento se asemeja al de un elemento
resistivo. Este último tipo de unión es la que se utiliza para conectar los terminales metálicos
de los dispositivos semiconductores .
Las principales diferencias con los diodos P-N son las siguientes:
• La corriente directa es producida por el paso de electrones del silicio tipo N al metal,
donde éstos son mayoritarios, por lo que no se produce difusión de portadores
minoritarios, ya que el metal sólo tiene un tipo de portadores ( los electrones ).
• En polarización inversa, los electrones no pueden pasar del aluminio al silicio N
debido a la existencia de una barrera de potencial de contacto que lo impide.
• Los tiempos de conmutación de la zona de conducción a la de no conducción son
más pequeños.
• La tensión umbral está comprendida entre 0,3 V y 0,4 V.
8 . - Eje rc ic ios Re s ue lt os .
A.- Ejercicios de cálculo del punto de trabajo.
El método a seguir es el siguiente:
1º.- Teniendo en cuenta que cada diodo básico puede estar en dos estados diferentes y
cada diodo Zener en tres, se calcula el número total de estados en que puede estar el circuito,
que es: nº estados = 2
(nº diodos básicos)
⋅ 3
(nº diodos Zener)
2º.- Se va resolviendo cada configuración hasta encontrar la correcta, que es única y es
la que cumple las leyes de Kirchoff y las condiciones del diodo.
Símbolo del diodo LED Símbolo del fotodiodo Símbolo del diodo Schottky
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A1.- Calcular v
D
e i
D
en el circuito de la figura considerando el modelo ideal del diodo.
a) Se calcula el equivalente en Thèvenin en ambos lados del circuito
El circuito equivalente queda como sigue:
b) Se supone que el diodo está en conducción ( D → ON ), es decir, se debe verificar:
v
D
= 0 ; i
D
≥ 0
6 KΩ
2 KΩ
0,8 KΩ
1,6 KΩ
vD
iD
+
1 mA
3 V
6 KΩ
2 KΩ
0,8 KΩ
1,6 KΩ
1 mA
3 V
2
V
T1
= 3  = 0,75 V
2 + 6
2 ⋅ 6
R
T1
=  + 0,8 = 2,3 KΩ
2 + 6
V
T2
= 1,6 V
R
T2
= 1,6 KΩ
2,3 KΩ
1,6 KΩ
vD
iD
+
1,6 V
0,75 V
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El circuito queda como sigue:
i
D
= - 0,218 mA < 0 ; pero la condición era que i
D
≥ 0, luego, al no cumplirse, este
estado no puede darse, es INCORRECTO.
c) Se supone que el diodo no conduce ( D → OFF ), es decir, se debe verificar:
i
D
= 0 : v
D
≤ 0 V
El circuito equivalente es:
i
D
= 0 ⇒ v
D
= 0,75 - 1,6 = - 0,85 V < 0 ⇒ Se verifica la condición, luego esta
configuración es la real. El Resultado es:
i
D
= 0 ; v
D
= - 0,85 V
A2.- Calcular Vo en el circuito de la figura considerando el modelo con V
γ
= 0,7 V para
los dos diodos.
