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U.N.M.S.

M
Fac. de Ingeniera Electrnica y Elctrica
APELLIDOS Y NOMBRES MARI!ULA
!ene"# a"ia$ %#& Ant#ni# '()*')+,
!ri&t-al !."itay$ %eannet Pilar '/)*')(0
Pereda Palaci#&$ Dei&y Mari-el '/)*')+*
#rre& 1ct#r$ %#& L.i& ',)*'2('
!URSO EMA
!aracter&tica& B3&ica& del Di#d#
La-. de Di&"#&iti4#& Electrnic#& Se5ic#nd.ct#r 6Silici# y 7er5ani#8
INFORME FE!9AS NOA
FINAL Reali:acin Entrega
NUMERO
)( de 22 de
; MAYO MAYO
7RUPO PROFESOR
<L= 6MARES 2 > , ".5.8 Ing. LUIS PAREO
I. Caractersticas Bsicas del Diodo Semiconductor (Silicio
y Germanio)
II. OBJETIVOS
1. Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.
III. I!T"OD#CCIO! TEO"$C%
DIODO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una
nica direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-!
consta de dos re"iones, por de#a$o de cierta diferencia de potencial, se
comporta como un circuito a#ierto (no conduce!, % por encima de ella como un
circuito cerrado con mu% peque&a resistencia elctrica.
De#ido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, %a que
son dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente
continua.
DIODO &! ' #!I'! &!
'os diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores e(trnsecos
tipos p % n, por lo que tam#in reci#en la denominacin de unin pn. )a% que
destacar que nin"uno de los dos cristales por separado tiene car"a elctrica, %a
que en cada cristal, el nmero de electrones % protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (*u
car"a neta es +!.
,l unir am#os cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al
p (-
e
!.
E?PERIMENO 3
.ormacin de la zona de car"a espacial
,l esta#lecerse estas corrientes aparecen car"as fi$as en una zona a am#os
lados de la unin, zona que reci#e diferentes denominaciones como zona de
car"a espacial, de a"otamiento, de vaciado, etc.
, medida que pro"resa el proceso de difusin, la zona de car"a espacial va
incrementando su anc/ura profundizando en los cristales a am#os lados de la
unin. *in em#ar"o, la acumulacin de iones positivos en la zona n % de iones
ne"ativos en la zona p, crea un campo elctrico (0! que actuar1 so#re los
electrones li#res de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr1 a la corriente de electrones % terminar1 detenindolos.
0ste campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensin entre las zonas p % n. 0sta diferencia de potencial (
+
! es de +,2 en el
caso del silicio % +,3 si los cristales son de "ermanio.
'a anc/ura de la zona de car"a espacial una vez alcanzado el equili#rio, suele
ser del orden de +,4 micras pero cuando uno de los cristales est1 muc/o m1s
dopado que el otro, la zona de car"a espacial es muc/o ma%or.
,l dispositivo as o#tenido se le denomina diodo, que en un caso como el
descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial
e(terna, se dice que no est1 polarizado. ,l e(tremo p, se le denomina 1nodo,
represent1ndose por la letra ,, mientras que la zona n, el c1todo, se representa
por la letra 5.
, (p! 5 (n!
6epresentacin sim#lica del diodo pn
5uando se somete al diodo a una diferencia de tensin e(terna, se dice que el
diodo est1 polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
78',6I9,5I:; DI605<,=
0n este caso, la #atera disminu%e la #arrera de potencial de la zona de car"a
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin>
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
7ara que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la #atera al 1nodo del diodo % el polo ne"ativo al c1todo. 0n estas
condiciones podemos o#servar que=
0l polo ne"ativo de la #atera repele los electrones li#res del cristal n,
con lo que estos electrones se diri"en /acia la unin p-n.
0l polo positivo de la #atera atrae a los electrones de valencia del cristal
p, esto es equivalente a decir que empu$a a los /uecos /acia la unin p-
n.
5uando la diferencia de potencial entre los #ornes de la #atera es
ma%or que la diferencia de potencial en la zona de car"a espacial, los
electrones li#res del cristal n, adquieren la ener"a suficiente para saltar
a los /uecos del cristal p, los cuales previamente se /an desplazado
/acia la unin p-n.
Una vez que un electrn li#re de la zona n salta a la zona p atravesando
la zona de car"a espacial, cae en uno de los mltiples /uecos de la zona
p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el
electrn es atrado por el polo positivo de la #atera % se desplaza de
1tomo en 1tomo /asta lle"ar al final del cristal p, desde el cual se
introduce en el /ilo conductor % lle"a /asta la #atera.
De este modo, con la #atera cediendo electrones li#res a la zona n % atra%endo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante /asta el final.
78',6I9,5I:; I;06*,=
0n este caso, el polo ne"ativo de la #atera se conecta a la zona p % el polo
positivo a la zona n, lo que /ace aumentar la zona de car"a espacial, % la
tensin en dic/a zona /asta que se alcanza el valor de la tensin de la #atera,
tal % como se e(plica a continuacin=
0l polo positivo de la #atera atrae a los electrones li#res de la zona n,
los cuales salen del cristal n % se introducen en el conductor dentro del
