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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING.

ELECTRICA
4-8 Transistores de potencia para conmutacin
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Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
1
TRANSISTORES DE POTENCIA PARA CONMUTACION

Introduccin

Los transistores, son dispositivos semiconductores con caractersticas controladas para
la conduccin de corriente (encendido) y para la interrupcin de la corriente (apagado).
Los transistores, cuando se los emplean como interruptores, operan en la regin de corte
y saturacin en los BJT e IGBT y regin de corte y hmica para los MOS.
La velocidad de conmutacin de los transistores modernos es mucho ms alta que la de
los tiristores por lo que resultan convenientes para su utilizacin en convertidores de
CC-CC y CC-CA, en combinacin con diodos en paralelo para proporcionar flujo
bidireccional de corriente.
Como contrapartida, respecto a los tiristores, sus especificaciones de tensin y corriente,
son de menor magnitud, lo cual hace que sus aplicaciones se limitan a los convertidores
de baja y mediana potencia.
Los transistores de potencia se pueden clasificar, de manera general, en cinco categoras
a saber:
1-Transistores bipolares de juntura (BJT)
2-Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor (MOS).
3-Transistores de induccin esttica (SIT)
4-Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).
5-Transistores COOLMOS.

En gral, estos tipos de transistores pueden operar como un interruptor mecnico, con
limitaciones respecto a un conmutador ideal. Estas limitaciones, restringen para algunas
aplicaciones por lo que deberemos conocer las caractersticas y especificaciones de
estos dispositivos para su adecuacin al uso que se le va a dar.
A continuacin describiremos las caractersticas y especificaciones ms importantes de
estos dispositivos semiconductores, teniendo en cuenta su aplicacin como conmutador
de corriente.

Transistores bipolares de juntura (BJT)


n

p

n
Base
Colector
C

IC

B IB



IE

E

p

n

p

Colector
C

IC

B IB



IE

E

Emisor
Base
TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP
Emisor
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Los transistores bipolares se construyen formando tres zonas semiconductoras tipo
NPN o PNP, como muestra el dibujo. Estas regiones tienen terminales denominados
colector, base y emisor. Tienen dos uniones o junturas: La juntura colector-base y la
juntura base-emisor. Los transistores bipolares pueden ser de tipo NPN o de tipo PNP.
Veamos la seccin transversal de ambos tipos de transistores:






Tenemos dos regiones n
+
para el emisor del transistor NPN y dos regiones p
+
para el
emisor del transistor PNP. Para el transistor NPN la capa n del lado del emisor es
angosta y con fuerte dopado, la base es angosta con un dopado bastante menor que el
emisor, y la capa n del lado del colector es ancha y con un dopado mayor que la base.
Para el caso de los transistores PNP, las caractersticas son similares,(en trminos
grales) en relacin al dopado y dimensiones. Cabe aclarar, que desde el punto de vista
elctrico los transistores no son simtricos, significando ello que no pueden
intercambiarse los terminales. Por ejemplo si intercambiamos los terminales emisor por
colector, el funcionamiento resulta deficiente, sin ganancia de corriente.
Con esta construccin, (doble zonas de emisor) las corrientes de base y colector fluyen
por dos trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia colector-emisor en
saturacin (RCE enc.).

Caractersticas del transistor en estado permanente

Como lo hemos estudiado en la materia Electrnica 1, el transistor tiene tres modos de
funcionamiento: colector comn, base comn y emisor comn. En las aplicaciones
como conmutador, resulta preferible utilizarlo en la configuracin emisor comn.
En la prxima figura, vemos el circuito bsico para esta configuracin y las
caractersticas elctricas de entrada, salida y funcin de transferencia para un transistor
n
+

p
n
+


n
Emisor Base
p
+

n
p
+


p
Emisor Base
Colector
Transistor NPN
Colector
Transistor PNP

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NPN. Para el transistor PNP, las curvas son similares, solamente que debemos invertir
las polaridades de todas las corrientes y tensiones.


IB










0
VCE1 VCE2


VCE2 > VCE1
IC
VCE
IBN

IB4
IB3

IB2

IB1
IB0=0
IBN > IB4 >IB3 > IB1
VCE











VCE(sat

Corte Activa Saturacin
IB
IB(sat)
Caracterstica de transferencia
Zona de corte
Caracterstica de salida

B IB
C

IC
F.IB
Zona
de
corte
Zona
activa
ICE0
VBE

Circuito en emisor comn caracterstica de entrada
0 0,5 VBE(sat) VBE
IE

E
Modelo de transistores NPN
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Tenemos tres zonas de operacin del transistor bipolar: zona de corte, zona activa y
zona de saturacin. En la zona de corte, el transistor esta abierto o apagado, la corriente
de base no es suficiente para saturarlo, y las dos junturas estn polarizadas
inversamente. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador lineal, en el
que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje colector-
emisor disminuye al aumentar la corriente de base. En esta zona la tensin de la juntura
colector-base, esta polarizada inversamente y la tensin de la juntura base colector esta
polarizada directamente. En la zona de saturacin, la corriente de base es
suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor
acta como un interruptor cerrado. En esta zona, amabas junturas estn polarizadas
directamente. En el dibujo anterior, se muestran las caractersticas de entrada, salida y
de transferencia, donde se aprecian las zonas o regiones de trabajo.
El modelo de l transistor NPN presentado en la figura, representa para su operacin en
CC con grandes seales. La relacin entre las tres corrientes de sus terminales, esta dado
por la segunda ley de Kirchoff , donde la suma de las corrientes en un nudo es igual a
cero; de otra forma vemos que
IE = IC + IB
Por otra parte, de la teora de circulacin de las corrientes en el interior de transistor
(Electrnica 1) tenemos:

