You are on page 1of 99

INGENIERA DE

MATERIALES
Arreglos atmicos
Enlaces
Un enlace es el proceso fsico responsable de las
interacciones de atraccin entre tomos y molculas, y
que conere estabilidad a los compuestos qumicos
Electrones de Valencia
Electrones de Valencia Electrones de Valencia
Son los electrones presentes
en la ltima capa
Indican ausencia !+" o exceso
!#" de electrones
Debido a que se encuentran
en la ultima capa !orbital" son
muy dbi l es y es pos i bl e
removerlos del tomo original.
Son los responsables de lograr
un enlace con otro tomo para
formar molculas
Enlace metlico
Los electrones de valencia se
encuentran en ubicaciones no
deter mi nadas y f act i bl e
moverlos hacia otra posicin
o hacia otro tomo metlico.
Los electrones por tal razn
s e mueven l i br e y
aleatoriamente de un tomo a
otro, formando una "nube
electrnica"
!"#$%& (&)*#+%, !"#$%& (&)*#+%,
Enlace metlico
Conductividad elctrica
Conductividad trmica
Ductilidad
Brillo metlico
Enlace inico
Los electrones de un tomo son
"Cedidos" a otro tomo para
cumplir con la regla del octeto
!cada orbital debe de tener para
ser estable 8 electrones"
Los tomos en este estado se les
conoce como "iones" y tienen
valencias positiva el que cede
!pues le falta un electrn" y
valencia negativa el que recibe !le
sobra un electrn"
!"#$%& ()"(%* !"#$%& ()"(%*
Enlace Inico
Los materiales que tienen este enlace son solubles en
agua
Tienen elevados puntos de fusin
Son frgiles
Enlace covalente
Los electrones de la ultima
capa !orbital" son
"compartidos" con otros
tomos.
Estos enlaces son rgidos y
muy fuertes
Los compuestos y materiales
que poseen este enlace son
estables qumicamente
!"#$%& ()*$#&"+& !"#$%& ()*$#&"+&
Enlace de Van der Walls
Ocasionado por fuerzas
electrostticas dbiles
Este es un enlace de tipo
fsico
Los materiales que lo
poseen, generalmente son
exibles
Enlace de Van der Walls Enlace de Van der Walls
Enlace puente de hidrogeno
Formadas por molculas polares
!molculas que geomtricamente
no tienen simetra"
Es una atraccin por polos
opuestos
Enlaces muy dbiles
Presentes en lquidos.
Enlace puente de hidrogeno Enlace puente de hidrogeno
!""#$%& !()*+,&
El arreglo tomo y de los iones desempean un papel importante en la
determinacin de la microestructura y de las propiedades de un material.
En los distintos estados de la materia
se pueden encontrar tres clases de
arreglos atmicos:
!Sin orden
!Orden de corto alcance
!Orden de largo alcance
Sin orden: Los tomos y molculas carecen de una arreglo ordenado,
por ejemplo los gases se distribuyen aleatoriamente en el espacio disponible
Argn Xenn
Ordenamiento de corto alcance: el arreglo espacial de los tomos se extiende slo a los
vecinos ms cercanos. Cada molcula de agua en fase vapor tiene un orden de corto alcance
debido a los enlaces covalentes entre los tomos de hidrgeno y oxgeno. Sin embargo, las
molculas de agua no tienen una organizacin especial entre s.
Ejemplo: agua en estado vapor, vidrios cermicos !slice", polmeros
Silicio
amorfo
Vapor de
agua
Ordenamiento de largo alcance: El arreglo atmico de largo alcance !LRO" abarca
escalas de longitud mucho mayores de 100 nanmetros. Los tomos o los iones en estos
materiales forman un patrn regular y repetitivo, semejante a una red en tres dimensiones.
Grafeno !compuesto de carbono
densamente empaquetados"
" El arreglo atmico diere de un material a otro en forma y
dimensin, dependiendo del tamao de los tomos y del tipo de
enlace entre ellos.
