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Tema 3.- El Transistor Bipolar (B.J.T.

)
1 . - Es t ruc t ura fís ic a.
La estructura física de un transistor
bipolar está constituida por una barra de
semiconductor en la que se han dopado con
impurezas tres zonas diferentes, dos en los
extremos y una zona central, tal como se
muestra en la figura 1. Cada zona tiene un
terminal que permite que sea conectada con
el exterior. Existen dos posibilidades de
realizar dicho dopado, una consiste en hacer
las dos zonas extremas tipo N y la central
tipo P, obteniendo un transistor NPN y la
otra consiste en hacer las dos zonas
extremas tipo P y la zona central tipo N,
obteniendo un transistor PNP. El
funcionamiento de ambos transistores es
totalmente equivalente. Aquí veremos
únicamente el NPN por ser el más utilizado
en la práctica.
En resumidas cuentas, el transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales,
denominados BASE (el terminal central) y COLECTOR y EMISOR (los terminales
extremos).
Para que el funcionamiento del
transistor sea correcto, debe presentar las
siguientes características:
- El espesor de la zona de base (la
separación entre emisor y colector) debe ser
muy pequeño (del orden de pocos µm) en
comparación con las zonas de emisor y
colector.
- El dopado de la región de emisor
debe ser mucho mayor que el de la base y
que el del colector.
- El área de contacto del colector con la base debe ser mayor que la del emisor con la
base. Un esquema más real de un transitor NPN se muestra en la figura 2.
N P N
Emisor Base Colector
Fig 1. Estructura de un BJT NPN
N
N
Teminal
de COLECTOR
Teminal
de EMISOR
Teminal
de BASE Dióxido
de Silicio
0,3 mm
5 µm
Figura 2. Estructura real de un BJT tipo planar
P
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Departamento de Electrónica Pag 1
2 . - El t rans is t or bipolar c omo e le me nt o de c irc uit o.
El símbolo de circuito de los transistores NPN y PNP se muestra en la figura 3.
Al ser un elemento de 3 terminales, el
estado del BJT viene dado por seis
variables, que son: i
B
, i
C
, i
E
, V
BE
, V
CE
y
V
CB
. Teniendo en cuenta que deben
cumplirse las leyes de Kirchoff: i
B
+ i
C
+ i
E
= 0 y V
CE
= V
CB
+ V
BE
, de las seis
variables sólo cuatro son independientes,
por tanto, para especificar el estado de un
BJT es suficiente con dar el valor de dos de
sus intensidades y dos de sus tensiones.
Zonas de operación del transistor.
El BJT está constituido por dos uniones PN, y cada una de ellas puede estar polarizada
de dos formas, como se vió en el diodo, por tanto, el BJT puede funcionar en 4 zonas de
operación diferentes, que son:
1.- Zona activa.
- Unión B-E directamente polarizada.
- Unión B-C inversamente polarizada.
En esta zona, BJT se comporta como un Amplificador, siendo la más utilizada en
circuitos analógicos. Sus características son:
V
BE
≈ V
γ
, V
BC
≤ V
γ
, i
B
≥ 0, i
C
= β i
B
, donde β >> 1
2.- Zona de saturación.
- Unión B-E directamente polarizada.
- Unión B-C directamente polarizada.
Es utilizada en circuitos digitales. Sus características son:
V
BE
≈ V
γ
, V
BC
≈ V
γ
, i
B
≥ 0
B
E
C
NPN PNP
C
E
B
Figura 3. Símbolo de circuito del BJT
iB
iC
iE
iB
iE
iC
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Departamento de Electrónica Pag 2
3.- Zona de corte.
- Unión B-E inversamente polarizada.
- Unión B-C inversamente polarizada.
Es utilizada en circuitos digitales. Sus características son.
V
BE
≤ V
γ
, V
BC
≤ V
γ
, i
B
= i
C
= 0
4.- Zona activa inversa.
- Unión B-E inversamente polarizada.
- Unión B-C directamente polarizada.