IC = . IE + IC0

Como en la configuracin emisor comn, la corriente de base es la seal de entrada y la
corriente de colector, la de salida, entonces con las dos expresiones anteriores tenemos:

IC = / (1- ) IB + 1 / (1- ).I C0

Donde: F = / (1- ) y 1 / (1- )= ( F + 1); haciendo ( F + 1). I C0 = ICE0

La expresin final nos queda:

IC = F. IB + ICE0

Para los transistores de potencia de silicio, que son los que se emplean actualmente, la
corriente de perdida ICE0, es prcticamente despreciable frente a la corriente de colector,
por lo tanto podemos llegar a una expresin ms sencilla:

IC F. IB
Donde el valor de F se le denomina ganancia de corriente en el sentido directo.

Calculo de las corrientes y tensiones en el circuito bsico emisor comn
Examinando el circuito bsico de la figura anterior, tenemos:

IB = (VB - VBE) / RB

VC = VCE = VCC IC. RC

VCE = VCB + VBE para esta ltima expresin tenemos tambin:

VCB = VCE - VBE
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La ultima expresin nos dice que siempre que VCE VBE, la juntura colector base
esta polarizada inversamente, y el transistor esta en la zona activa.
La corriente mxima de colector en la regin activa la podemos obtener haciendo
VCB = 0 y VBE = VCE resultando:

ICM = (VCC - VCE) / RC =(VCC - VBE) / RC

El valor de la corriente de base resulta:

IBM = ICM / F

Si aumentamos la corriente de base por encima de este valor, VBE aumenta, la corriente
de colector aumenta y la VCE disminuye por debajo de VBE. Esto continua hasta que la
juntura colector base tiene polarizacin inversa, con un valor de VCB de
aproximadamente 0,4 a 0,5 volt. En estas condiciones, el transistor pasa a la saturacin.
La saturacin de un transistor la podemos definir como el punto arriba del cual todo
aumento en la corriente de base no aumenta apreciablemente la corriente de colector.
En la saturacin, la corriente de colector permanece casi constante. Si el voltaje de
colector a emisor es VCE(sat), la corriente de colector la determinamos como:

ICS = (VCC - VCE(sat)) / RC

La corriente de base la calculamos como:

IBS = ICS / F(sat)

En este caso la ganancia de corriente de saturacin resulta un valor menor que el de
la zona activa (los fabricantes suministran valores de orientacin).
En la prctica para asegurarse la saturacin que nos asegura una disminucin de
potencia disipada respecto a la zona activa, se suele sobresaturar.
En el caso normal, el circuito se disea con una corriente de base mayor que el lmite
IB(sat). La relacin entre la corriente de sobresaturacin y la corriente de saturacin se
denomina factor de sobresaturacin (ODF).

ODF = IB / IBS

La relacin entre ICS y IB para este caso de sobresaturacin, se denomina ganancia de
corriente en sobresaturacin o forzada.

forzada = ICS / IB

Por otro lado como la disipacin de potencia del transistor vale:

PT = VCE. IC + VBE . IB

Vemos que un aumento de la sobresaturacin hace que la potencia disipada en la salida
permanezca prcticamente inalterable pero la potencia de entrada aumenta al aumentar
la corriente de base y la tensin VBE, lo cual puede daar al transistor debido a una
avalancha de corriente causada por la temperatura. De igual forma una subsaturacin
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provoca un aumento de temperatura, por aumento en la potencia disipada en la salida
por aumento de la tensin colector-emisor (zona activa).
Otro de los inconvenientes de la sobresaturacin es el aumento de los tiempos de
conmutacin, que hace aumentar significativamente las perdidas de potencia, durante la
conmutacin, provocando limitaciones a la mxima frecuencia de funcionamiento del
conmutador. Analizaremos a continuacin, las caractersticas de conmutacin.

Caractersticas de conmutacin del transistor bipolar

Como ya lo hemos estudiado, una juntura polarizada directamente tiene dos
capacitancias: La de transicin o agotamiento (tomos ionizados de la estructura
cristalina) y la de difusin (debida a la corriente directa). En cambio la juntura
polarizada inversamente solo tiene una capacitancia de transicin o agotamiento. En
condiciones de estado permanente es decir con las tensiones continuas de polarizacin,
estas capacitancias no tienen efecto, en cualquier zona de funcionamiento. En cambio
durante la activacin del transistor como conmutador, su efecto se hace notar, durante el
encendido y apagado. Analicemos el modelo equivalente bajo condiciones transitorias
como lo muestra la figura:



En estos modelos, validos para condiciones transitorias, Ccb y Cbe representan las
capacitancias efectivos de las junturas colector- base y base emisor respectivamente.
Los valores de estas capacitancias, son dependientes de los voltajes aplicados y de la
construccin fsica. La capacitancia Cbc afecta en forma apreciable a la capacitancia de
entrada, debido al efecto de multiplicacin de Miller (recordar teorema de Millar).
Las resistencias rbe y rce representan las resistencias de base a emisor y de colector a
emisor respectivamente.
Debido a las capacitancias internas, el transistor no se enciende al instante. Cuando la
tensin de entrada aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta a IB1, la
corriente de colector no lo hace en forma inmediata. Se produce un retardo, denominado
tiempo de retardo td para que la corriente de colector comience a crecer. Este
retardo se produce por la carga de la capacidad de la JE Ce hasta la tensin de
polarizacin directa VBE 0,6 a 0,7 volt. Despus del retardo td, la corriente de
colector comienza a aumentar hasta el valor Ics de estado permanente. El tiempo que
tarda en llegar a este valor, denominadotr depende de la constante de tiempo de carga

Modelo con ganancia de corriente Modelo con transconductancia
iB iC
iE
gm=hfe.iB/Vbe=iC/Vbe
iB
iC
iE
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de la capacidad de la juntura de emisor (JE). La figura siguiente, muestra las formas de
onda y tiempos de conmutacin.





























