You are on page 1of 5

TRANSISTOR BIPOLAR

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis
parámetros para determinar el estado eléctrico del mismo: tres
tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes básicas de resolución de
circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un
circuito determinado y bajo la acción de unas excitaciones concretas,
existirán unos valores de estos cuatro parámetros que caracterizan por
completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de
operación (Q).
Las curvas características más empleadas en la práctica son las que
relacionan VBE con IBy VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son
facilitadas por los fabricantes.
Características VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las
variaciones de la tensión de polarización VBE sobre la corriente de base
IB. Estas gráficas reciben el nombre de curvas características de
transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un
diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán
de gran ayuda para localizar averías en circuitos con transistores.

La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede
aplicarse dado que la unión base - emisor, es una pn normal, igual que
la de diodo, y al polarizarla, seguirá el mismo comportamiento que
aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresión:

Características VCE-IC
Estas características también son conocidas como familia de colector,
ya que son las correspondientes a la tensión e intensidad del colector.
En la siguiente figura, se muestran una familia de curvas de colector
para diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Región Activa, la corriente de colector depende
exclusivamente de la de base, a través de la relación IC=β+IB. Por lo
tanto, en el plano VCE-IC la representación estará formada por rectas
horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en
este caso se ha representado el ejemplo para β=100).
Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de IB para no
emborronar el gráfico. Para IB=0, la corriente de colector también debe
ser nula. La región de corte está representada por el eje de abscisas. Por
contra, para VCE=0 el transistor entra en saturación, luego esta región
queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar,
la realidad es un poco más compleja, y las curvas quedarán como
representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

 En la Región Activa la corriente del colector no es totalmente
independiente de la tensióncolector-emisor. Para valores altos de la
corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.
 La región de saturación no aparece bruscamente para VCE=0, sino
que hay una transición gradual. Típicamente se suele considerar una
tensión de saturación comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento
del transistor. Se puede comprobar que, para una tensión constante de
colector-emisor, si se producen pequeñas variaciones de la corriente de
base (del orden de µA) esto origina unas variaciones en la corriente de
colector mucho más elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce
la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensión VCE afecta muy
poco a la corriente de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por
encima de VCEO), la unión del colector entra en la región de ruptura y
éste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensión VCE es muy
pequeña (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector será muy
débil, obteniéndose una ganancia de corriente muy baja. En conclusión,
para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de corriente,
la tensión de polarización inversa VCE debe mantenerse por encima de
0.7V y por debajo de la tensión de ruptura.
Recta de carga del transistor
Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una
determinada resistencia de carga y averiguar el punto de
funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del
transistor en las curvas de colector para poder determinar los puntos de
funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor común),
podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de
carga RL. La tensión aplicada a esta resistencia se corresponderá con la
tensión total aplicada por la fuente VCC menos la caída de tensión que se
produce entre el colector y el emisor VCE. De esta forma obtendremos la
siguiente expresión, que se corresponderá con la ecuación de la recta de
carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva característica, lo primero que hay
que hacer es encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).
Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva característica de colector,
obtendremos la recta de carga para una determinada resistencia de
carga RL y una fuente VCC.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales:
puntos de corte, punto de saturación, punto de trabajo.

El punto de corte es donde la línea de carga corta a la curva
correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (IB=0). Dada la escasa
polarización directa a que queda sometido el diodo de emisor-base, la
corriente que aparece por el colector es prácti-
camente nula (sólo circula una pequeñísima corriente de fuga ICEO).
Haciendo una aproximación, se puede decir, sin equivocarse mucho,
que el punto de corte se da en la intersección de la recta de carga con el
eje horizontal, es decir cuando VCecorte=VCC.
El punto de saturación aparece donde la línea de carga corta a la
intensidad de base de saturación. En este punto, la corriente de colector
es la máxima que se puede dar para la operación de transistor, dentro
de los límites de la recta de carga. Haciendo una aproximación, se
puede decir que el punto de saturación aparece en la intersección de la
recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturación se produce
también el efecto de saturación en el transistor.

El punto de trabajo es aquél donde el transistor trabaja de una forma
normal y que, normalmente, se encuentra entre la zona de corte de
saturación. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para
una determinada corriente de base (IB), se busca el punto de
intersección de la recta de carga con la curva correspondiente a dicha
corriente de base.
Por último, hay que indicar que, cuando se diseña un circuito para un
transistor, se tiene que procurar que el transistor nunca opere por
encima de la curva de potencia máxima. Esto se consigue eligiendo
valores adecuados de la tensión de fuente VCC y de la resistencia de
carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores,
esté siempre por debajo de la curva de potencia máxima. En la figura
siguiente, es esquematiza esta situación: