Efecto Peltier Refrigeracin con

materiales de estado slido

Universidad Tecnolgica Nacional Regional Paran
Ctedra: TECNOLOGA ELECTRNICA
Ing. Jos Mara Triano 1; Victorio Chapino

2;

Gabriel Gareis 3; Pablo Gauto 4;

1-intersonicingenieria@infovia.com.ar 2-victoriochapino@hotmail.com
3-gareis7@hotmail.com 4-pablojgauto@gmail.com

ABSTRACT
This paper describes the implementation of a cooling system with solid
state technology based on the Peltier effect. The system consists of two Peltier
cells, components for proper operation and a closed-loop control of microcontrolled temperature.
Its implementation is born of the need to maintain substances at low
temperatures, and continuous monitoring. The appliance has a control to
prevent possible failures, a critical issue in certain applications.
The paper emphasizes the use of Peltier cells, because control is used
the same pulse width modulation (PWM), a non-conventional power
thermoelectric cells, which expands the results of tests during the project.
Key words: Peltier cell. Thermo electricity. Cool. Temperature Control.
Microcontroller HC908AP32.

RESUMEN
En el presente documento se describe la implementacin de un sistema
de refrigeracin con tecnologa de estado slido basado en el efecto Peltier. El
sistema se compone de dos celdas Peltier, sus componentes para un correcto
funcionamiento y un control a lazo cerrado de temperatura micro-controlado.
Su implementacin nace de la necesidad de poder mantener sustancias,
a bajas temperaturas, y su control continuo. El artefacto posee un control para
la prevencin de eventuales fallas; un aspecto crtico en ciertas aplicaciones.
En el documento se enfatiza el manejo de las celdas Peltier, porque para
el control de las mismas se utiliza modulacin por ancho de pulso (PWM),
forma no convencional alimentacin de las celdas termoelctricas, con lo cual
se explayan resultados de pruebas realizadas durante el proyecto.
Palabras claves: Celda Peltier. Termoelectricidad. Refrigeracin. Control
Temperatura. Microcontrolador HC908AP32.

-1-

INTRODUCCIN

La termoelectricidad se
considera como la rama de la
termodinmica superpuesta a la
electricidad donde se estudian
fenmenos en los que intervienen el
calor y la electricidad.
Si se unen por ambos
extremos dos alambres de distinto
material (termopar), y una de las
uniones
se
mantiene
a
una
temperatura superior a la otra,
surge una diferencia de tensin que
hace fluir una corriente elctrica
entre las uniones caliente y fra.
Este fenmeno fue observado por
primera vez en 1821 por el fsico
alemn Thomas Seebeck, y se
conoce como efecto Seebeck.
Cuando se hace pasar una
corriente por un circuito compuesto
de
materiales
distintos
cuyas
uniones
estn
a
la
misma
temperatura, se produce el efecto
inverso. En este caso, se absorbe
calor en una unin y se desprende
en la otra. Este fenmeno se conoce
como efecto Peltier, en honor al
fsico francs Jean Peltier quin lo
descubri en 1834.
Aunque es un descubrimiento
que data de muchos aos, y en el
mercado se encuentran muchos
productos con tecnologa Peltier, en
nuestro pas no es muy conocido y
menos utilizado; por tal motivo se
decidi investigar para la ctedra
Tecnologa Electrnica de la UTNRegional Paran este fenmeno, y
aqu se encuentran los resultados
de pruebas realizadas con estos
dispositivos,
para
obtener
un
sistema confiable de refrigeracin.

Celda Peltier: modelo TEC112706

Microcontrolador: modelo
HC908AP32 de la empresa
Freescale.
Sensores
temperatura:
modelo LM35 de la empresa
Nacional Instruments.

Las
caractersticas
y
descripcin de cada elemento se
realizarn posteriormente en este
documento.
El mtodo utilizado a lo largo
del
proyecto
fue
el
mtodo
emprico-analtico,
basndose
fuertemente
en
la
lgica
experimental,
obteniendo
conclusiones por prueba y error.
Desafortunadamente en primera
instancia no fueron los apropiados;
porque se aplicaron conceptos sin
conocimiento total de las celdas
Peltier. A raz de la prdida de 4
mdulos Peltier, por causas que
despus se explicaran, se investigo
minuciosamente hasta encontrar
con informacin tcnica llegando a
obtener conclusiones favorables.

CARACTERSTICAS
FUNCIONALES
El sistema est preparado
para que el usuario solo elija la
temperatura y el sistema haga lo
dems,
es
decir, control
de
temperatura, verificacin de rangos
mximos y aviso de alarma cuando
ocurre alguna falla. Con lo cual, la
relacin
Hombre Mquina es
simple y mnima, obteniendo as un
sistema casi autnomo y de control
continuo.

MATERIALES Y MTODOS
Los materiales que se utilizan en
el sistema y de mayor importancia
son los siguientes:

-2-

Interfaz
de
usuario:
constituida por dos displays
de 7 segmentos, el operador
puede
visualizar
la
temperatura de la cuba y
temperatura del lado caliente
de las celdas. Posee tres

botones (UP, DOWN, ENTER)

que posibilitan elegir la
temperatura en un rango
acotado y aviso luminoso de
Alarma,
adems,
al
ocasionarse una falla esta se
indicar en los displays
donde se produjo.

Rango de temperatura: la
temperatura dentro de la
cuba se puede observar de
manera
continua
y
es
controlable entre: 0[C] y
25[C].

disipadores
de
aluminio
compartidos, uno para la parte
caliente y otro para la parte fra. Se
coloc un sistema de ventilacin
forzada
constituido
por
2
ventiladores, tanto en la parte fra
como caliente que permiten la
circulacin de flujo en forma
continua. Entre la parte caliente de
la celda y el elemento que se quiere
refrigerar,
debe
haber
un
aislamiento ya que sin este, el
espacio entre la parte caliente y fra
es igual al ancho de la celda (4
mm) por eso mismo se realizo un
aislamiento de tergopor de 3 [cm]
de espesor y la parte fra de la
celda
hasta
el
disipador
de
refrigeracin se adapto con bloques
de aluminio (se observan en la Fig. 2)
comunicados
trmicamente
con
grasa siliconada.

Identificador de fallas:
supervisin y aviso de fallas
por circuito abierto y sobre
corriente en los ventiladores.
El
sistema
cuenta
con
proteccin sobre temperatura
en la parte caliente de las
celdas.

DESCRIPCIN FUNCIONAL DE
LOS BLOQUES
HMI
CA

CONTROL

FUENTE CC

SISTEMA DE
REFRIGERACIN

DRIVER
Q

Fig. 1: Diagrama en Bloques del sistema

Fig. 2: Construccin del sistema de

refrigeracin.

