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Mosfet En modo de Empobrecimiento

Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar
corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede
aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposición se
consigue eliminar prácticamente la corriente de fuga que aparecía en dicho
terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la
estructura de un MOSFET de canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como
de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:
La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones
de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a través del canal
estrecho de material semiconductor tipo N.
Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDDaplicada por la fuente, mayor será
esta corriente. Como ocurría con el JFET, la tensión negativa, aplicada a la
puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de
portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador. Aquí se aprecia
claramente que, el fenómeno de control se realiza a través del efecto del campo
eléctrico generado por la tensión VGG de la puerta.
Debido a que la puerta está aislada del canal, se puede aplicar una tensión
positiva de polarización al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al
MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensión positiva del graduador
provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el
canal, de tal forma que, al aumentar la tensión positiva VGG, aumenta también la
corriente de drenador.


Curvas Características:
En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia
de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsérvese cómo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo
en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de
enriquecimiento). La corriente más elevada se consigue con la tensión más
positiva de VGS y el corte se consigue con tensión negativa de VGS(apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que
nos indica la relación que existe entre VGS e ID. Ésta posee la forma que se muestra
en la siguiente curva abajo a la derecha:

Obsérvese cómo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de
tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones
positivas como negativas. Por esta razón, la corriente IDSS, correspondiente a la
intersección de la curva con el eje ID, ya no es la de saturación.
Como ocurría con el JFET, esta curva de trasconductancia es parabólica y la
ecuación que la define es también:

Según se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este
tipo de transistor es muy fácil de polarizar, ya que se puede escoger el punto
correspondiente a VGS=0, ID=IDSS. Cuando éste queda polarizado así, el transistor
queda siempre en conducción o, normalmente, encendido.
Símbolos de los MOSFET
En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N (punta
hacia adentro) con cuatro terminales disponibles. El terminal de sustrato está
libre, en algunos casos, para dar al transistor un mayor control sobre la corriente
de drenador.

Tipo de enriquecimiento
Este tipo de MOSFET está diseñado de tal manera que sólo admite la forma de
trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicación fundamental de este transistor
se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
En las siguientes figuras (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y
en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.

Como se podrá observar en las curvas características, este transistor sólo conduce
cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente
estará en no conducción o apagado.
El símbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican
en las siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b)
MOSFET de enriquecimiento y canal P.

Observa cómo la línea del canal en estos transistores se representa como una
línea punteada.