2,3 KΩ
1,6 KΩ
iD
1,6 V
0,75 V
2,3 KΩ
1,6 KΩ
vD
+
1,6 V
0,75 V
1 KΩ
2 KΩ
3 KΩ
0,9 KΩ
Vo
2 mA
D2
D1
+
5 V
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a) Se simplifica el circuito mediante el Teorema de Thèvenin:
El circuito queda:
b) Se supone: D1 → OFF ⇒ i
D1
= 0 ; v
D1
≤ 0,7 V (1)
D2 → OFF ⇒ i
D2
= 0 ; v
D2
≤ 0,7 V (2)
El circuito equivalente queda:
v
D2
= 0 ; v
D1
= 3 ⇒ No se cumple la condición (1) ⇒ estado INCORRECTO
1 KΩ
3 KΩ
2 mA
5 V
V
T
= - 2 ⋅ 1 + 5 - 2 ⋅ 3 = - 3 V
R
T
= 1 + 3 = 4 KΩ
4 KΩ
2 KΩ
0,9 KΩ
Vo
D2
D1
+
-3 V
4 KΩ
2 KΩ
0,9 KΩ
Vo
vD2
+
-3 V
vD1
+
+
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c) Se supone: D1 → OFF ⇒ i
D1
= 0 ; v
D1
≤ 0,7 V (1)
D2 → ON ⇒ v
D2
= 0,7 V ; i
D2
≥ 0 (2)
El circuito equivalente queda:
0,7
i
D2
= -  = - 0,24 mA < 0 ⇒ no se cumple la condición (2) ⇒
2,9
⇒ estado INCORRECTO
d) Se supone: D1 → ON ⇒ v
D1
= 0,7 V ; i
D1
≥ 0 (1)
D2 → ON ⇒ v
D2
= 0,7 V ; i
D2
≥ 0 (2)
El circuito equivalente queda:
 i = i
D1
+ i
D2
3 + 2 i
D2
 2 i
D2
+ 0,7 + 3 - 4 i
D1
- 0,7 = 0 ⇒ i
D1
= 
4
 2 i
D2
+ 0,7 + 0,9 i = 0 ⇒ 2,9 i
D2
+ 0,7 + 0,9 i
D1
= 0 ⇒
- 5,5
⇒ 11,6 i
D2
+ 2,8 + 2,7 + 1,8 i
D2
= 0 ⇒ i
D2
= 
13,4
⇒ i
D2
= - 0,41 mA < 0 ⇒ no se cumple la condición (2) ⇒ estado INCORRECTO.
4 KΩ
2 KΩ
0,9 KΩ
Vo
iD2
+
-3 V
vD1 +
0,7 V
4 KΩ
2 KΩ
0,9 KΩ
Vo
iD2
+
-3 V
iD1
0,7 V
0,7 V
i
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e) Se supone: D1 → ΟΝ ⇒ v
D1
= 0,7 V ; i
D1
≥ 0 (1)
D2 → OFF ⇒ i
D2
= 0 ; v
D2
≤ 0,7 V (2)
El circuito equivalente queda:
3 - 0,7
-3 + 0,9 i
D1
+ 0,7 + 4 i
D1
= 0 ⇒ i
D1
=  = 0,47 mA > 0 ⇒
4,9
⇒ Se cumple la condición (1)
v
D2
= V
O
= - 0,9 i
D1
= - 0,42 V < 0,7 V ⇒ También se cumple (2) ⇒
⇒ estado CORRECTO ⇒ V
O
= - 0,42 V
Se han supuesto todas las posibles combinaciones para comprobar que sólo una es
correcta, pero para resolver este tipo de ejercicios, en general no es necesario resolver todas
ellas; basta con hallar la que es correcta para saber que todas las restantes son incorrectas. En
este ejercicio, dado que en el caso b) se vió que D1 no podía estar en OFF, lo más directo
hubiese sido probar la siguiente combinación con D1 ON y D2 OFF, que es precisamente el
estado correcto.
B.- Ejercicios de característica de transferencia.
El método a seguir es el siguiente:
1º.- Se calcula el número total de estados en que puede estar el circuito.
2º.- Se resuelve cada configuración del circuito y se calcula el rango de validez de esa
solución en base a las condiciones de funcionamiento de los diodos.
3º.- Dos condiciones necesarias para que el resultado sea correcto son:
a.- Que esté cubierto todo el rango de variación de Vi ( que es de -∞ a +∞ si no se da
explícitamente en el problema otro rango distinto ).
4 KΩ
2 KΩ
0,9 KΩ
Vo
vD2
+
-3 V
+
0,7 V
iD1
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b.- Que no existan discontinuidades en la función de transferencia Vo = ƒ (Vi)
B1.- Calcular la tensión Vo en función de Vi en el circuito de la figura en los dos casos
siguientes:
a) Modelo ideal
b) Modelo lineal con V
γ
y R
D
a) Modelo ideal.