Normalmente la corriente de base es mayor a la necesaria para saturar al transistor
(sobresaturacin) por lo que esto da lugar a un exceso de carga debido a los portadores
minoritarios, en la regin de la base. Mientras mayor sea la sobresaturacin (ODF), mas
alta ser la cantidad de carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional,
denominada carga de saturacin, es proporcional al exceso de excitacin de la
corriente de la base
IBexceso= IB(sobresat.) Ics / = ODF. IBs IBs = IBs. (ODF1)
Siendo IBs la corriente mnima para saturar al transistor.
La carga de saturacin se determina por la expresin:
Qs = s . IBexc = s.IBs. (ODF 1)

El valor de (tao) se llama constante de tiempo de almacenamiento del
transistor.
Cuando la tensin de entrada se invierte, pasando del valor V1 a V2, la corriente de
base, tambin cambia de IB1 a IB2. La corriente de colector, no cambia hasta
transcurrido un tiempo ts denominado tiempo de almacenamiento. El tiempo ts
es el necesario para eliminar la carga de saturacin de la base. Como la vBE todava
es positiva (de valor 0,7 volt aprox.), la corriente de la base invierte su direccin debido
al cambio de polaridad de la fuente de seal digital vB, desde +V1 a V2. Esta
vB
V1

0

-V2
kT (1-kT) t
iB
IB1


0

-IB2

t
iC
Ics
0,9 Ics


0,1 Ics
0
td tr tn ts tf to t
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corriente IB2 en sentido inverso, ayuda a descargar el exceso de carga de la base.
Si no tenemos a IB2 (por ejemplo dejamos la base abierta), el exceso de carga se
elimina por recombinacin, pero en este caso, el tiempo de almacenamiento ts seria
mayor.
Una vez que se elimino el exceso de carga, la capacidad de la juntura JE se carga hasta
la tensin V2, y la corriente de base cae a cero. El tiempo de cada tf depende de
la constante de tiempo de la capacidad de la juntura de emisor con polarizacin inversa.
El tiempo de encendido o activacin es la suma del tiempo de retardo td y el tiempo
de subida tr
t act. = td + tr
El tiempo de apagado o desactivacin es la suma del tiempo de almacenamiento ts
y el tiempo de caida tf
t apag.= ts + tf

La siguiente figura, nos muestra la carga de almacenamiento extra en la base de un
transistor saturado y su variacin durante el proceso de corte:

Durante el apagado, la carga adicional se remueve primero en el tiempo ts, y el perfil
de la carga cambia de a a c. Durante el tiempo de cada, el perfil de la carga baja
desde c hasta que se remueven todas las cargas.
Como veremos mas adelante, los tiempos de conmutacin pueden ser mejorados,
mediante tcnicas especiales de la excitacin de la base, como ser control al
encendido, control al apagado, control proporcional en base, control por
antisaturacin.

Lmites de conmutacin

Segunda avalancha (SB, Secund. breakdown)
La avalancha secundaria es un fenmeno destructivo; se debe al flujo de corriente por
una pequea porcin de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energa
de esos puntos calientes supera un determinado valor, el calentamiento excesivo puede
daar al transistor. La avalancha secundaria o segunda avalancha, es un proceso trmico
localizado debido a altas concentraciones de corriente, provocado por defectos en la
estructura del transistor. La SB, se presenta con ciertas combinaciones de voltaje,
corriente y tiempo. Debido a que interviene el tiempo, la avalancha secundaria es
bsicamente un fenmeno dependiente de la energa.
Emisor Base Colector Emisor Base Colector
Almacenamiento de
carga en la base

a
b
c
c


Perfil de carga durante
el proceso de corte
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rea de operacin segura en polarizacin directa (FBSOA, forward-biased safe
operating area).
Durante las condiciones de activacin y de estado activo, la temperatura promedio de la
juntura y la segunda avalancha limitan la capacidad de manejo de potencia de un
transistor bipolar. Los fabricantes suelen incorporar en sus especificaciones tcnicas, las
curvas FBSOA bajo determinadas condiciones especficas de prueba.
Las curvas FBSOA, indican los limites de las caractersticas tensin corriente ( ic-vce)
del transistor, para que su operacin sea confiable, limitndose la potencia disipada a lo
que las curvas FBSOA, indique.

rea de operacin segura en polarizacin inversa (RBSOA, reverse-biased safe
operatin area)
Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran corriente y un alto
voltaje, en la mayora de los casos con polarizacin inversa de la base-emisor. El voltaje
de colector a emisor debe mantenerse en un nivel seguro, a un valor especificado de
corriente de colector, o menor. Los fabricantes, mediante las curvas RBSOA, limitan las
valores Ic-VCE durante el apagado con polarizacin inversa.