Se utiliza en muy pocos circuitos. Sus características son:
V
BE
≤ V
γ
, V
BC
≈ V
γ
, i
B
≥ 0, i
E
= β
R
i
B
, β
R
< 1
Configuraciones del transistor bipolar.
Al tener tres terminales, el transistor bipolar se configura como un circuito con dos
puertos que tienen un terminal común. Según cual sea dicho terminal común, el BJT puede
disponerse en tres configuraciones diferentes:
- Base común.
- Colector común.
- Emisor común.
La configuración más frecuente es la de emisor común.
Base común Colector común Emisor común
Figura 4. Configuraciones del BJT
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Modelo linealizado del transistor bipolar NPN en emisor común.
1º Zona Activa.
Condiciones: i
B
≥ 0, i
C
≥ 0, V
CE
≥ V
CE(SAT)
Modelo: V
BE
= V
BE(ON)
, i
C
= β i
B
2º Zona de Saturación:
Condiciones: i
B
≥ 0, i
C
≤ β i
B
Modelo: V
BE
= V
BE(ON)
, V
CE
= V
CE(SAT)
3º Zona de corte:
Condiciones: V
BE
≤ V
BE(ON)
Modelo: i
B
= 0, i
C
= 0
3 . - Familias lógic as bipolare s .
Por orden cronlógico de aparición, las familias lógicas más importantes basadas en el
BJT son la RTL, DTL y TTL.
A.- Familia RTL (Resistor Transistor Logic)
Es la familia más antigua y la que tiene un
circuito más simple.
Puerta básica: NOR.
Circuito típico: Transistor en emisor común
con resistencia en el colector.
Ventaja principal: Circuito muy simple.
Permite realizar la función AND cableada.
Inconvenientes: Consume intensidad en su
entrada. El FAN-IN es pequeño. Los márgenes de
ruido son bajos, presenta poca inmunidad al ruido.
El tiempo de subida es alto.
B
E
C
iB
β iB
VBE(ON)
VCE
+
B
E
C
iB
VBE(ON)
VCE(SAT)
iC
B
E
C
VBE
+
VCC
IN1
OUT
Puerta NOR RTL
IN2
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B.- Familia DTL (Diode Transistor Logic)
Presenta una serie de mejoras frente a la
RTL, a costa de que el circuito es algo más
complejo.
Puerta básica: NAND
Circuito típico: Circuito de entrada con
diodo.
Ventajas: Mejora el FAN-IN y los
márgenes de ruido de la RTL.
Inconvenientes: Es aún algo más lenta
que la RTL.
C.- Familia TTL (Transistor Transistor Logic).
Puerta básica: NAND
Circuito típico: Salida
TOTEM-POOLE. Entrada transistor
multiemisor.
Ventajas: Mejora ampliamente
la velocidad de la DTL, debido
fundamentalmente a la adición del
transistor de carga en el circuito de
salida
Inconvenientes: Circuito más
complejo. No permite realizar
funciones cableadas.
4 . - Eje rc ic ios Re s ue lt os .
A.- Ejercicios del cálculo del punto de trabajo.
El punto de trabajo de un transistor viene dado por 4 variables. Cuando el transistor está
en emisor común, estas variables son i
B
, i
C
, V
BE
y V
CE
.
El método a seguir es similar al que se utilizó con los diodos, aunque ahora hay que
tener en cuenta que el transistor puede estar en tres estados diferentes (por el momento
VCC
IN1
IN2
OUT
Puerta NAND DTL
VCC
IN1
IN2
OUT
Puerta NAND TTL
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excluímos que pueda estar en zona activa inversa), por lo que en un circuito con diodos y
transistores tendremos: nº estados = 2
(nº diodos)
3
(nº BJT)
. Normalmente sale un número de
estados muy alto, por lo que antes de empezar a probar estados hay que observar el circuito
para determinar cuál puede ser el estado más probable en que se encuentre.
A1.- Calcular el punto de trabajo de los siguientes circuitos.
a) Primeramente se calcula el equivalente en Thèvenin del circuito de entrada:
El circuito queda de la forma
siguiente:
10 V 10 V
400 KΩ
400 KΩ
5 KΩ
400 KΩ
400 KΩ
2 KΩ
5 KΩ
a) b)
β = 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
Q Q
400
V
T
= 10  = 5 V
800
R
T
= 200 Ω
10 V
400 KΩ
400 KΩ
VT
+

