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TRANSISTOR FET

Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas,
lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc.
Historia
Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar
fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John
Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron
galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956.
Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados
transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre la fuente y la
pérdida (colector) se controla usando un campo eléctrico (salida y pérdida (colector)
menores). Por último, apareció el semiconductor metal-óxido FET (MOSFET). Los
MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos
altamente integrados (IC). Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con la
denominada tecnología CMOS (semiconductor metal-óxido complementario). La
tecnología CMOS es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p),
que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un
funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que
forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los
recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el
diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento
sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función
amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se
alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuito
que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de base y
corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en
cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de
Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de
calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros
tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente
de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica de los
transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta o reja de control y gradúa la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la Tensión presente entre
la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la
salvedad que en el tríodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y
Cátodo.
Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran
escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.
Tipos de transistor
 Transistor de punta de contacto
Fue el primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W.
Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz
de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer
resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a
su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
 Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente
sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades
de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o
Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho más
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
 Transistor de unión unipolar
También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo
N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones
P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando
tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
 Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se
aísla del canal mediante un dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente.
Transistores y electrónica de potencia
Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los
transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores
y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está
basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.


El transistor como amplificador
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión
igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional
a la corriente de base: I
C
= β I
B
, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para
transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
Emisor común, Base común, Colector común.
TRANSISTOR FET
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así
porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece
a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por
tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son
particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor
de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-oxido
semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensión con una alta
impedancia de entrada (1012Ω). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y
analógicos como amplificador o como conmutador. Sus características eléctricas son
similares aunque su tecnología y estructura
física son totalmente diferentes.

Ventajas del FET:

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada
(107 a 1012Ω).

2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.

4) Los FET son mas fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar mas dispositivos en un C1.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.


7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.



Desventajas que limitan la utilización de los FET:
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.

2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que
los BJT.

3) Los FET se pueden drenar debido a la electricidad estática.

En este apartado se estudiaran brevemente las características de ambos dispositivos
orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.

Características eléctricas del J FET

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor
de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un
elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source)
y puerta (gate).

En la figura figura a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la figura b el
símbolo de este dispositivo y en la figura c el símbolo de un JFET de canal P.



La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas.
En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la
fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la puerta debe
tener una tensión mas negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre
polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura.




Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los
transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a
diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a
source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o
drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte,
lineal, saturación y ruptura.

A Continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas regiones para el
caso de un NJFET.

• Región de corte
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la
tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión
bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las
hojas técnicas se denomina a esta tensión como de estrangulamiento o pinch-off y se
representa por VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS(off)=-2V.

• Región lineal
En esta region, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en
muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tension. El
fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes
valores de VGS tal como se muestra en la figura . En esta región el transistor JFET
verifica las siguientes relaciones:






• Región de saturación
En esta región, de similares características que un BJT en la región lineal, el JFET tiene
unas características lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta como una
fuente de intensidad controlado por la tensión VGS cuya ID es prácticamente
independiente de la tensión VDS. La ecuación que relaciona la ID con la VGS se
conoce como ecuación cuadrática o ecuación de Schockley que viene dada por:


donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación. Esta
corriente se define como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta característica es
utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante (IDSS).
La ecuación 1.22 en el plano ID y VGS representa una parábola desplazada en Vp. Esta
relación junto a las características del JFET de la figura 1.11 permiten obtener
gráficamente el punto de trabajo Q del transistor en la región de saturación. La figura
1.13 muestra la representación grafica de este punto Q y la relación existente en ambas
curvas las cuales permiten determinar el punto de polarización de un transistor
utilizando métodos gráficos:


• Región de ruptura
Una tension alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a
traves de la union de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tension
de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tension
se designa por BVDSS y su valor está comprendido entra 20 y 50 V. Las tensiones de
polarizacion nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se
deteriore.

Por último, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las
ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son validas para el PJFET
considerando el convenio de signos indicados en la tabla:








PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la
puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la corriente de
puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el
gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos
escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta
forma


El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de
la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es cero (en la
realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy
grande).
El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a
la separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de
Vgs de 1 voltio.
TÉCNICAS DE MANUFACTURA.
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor
sólido cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio) con diferentes
contaminaciones, que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante
una corriente de control, mucho menor.
El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,
partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John
Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer
transistor de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de
fabricación, su comercialización a gran escala.
Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas,
en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e
inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se
llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios").
Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo
una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra
explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor
parte de las secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos
resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-
n aparecerá como el dispositivo predominante, con párrafos y secciones dedicadas a los
efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.
La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe
que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las
capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta
mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras
que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a
la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran
conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por
tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del
canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En ausencia de
cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones
sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión, como se
ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma región de un diodo bajo
condiciones sin polarización. Recuérdese también que una región de agotamiento es
aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la
conducción a través de la región.


Transistor de unión de efecto de campo (JFET).
Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas, pero
la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET
en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las
terminales del dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde
el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial),
controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la
fuente están en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior,
debido a que la terminología se define para el flujo de electrones.



Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.
VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo
En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la
compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición
VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo
potencial y hay una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p,
semejante a la distribución de las condiciones sin polarización de la figura del transistor
FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones serán atraídos
hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la dirección
definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que
las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que
aparecen en la figura siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado
únicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.





JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V.
Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo
superior de ambos materiales tipo p. La razón para el cambio en la anchura de la región
se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia
uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que
aparecen en la figura siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a
través del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la región
superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la
región inferior inversamente polarizada sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación de
la operación del diodo, que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada, mayor
será la anchura de la región de agotamiento, de aquí la distribución de la región de
agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unión p-n esté
inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de
compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG = O A
es una importante característica del JFET.



Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET
de canal n

Explicación de su encapsulado e identificación de sus terminales.
La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en
una misma oblea de silicio, permitió crear los circuitos integrados o chips, base de todos
los aparatos electrónicos modernos.
Conectados de manera apropiada, permite amplificar señales muy débiles, convertir
energía, encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde
frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc.
Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores
tipo NPN ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una
enorme cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues
funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET
(el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico), los tipo unijuntura, los
MOS o de óxido metálico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS
(usados para controlar grandes potencias y tensiones), etc.
Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta potencia, bajo
ruido eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensión, aplicaciones de
conmutación, etc.









Cuándo utilizar JFET


El JFET tiene impedancias de entrada mucho más altas y corrientes de salida mucho
más bajas que los BJT.

• Los BJT son más lineales que los JFET.

• La ganancia de un BJT es mucho más alta que la de un JFET.


Por norma general, los JFET sólo se utilizan cuando los BJT no son la solución más
conveniente, por ejemplo, cuando la corriente de fuga de la base de un BJT es
demasiado elevada.

En aplicaciones de lógica digital, el uso de los FET es importante, ya que son mucho
más rápidos y disipan menos energía. Sin embargo, la mayoría de estas aplicaciones
utilizan MOSFET, que presentan impedancias mucho más elevadas incluso que los
JFET.

Aplicación del fet

Preamplificador con FET para micrófono

Lista de materiales:
- 1 Transistor tipo FET 2N3819
- 1 Condensador de cerámica de 0.1 uF
- 1 Condensador de cerámica de 470 pF
- 2 Condensadores electrolíticos de 10 Uf
- 1 Resistencia de 1 KΩ 1/4 Watts
- 1 resistencia de 10 KΩ 1/4 Watts
- 1 Resistencia de 1 MΩ 1/4 watts
- 1 Conector para pila de 9 Voltios
- 6 Terminales para circuito impreso
- 1 Circuito Impreso




















CIRCUITOS ELECTRONICO II
“TRANSITOR FET Y SUS APLICACIONES ”
Universidad Nacional de Piura-UNP – Perú


AUTOR :


ÁREA TEMÁTICA : TRANSISTORES FET Y APLICACIONES

GRUPO : G-12

HORA : 7:30 9:00

PROF. TEORÍA :

PROF. PRÁCTICA :




PIURA - PERÚ
2010
INTRODUCCION

Los dispositivos FET pueden emplearse para construir circuitos amplificadores de
pequeña señal brindan ganancia de voltaje a una resistencia de entrada muy alta. Tanto
los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo decremental pueden emplearse para
proporcionar amplificadores que posean ganancias de voltaje de ca similares. Sin
embargo, el circuitos con MOSFET decremental tendrá una impedancia de entrada
mucho mayor que en un circuito JFET semejante.

El circuito equivalente de pequeña señal de un transistor FET se puede obtener por
métodos análogos a los utilizados en transistores bipolares. Sin embargo, al ser
dispositivos controlados por tensión, el modelo bipuerta más adecuado es el de
parámetros {Y}, ya que relacionan las corrientes de salida con tensiones de entrada.

La figura representa el modelo de pequeña señal de un FET constituido por dos
parámetros:
0
i , o factor de admitancia, y
D
r , o resistencia de salida o resistencia de
drenador. Esta notación es la más extendida para describir estos parámetros, aunque
algunos fabricantes utilizan la notación en parámetros {Y} denominando
FS
V o
FS
g a
m
g e
1 
OS
y o
1 
OS
g o
OSS
r a
D
r .

Estos parámetros dependen de la corriente de polarización del transistor (ID), y el
fabricante proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes
condiciones de polarización. A continuación se describe con más detalle los parámetros
m
g y
D
r .



































BIBLIOGRAFIA


1. Paul Horowitz, Winfield Hill, The art of electronics, 2nd ed, Cambridge
University
Press, 1989.

2. ] Albert P. Malvino, Principios de electr´onica, 4ta ed, McGraw-Hill, 1991.

3. http://www.slideshare.net/guest03d40e/transistor-fet-presentation

4. http://www.monografias.com/trabajos7/amtra/amtra.shtml


















CONCLUSIONES

 Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

 La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor,
o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato
(usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como
pantallas de cristal líquido o LCD).

 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).

 Hasta cierto punto inmune a la radiación.

 Es menos ruidoso.

 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica


















PRECAUCIONES:

Con los transistores FET hay que tener cuidados especiales, pues algunas
referencias se dañan con solo tocar sus terminales desconectadas (Estática).
Por tal motivo, cuando nuevos traen sus patas en corto-circuito mediante una
espuma conductora eléctrica o con algo metálico, esto no se debe quitar hasta que
esten soldados en la tableta de circuito impreso, hecho esto ya no hay problema.