1. SISTEMA DE REFRIGERACION
Est
formado
por
una
conservadora comercial de plstico
con aislamiento trmico de tergopor
de aproximadamente 1.5 [cm] de
espesor. El sistema de refrigeracin
se monto sobre la tapa, all se
encuentran colocadas 2 celdas
Peltier modelo TEC1-12706 con 2

1.1. El efecto Peltier

El efecto Peltier consiste en el
calentamiento
o
enfriamiento
producido cuando una corriente
elctrica pasa a travs de dos
uniones distintas.

-3-

Cuando se hace pasar una

corriente elctrica por la soldadura
si la direccin de la corriente es
contraria
a
la
diferencia
de
potencial, los electrones tienen que
ganar energa, la cual extraen de
los metales, enfriando la soldadura.
Por el contrario, si es a favor, los
electrones
pierden
energa,
cedindola a la soldadura, la cual se
calienta.
La
potencia
calorfica
generada
o
absorbida
es
proporcional a la corriente elctrica
y
tambin
depende
de
la
temperatura de la unin y se
expresa como:

Q = I

imprime en el lado caliente de la

celda.
Si en esta misma clula, se
invierte
la
polaridad
de
alimentacin, es decir se invierte la
funcin de calor / fro. Esto hace
que sea un elemento muy verstil
para determinados sistemas.
Los semiconductores estn
fabricados con Teluro y Bismuto
para
ser
tipo
P
o
N
respectivamente, esto facilita el
traspase de calor del lado fro al
caliente por el efecto de una
corriente continua.
Fsicamente los elementos de
un mdulo Peltier son bloques de 1
[mm3], conectados elctricamente
en serie y trmicamente en paralelo
(Figura 4).

(Ec. 1)

En donde:
Q: es la potencia calorfica
generada o absorbida debido al
efecto Peltier en Watios [W].
: es el coeficiente de Peltier en
Volt .
I : es la intensidad de corriente
que pasa a travs de la unin.

1.2. Celda Peltier

Fig. 4: Elementos de una Celda Peltier

Las celdas se componen de

dos materiales semiconductores,
uno tipo N y otro tipo P, unidos en
serie entre s por una lmina de
cobre.

Se tiene que al aumentar el

nmero de clulas, aumenta la
superficie irradiante y, por lo tanto,
la
potencia
refrigerante.
En
resumen, tanto la dimensin como
la potencia calorfica obtenida
dependen del nmero de elementos
utilizados por mdulo.
Existen clulas Peltier con
dimensiones y potencias diversas.
1.2.1.Especificaciones de la
Celda Peltier TEC1-12706

Fig. 3: Estructura de una celda Peltier

Cada celda posee un lado

caliente y otro fro, el cual se
identifica porque toda celda lleva
una inscripcin del modelo que se

-4-

Clulas: 127 conectadas en

serie elctricamente.
Potencia calorfica (W): 57
Vmax (V): 15.2

I max (A): 6
tmax (degree Celsius): 67
Dimensions (mm):40X40X3.4
Ohm:1.3 - 3

ADC
provistos
por
microcontrolador (Figura 7).
U3 LM35 HOT
3

+VS VOUT
GND

+5
2

ADC4
C11
0.1uF

el

U4 LM35 COOL
3

+VS VOUT
GND

+5

ADC6
C12
0.1uF

ADC5
D2
1N4001

D3
1N4001

Fig. 7: Circuito Esquemtico de sensores de

temperatura

Fig. 5: Celda Peltier TEC1-12706

2. CONTROL

Cabe aclarar que los diodos D2

y D3 son utilizados con el fin de
elevar la referencia de tensin de
los transductores de tensin y as
poder tomar mediciones en el rango
negativo de temperaturas utilizando
fuente de C.C solo positiva.

La lgica de control a lazo

cerrado se lleva a cabo en un
micro-controlador, de la empresa
Freescale, en particular, el modelo
MC908AP32 en su versin SDIP de
42 pines.

2.2. Lgica de Control

La lgica de control se
encarga, en primera instancia de
recibir la temperatura deseada por
el usuario dentro de la cuba. Luego,
verificar que efectivamente el
sistema de ventilacin forzada este
correctamente funcionando (para
as poder evitar el dao de las
celdas)
y
finalmente
inyectar
corriente a las celdas a travs del
mdulo de potencia o driver.
Esta corriente es controlada
mediante la tcnica de modulacin
por ancho de pulso (PWM) a una
frecuencia de 20[kHz] de tal
manera que el ancho del pulso se
va
incrementando
(o
decrementando) segn se necesite,
obteniendo as sobre el mdulo de
la celda una tensin igual a la
tensin media del tren de pulsos.

Fig. 6: Microcontrolador MC908AP32

Este posee una CPU de 8 bits,

32Kbyte de memoria FLASH y
mdulos
de
ADC,
PWM,
interrupciones, timers, y puertos
generales de entrada/salida (entre
otros).
2.1. Lazo de realimentacin
El lazo de realimentacin se
cierra a travs de dos transductores
de temperatura LM35 los cuales se
hallan en los disipadores de calor y
fro
para
indicar
ambas
temperaturas.
Su principal caractersticas es
que su tensin de salida es lineal
respecto de las variaciones de
temperatura. Dichas variaciones de
voltaje son medidas a travs los

2.3. Supervisin del sistema

En caso de alguna falla, se
ejecuta una lgica de seguridad e
indica al usuario el tipo de falla a

-5-

travs de los displays mediante un

cdigo de error.
La principal falla que puede
ocurrir es que algn elemento de
ventilacin
forzado
deje
de
funcionar. Para poder determinar
dicha
situacin,
se
mide
la
circulacin de corriente a travs de
los ventiladores mediante la cada
de tensin en una resistencia de
1[]
ingresando
luego
dicha
medicin en un canal de conversin
analgico-digital
del
microcontrolador obteniendo una
medicin directamente proporcional
a la corriente que circula por cada
ventilador.

J13
+12

PWM2

R28
390

1
Celda peltier
2
Q1
MOSFET-N

J14
+12

PWM1

R29
390

1
Celda peltier
2
Q2
MOSFET-N

Fig. 8: Etapa de potencia.

3. DRIVER
4. INTERFAZ HMI

Este bloque es la interfaz de

potencia
entre
la
fuente
de
corriente continua y las celdas de
efecto Peltier.
Es controlado, como se dijo
anteriormente, a travs de la
tcnica PWM, permitiendo regular
as el consumo de las celdas y en
consecuencia la potencia calorfica
involucrada (Ecuacin 1).
Se encuentra compuesto por
dos transistores tipo MOSFET los
cuales ofician de interruptores de
conmutacin.
El modelo comercial elegido
fue
el
IRF3707ZS
por
sus
prestaciones de corriente drenadorsurtidor, y especialmente por su
baja tensin de compuerta-surtidor
(Vgs = 4,5[V]) necesaria para que
el transistor entre en estado activo.
Esta ventaja permiti un acople
directo al sistema de control
(Fig.9).