" En el caso de los metales, cuando estos estn en estado slido,
sus tomos se alinean de manera regular en forma de mallas
tridimensionales. Estas mallas pueden ser identicadas fcilmente
por sus propiedades qumicas, fsicas o por medio de los rayos X
Microestructura
Slidos
Orden de largo alcance !cristal": al solidicar el material, los
tomos se sitan segn un patrn tridimensional repetitivo,
en el cual cada tomo est enlazado con su vecino ms
prximo ! > 100 nm"
Sin orden !amorfo": carecen de un ordenamiento atmico
sistemtico y regular a distancias atmicas relativamente
grandes.
Diagrama molecular del vidrio !SiO
2
"
en slido amorfo
Diagrama molecular del cuarzo !SiO
2
"
en red cristalina
Cristal Vidrio
Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de una nanopartcula de
Hematita !Fe2O3" rodeada por una matriz polimrica de poliestireno.
Cristal: conjunto de tomos ordenados segn un arreglo peridico en tres
dimensiones
Modelo de las esferas rgidas: se consideran los tomos !o iones" como esferas
slidas con dimetros muy bien denidos. Las esferas representan tomos macizos en
contacto
Estructura Cristalina
Red cristalina: disposicin tridimensional de puntos coincidentes con las posiciones de
los tomos !o centro de las esferas". Los tomos estn ordenados en un patrn peridico, de
tal modo que los alrededores de cada punto de la red son idnticos
Un slido cristalino es un conjunto de
tomos estticos que ocupan una posicin
determinada
Celda unitaria: unidad de repeticin en la red !subdivisin de una red que sigue
conservando las caractersticas generales de toda la red" . Al apilar celdas unitarias idnticas
se puede construir toda la red.
Estructura cristalina cbica de cara centrada:
!a" representacin de la celda unidad mediante esferas rgida
!b" celda unidad representada mediante esferas reducidas
Representacin de la red y de la celda unitaria del sistema cbico
centrado en el cuerpo
Los parmetros de red que describen el tamao y la forma de la celda
unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas de la celda unitaria y los
ngulos entre estas.
En funcin de los parmetros de la celda unitaria: longitudes de sus lados y ngulos
que forman, se distinguen 7 sistemas cristalinos que denen la forma geomtrica de la red:
Las unidades de la longitud se expresan en nanmetros !nm" o en angstrom !A" donde:
1 nanmetro !nm" = 10
#9
m = 10
#7
cm = 10 A
1 angstrom !A" =0.1 nm = 10
#10
m = 10
#8
cm
14 Redes de Bravais
Sistemas
cristalinos
Estructuras cristalinas de elementos metlicos a 25C y 1atm
Estructura cristalina Elemento
Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn
Cbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos
Cbica#primitiva Po
Radio atmico versus Parmetro de red
En la celda unitaria, las direcciones a lo largo de las cuales los tomos
estn en contacto continuo son direcciones de empaquetamiento
compacto. En las estructuras simples, se utiliza estas direcciones para
calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao de
la celda unitaria.
Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin con base en
los parmetros de red, y a continuacin incluyendo el nmero de radios
atmicos a lo largo de esa direccin, se puede determinar la relacin que
se desee.
Cbico simple !CS"
Los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo
Cbico centrado en el cuerpo !BCC"
Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo
Cbico centrada en las caras !FCC"
Los tomos entran en contacto a lo largo de la diagonal de la cara del
cubo
Ejercicio:
Calcular el parmetro de red y el volumen de la celda unidad del hierro FCC.
radio atmico = 1,24
Ejercicio: Calcule el parmetro de red del cloruro de sodio y el volumen de la
celda unitaria
Radio inico sodio = 0,98
Radio inico cloro = 1,81
Nmero de tomos equivalentes por celda
Si consideramos que cada punto de la red coincide con un tomo, cada tipo
de celda tendr un nmero de tomos que se contarn de la siguiente forma:
tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de tomo, ya que ese
tomo es compartido por 8 celdas que constituyen la red.
tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con ! de tomo, ya ese
tomo es compartido por 2 celdas que constituyen la red.
tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1 tomo.
Ejercicio
Calcule la cantidad de tomos por celda en el sistema cristalino cbico.