cual se desplazan /asta lle"ar a la #atera. , medida que los electrones
li#res a#andonan la zona n, los 1tomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrn en el or#ital de
conduccin, adquieren esta#ilidad (? electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor % 1tomo! % una car"a elctrica neta de @1, con lo que
se convierten en iones positivos.
0l polo ne"ativo de la #atera cede electrones li#res a los 1tomos
trivalentes de la zona p. 6ecordemos que estos 1tomos slo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que /an formado los enlaces
covalentes con los 1tomos de silicio, tienen solamente 2 electrones de
valencia, siendo el electrn que falta el denominado /ueco. 0l caso es que
cuando los electrones li#res cedidos por la #atera entran en la zona p, caen
dentro de estos /uecos con lo que los 1tomos trivalentes adquieren
esta#ilidad (? electrones en su or#ital de valencia! % una car"a elctrica
neta de -1, convirtindose as en iones ne"ativos.
0ste proceso se repite una % otra vez /asta que la zona de car"a
espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la #atera.
0n esta situacin, el diodo no de#era conducir la corriente> sin em#ar"o,
de#ido al efecto de la temperatura se formar1n pares electrn-/ueco (ver
semiconductor! a am#os lados de la unin produciendo una peque&a corriente
(del orden de 1 A,! denominada corriente inversa de saturacin. ,dem1s,
e(iste tam#in una denominada corriente superficial de fu"as la cual, como su
propio nom#re indica, conduce una peque&a corriente por la superficie del
diodo> %a que en la superficie, los 1tomos de silicio no est1n rodeados de
suficientes 1tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para
o#tener esta#ilidad. 0sto /ace que los 1tomos de la superficie del diodo, tanto
de la zona n como de la p, ten"an /uecos en su or#ital de valencia con lo que
los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. ;o o#stante, al i"ual que
la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fu"as es
desprecia#le.
5U6, 5,6,5<06B*<I5, D0' DI8D8=
<ensin um#ral, de codo o de partida (
C
!.
'a tensin um#ral (tam#in llamada #arrera de potencial! de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de car"a espacial del
diodo no polarizado. ,l polarizar directamente el diodo, la #arrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
li"eramente, alrededor del 1D de la nominal. *in em#ar"o, cuando la
tensin e(terna supera la tensin um#ral, la #arrera de potencial
desaparece, de forma que para peque&os incrementos de tensin se
producen "randes variaciones de la intensidad.
5orriente m1(ima (I
ma(
!.
0s la intensidad de corriente m1(ima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto -oule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende so#re todo del dise&o del mismo.
5orriente inversa de saturacin (I
s
!.
0s la peque&a corriente que se esta#lece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-/ueco de#ido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 1+E en la
temperatura.
5orriente superficial de fu"as.
0s la peque&a corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa!, esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial
de fu"as.
<ensin de ruptura (
r
!.
0s la tensin inversa m1(ima que el diodo puede soportar antes de
darse el efecto avalanc/a.
<ericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir1 la corriente
inversa de saturacin> en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin a#rupta la ruptura se de#e al efecto
avalanc/a> no o#stante /a% otro tipo de diodos, como los 9ener, en los que la
ruptura puede de#erse a dos efectos=
0fecto avalanc/a (diodos poco dopados!. 0n polarizacin inversa se
"eneran pares electrn-/ueco que provocan la corriente inversa de
saturacin> si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su ener"a cintica de forma que al c/ocar con
electrones de valencia pueden provocar su salto a la #anda de
conduccin. 0stos electrones li#erados, a su vez, se aceleran por efecto
de la tensin, c/ocando con m1s electrones de valencia % li#er1ndolos a
su vez. 0l resultado es una avalanc/a de electrones que provoca una
corriente "rande. 0ste fenmeno se produce para valores de la tensin
superiores a F .
0fecto 9ener (diodos mu% dopados!. 5uanto m1s dopado est1 el
material, menor es la anc/ura de la zona de car"a. 7uesto que el campo
elctrico 0 puede e(presarse como cociente de la tensin entre la
distancia d> cuando el diodo est mu% dopado, % por tanto d sea
peque&o, el campo elctrico ser1 "rande, del orden de 3G1+
4
Hcm. 0n
estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia increment1ndose la corriente. 0ste efecto se
produce para tensiones de I o menores.
7ara tensiones inversas entre I % F la ruptura de estos diodos especiales,
como los 9ener, se puede producir por am#os efectos.
J8D0'8* J,<0JK<I58*=
0l modelo matem1tico m1s empleado es el de */ocLle% (en /onor a Milliam
Nradford */ocLle%! que permite apro(imar el comportamiento del diodo en la
ma%ora de las aplicaciones. 'a ecuacin que li"a la intensidad de corriente % la
diferencia de potencial es=