Se busc implementar una

interfaz sencilla compuesta por dos
display de 7 segmentos y tres
botones,
que
en
conjunto,
conforman la interfaz al usurario, y
es la que permite la configuracin
del equipo, es decir la seleccin de
temperatura en un rango de 10[C] a 25[C] (UP y DOWN,
ENTER confirma la seleccin)
Permite
tambin
la
visualizacin del estado del sistema
a travs de los displays los cuales
se
encuentran
circuitalmente
conectados a los CI CD4511, lo
cuales
son
utilizados
para
decodificar de un cdigo de 4bits los
diferentes valores alfanumricos
(Figura 10).

-6-

Caractersticas:
- Tensin batera: aprx. 13
[V].
- Corriente de ventiladores y
celdas: 6.56 [A].
Resistencia
interna
del
multmetro
UNIT
UT60H:
0.2321
- Tensin celdas: 13 [V]
6.56[A] * 0.2321[Ohm]=
11.45 [V]
Resultado:
- Temperatura del lado fro: 4.5
[C].
Medicin
multmetro UNIT UT60H.
- Temperatura
del
lado
caliente: 34 [C]. Medicin
multmetro universal modelo
M890C.
- DeltaT: 38.5 [C].
- Tiempo en alcanzar el DeltaT
mximo: aprx. 1 hora.

Fig. 10: Interfaz del usuario.

Como
se
mencion
anteriormente, la interfaz indica al
usuario el tipo de falla a travs de
los displays mediante un cdigo de
error en los displays y una
indicacin en el LED de ALARMA.

5. FUENTE DE CC
Es un gran problema alimentar
estos sistemas, ya que se necesitan
sistemas
estables
con
gran
capacidad. Por eso se utiliza una
batera de automvil comercial. As
se puede lograr una tensin
constante de aproximadamente 12
[V] y la corriente necesaria para el
funcionamiento de los mdulos.

Fig. 11: Sistema en funcionamiento.

EXPERIMENTOS - RESULTADOS
En esta primera experiencia se
obtuvieron buenos resultados, luego
como se ver a continuacin, se
lleg
a
obtener
una
menor
temperatura.

Se realizaron varias pruebas con

diferentes variantes a continuacin
se exponen los resultados las ms
relevantes.

Segunda prueba: luego de

observar los buenos resultados de
la primera experiencia, se instalo el
sistema de control con los drivers.
La frecuencia de pulsacin era de 3
Khz. Como la celda a pesar de estar
compuesta
de
material
semiconductor,
posee
un
comportamiento
puramente
resistivo, se coloc en serie con el
driver, sin sistema de filtrado; esto

se
Primer
prueba:
instalaron las celdas junto a
los disipadores y el sistema
de ventilacin forzada. Luego
fue alimentado el sistema con
una batera de automvil
directamente, sin los drivers
ni control.

-7-

provoc que las celdas fueran

sometidas a picos inversos de
tensin y corriente, es decir, se
inverta su polaridad por micro
segundos unas 3000 veces por
segundo, esto provoc que la
resistencia trmica de los mdulos
disminuya y baje la capacidad
calorfica,
obteniendo
una
temperatura
mnima
de
aproximadamente 10 [C] y el
DeltaT de 30 [C] es decir se
aumentaba la parte caliente pero no
disminua la fra.
A continuacin se encuentran
grficas donde se observa la forma
de onda correspondiente a la
tensin inyectada a las celdas:

continuacin. Cabe aclarar que el

sensor de temperatura del lado fro
se encuentra ubicado entre el
disipador y los ventiladores, con lo
cual no se mide directamente el
lado fro de la celda, sino que la
temperatura dentro de la cuba. El
sensor de temperatura del lado
caliente se encuentra pegado en el
disipador de la part caliente, en la
misma cara que las celdas, ms
precisamente entre las dos celdas,
con lo cual la temperatura del lado
caliente siempre coincide con la de
las celda:

Fig. 14: Evolucin de la Temperatura en el

recipiente.
Fig. 12: Tensin en Celdas Peltier.
Frecuencia 3 [Khz].Ciclo de trabajo 99%

Se observa en la grfica
anterior que la temperatura mnima
alcanzada fue de 8 [C].
Posteriormente se realizaron
varias pruebas y en todas se
observ que la temperatura no
disminua por debajo de 8 [C] con
lo cual se investig y se corrobor
que las celdas aunque posean un
comportamiento
resistivo,
solo
deben ser alimentadas con corriente
constante y el riple no debe superar
el 10% de la corriente mxima. Lo
que produjo esto fue alterar el
comportamiento de las celdas,
disminuyendo su resistencia interna
y perdiendo capacidad calorfica.

En la grfica anterior se
observan pequeos picos de una
amplitud de 2 [V] que invierten la
polaridad a la celda y esto produjo
la fatiga trmica de la celda. A
continuacin se encuentran dos
grficas, la primera la alimentacin
de la celda con PWM de 20 Khz con
un ciclo de trabajo de 60%. Donde
la curva roja es la tensin y la azul
la corriente.

Tercer prueba: Antes de

saber que las celdas fueron daadas
por la alimentacin pulsante, se
pens que podra haber sido por la
condensacin, con lo cual se
recubri la celda con Silicona
actica para altas temperaturas:

Fig. 13: Tensin y corriente en Celdas

Peltier.
Frecuencia 20 [Khz].Ciclo de trabajo 60%

La
evolucin
de
la
temperatura dentro de la cuba se
representa
en
un
grfico
a

-8-

separador de aluminio que se

encuentra en contacto directo con
la parte fra de la celda.

Fig. 15: Celda recubierta con silicona.

Fig. 16: montaje celdas con capa delgada de
silicona.

Como se observa en la figura

anterior, la silicona cubra la celda y
hacia una conexin entre la parte
caliente y el bloque de aluminio que
estaba en contacto con el lado fro
de la celda.

Fig. 18: Evolucin de la Temperatura en el

recipiente y en la Celda.

En la figura anterior se
observa que al ser retirada la
silicona excedente la temperatura
en la celda es prcticamente la
temperatura de la cuba y la
pendiente
de
descenso
de
temperatura aumento. Esta prueba
se realiz hasta que la temperatura
lleg a los 0 [C], lo que produjo un
congelamiento del disipador del
lado fro y la temperatura no
descendi ms. Nota: en la grfica
solo se observa hasta que la
temperatura llego a 3 [C], porque
luego se aumento la tensin y
corriente de la celda para hacer
disminuir la temperatura.

Fig. 17: Evolucin de la Temperatura en el

recipiente.

