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Universidad Nacional De Colombia

Facultad De Ingenier´ıa
Departamento De Ingenier´ıa El´ ectrica Y Electr´ onica
Electr´ onica
An´ aloga I
2014-I
El transistor MOSFET. Caracterizaci´ on y
aplicaci´ ones en compuertas l´ogicas digitales
1. Objetivos
1.1. Objetivo General
Verificar el comportamiento f´ısico del transitor MOSFET y algunas aplicaciones.
1.2. Objetivos espec´ıficos
Caracterizar el transistor MOSFET en t´erminos de su curva caracter´ıstica.
Aplicar las propiedades del transistor mosfet en el dise˜ no, implementaci´on y verificaci´on de circuitos l´ogicos
digitales.
2. Materiales e Instrumentos Requeridos
1 Osciloscopio de 2 Canales.
1 Generadores de se˜ nal con resistencia de salida de 50 Ω .
1 Mult´ımetro Fluke.
1 Fuente Dual.
3 Sondas.
Resistencias de 1/4 [W] (seg´ un c´alculos)
Transistores MOSFET canalN de enrriquecimiento (de preferencia en chip, por ejemplo TC4007).
3. Pr´actica
ESTA PRACTICA EST
´
A DISE
˜
NADA PARA DESARROLLARSE EN UNA (1) SESI
´
ON DE LABORATORIO,
se divide en 2 partes. Cada una de ellas implica trabajo previo al d´ıa de la pr´actica y en el d´ıa de la pr´actica.
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3.1. Caracterizaci´ on de el transistor MOSFET usandolo como fuente de corriente
”Modelo SCS”(Switch Current Source)
Previo al d´ıa de la p´ractica
Analic´e el circuito de la figura 1 y responda las siguientes preguntas:
¿Qu´e funci´on cumple el diodo dentro de este circuito?
¿Por qu´e la fuente de excitaci´on es alterna y triangular?
¿Para qu´e se mide la se˜ nal en los dos canales y qu´e se mide en cada uno de ellos?
¿Por qu´e se tiene un potenciometro antes del Gate, cu´al es su funci´on?
¿C´omo se puede caracterizar el transistor MOSFET mediante el uso de este circuito?
¿Qu´e forma tendr´a la curva caracter´ıstica de transistor (I
D
vs. V
DS
)?
Figura 1: Circuito en configuraci´on de transistor mosfet como fuente de corriente
El d´ıa de la pr´actica
1. Obtenga la gr´afica I
D
vs. V
DS
en el osciloscopio, comp´arela con sus predicciones.
2. Mida Vt variando el voltaje de Gate hasta el punto en el cual la corriente reci´en comienza a fluir en el terminal
drain de su dispositivo.
3. Grafique en el osciloscopio la curva caracter´ıstica del Mosfet para 5 valores distintos de VGS. Etiquete
sus ejes con la corriente ID en mA.
4. Encuentre k

W/L a partir de una de estas curvas en la regi´on de saturaci´on.
5. Disminuya la amplitud del voltaje V
DS
(entrar a la regi´on triodo) y encuentre la Resistencia lineal R
DS
para un
valor espec´ıfico de V
DS
por ejemplo. V
DS
= V
t
+ 1. Compare sus resultados con la teor´ıa.
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Figura 2: Uso del transistor mosfet en circuitos l´ogicos digitales
3.2. El Mosfet como un Switch “Modelo S”
Previo al d´ıa de la p´ractica
1. Investigue acerca de las familias l´ogicas NMOS, PMOS y CMOS. Especifique cuales son las diferencias entre las
diferentes familias e indague en el porqu´e se usar´a la familia NMOS en esta pr´actica.
2. Teniendo en cuenta el diagrama mostrado en la figura 2. Identifique los valores de salida de cada circuito ante las
posibles entradas (Tabla de verdad) considerando que el switch ’S’ se comporta como un circuito abierto (OC)
cuando la se˜ naal de control es cero y como un circuito cerrado (SC) en caso contrario.
3. Investigue cu´al es el circuito (incluyendo en mosfet) y el nombre de la compuerta que genera la siguiente tabla
de verdad.
A B C
0 1 0
0 0 0
1 0 0
1 1 1
4. Analice diferentes configuraciones entre los 3 circuitos analizados hasta ahora y obtenga, mediante combinaciones
de los mismos, otras 2 compuertas l´ogicas.
5. Investigue a que se refieren y como se encuentran los parametros V
OL
, V
OH
, V
IL
, V
IH
en el proceso de caracter-
izaci´on de una compuerta l´ogica.
6. Identifique el esquema correspondiente al inversor MOSFET, verifique mediante mediciones en el laboratorio
con el montaje correspondiente: V
OL
, V
OH
, V
IL
, V
IH
. Compare los valores obtenidos con los especificados en el
datasheet de su dispositivo.
El d´ıa de la pr´actica
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Monte los circuitos descritos anteriormente con transistores MOSFET cumpliendo la funci´on del switch, compruebe
el funcionamiento de cada circuito, grafique anal´ıticamente la funci´on de transferencia del MOSFET como inversor.
Verifique los valores VOL, VOH, VIL, VIH para el circuito inversor implementado.
Con respecto a los resultados obtenidos: ¿El resultado obtenido es el esperado?, ¿Qu´e consideraciones puede hac-
er acerca de la funci´on de transferencia del inversor MOSFET?
3.3. El Mosfet en la regi´on triodo “Modelo SR”
Previo al d´ıa de la p´ractica
1. Analice el circuito inversor MOSFET de la secci´on anterior incluyendo el valor de las resistencias R
ON
= 40Ω y
R
OFF
= 5MΩ del transistor, ¿C´omo cambia la curva i
D
/v
DS
con respecto a la suposici´on del MOSFET como
circuito abierto o corto?
2. ¿Cu´ales son los valores l´ımites de V
DS
, en los que se observa el comportamiento lineal (Regi´on Triodo.) en el
MOSFET?
El d´ıa de la pr´actica
1. Basados en el circuito inversor MOSFET que han venido trabajando, obtengan los valores de R
ON
y R
OFF
para
su dispositivo.
2. Compruebe el funcionamiento del MOSFET en la regi´on triodo.
4. Observaciones importantes
Manipule muy cuidadosamente las terminales de su dispositivo (TC4007 recomendado), no toque los pines del
integrado con los dedos, puesto que este es bastante vulnerable a la electricidad est´atica.
Las preguntas sugeridas se encuentran distribuidas a lo largo de la gu´ıa, sin embargo, no se limiten a estas y ex-
ploren el an´alisis de cada implementaci´on desde sus propios puntos de vista de acuerdo a la teor´ıa del curso.
Referencias
Para el desarrollo de esta pr´actica se sugiere consultar:
MIT-OpenCourseWare. Circuits and Electronics. Lecture 5: Inside the Digital Gate. [Online]. Available: http://ocw.mit.ed
engineering-and-computer-science/6-002-circuits-and-electronics-spring-2007/video-lectures/
Manuales y hojas de especificaciones de los equipos.
Boylestad R. & Nashelsky L. Electr´onica y Teor´ıa de Circuitos. Prentice Hall.
Sedra K. Smith. Dispositivos electr´onicos y amplificadores de se˜ nales. Interamericana.
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