= )
@ nKT
qV
S
e I I
Donde=
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo %
D
la
diferencia de tensin entre sus e(tremos.
I
*
es la corriente de saturacin
q es la car"a del electrn
< es la temperatura a#soluta de la unin
L es la constante de Noltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de
fa#ricacin del diodo % que suele adoptar valores entre 1 (para el
"ermanio! % del orden de O (para el silicio!.
0l trmino
<
P L<Hq P <H11F++ es la tensin de#ida a la temperatura,
del orden de OF m a temperatura am#iente (3++ Q O2 E5!.
8<68* <I78* D0 DI8D8* *0JI58;DU5<860*=
Diodo avalanc/a
.otodiodo
Diodo Runn
Diodo l1ser
Diodo '0D
Diodo p-i-n
Diodo *c/ottL%
Diodo */ocLle% (diodo de cuatro capas!
Diodo tnel
Diodo aractor
Diodo 9ener
IV. (%TE"I%) * E+#I&O
1. Un Jultmetro di"ital.
'os multmetros di"itales se identifican principalmente por un panel
numrico para leer los valores medidos, la ausencia de la escala que es
comn en los anal"icos.
'o que si tienen es un selector de funcin % un selector de escala (al"unos
no tienen selector de escala pues el 8J la determina autom1ticamente!.
,l"unos tienen en un solo selector central.
0l selector de funciones sirve para esco"er el tipo de medida que se
realizar1.
Jultmetro Di"ital=
Jarca= .luLe
;E de serie= FIF?+IO?
O. Un Jiliampermetro % un Jicro ampermetro

3. Una .uente de 5orriente 5ontinua aria#le
I. Un oltmetro de c.c.
4. 5a#les % conectores.
'os ca#les cu%o propsito es conducir electricidad se fa#rican "eneralmente de
co#re, aunque tam#in se utiliza el aluminio, % suelen estar rodeados de un
material aislante con el propsito de prote"er el material % evitar el ries"o de
electrocucin.
0n las aplicaciones corrientes slo se emplean ca#les sin recu#rimiento
protector cuando es imposi#le un contacto accidental con ellos (lneas areas
por e$emplo!.
F. 6esistencia de 1++ S.
*e denomina resistencia elctrica, 6, a una serie de elementos, que
comienzan de una sustancia, a la oposicin que encuentra la corriente
elctrica para recorrerla. *u valor viene dado en o/mios, se desi"na con la
letra "rie"a ome"a ma%scula (S!, % se mide con el :/metro.
2. Un Diodo *emiconductor de *I % uno de R0

Di#d# de &ilici#. Di#d# de ger5ani#
V. PROCEDIMIENTO:
1. Usando el 8/mimetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo.
6e"istrar los datos en la ta#la 1.
O. ,rmar el circuito de la fi"ura 1.
a. ,$ustando el volta$e con el potencimetro, o#servar % medir la corriente % el
volta$e directo del diodo, re"istrar sus datos en la ta#la O.
#. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,
proceder como en a!, re"istrando los datos en al ta#al 3.
<,N', 1(*i!
6 directa(S! 6 inversa(S!
?2I T I+J S
<,N', O=
cc(.! +.4 +.F +.2 +.2O4 +.? +.U 1.OO4 1.4O4 1.2 1.?24 O.O O.2
Id(m,.! +.1 +.O +.I +.? 1.F O.4 4.+ ?.+ 1+.+ 1O.+ 14.+ O+.+
d(v.! +.I?I +.41F +.4I2 +.42U +.F13 +.F3I +.FFF +.F?? +.FU? +.2+4 +.214 +.2OU
<,N', 3=
cc(.! +.+ O.+ I.+ F.+ ?.+ 1+.+ 1O.+ 14.+ O+.+
d(.! +.++F O.+2U I.+?4 F.O3 ?.OF 1+.+4 1O.1O 14.O2 O+.OU
Id(