En la grfica anterior se
observan los resultados de la
experiencia. Al ver que no se
llegaba a los -5 [C] de la primer
experiencia, se dedujo que la
silicona aunque posee una baja
conductividad trmica (aprx. 0.2
[W/(m.K)]) poda estar haciendo un
puente trmico entre el lado fro y
el lado caliente, con lo cual se
coloc una termocupla en la silicona
y se observ que se encontraba a
10 [C] mientras que en el lado fro
estaba a 1[C] y no descenda ms
la temperatura, quedo en equilibrio.
A partir de esto, se retiro la silicona
y solo se coloc una delgada capa
de la misma silicona que recubra
solamente el costado de la celda y
se evite el contacto entre el
disipador de la parte caliente y el

Cuarta prueba: El consumo

de
las
celdas
es
de
aproximadamente 4 [A] con lo cual
al medir con el ampermetro se
produce una cada de tensin de
aprox. 2 [V], con lo cual esta ltima
prueba
fue
realiza
sin
el

-9-

instrumento y se realiz conectando

el sistema de control, es decir,
alimentando las celdas a travs de
los drivers con una frecuencia de
20Khz y un filtro capacitivo; luego
de 20 minutos la Temp. de la cuba
lleg a 0 [C] mantenindose
constante a partir de all. A
continuacin se encuentran los
resultados:

Fig. 19: Evolucin de la Temperatura en el

recipiente y en la celda.

Se
observa
que
la
temperatura en la celda del lado
fro, disminuye por debajo de 0
[C], pero en la cuba es constante.
La diferencia de temperatura llego a
38 [C], con lo cual se observan los
buenos resultados del sistema.

corriente continua y rizado de

no ms del 10% de la
alimentacin.
A
mayor
frecuencia de PWM, menor
ser las dimensiones del filtro
capacitivo.
Proteccin:
se
debe
proteger con algn material
impermeable
como
ser
silicona,
para
evitar
la
condensacin entre las placas
de la celda y el futuro
cortocircuito,
pero
esta
proteccin debe ser delicada
para no cometer errores.
Agentes externos: en un
sistema
de
refrigeracin
influye mucho la temperatura
ambiente y la humedad, ya
que
estos
son
factores
causantes de la condensacin
y
de
la
limitacin
del
enfriamiento
en
muchos
casos.

BIBLIOGRAFA
-

http://www.oak.es/descrip.htm

http://www.nto.org/curso/peltier.h
tml

http://www.canaletas.es/peltier.ht
m

http://www.digital.arrakis.es/aplic
ac_peltier.htm

- 10 -

http://www.telepolis.com/cgibin/t30/!DISTRITOSEC?distrito=
Overclocking&pag=3

Celda Peltier: componente

muy estable y confiable,
cuando
se
respetan los
parmetros
de
funcionamiento, se asegura
que la celda cumple con lo
establecido en la hoja de
datos.
Alimentacin del sistema:
Con tcnica PWM, no se debe
tratar la celda como una
resistencia, es decir, no se
puede
alimentar
con
corriente
pulsante
directamente, se debe filtrar
previamente y solo inyectar

http://www.sistelec.com.ar/pelti
er08.pdf

Luego de la realizacin de las

pruebas y de puesta en marcha del
sistema, se saca como conclusin lo
siguiente:

http://www1.shore.net/~temod
ule/tlyte.htm

CONCLUSIONES

http://www.upc.es/AIT/

http://en.wikipedia.org/wiki/Ther
moelectric_effect

http://www.geocities.com/acuario
gratis/electronica/peltier.html

http://www.qsl.net/ea3dlv/Info/pe
ltier.htm

http://www.freescale.com

http://www.national.com

- 11 -

ANEXOS

- 12 -

Datos de la experiencia
Nmero de la experiencia: 1
Fecha: 07-07-2010
Cantidad bloques aluminio: 2
Silicona: NO
PWM: si a 20 Khz sin filtro LC

Tiempo
[min]

Tensin
batera [V]

Corriente
celda* [A]

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45

13,91
14,05
14,12
14,12
14,11
14,12
14,1
14,11
14,14
14,13
14,13
14,12
14,13
14,1
14,11
14,13
14,02
14,05
14,04
14,04
14,03
14,05
14,05
14,04
14,12
14,12
14,03
14,04
14,04
14,18
14,17
14,2
14,22
14,22
14,22
14,21
14,21
14,21
14,23
14,22
14,22
14,24
14,26
14,29
14,27
14,26

4,55
4,44
4,38
4,35
4,34
4,35
4,34
4,34
4,35
4,35
4,35
4,35
4,36
4,35
4,32
4,33
4,31
4,30
4,28
4,27
4,26
4,25
4,24
4,22
4,21
4,20
4,19
4,18
4,16
4,15
4,14
4,13
4,12
4,10
4,09
4,08
4,07
4,06
4,04
4,03
4,02
4,01
4,00
3,98
3,97
3,96

Temp.
parte
caliente
[C]
28
34
38
40
40
40
40
40
40
40
40
39
39
39
39
39
39
40
42
42
42
43
43
43
42
41
41
42
42
43
43
43
43
43
43
43
43
43
42
43
43
43
43
43
43
42

* la corriente es en cada celda

** la resistencia es la de una sola celda

Temp.
T [C]
Temp.
cuba [C]
ambiente
[C]
19
18
17
16
16
15
15
14
14
13
13
12
12
12
11
10
11
11
10
10
10
9
9
9
10
9
9
9
9
9
9
9
9
9
8
9
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8

9
16
21
24
24
25
25
26
26
27
27
27
27
27
28
29
28
29
32
32
32
34
34
34
32
32
32
33
33
34
34
34
34
34
35
34
35
35
34
35
35
35
35
35
35
34

18
18
18
19
19
19
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
19
20
19
19
19
20
19
20
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
19
18
18
18
18

Resistencia Tensin en
celda**
celdas [V]
[Ohm]
1,32
1,37
1,40
1,41
1,41
1,41
1,41
1,41
1,41
1,41
1,41
1,41
1,41
1,41
1,42
1,42
1,41
1,42
1,43
1,43
1,43
1,44
1,45
1,45
1,46
1,47
1,46
1,47
1,47
1,49
1,50
1,51
1,51
1,52
1,52
1,53
1,53
1,54
1,55
1,55
1,56
1,56
1,57
1,58
1,58
1,59

11,97
12,16
12,25
12,27
12,26
12,27
12,25
12,26
12,29
12,28
12,28
12,27
12,27
12,25
12,27
12,29
12,19
12,22
12,22
12,22
12,22
12,24
12,25
12,24
12,33
12,33
12,25
12,26
12,27
12,41
12,41
12,44
12,47
12,47
12,48
12,47
12,48
12,48
12,51
12,50
12,51
12,53
12,56
12,59
12,58
12,57

Temperaturas vs. tiempo

Temp. cuba
Temp. lado caliente

60

DeltaT

55

Temp. ambiente

50
45
Temp [C]

40
35
30
25
20
15
10
5
0
0

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

Tiempo [min]

Resitencia celda Peltier

4,00
Rcelda

Rcelda [Ohm]

3,00

2,00

1,00

0,00
25

27

29

31

33

35

37

39

41

43

45

Temperatura [C]

Tensin celda Peltier

Vcelda [Volt]

Vcelda

13,00
12,00
11,00
10,00
9,00
8,00
7,00
6,00
5,00
4,00
3,00
2,00
1,00
0,00
0

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

Delta T [C]