Perdida de disipacin de potencia.
Para la determinacin de los valores de temperatura alcanzables durante la disipacin de
potencia en los transistores, se utiliza la llamada Ley de Ohm trmica, estudiada en
Electrnica I, cuyo circuito equivalente trmico, es el siguiente:

PT: Potencia disipada en el interior del transistor (valores promedios)
TJ: Temperatura de la juntura colector-base.
TC: Temperatura de la carcaza
TD: Temperatura del disipador.
TA: Temperatura ambiente.
RJC: Resistencia trmica juntura-carcaza.
RCD: Resistencia trmica carcaza-disipador.
RDA: Resistencia disipador-ambiente.
Para el circuito equivalente trmico se cumple:

TC = TJ PT. RJC

TD = TC PT. RCD


TJ RJC TC RCD TD
PT


RDA


TA
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TA = TD PT. RDA

TJ-TA = PT.( RJC +RCD + RDA)

La disipacin mxima de potencia PT, se suele especificar a TC = 25 C. Si la
temperatura ambiente aumenta a TA = TJ (max) =150 C, el transistor no puede disipar
potencia. Por otra parte, si la temperatura de la carcaza es de Tc = 0C, el dispositivo
puede disipar la mxima potencia., lo cual no es practico. En consecuencia se deben
tener en cuenta la temperatura ambiente y las resistencias trmicas al interpretar las
especificaciones de los dispositivos.
Los fabricantes, suministran curvas de perdida de disipacin de potencia de los
dispositivos que contemplan las perdidas directas y por segunda avalancha.

Voltajes de ruptura
Un voltaje de ruptura o un voltaje disruptivo se define como el voltaje absoluto mximo
entre dos terminales, con la tercera Terminal abierta, en corto o polarizada en directa o
en inversa.. Un voltaje de ruptura permanece relativamente constante donde la corriente
aumenta con rapidez. Los fabricantes suministran los siguientes voltajes de ruptura:
VEB0: El voltaje mximo entre la Terminal del emisor y la de la base con el Terminal de
colector en circuito abierto.
VCEV o VCEX: El voltaje mximo entre el Terminal de colector y emisor para un voltaje
negativo especificado, aplicado entre la base y el emisor.
VCEO (sus): El voltaje mximo de sostn entre el Terminal del colector y el Terminal del
emisor, con la base en circuito abierto. Este valor se especifica con la corriente y el
voltaje mximo de colector, que aparecen en forma simultanea a travs del dispositivo
y con un valor especificado de inductancia de carga.
























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MOSFET DE POTENCIA

Los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente, y requieren de una
corriente de base para que pase corriente en el colector. En saturacin, la corriente de
colector es prcticamente independiente de la corriente de entrada (base), solo depende
de la tensin de alimentacin y la carga; de all podemos decir que la ganancia de
corriente depende de la temperatura de la juntura.
A diferencia del BJT, el MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje,
y solo requiere de una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es
muy alta y los tiempos de conmutacin son del orden de los nanosegundos.
Los MOSFET de potencia estn encontrando aplicaciones en convertidores de baja
potencia y alta frecuencia. Estos dispositivos no tienen los problemas de fenmenos de
segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, tienen inconvenientes de descarga
electrosttica y requieren cuidados especiales en su manejo. Otro inconveniente que
tienen es que resulta relativamente difcil protegerlos en condiciones de falla por
cortocircuito.
Tenemos dos tipos de MOSFET: a) de tipo decremental y b) de tipo incremental.




Substrato
tipo p
n
+
n
+


+
VGS
-
D
S
Metal
oxido
RD
Metal
VDD

Smbolo canal n



Substrato
tipo n
p
+
p
+


+
VGS
-
D
S
Metal
Oxido
RD
Metal
VDD
Smbolo canal p

Estructura bsica canal n
Estructura bsica canal p
ID
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En ambos tipos de transistores, el canal de conduccin puede ser p o n. El
MOSFET de potencia que se utiliza como dispositivo de conmutacin es el de tipo
incremental por lo que solamente trataremos este tipo de transistor. (Ambos tipos de
transistores fueron tratados en la materia Electrnica I). La figura anterior, muestra el
esquema bsico del MOSFET incremental de canal n y de canal p.
El dispositivo tiene tres terminales: compuerta, drenaje y fuente. El MOS de canal n,
esta formado por un substrato tipo p donde tiene difundidos dos regiones de silicio
n
+
muy dopadas, para formar conexiones de baja resistencia (drenaje y fuente).Entre
ambos terminales tenemos la zona del canal (inducido para el MOS incremental).La
compuerta esta aislada del canal por una capa muy delgada de oxido de silicio. Cuando
se aplica un voltaje positivo VGS entre compuerta y canal (o fuente cuando esta ultima
esta conectada al substrato), este atrae a los electrones del substrato p y los acumula en
la superficie, bajo la capa de oxido. Si VGS es mayor o igual a un valor denominado
voltaje umbral o voltaje de entrada VT, se acumula una cantidad suficiente de
electrones para formar un canal n virtual, y la corriente circula entre drenaje y fuente, si
aplicamos un voltaje entre estos terminales. Para el MOS de canal p, el proceso es
similar, con la diferencia que se invierten todos los voltajes y corrientes.
La prxima figura, muestra la estructura bsica del MOSFET de potencia, denominado
V-MOS:

Cuando la compuerta tiene un voltaje un determinado, con respecto a la fuente, el efecto
de su campo elctrico atrae electrones de la capa n+ hacia la capa p. De esta forma
se forma un canal en la proximidad de la compuerta, el cual a su vez permite el flujo de