Cbico simple !CS"
Cbico centrado en el
cuerpo !BCC"
Cbico centrado en las caras
!FCC"
Ejercicio:
Un metal cristaliza en la red cbica centrada en las caras. Si su radio
atmico es 1.38 . %Cuntos tomos existirn en 1 cm
3
?
Nmero de coordinacin
El nmero de coordinacin es la cantidad de tomos que tocan a determinado tomo
!cantidad de vecinos ms cercanos a un tomo en particular"
N coordinacin CS = 6 N coordinacin BCC = 8
N coordinacin FCC = 12
Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son esferas duran que
tocan a su vecino ms cercano
Ejercicio:
Calcular el factor de empaquetamiento de la celda CS, BCC y FCC
Estructura a (r)
Nmero de
coordinacin
Factor de
empaqueta-
miento
Ejemplos
Cbica
simple (CS)
a = 2r 6 0,52 Po
Cbica
centrada en
el cuerpo
(BCC)
a = 4r/!3 8 0,68
Fe, Ti, W, Mo,
Nb, Ta, K, Na,
V, Cr, Zr
Cbica
centrada en
las caras
(FCC)
a = 4r/!2 12 0,74
Fe, Cu, Al, Au,
Ag, Pb, Ni, Pt
Hexagonal
compacta
(HC)
a = 2r
c/a = 1,633 a
12 0,74
Ti, Mg, Zn, Be,
Co, Zr, Cd
Densidad
La densidad terica de un material se puede calcular con las propiedades de
su estructura cristalina
Ejercicio:
Determinar la densidad del aluminio, si este metal cristaliza FCC, tiene un
radio atmico de 0,143 nm y un peso atmico de 26,98 g/mol
Ejercicio
Una aleacin cristaliza cbica centrada en las caras, como se muestra en
gura, Calcule:
a" El factor de empaquetamiento
b" La densidad terica
r
A
= 4,83
r
B
= 5,21
masa molecular tomo A: 56,78 g/mol
masa molecular tomo B: 65,98 g/mol
A
B
tomo Radio !" ! !kg/m
3
"
masa atmica !g/
mol"
A
B
X
1,5
1,46
7.698
7.956
7.547
58,34
55,23
45,89
Ejercicio
Se tiene una aleacin formada por tomos A y tomos B, que cristaliza FCC, los
tomos A se ubican en los vrtices de la celda y los tomos B en el centro de las caras.
a" Calcule el factor de empaquetamiento de la celda unitaria
b" Calcule el radio de los tomos que pueden ingresar al centro de la celda, sin causar
deformacin
c" Calcule la densidad de la aleacin
Ejercicio
Un clip pesa 0,59 g y es de hierro BCC. Calcule:
a" La cantidad de celdas unitarias en el clip
b" La cantidad de tomos de hierro en el clip
a
0
= 2,866
masa atmica = 55,847 g/mol
densidad = 7,87 g/cm
3
Ejercicio:
La estructura del cloruro de sodio es una estructura cbica, compuesta por 4 tomos de
cloro y 4 tomos de sodio, tal como se muestra en gura. Determine
a" Densidad del cloruro de sodio
b" Factor de empaquetamiento de la celda
r
sodio
= 0,098 nm
r
cloro
= 0,181 nm
N avogadro = 6,02 x 10
23
Ejercicio
Se tiene un metal A que cristaliza cbico de cara centrada, cuyo radio atmico
es de 1,24 A.
a" Calcule el radio de un tomo que podra ubicarse en el centro de la celda
sin producir deformacin.
b" Cul el la variacin porcentual del factor de empaquetamiento de la
celda al ingresar el nuevo tomo
Isomorfismo, polimorfismo y alotropa
Hay elementos y compuestos que pueden presentar distintas estructuras
cristalinas dependiendo de la presin y temperatura a la que estn
expuestos.
Isomorfismo: Se llaman materiales isomorfos a aquellos slidos que teniendo el
mismo sistema de cristalizacin, tienen distinta composicin de elementos qumicos.
Polimorfismo: Capacidad de un material slido de existir en ms de una estructura
cristalina, todas ellas con la misma composicin de elementos qumicos.
Alotropa . Cuando las sustancias polimorfas son elementos puros y los estados que
toman en diferente red espacial se denominan estados alotrpicos.