40

Datos de la experiencia
Nmero de la experiencia: 2
Fecha: 08-07-2010
Cantidad bloques aluminio: 2
Silicona: SI
Fuente. Batera sin PWM

Tiempo
[min]

Tensin
batera [V]

Corriente
celda* [A]

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45

14,01
14,01
14,03
14,05
14,06
14,06
14,07
13,99
14,01
14,15
14,13
14,13
14,13
14,13
14,13
14,15
14,19
14,2
14,19
14,19
14,18
14,17
14,17
14,2
14,18
14,17
14,18
14,17
14,18
14,15
14,18
14,19
14,2
14,22
14,21
14,16
14,23
14,23
14,24
14,23
14,21
14,24
14,22
14,22
14,27
14,26

4,50
4,19
4,12
4,07
4,04
4,03
4,03
4,00
4,00
4,04
4,03
4,04
4,03
4,03
4,03
4,04
4,04
4,05
4,04
4,05
4,04
4,04
4,04
4,05
4,04
4,04
4,00
4,02
4,03
4,02
4,03
4,03
4,03
4,03
4,03
4,02
4,04
4,04
4,04
4,02
4,02
4,02
4,02
4,02
4,02
4,02

Temp.
parte
caliente
[C]
13
23
27
30
32
32
33
32
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
32
32
32
32
32
32
32
33
33
33

* la corriente es en cada celda

** la resistencia es la de una sola celda

Temp.
T [C]
Temp.
cuba [C]
ambiente
[C]
12
12
11
10
9
9
8
8
7
6
6
6
6
5
5
5
4
4
4
4
3
3
3
3
3
3
2
2
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1

1
11
16
20
23
23
25
24
26
27
27
27
27
28
28
28
29
29
29
29
30
30
30
30
30
30
31
31
31
31
31
31
31
31
32
32
31
31
31
31
31
31
31
32
32
32

12
13
13
14
15
14
15
16
16
16
17
17
17
17
17
17
17
17
18
18
17
18
18
18
19
18
18
18
18
18
18
18
18
19
19
18
18
19
19
19
19
19
19
19
18
18

Resistencia Tensin en
celda**
celdas [V]
[Ohm]
1,34
1,46
1,49
1,52
1,53
1,53
1,53
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,54
1,56
1,55
1,55
1,55
1,55
1,55
1,55
1,55
1,55
1,55
1,55
1,55
1,55
1,56
1,56
1,56
1,56
1,56
1,56
1,56

12,09
12,23
12,28
12,32
12,34
12,35
12,36
12,29
12,31
12,43
12,41
12,41
12,41
12,41
12,41
12,43
12,47
12,48
12,47
12,47
12,46
12,45
12,45
12,48
12,46
12,45
12,48
12,46
12,47
12,44
12,47
12,47
12,48
12,50
12,50
12,45
12,51
12,51
12,52
12,52
12,50
12,53
12,51
12,51
12,56
12,55

Temperaturas vs. tiempo

Temp. cuba

60

Temp. lado caliente

55

DeltaT

50

Temp. ambiente

45
Temp [C]

40
35
30
25
20
15
10
5
0
0

10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44
minutos

Resitencia celda Peltier vs. Temperatura

5,00
Rcelda

Rcelda [Ohm]

4,00

3,00

2,00

1,00

0,00
10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

Temperatura [C]

Tensin celda Peltier vs. Temperatura

Vcelda [Volt]

Vcelda

13,00
12,00
11,00
10,00
9,00
8,00
7,00
6,00
5,00
4,00
3,00
2,00
1,00
0,00
0

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

Delta T [C]

Datos de la experiencia
Nmero de la experiencia: 3
Fecha: 08-07-2010
Cantidad bloques aluminio: 2
Silicona: capa delgada
Fuente. Batera sin PWM

Tiempo
[min]

Tensin
batera [V]

Corriente
celda* [A]

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45

12,33
12,17
12,17
12,18
12,18
12,18
12,18
12,18
12,18
12,18
12,18
12,17
12,18
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,17
12,16
12,17
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16
12,16

3,94
3,62
3,54
3,50
3,47
3,45
3,45
3,44
3,44
3,44
3,44
3,44
3,44
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41
3,41

Temp.
parte
caliente
[C]
20
26
30
33
33
34
35
35
35
35
35
35
34
35
34
34
34
34
34
34
34
35
33
34
34
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33
33

Temp.
parte
fra
[C]
19
15
13
13
12
11
11
11
10
10
9
9
9
8
8
8
8
7
7
7
7
7
6
6
6
6
6
6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
4
4
4
4
3
3
2
1
1

Temp. T*** [C]

Temp.
cuba [C]
ambiente
[C]
18
18
17
15
14
13
12
12
11
11
10
10
10
9
8
8
8
7
7
7
6
6
6
6
6
5
5
5
5
5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
2
2
1
1

1
11
17
20
21
23
24
24
25
25
26
26
25
27
26
26
26
27
27
27
27
28
27
28
28
27
27
27
28
28
28
28
28
28
28
28
28
29
29
29
29
30
30
31
32
32

17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
16
17
17
17
17
17
17
17
17
18
17
17
17
17
17
18
17
17
17
18
18
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
18
18

Resistencia Tensin en
celda**
celdas [V]
[Ohm]
1,35
1,47
1,51
1,53
1,54
1,55
1,55
1,56
1,56
1,56
1,56
1,56
1,56
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57
1,57

* la corriente es en cada celda

** la resistencia es la de una sola celda
*** El DeltaT se toma entre lado caliente de la celda y lado fro, y no de la temp. De la cuba como antes

10,65
10,63
10,66
10,69
10,70
10,71
10,71
10,71
10,71
10,72
10,72
10,71
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,72
10,71
10,72
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71
10,71

Temperaturas vs. tiempo

Temp. cuba
Temp. lado caliente
DeltaT
Temp. ambiente
Temp. lado frio

60
55
50
45
Temp [C]

40
35
30
25
20
15
10
5
0
0

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

minutos

Resitencia celda Peltier vs. Temperatura

5,00
Rcelda

Rcelda [Ohm]

4,00

3,00

2,00

1,00

0,00
18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

Temperatura [C]

Tensin celda Peltier vs. Temperatura

Vcelda [Volt]

Vcelda

12,00
11,00
10,00
9,00
8,00
7,00
6,00
5,00
4,00
3,00
2,00
1,00
0,00
0

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

Delta T [C]

Datos de la experiencia
Nmero de la experiencia: 4
Fecha: 08-07-2010
Cantidad bloques aluminio: 2
Silicona: capa delgada
Fuente. Batera sin PWM
Aislamiento: agrgado de 2 cm tergopor en todo el interior de la cuba
Tiempo
[min]

Tensin
batera [V]

Corriente
celda* [A]

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30

13,37
13,82
13,9
13,92
13,94
13,95
13,97
13,97
13,98
13,97
13,98
13,98
13,99
14
14,01
14,03
14,05
14,06
14,07
14,08
14,08
14,09
14,1
14,11
14,13
14,16
14,16
13,97
13,99
14
14