Epitaxial n
-

p
n
+

p
n
+
Epitaxial n
+


Fuente Compuerta




Rn+ Rch
Repi


n
-
epi


n
+
sub Rsub

D
Drenaje
Fuente
S
Compuerta
G
Resistencias en serie del VMOS
en estado activo
Drenaje
Estructura bsica del V MOS
n
+

p
+
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corriente del drenaje a la fuente. Existe una capa de dixido de silicio (SiO) entre el
metal de la compuerta y la unin n+ y p. El MOSFET esta muy drogado en el lado
del drenaje, para formar un acoplamiento debajo de la capa de desplazamiento n. Este
acoplamiento evita que la capa decremental llegue al metal, distribuye el esfuerzo
dielctrico a travs de la capa n y tambin reduce la cada de voltaje en sentido
directo, durante la conduccin. Tambin la capa de acoplamiento hace que sea un
dispositivo asimtrico, con una capacidad bastante baja de voltaje en sentido inverso.
Los MOSFET requieren poca energa de compuerta, y tienen una velocidad muy grande
de conmutacin, y bajas perdidas por conmutacin. La resistencia de entrada es muy
alta, del orden de 10
11
. Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta
resistencia en sentido directo, en estado activo, lo cual provoca altas perdidas en sentido
directo, por eso se los hace menos atractivos como dispositivos de potencia, aunque son
excelentes como dispositivos amplificadores de compuerta para tiristores.

Caractersticas en estado permanente
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequea, del orden de
los nanoamperes. La ganancia de corriente definida como la relacin entre la corriente
de drenaje ID y la corriente de compuerta IG es del orden de 10
9
. Sin embargo la
ganancia de corriente no es un parmetro a tener en cuenta. Lo que si se toma en cuenta,
y de suma importancia para el MOSFET, es la transconductancia que se define como
la relacin entre la corriente de drenaje y el voltaje de compuerta. La siguiente figura,
muestra la caracterstica de transferencia del MOSFET de canal n y canal p, adems la
caracterstica de salida del MOSFET canal n incremental:



ID
0 VT VGS

Canal n
-VT VGS
0



-ID
Canal p
ID VGS5 > VGS4


VGS4 > VGS3


VGS3 > VGS2

VGS2 > VGS1

VGS1

VDS


Regin lineal Regin saturacin

VDS= VGS- VT

0
Caracterstica
de
transferencia

VGS= VT

Caracterstica de salida del MOSFET tipo incremental
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Se distinguen tres regiones: a)- La regin de corte, donde VGS VT. b)- la regin de
estrechamiento, o de saturacin, donde VDS VGS - VT. c)- La regin lineal (o de
trodo), donde VDS VGS - VT. En la regin lineal, la corriente de drenaje ID varia en
forma casi proporcional con la tensin drenaje-fuente, VDS. Debido a la corriente de
drenaje y al bajo valor de la tensin VDS, necesaria para tener perdidas de potencia
bajas, los MOSFET, trabajando como conmutador, operan en la regin lineal
(conduciendo corriente) y en la regin de corte (bloqueando la corriente). En la regin
de saturacin, la corriente de drenaje permanece casi constante para cualquier aumento
de la tensin VDS, y es en esta zona donde se utiliza el transistor para amplificar
linealmente voltajes. Debemos recordar que la regin de saturacin del MOSFET,
corresponde con la regin activa de los transistores BJT, y la regin lineal, con la de
saturacin respectivamente.
La figura siguiente, muestra el modelo equivalente del MOSFET en estado permanente
(o de corriente continua), para las regiones lineal (ohmica) y de saturacin


Donde:
RDS= VDS /ID

gm = ID /VGS
VDS=CTE
= K.(VGS VT)
2



Caractersticas de conmutacin

Si no tiene seal de compuerta, un MOSFET incremental se puede considerar como dos
diodos conectados espalda con espalda, o como un transistor NPN. La estructura de la
compuerta tiene capacidades parasitas Cgs respecto a la fuente y Cgd respecto al drenaje.
El transistor npn tiene una unin con polarizacin inversa, del drenaje a la fuente, y
forma una capacidad Cds. La siguiente figura (figura a), muestra el circuito equivalente
de un transistor bipolar parasito en paralelo con el MOSFET. La regin de base a
emisor de un transistor NPN se pone a corto en el microcircuito, al metalizar la
Terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor, resulta de un valor bajo por lo
que se la desprecia. Por consiguiente, se puede considerar al MOSFET con un diodo
interno (figura b), por lo que las capacitancias parasitas dependen de sus voltajes
respectivos.
La figura c, muestra el modelo de conmutacin de los MOSFET.
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a) modelo con capacidad bipolar b) modelo con diodo interno



c) modelo de conmutacin para el MOSFET incremental

Formas de ondas y tiempos de conmutacin del MOSFET

VG

V1


0
td(enc) tr td(apag) tf

t
VGS

V1
VGSP
VT
0
t
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El grafica anterior, nos muestra las formas de onda del voltaje de excitacin de entrada
para un MOSFET y su voltaje VGS en funcin del tiempo. El retardo de encendido
td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacidad de entrada hasta el valor del
voltaje umbral VT. El tiempo de subida tr, es el tiempo de carga de la compuerta,
desde el nivel de umbral hasta el voltaje total de compuerta VGSP, que se requiere para
activar al transistor hasta la regin lineal. El tiempo de retardo de apagado td(apag) es
el necesario para que la capacidad de entrada se descargue desde el voltaje de
sobresaturacin V1 hasta la regin de estrechamiento. El voltaje VGS debe disminuir en
forma apreciable antes de que VDS comience a subir. El tiempo de cada tf , es el
necesario para que la capacidad de entrada se descargue desde la regin de
estrechamiento hasta el voltaje de umbral. Si VGS VT, el transistor se desactiva.







































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COOLMOS

El COOLMOS, es una tecnologa nueva de MOSFET de potencia para alto voltaje. Se
implementa mediante una estructura de compensacin en la regin vertical de
desplazamiento de un MOSFET, para mejorar la resistencia en estado activo. Para un
mismo encapsulado, tiene menor resistencia en estado activo en comparacin con la de
otros MOSFET. Las perdidas de conduccin son 5 veces menores, cuando menos en
comparacin con las de la tecnologa MOSFET convencional. El COOLMOS es capaz
de manejar de dos a tres veces mas potencia de salida que la de un MOSFET
convencional en el mismo encapsulado. El rea activa de microcircuito de un
COOLMOS es unas 5 veces menor que la de un MOSFET normal.

