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UNIVERSIDAD DISTRITAL “FRANCISCO JOSE DE CALDAS”
FACULTAD TECNOLOGICA
GUIA LABORATORIO 4 – CURSO DE ELECTRONICA I
Profesor: Jairo Vargas Caleño


SIMULACION CURVA CARACTERISTICA DIODO

1. Crear el archive




2. Elegir el diodo de la lista de dispositivos


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Para este ejemplo se elige el 1N4148, una resistencia, una fuente DC y referencia.


3. Se crea el circuito


4. Se configura la simulación

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Se selecciona Analisis DC Sweep, se coloca en Name el nombre de la fuente de de voltaje DC, del circuito, en
este caso V1 (la fuente se deja en 0V), se selecciona en Sweep Type análisis lineal, el valor de inicio se coloca un
valor de 0 o -5 voltios en valor final 12 VDC o el valor que se requiera, y se harán incrementos de 0.001 V. SE
presiona aceptar i luego OK.




5. Finalmente se realiza la simulación, pero antes se coloca el puntero para corriente en el diodo.


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La grafica que se obtiene es la siguiente.




Para mejorar la grafica se hace doble click en el eje X


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Luego se pulsa el botón Axis variables, se elije la variables V(D1:1)



La grafica es como la que aparece a continuación.

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Esta grafica se parece más a la curva que se tiene en los libros y hojas técnicas.

Para un diodo zener se procede igual pero atendiendo a la forma correcta de polarización del dispositivo.


CURVA DEL TRANSISTOR BJT

1. Se elije el transistor 2N2222 de la lista (Ojo en Orcad se debe utilizar el transistor que aparece
identificado como Q2N2222).



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2. Se realiza el circuito para la prueba.



De forma similar al laboratorio realizado, se coloca una corriente constante en la base y un voltaje en el circuito
de salida Colector- Emisor. De esta forma se requiere obtener la curva de corriente de colector en función del
voltaje Colector-Emisor a una determinada corriente de base. La corriente de base se configura en 1 [mA] y se
hará un barrido en DC empleando la fuente V1.


3. Se configura la simulación

Se selecciona Analisis DC Sweep, se coloca en Name el nombre de la fuente de de voltaje DC, del circuito, en
este caso V1 (la fuente se deja en 0V), se selecciona en Sweep Type análisis lineal, el valor de inicio se coloca un
valor de 0 voltios en valor final 12 VDC o el valor que se requiera, y se harán incrementos de 0.001 V. Se
presiona aceptar i luego OK.


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4. Se coloca el puntero para corriente en el colector del transistor y realiza la simulación.



La grafica que se obtiene es la siguiente


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Ahora si quiere obtener en una sola grafica una familia de curvas, se puede realizar de forma simultánea otro
barrido en DC, pero empleando la fuente de corriente, esto es:


En el cuadro de options se selecciona la opción Secundary Sweep, y aparece un cuadro similar al de la primera
vez. En este cuadro se coloca en Name el nombre de la fuente de de corriente DC, del circuito, en este caso I1,
se selecciona en Sweep Type análisis lineal, el valor de inicio se coloca un valor de 00.1 mA, en valor final 0.6
mA o e según el numero de curvas que se requieran, y se harán incrementos de 0.1 mA o según se desee. Se
presiona aceptar y luego OK.





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La grafica que se obtiene es la siguiente:





Se pueden observar seis curvas correspondientes al nivel establecido para la corriente de colector.


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CURVA TRANSISTOR MOSFET


Para un transistor Mosfet se procede de igual forma, sin olvidar la forma de polarización requerida.


En primera instancia se debe cargar la librería que contiene los dispositivos mosfet. Para ello agregue la
librería con nombre PWRMOS.OLB.



Ya cargada selecciónela, se colocara en azul, y busque los dispositivos cuyo nombre única con M2N,
para este ejemplo se utilizara el mosfet M2N6660.


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Se realiza el circuito de prueba.





Coloque el puntero para corriente (Current marker) en el terminal de drenaje del transistor y configure
el análisis de barrido en DC.

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Configure primero el barrido en DC para la fuente V2, la cual corresponde al circuito Drenaje-Fuente.





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En el cuadro de options se selecciona la opción Secundary Sweep, y aparece un cuadro similar al de la primera
vez. En este cuadro se coloca en Name el nombre de la fuente de de voltaje V1 del circuito, en este caso el
circuito Compuerta Fuente, se selecciona en Sweep Type análisis lineal, el valor de inicio se coloca un valor de 2
[V] en valor final 4 [V] o según el numero de curvas que se requieran, y se harán incrementos de 0.5 [V] o
según se desee. Se presiona aceptar y luego OK.




Finalmente se realiza la simulación





La grafica que se obtiene es la siguiente:


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Observe que la grafica obtenida es similar a las estudiadas en clase.





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Si se compara la curva de la hoja tecnica con la grafica obtenida se observa gran simulitud.





Con un voltaje VGS de 2V, se obtiene una corriente aproximada de 120 mA.