Por ejemplo el diamante y el grato son dos altropos del carbono: formas
puras del mismo elemento, pero que dieren en estructura.
El grato es estable en condiciones ambientales, mientras que el diamante
se forma a presiones extremadamente elevadas.
El hierro puro se presenta en estructura cristalina BCC y FCC en el rango de
temperaturas que va desde temperatura ambiente hasta la temperatura de
fusin a 1.539 C.
La transformacin polimrfica a menudo va acompaada de modicaciones
de la densidad y de otras propiedades fsicas.
En los materiales cermicos polimrficos como la SiO
2
y la ZrO
2
, la
transformacin puede acompaarse de un cambio de volumen, que si no se
controla de manera adecuada, produce un material frgil que se fractura con
falicidad.
Circonia !ZrO
2"
T Ambiente & 1.170 C Monoclnica
1170 C & 2.370 C Tetragonal
2.370 C & 2.680 C Cbica
Ejercicio
Calcular el cambio de volumen terico que acompaa a la transformacin
alotrpica en un metal puro desde la estructura FCC a BCC. Considere que
no existe cambio de volumen atmico antes y despus de la transformacin.
IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO
Se ha descrito el slido cristalino mediante la aproximacin de un cristal ideal
Perfeccin en materiales
Pureza composicional
Pureza estructural
IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO
# Las imperfecciones juegan un papel fundamental en numerosas
propiedades del material: mecnicas, pticas, elctricas, se encuentran
dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance !grano"
# Se introducen intencionalmente para beneficiar determinadas
propiedades
Ejemplos:# Carbono en Fe para mejorar dureza
# Cu en Ag para mejorar propiedades mecnicas
# Dopantes en semiconductores
Clasicacin de las imperfecciones en los slidos !segn su forma y
geometra":
Dimensin Tipo de imperfeccin
0 Puntual: vacancias, intersticios, impurezas
1 Lineal: dislocaciones
2 Supercial: supercie del cristal, unin de grano
3 Volumen: poros, suras, fases no cristalinas
Defectos puntuales:
Defecto de vacancia !a"
Defecto intersticial !b"
Defecto sustitucional !c, d"
Defectos puntuales
- Son discontinuidades de la red que involucran uno o quiz varios tomos.
- Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en el material
mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por calentamiento;
durante el procesamiento del material; mediante la introduccin de
impurezas; o intencionalmente a travs de las aleaciones.
Defecto de Vacancias
" Se produce cuando falta un tomo en la estructura cristalina
" Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.
" Las vacancias pueden producirse durante la solidicacin como resultado de
perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales.
" En los metales se pueden introducir vacancias durante la deformacin
plstica, por enfriamiento rpido desde altas a bajas temperaturas, o como
consecuencia de daos por radiacin.
" Las vacancias son importantes cuando se desean mover los tomos en un
material slido !difusin".
A temperatura ambiente, la concentracin de vacancias es pequea, pero
aumenta en forma exponencial con la temperatura.
El nmero de vacancias en equilibrio a una determinada temperatura en una
red cristalina metlica puede expresarse por la siguiente ecuacin:
n
v
: cantidad de vacancias por cm
3
n : cantidad de tomos por cm
3
Q : energa para producir un mol de vacancias !cal/
mol o joule/mol"
R : constante de los gases !1,987 cal/mol K; 8,31
joule/mol K"
T : temperatura en grados Kelvin
Ejercicio
Calcule
a" El nmero de vacancias de equilibrio por centmetro cbico en el
cobre a 500 C
b" La fraccin de vacancias a 500 C del cobre puro
Defectos Intersticiales
" Se produce cuando se inserta un tomo en una estructura cristalina en una
posicin normalmente desocupada.
" Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los sitios intersticiales,
por lo cual la regin cristalina vecina esta comprimida y distorsionada.
" El aumento de sitios intersticiales ocupados en la red cristalina, produce un
aumento de la resistencia de los materiales metlicos
" La cantidad de tomos intersticiales en la estructura es aproximadamente
constante !an cuando cambie la temperatura"
Defecto Sustitucional
" Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo es sustituido por
otro tomo de distinta naturaleza.
" Un tomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.