La figura muestra el corte transversal del COOLMOS. En el dispositivo se ha
aumentado el dopado de la capa conductora de corriente, sin alterar la capacidad de
bloqueo. Un alto voltaje VBR de bloqueo del transistor requiere una capa epitaxial
relativamente gruesa y poco dopado. Existe una ley que relaciona la resistencia drenaje -
fuente con VBR.

RD(enc) = VBR
Kc

Donde Kc es una constante entre 2,4 y 2,6
Esta limitacin se supera agregando columnas de tipo de dopado contrario, que se
implementan en la regin de corrimiento en tal forma que la integral de dopado a lo
largo de una perpendicular al flujo de corriente permanece menor que la carga de
ruptura especifica del material. En este concepto se requiere una compensacin de la
carga adicional en la regin n, mediante regiones adyacentes con dopado p. Esas cargas
crean un campo elctrico lateral que no contribuye al perfil vertical del campo. En otras
Fuente (S) (G) compuerta
n
+

p+


p
-
n
+

p+


p
-
n
-
epi
n
+
sub
SiO
2
(D) drenaje
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palabras, la concentracin de dopado se integra a lo largo de una perpendicular a la
interfase entre las regiones p y n.
Los portadores mayoritarios solo proporcionan la conductividad elctrica. Como no hay
contribucin de corriente bipolar, las perdidas de conmutacin son iguales a las de los
MOSFET convencionales. Se aumenta el dopado de la capa que sostiene el voltaje ms
o menos, en un orden de magnitud. Se insertan bandas verticales p adicionales en la
estructura para compensar el exceso de carga n que contiene la corriente. El campo
elctrico en el interior de la estructura esta fijado por la carga neta de las dos columnas
con dopados opuestos. De este modo se puede obtener una distribucin casi horizontal
del campo, si ambas regiones se compensan entre si en forma perfecta. La fabricacin
de pares adyacentes dopadas con p y con n con una carga neta prcticamente de cero
requiere una manufactura de presicin. Todo desequilibrio de cargas influye sobre el
voltaje de bloqueo del dispositivo. Para mayores voltajes de bloqueo solo se tiene que
aumentar la profundidad de las columnas sin necesidad de alterar el dopado. Esto
conduce a una relacin lineal entre el voltaje de bloqueo y la resistencia en estado
activo.

Por ejemplo la resistencia es de 70 m para un COOLMOS de 600 V, 70 A. El
COOLMOS tiene una caracterstica v-i lineal con un bajo voltaje umbral.
Los dispositivos COOLMOS se pueden usar en aplicaciones hasta limites de potencia
de 2 KVA, como suministros de corriente para estaciones de trabajo y servidor, fuentes
ininterrumpibles de energa (UPS), convertidores de alto voltaje para sistemas de
microondas, hornos de induccin y equipos de soldadura. Estos dispositivos pueden
reemplazar a los MOSFET convencionales de potencia en todas sus aplicaciones en la
mayor parte de los casos sin adaptacin alguna del circuito. A frecuencias de
conmutacin mayores a 100 KHZ, los dispositivos COOLMOS ofrecen una mejor
capacidad de manejo de corriente, como por ejemplo un rea mnima requerida de
microcircuito para determinada corriente. Tienen la ventaja de tener un diodo inverso
intrnsico. Toda oscilacin parasita que pudiera causar disparos negativos del voltaje
entre drenaje y fuente se fija a un valor definido por el diodo.











Resistencia
en estado
encendido
MOSFET normal

COOLMOS
Voltaje de
ruptura
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EL TRANSISTOR SIT

Un SIT es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. En esencia es la versin
del tubo trodo al vaco, pero en estado slido. La siguiente figura muestra un corte
transversal de la estructura de silicio de un SIT:

Es un dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. De esta forma no esta
sujeto a limitaciones de rea, y es adecuado para funcionamiento de alta velocidad con
alta potencia. Los electrodos de compuerta estn enterrados dentro de capas, epitaxiales,
n de drenaje y fuente. Un SIT es idntico a un JFET, excepto por la construccin
vertical y de compuerta enterrada que produce una menor resistencia de canal y causa
menor cada de voltaje. Las curvas caractersticas tpicas se observan en la figura:




p
+
p
+
p
+
n
-
n

n
+
Capa de
pasivacin
Fuente
S
Drenaje
D
Compuerta
G
D


G Smbolo


S

(mA)IDS

600


400


200

VDS

200 400 600 600 (V)
0 -1 -2
-3 -4
-6 VGS
-8
-15
-20
-25

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Un SIT tiene longitud corta de canal, baja resistencia de compuerta en serie, baja
capacitancia entre compuerta y fuente y pequea resistencia trmica. Tiene bajo ruido,
baja distorsin y capacidad de alta potencia en audiofrecuencia. Los tiempos de
encendido y apagado son pequeos, tpicamente 0,25 seg..
La cada en estado activo, encendido, es alta en el caso normal de 90 volt para un
dispositivo de 180 A, y de 18 volt para uno de 18 A. Un SIT, en el caso normal, es un
dispositivo encendido, y con un voltaje negativo en compuerta lo mantiene apagado. La
caracterstica de normalmente cerrado (conduciendo) y la alta cada en estado activo
limitan sus aplicaciones en conversiones generales de potencia.
El control de la corriente se realiza por medio de un potencial inducido
electrostaticamente. Estos dispositivos pueden operar con potencias de 100 KVA a 100
KHZ o de 10 VA a 10 GHZ. La especificacin de corriente de los SIT puede llegar
hasta 1200 V, 300 A, y la velocidad de conmutacin puede ser hasta 100 KHZ.
El SIT es ms adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia
(amplificadores de audio, VHF/UHF y microondas).



