4,13
4,05
3,98
3,93
3,91
3,90
3,89
3,88
3,89
3,88
3,89
3,89
3,90
3,91
3,90
3,91
3,91
3,91
3,92
3,92
3,90
3,93
3,93
3,75
3,93
3,94
3,94
3,94
3,94
3,94
3,94

Temp.
parte
caliente
[C]
20
27
32
35
36
37
38
37
37
38
38
38
38
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
36
36
35

Temp.
parte
fra
[C]
20
17
16
15
14
14
13
12
12
11
11
10
10
10
10
9
9
9
9
9
8
8
8
8
2
2
2
2
1
1
1

Temp. T*** [C]

Temp.
cuba [C]
ambiente
[C]
20
19
17
15
14
12
11
10
10
9
9
8
8
7
7
6
6
6
6
5
5
5
5
4
4
4
4
4
3
3
2

0
10
16
20
22
23
25
25
25
27
27
28
28
27
27
28
28
28
28
28
29
29
29
29
35
35
35
35
35
35
34

18
18
18
18
19
19
18
18
18
18
18
18
19
18
19
17
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18

Resistencia Tensin en
celda**
celdas [V]
[Ohm]
1,41
1,50
1,53
1,56
1,57
1,58
1,58
1,59
1,58
1,59
1,59
1,58
1,58
1,58
1,59
1,58
1,59
1,59
1,58
1,58
1,59
1,58
1,58
1,67
1,58
1,59
1,59
1,56
1,56
1,57
1,56

* la corriente es en cada celda

** la resistencia es la de una sola celda
*** El DeltaT se toma entre lado caliente de la celda y lado fro, y no de la temp. De la cuba como antes

11,61
12,10
12,20
12,25
12,28
12,29
12,31
12,32
12,32
12,32
12,32
12,32
12,33
12,34
12,35
12,37
12,39
12,40
12,40
12,41
12,42
12,42
12,43
12,51
12,46
12,48
12,48
12,29
12,31
12,32
12,32

Temperaturas vs. tiempo

Temp. cuba
Temp. lado caliente
DeltaT
Temp. ambiente
Temp. lado frio

60
55
50
45
Temp [C]

40
35
30
25
20
15
10
5
0
0

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

minutos

Resitencia celda Peltier vs. Temperatura

2,00

Rcelda [Ohm]

Rcelda

1,00

0,00
18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

Temperatura [C]

Vcelda [Volt]

Tensin celda Peltier vs. Temperatura

13,00
12,00
11,00
10,00
9,00
8,00
7,00
6,00
5,00
4,00
3,00
2,00
1,00
0,00

Vcelda

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

Delta T [C]

40

Datos de la experiencia
Nmero de la experiencia: 5
Fecha: 10-07-2010
Cantidad bloques aluminio: 2
Silicona: capa delgada
Fuente. PWM 20 Khz con filtro capacitivo
Aislamiento: agrgado de 2 cm tergopor en todo el interior de la cuba
Tiempo
[min]

Tensin
batera [V]

Corriente
celda* [A]

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45

12,45
12,33
12,34
12,37
12,38
12,39
12,40
12,40
12,40
12,40
12,41
12,41
12,41
12,40
12,40
12,40
12,40
12,40
12,40
12,40
12,39
12,39
12,39
12,39
12,39
12,39
12,39
12,39
12,38
12,38
12,38
12,38
12,37
12,37
12,37
12,37
12,37
12,37
12,36
12,36
12,36
12,36
12,36
12,36
12,35
12,27

Temp.
parte
caliente
[C]
18
27
32
35
37
38
37
38
38
38
38
38
38
38
38
37
37
37
38
38
37
37
37
36
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
37
36
37

Temp.
parte
fra
[C]
18
9
8
7
5
3
2
2
2
2
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
-1
-1
-1
-1
-1
-1
-1
-1
-1
-2
-1
-1
-1
-1
-2
-2
-1
-1
0
-1
-1
-1
-1

Temp. T*** [C]

Temp.
cuba [C]
ambiente
[C]
18
15
12
11
9
8
7
6
6
5
4
4
4
3
2
2
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0
18
24
28
32
35
35
36
36
36
37
37
37
37
38
37
37
37
38
38
37
37
37
37
38
38
38
38
38
38
38
38
39
38
38
38
38
39
39
38
38
37
38
38
37
38

17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17
17

Resistencia Tensin en
celda**
celdas [V]
[Ohm]
-

*no se coloc el ampermetro porque produce gran caida de tensin (aprx. 2V)
** no se puede medir sin el ampermetro conectado
*** El DeltaT se toma entre lado caliente de la celda y lado fro, y no de la temp. De la cuba como antes

12,19
12,07
12,08
12,11
12,12
12,13
12,14
12,14
12,14
12,14
12,15
12,15
12,15
12,14
12,14
12,14
12,14
12,14
12,14
12,14
12,13
12,13
12,13
12,13
12,13
12,13
12,13
12,13
12,12
12,12
12,12
12,12
12,11
12,11
12,11
12,11
12,11
12,11
12,10
12,10
12,10
12,10
12,10
12,10
12,09
12,01

Temperaturas vs. tiempo

Temp. cuba
Temp. lado caliente
DeltaT
Temp. ambiente
Temp. lado frio

50
45
40

Temp [C]

35
30
25
20
15
10
5
0
-5 0

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

minutos

Vcelda [Volt]

Tensin celda Peltier vs. Temperatura

13,00
12,00
11,00
10,00
9,00
8,00
7,00
6,00
5,00
4,00
3,00
2,00
1,00
0,00

Vcelda

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

Delta T [C]

40

Thermoelectric
Cooler
TEC1-12706
Performance Specifications
Hot Side Temperature (C)

25C

50C

Qmax (Watts)

50

57

Delta Tmax (C)

66

75

Imax (Amps)

6.4

6.4

Vmax (Volts)

14.4

16.4

Module Resistance (Ohms)

1.98

2.30

Performance curves on page 2

Copyright HB Corporation. HB reserves the right to change these specifications without notice.
1

Rev 2.03

TEC1-12706

Copyright HB Corporation. HB reserves the right to change these specifications without notice.
2

Rev 2.03

TEC1-12706

Ceramic Material: Alumina (Al2O3)

Solder Construction: 138C, Bismuth Tin (BiSn)

Size table:

40

40

3.8

Operating Tips

Max. Operating Temperature: 138oC

Do not exceed Imax or Vmax when
operating module.
Life expectancy: 200,000 hours

Please consult HB for moisture

protection options (seeling).
Failure rate based on long time testings: 0.2%.