10 V
200 KΩ
5 KΩ
5 V
Q
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1) Se supone que Q está en zona de CORTE: V
BE
≤ 0,7 V
2) Se supone que Q está en zona ACTIVA: i
B
≥ 0 ; V
CE
≥ 0,2 V
3) Se supone que Q está en zona de SATURACION: i
B
≥ 0 ; i
C
≤ β i
B
El punto de trabajo del transistor es:
V
BE
= 0,7 V ; V
CE
= 0,2 V ; i
B
= 0,0215 mA ; i
C
= 1,96 mA
200 KΩ
5 KΩ
5 V
i
B
= i
C
= 0
V
BE
= 5 V > 0,7 V ⇒ Q NO ESTA EN CORTE
10 V
VBE
+
200 KΩ
5 KΩ
5 - 0,7
i
B
=  = 0,0215 mA > 0
200
i
C
= 100 i
B
= 2,15 mA ; V
CE
= - 5 i
C
+ 10 ⇒
V
CE
= - 0,75 V < 0,2 V ⇒ Q NO ESTA EN ACTIVA
10 V
+
VCE
100 iB
5 V
0,7 V
iB
200 KΩ
5 KΩ
5 - 0,7
i
B
=  = 0,0215 mA > 0 ; β i
B
= 2,15 mA
200
10 - 0,2
i
C
=  = 1,96 mA < β i
B

5
⇒ Q ESTA EN SATURACION
10 V
iC
5 V
0,2 V
0,7 V
iB
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b) El circuito de entrada es similar al anterior:
1) Se supone que Q está en zona de CORTE: V
BE
≤ 0,7 V
2) Se supone que Q está en zona de SATURACION: i
B
≥ 0 ; i
C
≤ β i
B
3) Se supone que Q está en zona ACTIVA: i
B
≥ 0 ; V
CE
≥ 0,2 V
El punto de trabajo del transistor es:
V
BE
= 0,7 V ; V
CE
= 2,49 V ; i
B
= 0,011 mA ; i
C
= 1,1 mA
200 KΩ
5 KΩ
5 V
i
B
= i
C
= 0
V
BE
= 5 V > 0,7 V ⇒ Q NO ESTA EN CORTE
10 V
VBE
+
2 KΩ
200 KΩ
5 KΩ
5 - 0,7 = 202 i
B
+ 2 i
C
;
10 - 0,2 = 7 i
C
+ 2 i
B
;
i
B
= 4,9 - 3,5 i
C
⇒ 4,3 = 989,8 -707 i
C
+ 2 i
C

989,5
i
C
=  = 1,398 mA ;
705
i
B
= 4,9 - 4,892 = 0,008 mA ; β i
B
= 0,8 mA < i
C