,.! + + + + + + + + +
3. Usando el o/mimetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de
Rermanio.6e"istrar los datos en la ta#la I.
<,N', I (Re!
6 directa (S! 6 inversa(S!
3I2.U 1O.1FQ S
I. 6epetir el circuito de la fi"ura 1 para el diodo de Rermanio, de manera
similar al paso O, proceder a llenar las ta#las 4 % F.
<,N', 4=
cc(.! +.1O4 +.O +.OF +.34 +.I4 +.4F +.U 1.O 1.3F 1.F 1.U O.I
Id(m,.! +.1 +.O +.I +.? 1.F O.4 4.+ ?.+ 1+.+ 1O.+ 14.+ O+.+
d(v.! +.14O +.12F +.O+2 +.O3U +.O2F +.OUU +.3I+ +.321 +.3?F +.3UU +.I1F +.I3F
<,N', F=
1cc61.8 '.' ).' 2.' ,.' /.' 0.' )'.' )2.' )(.' )0.' 2'.'
1d61.8 ' '.**0 ).*00 ;.*0 (.** +.*0 *.*( )).*, ),.** )0.', 2'.'2
Id6

A.8 ' '.) '.) '.) '.)( '.)( '.)/ '.)/ '.)0 '.2 '.2
C#ESTIO!%"IO ,I!%)
). !#n&tr.ir el graAic# Id B A 61d8 c#n l#& dat#& de la& ta-la& 2 y ;. 6Si.8
!alc.lar la re&i&tencia din35ica del di#d#.
( )
( ) )
)

=
n d dn
n d dn
dn
I I
V V
r
!alc.land# la re&i&tencia din35icaC
TABLA 2:
cc(.! +.4 +.F +.2 +.2O4 +.? +.U 1.OO4 1.4O4 1.2 1.?24 O.O O.2
Id(m,.! +.1 +.O +.I +.? 1.F O.4 4.+ ?.+ 1+.+ 1O.+ 14.+ O+.+
d(v.! +.I?I +.41F +.4I2 +.42U +.F13 +.F3I +.FFF +.F?? +.FU? +.2+4 +.214 +.2OU
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TABLA 3:
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d(.! +.++F O.+2U I.+?4 F.O3 ?.OF 1+.+4 1O.1O 14.O2 O+.OU
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!alc.lar la re&i&tencia din35ica del di#d#.
( )
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n d dn
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V V
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!alc.land# la re&i&tencia din35icaC
TABLA 5:
cc(.! +.1O4 +.O +.OF +.34 +.I4 +.4F +.U 1.O 1.3F 1.F 1.U O.I
Id(m,.! +.1 +.O +.I +.? 1.F O.4 4.+ ?.+ 1+.+ 1O.+ 14.+ O+.+
d(v.! +.14O +.12F +.O+2 +.O3U +.O2F +.OUU +.3I+ +.321 +.3?F +.3UU +.I1F +.I3F
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TABLA 6:
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1d61.8 ' '.**0 ).*00 ;.*0 (.** +.*0 *.*( )).*, ),.** )0.', 2'.'2
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*0 . ; ** . (

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) . ' ) . '
*00 . ) *0 . ;

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**0 . ' *00 . )

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r

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r
G
Para EC
' . ' ) . '
' **0 . '

=
dn
r

**0 =
dn
r
3. Interpretar los datos o#tenidos en las ta#las.
7ara am#os casos (diodo de silicio % diodo de "ermanio! se dan dos
situaciones cuando se encuentran polarizados directamente e
inversamente.
5uando se encuentran polarizados directamente la resistencia
din1mica es peque&a por lo que se comportara como un circuito
cerrado de$ando que flu%a la corriente.
5uando se encuentran polarizados inversamente la resistencia
din1mica es "rande por lo que se comportara como un circuito
a#ierto impidiendo el paso de la corriente.
CONCLUSIONES:
Un di#d# "er5itir3 la c#nd.ccin de c#rriente c.and# &e enc.entra "#lari:ad#

directa5ente. Se c#5"#rtara c#5# .n circ.it# cerrad#.
Un di#d# i5"edir3 la c#nd.ccin de c#rriente c.and# &e enc.entre "#lari:ad#
in4er&a5ente. Se c#5"#rtara c#5# .n circ.it# a-iert#.
VII) BIB)IOG"%,$%
H http://www.unicrom.com
H http://es.wikipedia.org
H Gua para mediciones electrnicas y prcticas de laboratorio.
Stanley Wolf y ichard Smith.