1.- Se supone: D → ON ⇒ v
D
= 0 : i
D
≥ 0
El circuito equivalente es el siguiente:
V
i
i
D
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≥ 0
R
L
 ⇒
V
O
= V
i

⇒ ∀ V
i
≥ 0 ⇒ V
O
= V
i
(1)
2.- Se supone: D → OFF ⇒ i
D
= 0 : v
D
≤ 0
v
D
= V
i
- 0 ≤ 0 ⇒ V
i
≤ 0 
 ⇒
i
D
= 0 ⇒ i
D
R
L
= V
O
= 0 
⇒ ∀ V
i
≤ 0 ⇒ V
O
= 0 (2)
3.- Se comprueba que está cubierto todo el rango de variación de V
i
( en (1) de -∞ a 0 y
en (2) de 0 a +∞ ). Para ver si existen discontinuidades:
 V
O
= V
i
= 0 ( en (1) ) 
En Vi = 0: 

 ⇒
 V
O
= 0

( en (2) ) 
⇒ Coinciden los valores de V
O
para V
i
= 0 en (1) y (2) ⇒ no hay discontinuidades ⇒
⇒ se cumplen las dos condiciones necesarias para que la solución sea correcta.
+
Vi Vo RL
+
Vi Vo RL
iD
+
Vi Vo RL
vD +
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b) Modelo lineal.
v
D
- V
γ
1.- Se supone: D → ON ⇒ i
D
=  : v
D
≥ V
γ
R
D
i
D
R
D
+ V
γ
= v
D
≥ V
γ
⇒ i
D
R
D
≥ 0 ⇒ i
D
≥ 0
V
i
- V
γ
i
D
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≥ V
γ
R
D
+ R
L
V
i
- V
γ
V
O
= i
D
R
L
=  R
L
R
D
+ R
L
R
L
⇒ ∀ V
i
≥ V
γ
⇒ V
O
= ( V
i
- V
γ
)  (1)
R
D
+ R
L
2.- Se supone: D → OFF ⇒ i
D
= 0 : v
D
≤ V
γ
v
D
= V
i
- 0 ≤ V
γ
⇒ V
i
≤ V
γ

 ⇒
i
D
= 0 ⇒ i
D
R
L
= V
O
= 0 
⇒ ∀ V
i
≤ V
γ
⇒ V
O
= 0 (2)
Se comprueba que:
a.- Se cubre todo el rango de variación de V
i
.
b.- En V
i
= V
γ
:
R
L
V
O
= ( V
γ
- V
γ
)  = 0 en (1) ; V
O
= 0 en (2)
R
D
+ R
L
B2.- Calcular la característica de transferencia del siguiente circuito considerando los
diodos como ideales.
+
Vi Vo RL
vD +
Vγ RD
+
Vi Vo RL
vD +
D2
25 V
100 KΩ 200 KΩ
100 V
D1
Vi
Vo
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Departamento de Electrónica Pag 15
a) Se supone: D1 → OFF ⇒ i
D1
= 0 ; v
D1
≤ 0 (1)
D2 → OFF ⇒ i
D2
= 0 ; v
D2
≤ 0 (2)
v
D2
= 100 - 25 = 75 V > 0 ⇒ no se puede cumplir (2) ⇒ Caso IMPOSIBLE.
b) Se supone: D1 → ΟΝ ⇒ v
D1
= 0 ; i
D1
≥ 0 (1)
D2 → OFF ⇒ i
D2
= 0 ; v
D2
≤ 0 (2)
V
i
- 25
i
D1
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≥ 25 V (A)
100
V
O
= 100 V ; v
D2
= V
O
- V
i
≤ 0 ⇒ V
i
≥ 100 V (B)
Para que sean ciertas (A) y (B) simultáneamente, debe verificarse la condición más
restrictiva, que es la (B), por tanto:
∀ V
i
≥ 100 V ⇒ V
O
= 100 V (S1)
c) Se supone: D1 → OFF ⇒ i
D1
= 0 ; v
D1
≤ 0 (1)
D2 → ON ⇒ v
D2
= 0 ; i
D2
≥ 0 (2)
25 V
100 KΩ 200 KΩ
100 V
Vi
Vo
vD1 + + vD2
25 V
100 KΩ 200 KΩ
100 V
Vi
Vo
iD1
+ vD2
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i
D2
= 0,25 mA > 0
V
O
= 100 i
D2
+ 25 = 50 V ; v
D1
= V
i
- V
O
= V
i
- 50 ≤ 0 ⇒ V
i
≤ 50 V ⇒
⇒ ∀ V
i
≤ 50 V ⇒ V
O
= 50 V (S2)
d) Se supone: D1 → ON ⇒ v
D1
= 0 ; i
D1
≥ 0 (1)
D2 → ON ⇒ v
D2
= 0 ; i
D2
≥ 0 (2)
 i = i
D1
+ i
D2
 V
i
- 25 = 100 i
100 - V
i
 100 - V
i
= 200 i
D2
⇒ i
D2
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≤ 100 V
200
V
O
= V
i
3 V
i
- 150
i
D1
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≥ 50 V
200
⇒ ∀ 50 V ≤ V
i
≤ 100 V ⇒ V
O
= V
i
(S3)
La representación gráfica se muestra en la página siguiente:
25 V
100 KΩ 200 KΩ
100 V
Vi
Vo
vD1 +
iD2
25 V
100 KΩ 200 KΩ
100 V
Vi
Vo
iD1 iD2
i
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B3.- Calcular la característica de transferencia del siguiente circuito considerando que
los diodos son ideales y que la tensión inversa del Zener es de V
Z
= - 3 V
a) Se supone: D1 → OFF ⇒ i
D1
= 0 ; -3 V ≤ v
D1
≤ 0 V (1)
D2 → OFF ⇒ i
D2
= 0 ; v
D2
≤ 0 V (2)
v
D1
= V
i
; v
D2
= 1 > 0 ⇒ No cumple la condición (2) ⇒ Caso IMPOSIBLE
100
100
50
50
Vo
Vi
(S2)
(S3)
(S1)
D2
10 KΩ 10 KΩ
1 V
D1
Vi
Vo
10 KΩ 10 KΩ
1 V
Vi
Vo
vD1 + + vD2
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b) Se supone: D1 → OFF ⇒ i
D1
= 0 ; - 3 ≤ v
D1
≤ 0 V (1)
D2 → ON ⇒ v
D2
= 0 V ; i
D2
≥ 0 (2)
1
i
D2
=  > 0
20
v
D1
= V
i
- V
O
; V
O
= 10 / 20 = 0,5 V ⇒ v
D1
= V
i
- 0,5
(1) ⇒ -3 ≤ V
i
- 0,5 ⇒ V
i
≥ -2,5 V
(1) ⇒ V
i
- 0,5 ≤ 0 ⇒ V
i
≤ 0,5 V ;
∀ - 2,5 V ≤ V
i
≤ 0,5 V ⇒ V
O
= 0,5 V (S1)
c) Se supone: D1 → ΟΝ ⇒ v
D1
= 0 V ; i
D1
≥ 0 (1)
D2 → OFF ⇒ i
D2
= 0 ; v
D2
≤ 0 V (2)
V
O
= 1 V
i
D1
= V
i
≥ 0 ⇒ V
i
≥ 0
v
D2
= V
O
- V
i
= 1 - V
i
≤ 0 ⇒ V
i
≥ 1 ; Siempre que se cumpla esta condición
también se cumple la anterior, pero lo
contrario no es cierto, por lo que queda:
10 KΩ 10 KΩ
1 V
Vi
Vo
vD1 +
iD2
10 KΩ 10 KΩ
1 V
Vi
Vo
iD1
+ vD2
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∀ V
i
≥ 1 V ⇒ V
O
= 1 V (S2)
d) Se supone: D1 → ON ⇒ v
D1
= 0 V ; i
D1
≥ 0 (1)
D2 → ON ⇒ v
D2
= 0 V ; i
D2
≥ 0 (2)
V
O
= V
i
1 - V
i
i
D2
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≤ 1 V
10
V
i
2 V
i
- 1
i
D1
+ i
D2
=  ⇒ i
D1
=  ≥ 0 ⇒ 2 V
i
≥ 1 ⇒ V
i
≥ 0,5 V
10 10
⇒ ∀ 0,5 V ≤ V
i
≤ 1 V ⇒ V
O
= V
i
(S3)
e) Se supone: D1 → INV ⇒ v
D1
= - 3 V ; i
D1
≤ 0 (1)
D2 → OFF ⇒ i
D2
= 0 ; v
D2
≤ 0 V (2)
v
D2
= 1 - ( 3 + V
i
) = - V
i
- 2 ≤ 0 ⇒ V
i
≥ - 2  Estas condiciones son incom-
 patibles ⇒
3 + V
i
i
D1
=  ≤ 0 ⇒ V
i
≤ - 3  Caso IMPOSIBLE
10
10 KΩ 10 KΩ
1 V
Vi
Vo
iD1 iD2
i
10 KΩ 10 KΩ
1 V
Vi
Vo
iD1
+ vD2
- 3 V
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f) Se supone: D1 → INV ⇒ v
D1
= - 3 V ; i
D1
≤ 0 (1)
D2 → ON ⇒ v
D2
= 0 V ; i
D2
≥ 0 (2)
1 - V
O
- V
i
- 2
i
D2
=  ; V
O
= 3 + V
i
⇒ i
D2
=  ≥ 0 ⇒ Vi ≤ - 2 V
10 10
3 + V
i
V
i
+ 2 2 V
i
+ 5
i
D1
+ i
D2
=  = i
D1
−  ⇒ i
D1
=  ≤ 0 ⇒ V
i
≤ -2,5 V
10 10 10
Esta última condición engloba a la anterior, por lo tanto:
∀ V
i
≤ - 2,5 V ⇒ V
O
= 3 + V
i
(S4)
10 KΩ 10 KΩ
1 V
Vi
Vo
iD1
iD2
i
- 3 V
-2,5 0,5 1
0,5
1
- 3
VO
Vi
(S1)
(S4)
(S3)
(S2)
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7 . - Eje rc ic ios propue s t os .