⇒ Q NO ESTA EN SATURACION
10 V
iC
5 V
0,2 V
0,7 V
iB 2 KΩ
200 KΩ
4,3
5 - 0,7 = 200 i
B
+ 202 i
B
⇒ i
B
=  ≈ 0,011 mA > 0
402
V
CE
= - 500 i
B
+ 10 - 202 i
B
⇒ V
CE
= 2,49 V > 0,2 V
⇒ Q ESTA EN ACTIVA
10 V
+
VCE
100 iB
5 V
0,7 V
iB
5 KΩ
2 KΩ
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A2.- En el siguiente circuito, calcula V
0
para las distintas combinaciones de V
I1
y V
I2
,
que pueden tomar los valores de 0 V y 5 V. ¿ Qué función lógica realiza ?. Calcula la potencia
consumida por el circuito cuando las dos entradas están a 5 V.
1) V
i1
= 0 V ; V
i2
= 0 V
El estado más probable de los diodos es D1 ON y D2 ON, por lo que la tensión en la
resistencia de base será de 0,7 V, insuficiente para que Q conduzca, por lo que su estado más
probable será de CORTE. Según esto, el circuito equivalente quedará:
5 - 0,7
D1 y D2 están en paralelo, por lo que i
D1
= i
D2
; i = i
D1
+ i
D2
=  ⇒ i= 0,86 mA
5
i
D1
= i
D2
= 0,43 mA > 0 ⇒ D1 y D2 están en ON.
i
B
= 0 ⇒ V
BE
= 0,7 V ⇒ está dentro de la condición de CORTE.
i
C
= 0 ⇒ V
O
= - 5 i
C
+ 5 ⇒ V
O
= 5 V

5 V
5 KΩ 5 KΩ
15 KΩ
D1
D2
VI1
VI2
V0
+
β = 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
Q

5 V
5 KΩ 5 KΩ
15 KΩ
0,7 V
0,7V
+
+ V0
VBE
iD1
iD2
i
D1 ON ⇒ i
D1
≥ 0
D2 ON ⇒ i
D2
≥ 0
Q CORTE ⇒ V
BE
≤ 0,7 V
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2) V
i1
= 0 V ; V
i2
= 5 V
Al igual que antes,el estado más probable del diodo D1 es ON, mientras que el de D2 es
OFF. Al estar conduciendo un diodo, el transistor debe seguir en corte:
5 - 0,7
i = i
D1
=  = 0,86 mA > 0 ; V
D2
= 0,7 - 5 = - 4,3 V < 0,7 V ; V
BE
= 0,7 V ⇒
5
⇒ Se comprueban las suposiciones iniciales ⇒ Q está en CORTE;
i
C
= 0 ⇒ V
O
= - 5 i
C
+ 5 ⇒ V
O
= 5 V
El circuito es simétrico, por lo que el resultado anterior también es válido para V
i1
=
5 V y V
i2
= 0 V.
3) V
i1
= 5 V ; V
i2
= 5 V
En este caso, lo más probable es que los diodos estén en OFF y que Q conduzca. Si
suponemos que lo hace en SATURACIÓN:

5 V
5 KΩ 5 KΩ
15 KΩ
0,7 V
5 V
+
V0
VBE
iD1
VD2
i
D1 ON ⇒ i
D1
≥ 0
D2 OFF ⇒ V
D2
≤ 0,7 V
Q CORTE ⇒ V
BE
≤ 0,7 V
+
+

5 V
5 KΩ 5 KΩ
15 KΩ
5 V
+
V0
iB
VD2
i
D1 OFF ⇒ V
D1
≤ 0,7 V
D2 OFF ⇒ V
D2
≤ 0,7 V
Q SAT ⇒ i
B
≥ 0 ; i
C
≤ β i
B
+
+
VD1
5 V
iC
0,7 V
0,2 V
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5 - 0,7
i = i
B
=  = 0,215 mA > 0 ⇒ β iB = 21,5 mA
5 + 15
5 - 0,2
i
C
=  = 0,96 mA < β iB = 21,5 mA ⇒ Q está en SATURACIÓN.
5
V
D1
= V
D2
= 15 i
B
+ 0,7 - 5 = - 1,075 V < 0,7 V ⇒ D1 y D2 están en OFF,
Por tanto: V
O
= 0,2 V
El resultado final es:
La potencia (P) viene dada por el producto de la tensión de la fuente de alimentación
por la intensidad total que proporciona. Para las entradas V
i1
= V
i2
= 5 V:
P = 5 ( i + iC ) ⇒ P = 5,875 mW
B.- Ejercicios de característica de transferencia.
El método a seguir es similar al seguido con los diodos, con la diferencia de que el
margen de variación de la tensión de entrada se restringe al valor de la fuente de alimentación.
B1.- Calcula y representa la característica de transferencia de los siguientes circuitos,
indicando los valores V
IH
, V
IL
, V
OH
, V
OL
, NM
H
, NM
L
, TW y LS.
V
i1
V
i2
V
O
0 0 5
0 5 5
5 0 5
5 5 0,2
⇒ Función NAND

5 V
20 KΩ
5 KΩ
Vi
Vo
+
β = 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
a)
5 V
2 KΩ
2 KΩ
2 KΩ
5 KΩ
Vi
Vo
Q1
Q2
D2
D1
β = 50
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
Vγ = 0,7 V
b)
+
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a) Se estudia el estado del transistor.
1) Se supone que Q está en zona de CORTE: V
BE
≤ 0,7 V
3) Se supone que Q está en zona de SATURACION: i
B
≥ 0 ; i
C
≤ β i
B
V
O
= 0,2 V
⇒ ∀ V
i
≥ 0,892 V ⇒ V
O
= 0,2 V
3) Se supone que Q está en zona ACTIVA: i
B
≥ 0 ; V
CE
≥ 0,2 V
⇒ ∀ 0,7 V ≤ V
i
≤ 0,892 V ⇒ V
O
= - 25 V
i
+ 22,5
20 KΩ
5 KΩ
Vi
i
B
= 0 ⇒ V
BE
= V
i
; V
BE
≤ 0,7 V ⇒ V
i
≤ 0,7 V
i
C
= 0 ⇒ V
O
= 5 V
⇒ ∀ V
i
≤ 0,7 V ⇒ V
O
= 5 V
5 V
+
+
VBE
VO
20 KΩ
5 KΩ
V
i
- 0,7
i
B
=  ≥ 0 ; ⇒ V
i
≥ 0,7 V
20
5 - 0,2 V
i
- 0,7
i
C
=  ≤ 100  ⇒ 4,8 ≤ 25 V
i
- 17,5 ⇒
5 20
4,8 + 17,5
⇒ Vi ≥  ⇒ V
i
≥ 0,892 V ; Esta condición
25
es más restrictiva que la anterior
iC
0,2 V
0,7 V
iB
Vi
VO
5 V
+
20 KΩ
5 KΩ
V
i
- 0,7
i
B
=  ≥ 0 ; ⇒ V
i
≥ 0,7 V
20
V
O
= 5 - 500 i
B
= 5 - 25 V
i
+ 17,5 = V
CE
⇒ V
CE
= - 25 V
i
+ 22,5 ≥ 0,2 ⇒
22,3
⇒ V
i
≤  ⇒ V
i
≤ 0,892 V
25
5 V
+
VO
100 iB
0,7 V
iB
Vi
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( Las tensiones V
OH
, V
OL
,
V
IH
y V
IL
se han tomado en los
puntos donde no existe la derivada
de la función. )
b) El circuito es más complejo, por lo que se va a hacer una evaluación preeliminar de
los posibles estados de los transistores:
Por su disposición, siempre que conduce Q1 lo hace en ACTIVA ( ver ejercicio
propuesto 1 ) y además conduce D2, pudiendo estar Q2 conduciendo o sin conducir, pero si
ambos están en corte, a Q2 no le llega corriente, por lo que también estará en corte. Por tanto,
los estados posibles a priori de Q1, Q2 y D2 son:
1) Q1 CORTE, Q2 CORTE, D2 OFF
2) Q1 ACTIVA, Q2 CORTE, D2 ON
3) Q1 ACTIVA, Q2 ACTIVA, D2 ON
4) Q1 ACTIVA, Q2 SATURACIÓN, D2 ON
1) Este estado sólo puede darse con D1 ON, por tanto:
V
0
V
i
VIL = 0,7 V
VIH = 0,892 V
VOL = 0,2 V
VOH = 5 V
NMH = 4,108 V
NML = 0,5 V
TW = 0,192 V
LS = 4,8 V
2 KΩ
2 KΩ
2 KΩ
5 KΩ
Vi 0,7 V
VO
+
+
VD2
+ +
VBE2 VBE1
iD1
5 V
i
D1
≥ 0
V
D2
≤ 0,7
V
BE1
≤ 0,7
V
BE2
≤ 0,7
5 - 0,7 - V
i
i
D1
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≤ 4,3 V
4
V
BE2
= 0 < 0,7 V
V
BE1
+ V
D2
= 0,7 + V
i
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V
BE1
≤ 0,7 V 
 ⇒ 0,7 + V
i
≤ 1,4 V ⇒ V
i
≤ 0,7 V
V
D2
≤ 0,7 V 
i
C2
= 0 ⇒ V
O
= V
CE2
= 5 V
⇒ ∀ V
i
≤ 0,7 V ⇒ V
O
= 5 V
2) Se sigue suponiendo D1 en ON:
V
BE2
= - 0,7 - 0,7 + 0,7 + V
i
≤ 0,7 ⇒ V
i
≤ 1,4 V
Vi - 0,7
5 - 0,7 - V
i
= 2 i + 2 (i
D1
+ i
B1
) = 4 i
D1
+ 104 i
B1
= 4 i
D1
+ 104  ⇒
255
4,58 - 1,4 V
i
i
D1