" Estos tomos cuando son de mayor tamao, causa una reduccin de los
espacios interatmicos vecinos.
" Cuando son de menor tamao, se produce una mayor distancia
interatmica entre los tomos vecinos
" Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de impurezas o
adicionar de manera deliberada en la aleacin.
" Una vez introducidos, la cantidad de defectos no varia con la temperatura.
tomos de soluto en posiciones sustitucional e intersticial
Defecto puntual
autointersticial
Se crea cuando un tomo
idntico a los de la red
ocupa una posicin
intersticial.
Defecto de Frenkel (o par de Frenkel)
$ Es un par vacancia#intersticial que se forma cuando un in salta de un punto
normal de la red a un sitio intersticial y deja atrs una vacancia.
$ Este defecto, que se presenta generalmente en cristales inicos, tambin se
puede presentar en los metales y en materiales con enlaces covalentes.
Defecto de Schottky
$ Es un defecto exclusivo de los materiales inicos y suele encontrarse en
muchos materiales cermicos.
$ Cuando dos iones de carga opuesta faltan en un cristal inico, se crea una
divacante aninica#catinica que se conoce como defecto de Schottky
Cristal inico ilustrando un defecto de Frenkel y un defecto de Schottky
IMPERFECCIONES LINEALES: DISLOCACIONES
DISLOCACIN.# Imperfeccin lineal alrededor de la cual los tomos del cristal
estn desalineados
DE ARISTA !borde, cua, lnea"
Semiplano de tomos cuya arista !borde" termina dentro del cristal. Smbolo
HELICOIDAL
Apilacin de planos en espiral a lo largo de la lnea de dislocacin. Smbolo
MIXTAS De carcter doble: arista y helicoidal
Vector de BURGERS b.# Expresa la magnitud y direccin de la distorsin
reticular asociada a una dislocacin. Es el vector necesario para cerrar una
trayectoria alrededor de la lnea de dislocacin y volver al punto inicial
El vector de Burgers es PERPENDICULAR a la lnea de dislocacin de arista y
PARALELO a la lnea de dislocacin helicoidal
Dislocacin de borde
Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un
semiplano extra de tomos
$ La dislocacin de cua o de arista, es un defecto lineal centrado alrededor
de la lnea denida por el extremo del semiplano de tomos extras.
$ La magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una
dislocacin se expresa en funcin del vector de Burgers, designado por b.
$ El vector de Burgers es el vector necesario para cerrar una trayectoria
alrededor d ela lnea de dislocacin y volver al punto inicial.
$El vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin.
$ La dislocacin de borde presenta una regin de compresin donde se
encuentra el semiplano extra y una regin de traccin debajo del semiplano
extra de tomos.
Dislocacin de borde en dos dimensiones de un plano compacto
Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento de una
dislocacin de borde !cua" a medida que sta se mueve en respuesta a una
tensin de cizalle aplicada.
Desplazamiento de una dislocacin
Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga
y el de una dislocacin.
Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el defecto y la
dislocacin se mueve !deslizamiento", en la direccin de deslizamiento, en el plano de
deslizamiento.
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de Burgers a un cristal
que contenga una dislocacin, sta se puede mover, rompiendo los enlaces de los tomos en
un plano.
El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de
tomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva una distancia atmica hacia el lado.
Si continua este proceso, la dislocacin se mueve a travs del cristal hasta que se produce
un escaln en el exterior del mismo.
El cristal se ha deformado plsticamente
Lnea de dislocacin: lnea que va a lo largo del plano extra de tomos que
termina dentro del cristal
Plano de deslizamiento: plano denido por la lnea de dislocacin y el
vector de deslizamiento.
Smbolo: las dislocaciones de borde se simbolizan con un signo de
perpendicular, ". Cuando el signo apunta hacia arriba, el plano extra de
tomos est sobre el plano de deslizamiento y la dislocacin se le llama
positiva. Cuando el signo apunta hacia abajo, T, el plano extra de tomos
est bajo el plano de deslizamiento y la dislocacin es negativa.
Dislocacin de tornillo (helicoidal)
Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto
aplicando tensiones de cizalladura en las regiones del cristal perfecto
que han sido separadas por un plano cortante.
Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una
regin de distorsin en forma de una rampa en espiral de tomos
distorsionados.
Formacin de una dislocacin helicoidal
Dislocacin mixta
La lnea de dislocacin puede presentar partes de carcter de borde y otras de
carcter de tornillo. El desorden atmico varia a lo largo de la curva AB
Dislocacin de tornillo Dislocacin mixta
Observacin de dislocaciones en Ti
3
Al
!a" apilamiento de dislocaciones !b" red de dislocaciones
Importancia de las dislocaciones
" Es un mecanismo que explica la deformacin plstica de los metales, ya que el esfuerzo
aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.
" La presencia de dislocaciones explica porque la resistencia de los metales es mucho mas
baja que el valor calculado a partir de la unin metlica !rompimiento de enlaces" '10
3
&
10
4
ms baja que la resistencia terica(
" El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario stos serian
frgiles y no podran ser conformados !materiales cermicos, polmeros, materiales
inicos"
" Se controlan las propiedades mecnicas de un metal o aleacin interriendo el
movimiento de las dislocaciones !un obstculo introducido en el cristal evita que una
dislocacin se deslice, a menos que se apliquen esfuerzos mayores, por lo tanto aumenta la
resistencia".
Importancia de los defectos puntuales
Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos
circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de espaciamientos
atmicos, a partir del defecto.
Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas de un defecto
puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en sus posiciones
de equilibrio.
Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que la
dislocacin venza al defecto, incrementando as la resistencia y dureza del
material
Si la dislocacin en el punto A se mueve hacia la izquierda, ser bloqueada por el
defecto puntual. Si se mueve hacia la derecha, interacta con la red perturbada cerca
de la dislocacin, en el punto B. Si se mueve an ms hacia la derecha, quedar
bloqueada por el borde de grano.
Defectos de superficie
Son lmites o planos que separan un material en regiones, cada regin tiene
la misma estructura cristalina, pero distinta orientacin
Las dimensiones exteriores del material representan supercies en donde
termina el cristal. Cada tomo en la supercie ya no tiene el nmero
adecuado de coordinacin y se interrumpe el enlazamiento atmico
El lmite de grano, que es la supercie que separa los granos individuales, es
una zona angosta donde los tomos no tienen la distancia correcta entre s;
existen zonas de compresin y otras de traccin.
!a" Esquema que muestra el ordenamiento de los tomos en la formacin
del borde de grano. !b" Granos y lmites de grano en una muestra de acero
inoxidable.
Material policristalino
Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlar el
tamao del grano, ya sea durante la solidicacin o durante el tratamiento
trmico.
En los metales, los lmites de grano se originan durante la solidicacin
cuando los cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen
simultneamente juntndose unos con otros
Al reducir el tamao de grano, se aumenta la resistencia del material, ya
que no permiten el deslizamiento de las dislocaciones
Un material con un tamao de grano grande tiene menor resistencia y
menor dureza.
Importancia de los defectos
En los materiales metlicos, los defectos como las dislocaciones,
defectos puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las
dislocaciones.
Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando la
cantidad y el tipo de imperfeccin
" Endurecimiento por deformacin
" Endurecimiento por solucin slida
" Endurecimiento por tamao de grano
Endurecimiento por deformacin
Los tomos vecinos a una
lnea de dislocacin estn
en compr es i n y/ o
traccin.
Se r equi er en es f uer zos
mayores para mover una
di s l ocaci n cuando s e
encuent r a con ot r a
dislocacin
Metal ms resistente
Al incrementar el nmero de
dislocaciones, se aumenta la
resistencia del material
Endurecimiento por solucin slida
El defecto puntual altera la
perfeccin de la red
Se requiere de mayor esfuerzo
para que una dislocacin se
deslice
Al introducir intencionalmente tomos sustitucionales o
intersticiales, se genera un endurecimiento por solucin slida
Endurecimiento por tamao de grano
Los limites de grano
alteran el arreglo atmico
El movi mi ento de l as
dislocaciones se bloquea en
los bordes de grano
Al incrementar el nmero de granos o al reducir el tamao de stos,
se produce endurecimiento por tamao de grano.