1.- Calcular las tensiones e intensidades de los diodos en los siguientes circuitos,
considerando el modelo con tensión umbral V
γ
= 0,7 V para:
a) Vi = - 2 V
b) Vi = 3 V
Soluciones: (1) a) V(D1) = -3 V, i(D1) = 0, V(D2) = -3 V, i(D2) = 0; b) V(D1) = 0,7 V,
i(D1) = 0,65 mA, V(D2) = -1,7 V, i(D2) = 0. (2) a) V(D1) = -4,15 V, i(D1) = 0, V(D2) = 0,7
V, i(D2) = 0,15 mA; b) V(D1) = 0,7 V, i(D1) = 0,3 mA, V(D2) = 0,7 V, i(D2) = 0.
2.- Calcular la característica de transferencia en los siguientes circuitos, considerando el
modelo ideal.
Vi
D1 D2
2 KΩ
1 V
4 KΩ
4 V
(1 )
Vi
1 KΩ
D2
1 KΩ
3 V
D1
2 V
(2 )
Vi
6 KΩ
2 KΩ
3 KΩ
D1
D2
1 mA
Vo
(1 )
Vi
12 KΩ 6 KΩ
D1 D2
3 V
9 V
Vo
(2 )
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Soluciones: (1) ∀ Vi ≤ - 6 ⇒ Vo = 0, ∀ Vi ≥ - 6 ⇒ Vo = 2 + Vi/3;
(2) ∀ Vi ≤ 3 ⇒ Vo = 0, ∀ 3 ≤ Vi ≤ 5 ⇒ Vo = Vi - 3, ∀ Vi ≥ 5 ⇒ Vo = 2;
(3) ∀ Vi ≤ 0 ⇒ Vo = Vi/2, ∀ 0 ≤ Vi ≤ 7,5 ⇒ Vo = 2 Vi/3, ∀ Vi ≥ 7,5 ⇒ Vo = 2 + 2 Vi/5.
(4) ∀ Vi ≤ 9 ⇒ Vo = 0,8 Vi + 6,8 ; ∀ 9 ≤ Vi ≤ 12 ⇒ Vo = 14 ; ∀ Vi ≥ 12 ⇒ Vo = 0,8 Vi +
4,4. (Todas las tensiones en voltios).
3.- Calcula la tensión Vo en los circuitos de la figura, considerando el modelo con
tensión umbral V
γ
= 0,7 V, cuando las tensiones Vi1 y Vi2 toman todas las posibles
combinaciones de valores 0 V y 5 V. ¿ Qué función lógica realizan los circuitos ?
Vi
5 KΩ
5 KΩ
10 KΩ
10 KΩ
5 V
D1
D2
Vo
(3 )
Vi
2 KΩ
3 KΩ
0,5 KΩ
5 iD1
4 mA
Vo
D1 D2
(4 )
(VZ = -3 V)
Vi1
D1
D2
Vi2
VO
1 KΩ
(2 )
D1
D2
VO
1 KΩ
5 V
Vi2
Vi1
(1 )
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