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≤ 3,27 V; La condición anterior es más restrictiva, por tanto:
4
∀ 0,7 V ≤ V
i
≤ 1,4 V ⇒ V
O
= 5 V
3) Se sigue suponiendo D1 en ON:
2 KΩ
2 KΩ
2 KΩ
5 KΩ
Vi
VO
+
+
VBE2
iD1
5 V
i
D1
≥ 0
i
D2
≥ 0
i
B1
≥ 0
V
BE2
≤ 0,7 V
i = 51 i
B1
+ i
D1
0,7 + V
i
= 1,4 + 255 i
B1
;
V
i
- 0,7
i
B1
=  ≥ 0 ⇒ V
i
≥ 0,7 V
255 0,7 V
0,7 V 0,7 V
iD2 iB1
50 iB1
i
2 KΩ
2 KΩ
2 KΩ
5 KΩ
Vi
VO
+
iD1
5 V
i
D1
≥ 0
i
D2
≥ 0
i
B1
≥ 0
i
B2
≥ 0
V
O
≥ 0,2 V
0,7 V
0,7 V 0,7 V
iD2 iB1
i
0,7 V
50 iB1
50 iB2
iB2
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Está claro que la configuración anterior sólo es posible si se verifica:
V
i
= - 0,7 + 0,7 + 0,7 ⇒ V
i
= 1,4 V; V
O
≥ 0,2 V
⇒ V
i
= 1,4 V ∀ 0,2 V ≤ V
O
≤ 5 V
4) Esta última combinación sólo puede darse cuando D1 esté en OFF:
V
D1
= 2,1 - V
i
≤ 0,7 V ⇒ V
i
≥ 1,4 V
5 - 2,1 = 102 i
B1
+ 2 i
B1
= 104 i
B1
⇒ i
B1
≈ 0,028 mA > 0 (1)
i
D2
= 51 i
B1
= 1,422 mA > 0 (2)
0,7
i =  = 0,14 mA ; i
B2
= i
D2
- i = 1,282 mA > 0 (3)
5
5 - 0,2
β i
B2
= 64,1 mA ; i
C2
=  = 2,4 mA < β i
B2
(4)
2
De (1), (2), (3) y (4) se
comprueba que este estado es
válido para todo valor de V
i
mayor
o igual a 1,4 voltios, luego:
∀ V
i
≥ 1,4 V ⇒ V
O
= 0,2 V
2 KΩ
2 KΩ
2 KΩ
5 KΩ
Vi
VO
+
+
VD1
iD1
5 V
V
D1
≤ 0,7 V
i
D2
≥ 0
i
B1
≥ 0
i
B2
≥ 0
i
C2
≤ β i
B2
V
O
= 0,2 V
0,7 V 0,7 V 0,7 V
iD2 iB1
50 iB1
i
0,2 V
iC2
V
0
V
i VIH = VIL 1,4 V
VOL = 0,2 V
VOH = 5 V
NMH = 3,6 V
NML = 1,2 V
TW = 0 V
LS = 4,8 V
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C.- Ejercicios de cálculo del FAN-OUT.
El cáculo del FAN-OUT difiere de un circuito a otro, por lo que no existe una regla
general para realizarlo, hay que analizar el circuito y ver en qué condiciones deja de funcionar
como una puerta lógica.
C1.- Calcula el FAN-OUT de las puertas del ejercicio B1.
a) El FAN-OUT de esta puerta viene dado por el hecho de que la entada consume
intensidad cuando está a ’1’ lógico. Esta intensidad debe ser suministrada por la salida de la
puerta a la cual se conecta, por lo que la tensión en dicha salida disminuye. Esto puede verse
en el siguiente circuito:
20
V
O1
= ( 5 - 0,7 )  + 0,7 ⇒ V
O1
= 4,14 V ⇒
20 + 5
⇒ La tensión de salida V
O1
de la puerta 1 ya no es de 5 voltios, ha descendido a 4,14
voltios al conectarle una puerta. Si se conectan más de una puerta, esta tensión bajará aún
más. Cuando baja del límite fijado por V
IH
= 0,892 V, las puertas conectadas a la salida V
O1
no interpretarán la entrada como ’1’ lógico, ya que sus transistores saldrán de zona de
saturación y entrarán en activa, produciéndose un funcionamiento incorrecto. El número de
puertas conectadas antes de que ocurra esto es el FAN-OUT. Por tanto, para calcularlo hay
que analizar el siguiente circuito:

5 V 5 V
5 KΩ
0,7 V
0,2 V
5 KΩ
20 KΩ
20 KΩ
VO1
iB
+
’0’ ’1’ ’0’


5 V
5 V
5 KΩ
0,7 V
0,7 V
5 KΩ
20 KΩ
Req
VO1
+ n
20 KΩ
0,7 V
20 KΩ
0,7 V
+
VO1
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Departamento de Electrónica Pag 16
20
Donde R
eq
=  ; luego:
n
R
eq
86
V
O1
= ( 5 - 0,7 )  + 0,7 =  + 0,7 > 0,892 ⇒ 86 > 3,84 + 0,96 n
5 + R
eq
5 n + 20
⇒ n < 85,58 ⇒ FAN-OUT = 85
b) Este circuito no consume intensidad por su entrada cuando está a ’1’ lógico, pero por
dicha entrada sale intensidad ( i
D1
) cuando está a ’0’ lógico. Esta intensidad es absorbida por
el colector del transistor Q2 de la puerta a cuya salida está conectada. Cuando se conectan
muchas puertas, esta intensidad que pasa por el colector puede hacerse tan grande que deje de
cumplirse que i
C2
≤ β i
B2
, con lo que Q2 saldrá de zona de saturación y entrará en zona
activa, lo que hace que la tensión V
O1
supere el nivel de V
IL
de las puertas conectadas y el
funcionamiento sea incorrecto.
5 - 0,2 5 - 0,7 - 0,2
i
C2
= i + i
D
; i =  = 2,4 mA ; i
D
=  = 1,025 mA ⇒ i
C2
= 3,425 mA
2 4
Si hay n puertas conectadas:
i
C2
= 2,4 + 1,025 n
Tal como se vió en el ejercicio anterior, cuando Q2 está en saturación, i
B2
= 1,282 mA
⇒ β i
B2
= 64,1 mA ⇒ Q2 saldrá de zona de saturación cuando:
β i
B2
= i
C2
⇒ 64,1 = 2,4 + 1,025 n ⇒ n = 60,19 ⇒
⇒ FAN-OUT = 60