Copyright HB Corporation. HB reserves the right to change these specifications without notice.
3

Rev 2.03

Chapter 1
General Description
1.1 Introduction
The MC68HC908AP64 is a member of the low-cost, high-performance M68HC08 Family of 8-bit
microcontroller units (MCUs). All MCUs in the family use the enhanced M68HC08 central processor unit
(CPU08) and are available with a variety of modules, memory sizes and types, and package types.
Table 1-1. Summary of Device Variations
RAM Size
(bytes)

FLASH Memory Size

(bytes)

MC68HC908AP64

2,048

62,368

MC68HC908AP32

2,048

32,768

MC68HC908AP16

1,024

16,384

MC68HC908AP8

1,024

8,192

Device

1.2 Features
Features of the MC68HC908AP64 include the following:
High-performance M68HC08 architecture
Fully upward-compatible object code with M6805, M146805, and M68HC05 Families
Maximum internal bus frequency:
8-MHz at 5V or 3V operating voltage
Clock input options:
RC-oscillator
32-kHz crystal-oscillator with 32MHz internal PLL
User program FLASH memory with security(1) feature
62,368 bytes for MC68HC908AP64
32,768 bytes for MC68HC908AP32
16,384 bytes for MC68HC908AP16
8,192 bytes for MC68HC908AP8
On-chip RAM
2,048 bytes for MC68HC908AP64 and MC68HC908AP32
1,024 bytes for MC68HC908AP16 and MC68HC908AP8
Two 16-bit, 2-channel timer interface modules (TIM1 and TIM2) with selectable input capture,
output compare, and PWM capability on each channel
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescales strategy is to make reading or copying the FLASH difficult for
unauthorized users.
MC68HC908AP Family Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor

19

General Description

Timebase module
Serial communications interface module 1 (SCI)
Serial communications interface module 2 (SCI) with infrared (IR) encoder/decoder
Serial peripheral interface module (SPI)
System management bus (SMBus), version 1.0/1.1 (multi-master IIC bus)
8-channel, 10-bit analog-to-digital converter (ADC)
IRQ1 external interrupt pin with integrated pullup
IRQ2 external interrupt pin with programmable pullup
8-bit keyboard wakeup port with integrated pullup
32 general-purpose input/output (I/O) pins:
31 shared-function I/O pins
8 LED drivers (sink)
6 25mA open-drain I/O with pullup
Low-power design (fully static with stop and wait modes)
Master reset pin (with integrated pullup) and power-on reset
System protection features
Optional computer operating properly (COP) reset, driven by internal RC oscillator
Low-voltage detection with optional reset or interrupt
Illegal opcode detection with reset
Illegal address detection with reset
48-pin low quad flat pack (LQFP), 44-pin quad flat pack (QFP), and 42-pin shrink dual-in-line
package (SDIP)
Specific features of the MC68HC908AP64 in 42-pin SDIP are:
30 general-purpose l/Os only
External interrupt on IRQ1 only

Features of the CPU08 include the following:

Enhanced HC05 programming model
Extensive loop control functions
16 addressing modes (eight more than the HC05)
16-bit Index register and stack pointer
Memory-to-memory data transfers
Fast 8 8 multiply instruction
Fast 16/8 divide instruction
Binary-coded decimal (BCD) instructions
Optimization for controller applications
Efficient C language support

1.3 MCU Block Diagram

Figure 1-1 shows the structure of the MC68HC908AP64.

MC68HC908AP Family Data Sheet, Rev. 4

20

Freescale Semiconductor

MCU Block Diagram

PORTA

PTA7/ADC7
PTA6/ADC6
PTA5/ADC5
PTA4/ADC4
PTA3/ADC3
PTA2/ADC2
PTA1/ADC1
PTA0/ADC0

PORTB

PTB7/T2CH1
PTB6/T2CH0
PTB5/T1CH1
PTB4/T1CH0
PTB3/RxD
PTB2/TxD
PTB1/SCL
PTB0/SDA

PORTC

PTC7/SCRxD
PTC6/SCTxD
PTC5/SPSCK
PTC4/SS
PTC3/MOSI
PTC2/MISO
PTC1 #
PTC0/IRQ2 **#

PORTD

INTERNAL BUS

PTD7/KBI7 ***
PTD6/KBI6 ***
PTD5/KBI5 ***
PTD4/KBI4 ***
PTD3/KBI3 ***
PTD2/KBI2 ***
PTD1/KBI1 ***
PTD0/KBI0 ***

M68HC08 CPU
ARITHMETIC/LOGIC
UNIT (ALU)

CONTROL AND STATUS REGISTERS 96 BYTES

10-BIT ANALOG-TO-DIGITAL
CONVERTER MODULE

DDRA

CPU
REGISTERS

TIMEBASE
MODULE

USER FLASH (SEE TABLE)

2-CHANNEL TIMER INTERFACE
MODULE 1

USER RAM (SEE TABLE)

USER FLASH VECTOR SPACE 48 BYTES

OSCILLATORS AND
CLOCK GENERATOR MODULE

2-CHANNEL TIMER INTERFACE

MODULE 2

DDRB

MONITOR ROM 959 BYTES

SERIAL COMMUNICATIONS
INTERFACE MODULE 1

INTERNAL OSCILLATOR

X-TAL OSCILLATOR

CGMXFC

PHASE-LOCKED LOOP

* RST

SYSTEM INTEGRATION
MODULE

SERIAL COMMUNICATIONS
INTERFACE MODULE 2
(WITH INFRARED
MODULATOR/DEMODULATOR)

KEYBOARD INTERRUPT
MODULE

LOW-VOLTAGE INHIBIT
MODULE

VDD
VDDA
VSS
VSSA

POWER

VREG
VREFH
VREFL

ADC REFERENCE

DDRD

SERIAL PERIPHERAL
INTERFACE MODULE

POWER-ON RESET
MODULE

** IRQ2

EXTERNAL INTERRUPT
MODULE
COMPUTER OPERATING
PROPERLY MODULE

* IRQ1

DDRC

OSC1
OSC2

MULTI-MASTER IIC (SMBUS)

INTERFACE MODULE

RC OSCILLATOR

* Pin contains integrated pullup device.

** Pin contains configurable pullup device.
*** Pin contains integrated pullup device when configured as KBI.

Pin is open-drain when configured as output.

LED direct sink pin.