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EL TRANSISTOR IGBT

En los transistores IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un
IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como los MOSFET y pocas perdidas por
conduccin en estado activo como los BJT. Sin embargo, no tiene el problema de
segunda avalancha, como los BJT. Por el diseo y la estructura del microcircuito, se
controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, RDS, para que se comporte como
la de un BJT. Veamos el dibujo del corte transversal del IGBT:


Como se puede observar la estructura de silicio de un IGBT, es idntica a la de un
MOSFET, a excepcin del substrato p
+
. Sin embargo, el rendimiento de un IGBT se
parece mas al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p
+
, causante
de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin n. En el dibujo tambin se
Substrato p
+


Capa de acoplamiento n
-

n
+
n
+

n
-
epi
p
+


p
-
p
p
Colector
Compuerta Compuerta
Emisor


Circuito equivalente circuito equivalente
simplificado
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muestra el circuito equivalente que se puede simplificar ms mediante un BJT tipo NPN
y un MOS de canal N. Un IGBT se construye con 4 capas alternas PNPN y puede tener
retencin como un tiristor cuando se cumple la condicin (npn +pnp) > 1. La capa de
acoplamiento n
+
y la ancha base epitaxial reducen la ganancia en el Terminal NPN por
diseo interno, logrndose con ello evitar la retencin. Los IGBT tienen dos estructuras:
a) De perforacin (PT,punch through) y b) NPT ( non punch through). Para el caso a
el tiempo de conmutacin se reduce usando una capa de acoplamiento n muy dopada, en
la regin de corrimiento cerca del colector. Para los del tipo b, los portadores tienen
una vida mayor que para los IGBT tipo PT, lo que causa modulacin de conductividad
de la regin de corrimiento y reduce la cada de voltaje en estado de encendido.
Un IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, parecido a un MOSFET de potencia.
Como en un MOSFET, se hace positiva la compuerta respecto al emisor, los portadores
n son atrados al canal p cerca de la regin de la compuerta, produciendo una
polarizacin directa de la base del transistor npn, logrndose el encendido. Entonces,
un IGBT se enciende con un voltaje positivo en la compuerta y se apaga cuando le
eliminamos el voltaje positivo aplicado en la compuerta. Dado que la activacin y
desactivacin se efecta con una tensin elctrica, el circuito de control asociado a la
activacin y desactivacin, resulta sencillo.
Los IGBT tienen menores perdidas de conmutacin y de conduccin, y al mismo
tiempo comparte muchas de las propiedades ventajosas de los MOSFET de potencia,
como la facilidad de excitacin de compuerta, corriente pico, buenas caractersticas
tensin corriente y robustez.. En forma inherente un IGBT es ms rpido que un BJT
pero resulta mas lento que los MOSFET.



C

Vcc


E

RGE
+
VG
-
RS
iC(A)
6
5

4

3

2
1

0
VGE=10 V

9V
8V
6V

5V
4,5V
iC
2 4 6 8 10
Voltaje compuerta-emisor
iC(A)

3


2


1


0

RD
2 4 6 8
Voltaje colector-emisor
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La figura anterior nos muestra el circuito bsico de aplicacin, las caractersticas
tensin- corriente de salida y la caracterstica de transferencia o sea corriente de colector
versus voltaje de compuerta.
La especificacin de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 1200 V, 400 A con
una frecuencia de conmutacin de hasta 20 KHZ. Los IGBT tienen aplicaciones
crecientes en potencias intermedias, como por ejemplo propulsores de motores de CD y
CA, fuentes de corrientes, relevadores de estado slido, y contactores.
A medida que los limites superiores de las especificaciones de IGBT disponibles en el
comercio aumentan (hasta 6500 V y 2400 A), estn encontrando aplicaciones donde se
usan los BJT y los MOSFET convencionales principalmente como interruptores
llegando a sustituirlos.


OPERACIN SERIE Y PARALELO EN LOS TRANSISTORES

Con la misma necesidad de los diodos y tiristores, los transistores pueden conectarse en
serie y paralelo.
Conexin serie
Cuando los transistores se conectan en serie, se deben encender y apagar
simultneamente. De no ser as, el dispositivo mas lento en el encendido, y el mas
rpido en el apagado, pueden quedar sujetos al voltaje total del circuito de colector a
emisor (o de drenaje a fuente), y ese dispositivo en particular, se puede destruir por alto
voltaje. Los dispositivos deben estar apareados en ganancia, transconductancia,
voltaje umbral, voltaje en estado activo, tiempo de encendido y tiempo de
apagado. Hasta las caractersticas de la excitacin de la compuerta o de la base deben
ser idnticas. De la misma forma que los diodos y tiristores, se pueden usar redes de
tipo capacitivo y resistivo, para igualacin del voltaje compartido.

