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ARV ITESM, Campus Toluca

Tecnología de Materiales
Organización Atómica.
Existen tres niveles de arreglo atómico:
•Sin Orden.
•Orden de Corto Alcance.
•Orden de Largo Alcance.
Rejilla
o Red
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El Número de Coordinación es
el número de átomos vecinos
más cercanos a otro.
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Los parámetros de red describen el
tamaño y la forma de la celda
unitaria y consta de dimensiones de
los lados y sus respectivos ángulos.
1 angstrom (Å) =0.1nm=10
-8
cm
# de átomos por celda unitaria
Las Direcciones Compactas son las direcciones de
contacto continuo.
Factor de empaquetamiento, es la fracción
de espacio ocupada por átomos.
  
Celda la de Volumen
r celda átomos
F P A
_ _ _
3 4 / #
. .
3


  
  
A
N Celda la de Volumen
atómica Masa celda átomos
_ _ _
_ / #
 
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Cálculo del sitio
intersticial octaédrico.
Estructura del Cloruro
de Cesio (CsCl)
> 0,732
Neutralidad Eléctrica: para asegurar un equilibrio
correcto de la carga se debe de revisar el número de
coordinación para los compuestos (AX, AX
2
).
Estructura del Cloruro
de Sodio (NaCl).
Cristales Iónicos.
Estructura de la
Blenda de Zinc (ZnS)
< 0,414
Estructura de la
Fluorita (CaF
2
).
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(a√3)/4
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Estructura Cúbica de Diamante: El silicio, el germanio
y el carbono en su forma de diamante, están unidos por
enlaces covalentes y producen un tetraedro.
Celda Unitaria Cúbica
de Diamante (CD).
Estructuras Covalentes.
Estructura del Sílice
(SiO
2
).
Estructura del
Polietileno Cristalino
(C
2
H
4
).
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Imperfecciones en el Arreglo Atómico.
Hay tres tipos básicos de imperfecciones de red:
•Defectos Lineales (Dislocaciones).
•Defectos Puntuales.
•Defectos de Superficie.
Las dislocaciones son imperfecciones
lineales en una red que de otra forma
sería perfecta.
Dislocación de Tornillo.
Dislocación de Borde.
Dislocación Mixtas.
Vector de Burgues (b):
Distancia de Repetición o
Distancia Interplanar.
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Factores que determinan Sistemas de Deslizamiento Probables:
•Distancia de repetición pequeña o densidad lineal alta.
•Distancia interplanar relativamente grande
•Las dislocaciones no se mueven fácilmente en materiales con
enlaces covalente.
•Los materiales con enlace iónico ofrecen resistencia al
deslizamiento.
2 2 2
0
l k h
a
d
hkl
 

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Defectos Puntuales.
Son discontinuidades de la red que
involucran uno o quizá varios átomos.
•Vacancias.
•Defecto Interticial.
•Defecto Sustitucional.
•Defectos Frenkel.
•Defectos Schottky.
Influencia de la
Estructura Cristalina.
•Esfuerzo Cortante Crítico.
•Número de Sistemas de
Deslizamiento.
•Deslizamiento Cruzado.
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Defectos de Superficie.
2
1
0

  Kd
y
 
Ecuación de Hall-Petch

y
esfuerzo de cedencia
d diámetro promedio de los granos

0
y K constantes del metal
Metalografía proceso de preparar una
muestra, observar y registrar su
microestructura.
Número de Tamaño de Grano ASTM
cantidad de granos a 100X en 1 in
2
.
Bordes de Grano de Ángulo Pequeño no
bloquean eficientemente el deslizamiento
(bordes inclinados, bordes torcidos).
1
100
2


n
X
N
X
N
d
1
1

American Society for Testing & Materials (ASTM)
X X
N N
100
4
1
10 
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