#
Pin not bonded on 42-pin SDIP.

DEVICE
MC68HC908AP64
MC68HC908AP32
MC68HC908AP16
MC68HC908AP8

.
USER RAM
(bytes)
2,048
2,048
1,024
1,024

USER FLASH
(bytes)
62,368
32,768
16,384
8,192

Figure 1-1. MC68HC908AP64 Block Diagram

MC68HC908AP Family Data Sheet, Rev. 4

Freescale Semiconductor

21

General Description

PTD2/KBI2

42

VDDA

PTD1/KBI1

41

VSSA

PTD0/KBI0

40

PTD3/KBI3

PTB7/T2CH1

39

PTD4/KBI4

CGMXFC

38

PTD5/KBI5

PTB6/T2CH0

37

PTD6/KBI6

VREG

36

PTD7/KBI7

PTB5/T1CH1

35

VREFH

VDD

34

VREFL

OSC1

10

33

PTA0/ADC0

OSC2

11

32

PTA1/ADC1

VSS

12

31

PTA2/ADC2

PTB4/T1CH0

13

30

PTA3/ADC3

IRQ1

14

29

PTA4/ADC4

PTB3/RxD

15

28

PTA5/ADC5

RST

16

27

PTA6/ADC6

PTB2/TxD

17

26

PTA7/ADC7

PTB1/SCL

18

25

PTC2/MISO

PTB0/SDA

19

24

PTC3/MOSI

PTC7/SCRxD

20

23

PTC4/SS

PTC6/SCTxD

21

22

PTC5/SPSCK

Pins not available on 42-pin package

Internal connection

PTC0/IRQ2

Unconnected

PTC1

Unconnected

Figure 1-4. 42-Pin SDIP Pin Assignment

MC68HC908AP Family Data Sheet, Rev. 4

24

Freescale Semiconductor

PD - 95812A

Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power

IRF3707Z
IRF3707ZS
IRF3707ZL

HEXFET Power MOSFET

VDSS RDS(on) max

9.5m:

30V
Benefits
l Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Ultra-Low Gate Impedance
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current

D2Pak
IRF3707ZS

TO-220AB
IRF3707Z

Qg
9.7nC

TO-262
IRF3707ZL

Absolute Maximum Ratings

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

Parameter

30

VGS

Gate-to-Source Voltage

20

ID @ TC = 25C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

ID @ TC = 100C

Continuous Drain Current, VGS

IDM

Pulsed Drain Current

PD @TC = 25C

Maximum Power Dissipation

57

PD @TC = 100C

Maximum Power Dissipation

28

TJ

Linear Derating Factor

Operating Junction and

TSTG

Storage Temperature Range

g
@ 10V g

i
42i
59

230
W

0.38
-55 to + 175

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

W/C
C

300 (1.6mm from case)

10 lbf in (1.1 N m)

Thermal Resistance
Parameter
RTJC

Typ.

Junction-to-Case

RTCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

RTJA

Junction-to-Ambient

RTJA

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Max.

Units

2.653

C/W

0.50

62

40

Notes through are on page 12

www.irf.com

1
12/4/03

IRF3707Z/S/L
Static @ TJ = 25C (unless otherwise specified)
Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

BVDSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

30

'%VDSS/'TJ

Breakdown Voltage Temp. Coefficient

0.023

RDS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

7.5

9.5

mV/C Reference to 25C, ID = 1mA

m: VGS = 10V, ID = 21A

10

12.5

VGS = 4.5V, ID = 17A

VGS(th)

Gate Threshold Voltage

1.35

1.80

2.25

'VGS(th)/'TJ

Gate Threshold Voltage Coefficient

-5.3

Drain-to-Source Leakage Current

1.0

150

e
e

mV/C

IDSS

VGS = 0V, ID = 250A

IGSS

VDS = VGS, ID = 250A

VDS = 24V, VGS = 0V
VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125C

Gate-to-Source Forward Leakage

100

Gate-to-Source Reverse Leakage

-100

Forward Transconductance

81

Total Gate Charge

9.7

15

Qgs1

Pre-Vth Gate-to-Source Charge

2.8

Qgs2

Post-Vth Gate-to-Source Charge

1.0

Qgd

Gate-to-Drain Charge

3.4

ID = 17A

Qgodr

Gate Charge Overdrive

Switch Charge (Qgs2 + Qgd)

2.5

See Fig. 16

Qsw

4.4

gfs
Qg

nA

VGS = 20V
VGS = -20V

VDS = 15V, ID = 17A

VDS = 15V

nC

VGS = 4.5V

Qoss

Output Charge

6.2

td(on)

Turn-On Delay Time

9.8

VDD = 15V, VGS = 4.5V

tr

Rise Time

41

ID = 17A

td(off)

Turn-Off Delay Time

12

tf

Fall Time

3.6

Ciss

Input Capacitance

1210

Coss

Output Capacitance

260

Crss

Reverse Transfer Capacitance

130

nC

ns

VDS = 16V, VGS = 0V

Clamped Inductive Load

VGS = 0V

pF

VDS = 15V
= 1.0MHz

Avalanche Characteristics
EAS

Parameter
Single Pulse Avalanche Energy

IAR

Avalanche Current

EAR

Repetitive Avalanche Energy

Typ.

Units
mJ

23

Max.
40

5.7

mJ

Diode Characteristics
Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

IS

Continuous Source Current

59

ISM

(Body Diode)
Pulsed Source Current

230

showing the
integral reverse

VSD

(Body Diode)
Diode Forward Voltage

1.0

p-n junction diode.

TJ = 25C, IS = 17A, VGS = 0V

trr

Reverse Recovery Time

14

21

ns

Qrr

Reverse Recovery Charge

5.2

7.8

nC

MOSFET symbol
A

G
S

TJ = 25C, IF = 17A, VDD = 15V

di/dt = 100A/s

www.irf.com

LM35
Precision Centigrade Temperature Sensors
General Description
The LM35 series are precision integrated-circuit temperature
sensors, whose output voltage is linearly proportional to the
Celsius (Centigrade) temperature. The LM35 thus has an
advantage over linear temperature sensors calibrated in
Kelvin, as the user is not required to subtract a large
constant voltage from its output to obtain convenient Centigrade scaling. The LM35 does not require any external
calibration or trimming to provide typical accuracies of 14C
at room temperature and 34C over a full 55 to +150C
temperature range. Low cost is assured by trimming and
calibration at the wafer level. The LM35s low output impedance, linear output, and precise inherent calibration make
interfacing to readout or control circuitry especially easy. It
can be used with single power supplies, or with plus and
minus supplies. As it draws only 60 A from its supply, it has
very low self-heating, less than 0.1C in still air. The LM35 is
rated to operate over a 55 to +150C temperature range,
while the LM35C is rated for a 40 to +110C range (10
with improved accuracy). The LM35 series is available pack-

aged in hermetic TO-46 transistor packages, while the

LM35C, LM35CA, and LM35D are also available in the
plastic TO-92 transistor package. The LM35D is also available in an 8-lead surface mount small outline package and a
plastic TO-220 package.

Features
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n

Calibrated directly in Celsius (Centigrade)

Linear + 10.0 mV/C scale factor
0.5C accuracy guaranteeable (at +25C)
Rated for full 55 to +150C range
Suitable for remote applications
Low cost due to wafer-level trimming
Operates from 4 to 30 volts
Less than 60 A current drain
Low self-heating, 0.08C in still air
Nonlinearity only 14C typical
Low impedance output, 0.1 for 1 mA load

Typical Applications

DS005516-4
DS005516-3

FIGURE 1. Basic Centigrade Temperature Sensor

(+2C to +150C)

Choose R1 = VS/50 A
V OUT =+1,500 mV at +150C
= +250 mV at +25C
= 550 mV at 55C

FIGURE 2. Full-Range Centigrade Temperature Sensor

2000 National Semiconductor Corporation

DS005516

www.national.com

LM35 Precision Centigrade Temperature Sensors

November 2000