Conexin paralelo
Los transistores se conectan en paralelo si un dispositivo no puede manejar la demanda
de la corriente de la carga. Para compartir corrientes iguales, los transistores deben estar
apareados en ganancia, transconductancia, voltaje de saturacin, tiempo de
encendido y tiempo de apagado. En la prctica, no siempre es posible cumplir con
todos estos requisitos. Se pueden obtener una particin razonable de corriente (45 a 55%
con dos transistores), conectando resistores en serie con los terminales de emisor (o
fuente), como muestra la siguiente figura para dos transistores bipolares:


Q2

IE2

Re2
Q1

IE1

Re1
Vcc
RC
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Los resistores conectados en los emisores, ayudan a compartir la corriente bajo
condiciones de estado permanente. Bajo condiciones dinmicas, se puede lograr el
equilibrio de corrientes, conectando inductores acoplados como se observa en el
siguiente circuito:

Si aumenta la corriente que pasa por Q1, la tensin inducida, L.(di/dt) aumenta a travs
de la inductancia L1 y se induce un voltaje correspondiente de polaridad opuesta a
travs del inductor L2. El resultado es una trayectoria de baja impedancia, y la
corriente se desplaza a Q2. Los inductores generaran picos de voltaje, y pueden ser
costosos y voluminosos, en especial si las corrientes son grandes.
Los transistores bipolares (BJT) tienen coeficiente negativo de temperatura. Cuando
comparten la corriente, si un transistor conduce ms corriente, su resistencia de
encendido disminuye y aumenta ms la corriente; mientras que los MOSFET tienen
coeficiente de temperatura positivo y su funcionamiento en paralelo es relativamente
fcil. El MOSFET que al inicio conduce ms corriente se calienta con ms rapidez y
aumenta su resistencia de encendido, haciendo que la corriente se desplace hacia los
otros dispositivos. Los IGBT, requieren cuidados especiales para aparear las
caractersticas, debido a las variaciones de los coeficientes de temperatura, con la
corriente de colector.

LIMITACIONES POR DI/DT Y POR DV/DT

Los transistores requieren ciertos tiempos de encendido y de apagado. Si no tenemos en
cuenta el tiempo de retardo td y el tiempo de almacenamiento ts, las formas tpicas
de ondas de voltaje y corrientes, de un dispositivo semiconductor interruptor, son las
siguientes:


Q2

IE2

L2
Q1

IE1

L1
RC




Vcc
Particin dinmica de la corriente
Vcc=Vs





0


Ic=Ics= IL
t
t
tr tf
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Durante el encendido, la corriente en el colector aumenta y la variacin de corriente
resulta:
di/dt = IL/tr = Ics/tr
Durante el apagado, el voltaje de colector a emisor debe aumentar en relacin con la
cada de corriente de colector resultando una variacin de tensin:
dv/dt = Vs/tf = Vcc/tf
Las condiciones de di/dt y dv/dt estn establecidas por las caractersticas de
conmutacin del transistor, y deben satisfacerse durante el encendido y apagado.
Normalmente, cuando se superan estos valores, se requieren de circuitos adicionales
para proteccin por di/dt y dv/dt, como el siguiente interruptor tpico:






La red RsCs, en paralelo con los terminales del transistor, es un circuito
amortiguador que limita la dv/dt. El inductor Ls, limita la di/dt y se le denomina
amortiguador en serie. Analicemos como actan esto circuitos amortiguadores.
Supongamos que bajo condiciones especiales la corriente de la carga IL tiene
circulacin libre a travs del diodo Dv, cuyo tiempo de recuperacin inversa es
despreciable. Cuando se enciende el transistor Q1, la corriente de colector sube y la
t
t
t
tr tf
V1=VB

0

i
IL

0
If

IL

if
i
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corriente del diodo Dv cae, porque Dv se comporta como un cortocircuito. En esta
situacin, el crecimiento de la corriente del transistor la podemos determinar como:

di/dt = Vs/Ls

Como este valor no puede superar al establecido como lmite para el dispositivo
interruptor, entonces en el lmite debemos igualarlo con este ltimo, resultando:

Vs/Ls = Ics/tr donde Ics = IL

Con la igualdad anterior podemos encontrar el valor de Ls que me permita superar los
lmites del dispositivo semiconductor:

Ls = (Vs.tr)/IL

Durante el apagado, el capacitor Cs se carga con la corriente de carga, y el voltaje del
capacitor aparece a travs del transistor, resultando:

dv/dt = IL/Cs

Igualando con la expresin que limita la dv/dt del dispositivo, tendremos:

Vcs/tf = IL/Cs

Con esta ltima expresin, determinamos el valor de Cs que limita el crecimiento de la
tensin a un valor que no supere al lmite del dispositivo interruptor:

Cs = (IL.tf)/Vs

Una vez cargado el capacitor con Vs, y el diodo Dv se activa, aparece un circuito
resonante amortiguado Ls Cs Rs. Este circuito se hace crticamente amortiguado, en el
caso normal, para evitar las oscilaciones.
Para un amortiguamiento crtico, el valor de Rs lo obtenemos como:
_____
Rs = 2. Ls/Cs

El capacitor Cs se debe descargar a travs del transistor, lo que aumenta la
especificacin de corriente pico del transistor. Se puede evitar la descarga por el
transistor si conectamos Rs a travs de Cs, en vez de ponerlo en paralelo con Ds.
Por otra parte, tenemos que tener en cuenta el tiempo de descarga de Cs a travs de Rs;
por lo general se establece en un tiempo no mayor a 1/3 del periodo de conmutacin.
Para este caso debemos verificar Rs para que no se supere este tiempo, resultando:

Rs.Cs = Ts/3 = 1/3.fs

Rs = 1/ (3.fs.Cs)