5 V
5 V
2 KΩ
0,2 V
2 KΩ
2 KΩ
iD
’1’ ’0’ ’1’
iC2
i
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5 . - Eje rc ic ios propue s t os .
1.- Calcula el punto de trabajo y la
potencia consumida por el siguiente circuito.
(Solución: i
B
= 0,016 mA; i
C
= 1,187 mA;
V
BE
= 0,7 V; V
CE
= 4,10 V; P = 12,03 mW)
2.- En el circuito de la figura, calcula el valor de la resistencia R
D
para que se verifique
que i
D
= i
E
. Calcula el punto de trabajo del transistor y la potencia consumida por el circuito
de la figura. (Solución: R
D
= 0,67 KΩ, i
B
= 0,026 mA, i
C
= 5,26 mA, V
BE
= 0,7 V, V
CE
=
2,63 V, P = 154 mW)
3.- Obtén la característica de transferencia de los siguientes circuitos. (Soluciones: (1) ∀
V
i
≤ 0,7 V ⇒ V
O
= 0 V; ∀ 0,7 V ≤ V
i
≤ 5,81 V ⇒ V
O
= 0,92 V
i
- 0,64; ∀ V
i
≥ 5,81 V ⇒ V
O
= 4,7 V ; (2) ∀ V
i
≤ - 6,45 V ⇒ V
O
= 0,67 V
i
; ∀ - 6,45 V ≤ V
i
≤ - 4,3 V ⇒ V
O
= - 4,3 V ;
∀ V
i
≥ - 4,3 V ⇒ V
O
= - 4,3 V ; (3) ∀ V
i
≤ - 4,3 V ⇒ V
O
= 10 V ; ∀ - 4,3 V ≤ V
i
≤ 1,4 V
⇒ V
O
= 10 V ; ∀ 1,4 V ≤ V
i
≤ 3,36 V ⇒ V
O
= 17 - 5 V
i
; ∀ V
i
≥ 3,36 V ⇒ V
O
= 0,2 V

10 V
4,9 KΩ
215 KΩ
β = 75
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V

1 KΩ
0,8 KΩ
0,6 KΩ 0,5 KΩ
RD
iD
iE
VBE(ON) = 0,7 V
β = 200
Vγ = 0,7 V
10 V

9 KΩ
1 KΩ
5 V
VO
Vi
+
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
β = 100
Vγ = 0,4 V
(1)
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4.- En los siguiente circuitos, calcula V
0
para las distintas combinaciones de V
I1
y V
I2
,
que pueden tomar los valores de 0 V y 5 V. ¿ Qué función lógica realiza ?. (Solución: a) y b)
NOR).
5.- Calcula el consumo para entrada alta ( 4 V ) y baja ( 0,1 V ) y el FAN-OUT de la
puerta de la figura. ( Solución: P ( 4 ) = 8,78 mW ; P ( 0,1 ) = 6,96 mW ; FAN-OUT = 6 ) .

5 V
5 KΩ
15 KΩ
5 KΩ
VI1
VI2
D1
D2
V0
+
β = 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
a)
5 V
VI1
VI2
V0
5 KΩ
20 KΩ 20 KΩ
+
β = 100
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
b)
5 V
1 KΩ
2 KΩ VO Vi
+
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
β = 100
(2)

10 V
2 KΩ
2,5 mA
1 KΩ
10 KΩ
VO Vi
+
(3)
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,2 V
β = 50
Vγ = 0,7 V

+ 4 V
2 KΩ
-2 V
4 KΩ
5 KΩ
VO
Vi
+
VBE(ON) = 0,7 V
VCE(SAT) = 0,1 V
β = 30
Vγ = 0,7 V
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