UNIVERSIDAD DE TARAPAC

Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Informe de Laboratorio Electrnica I

EXPERIENCIA
N
TTULO EXPERIENCIA
2 Amplificador BJT



Apellidos, Nombre Alumnos OBSERVACIONES
1.-Jensen, Boris
2.-Kukulis, Stavros


FECHA REALIZACION
25 / 11 / 2009
FECHA ENTREGA ASIGNATURA
04 / 12 / 2009 Electrnica I
PROFESOR: NOTA
Sr. Ramn Guirriman




GRUPO: 3
Indice

1.- Objetivos: El presente informe tiene como objetivo principal exponer la
actividad realizada en el laboratorio N2 de electrnica I, el cual esta dirigido a
interiorizar el comportamiento de un amplificador BJT frente a seales de
corriente continua y alterna.
2.- Introduccin
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador, entre otras. Actualmente se los
encuentra prcticamente en todos los artefactos domsticos de uso diario:
radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de
microondas, lavadoras, automviles, computadoras, calculadoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3,
celulares, etc
Fue el sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o trodo, el
transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William
Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica
en 1956.
En esta ocasin, se experimentara con el transistor de unin bipolar, o BJT por
sus siglas en ingls. En primer lugar cabe sealar ciertas caractersticas fsicas
de este tipo de transistor, el cual se fabrica bsicamente sobre un monocristal
de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP.
El transistor BJT, generalmente es usado como amplificador, en esta ocasin
tanto experimentalmente como tericamente ser analizado segn esta
aplicacin.
Por otra parte existen 3 distintas configuraciones con las cuales se puede
conectar un transistor para utilizarlo como amplificador, emisor comn, base
comn o colector comn. Durante este informe ser estudiada la configuracin
con emisor comn.
Se ha encontrado que el amplificador EC (emisor comn) posee ganancias de
tensin y de corriente significativas con altas impedancias de entrada y salida.
La impedancia de entrada alta es deseable, pero la impedancia de salida alta
tiene algunos problemas. El EC se utiliza ms para amplificacin de tensin.
3.- Componentes e Instrumentacin

INSTRUMENTO
CANTIDAD INSTRUMENTO MODELO SERIE(*)
1 Generador de funciones digital GW Instek GFG-8016G 52
1 Multimetro GW Instek GDM-8145 02
1 Osciloscopio digital Tektronix TDS1012B 17

COMPONENTES
CANTIDAD COMPONENTE CARACTERISTICAS FSICAS
1 Transistor BC548 Especificado en datasheet*
1 Condensador Electroltico 100uF
1 Condensador Electroltico 10uF
1 Resistencia 150 watt, 5% de tolerancia
1 Resistencia 1 K watt, 5% de tolerancia
3 Resistencia 3.3 K watt, 5% de tolerancia
1 Resistencia 20 K watt, 5% de tolerancia
2 Resistencia 10 K watt, 5% de tolerancia
1 Protoboard
*Anexo al Final del Informe


4.- Experiencia

4.1.- Anlisis Previo.
Previo a la experiencia del laboratorio se realizo un anlisis terico y simulado
del comportamiento del amplificador BJT (figura 4), calculando as la corriente
de base, de colector y emisor utilizando el mnimo y mximo indicado en el
datasheet. A su vez se calculo parmetros de inters, como la ganancia de
voltaje, de corriente, impedancia de entrada y de salida.
Tambin se estimo la amplitud mxima de entrada para que la seal de salida
no se distorsionara.
4.1.1.- Anlisis terico en continua.
Los condensadores ante una seal continua se comportan como circuito
abierto, por lo cual el circuito equivalente es el siguiente:
Fig 4.- Esquemtico Amplificador BJT

Fig 4.1.1.- Circuito equivalente en continua

Aplicando el teorema de thevenin en la entrada del circuito tenemos que:

(1)

(2)
Luego al reemplazar los valores del circuito en (1) y (2) se tiene que:
R
th
= 6.67K y V
th
= 4V
Posteriormente aplicando L.V.K se obtienen las siguientes relaciones:
Considerando que:

(3)
Malla de entrada:

(4)
Malla de salida:

(5)
Nota: R
et
= R
e
+ R
e1

En este transistor el valor de varia entre 110 y 800, por lo cual procederemos
a calcular las variables para estos dos valores.
I
BQ
A I
CQ
mA V
CE
V
110 8.4 0.93 5.72
800 1.19 0.95 5.56

Luego de realizar los clculos pertinentes para distintos valores de , podemos
observar que tanto para la corriente de colector y la tensin colector-emisor lo
valores no difieren entre ellos mas all de un 10%, por lo que se estima que el
circuito esta diseado para ser independiente de beta. Esta configuracin para
polarizar un transistor es conocida como Polarizacin mediante divisor de
voltaje.
Por otra parte, tericamente tambin se puede estimar el parmetro hibrido h
ie
el cual posee este amplificador.

Para un = 110

K





4.1.1.1.- Recta de carga en continua:
En esta ocasin la recta de carga en continua esta dada por la ecuacin (5),
considerando:
Cuando I
c
=0 V
ce
= V
cc
= 12V
Cuando V
ce
= 0

= 1.77 mA

4.1.2.- Anlisis terico en alterna
En primer lugar se proceder a analizar la recta de carga en alterna del
amplificador BJT para posteriormente realizar el modelo a pequea seal de
este.
4.1.2.1.- Recta de carga en alterna:

(6)



Fig 4.1.1.1.- Recta de carga de salida en continua.

V_Vce
0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V 11V 12V 13V 14V 15V
Ic(Q2) (12-V(c,e))/(3.3k+3.3k+150)
0
0.5m
1.0m
1.5m
2.0m
2.5m
3.0m
Fig 4.1.2.1.- Recta de carga de salida en alterna.

V_Vce
0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V 11V 12V 13V 14V 15V
Ic(Q2) 0.93m-(V(c,e)-5.72)/(2.63k)
0
0.5m
1.0m
1.5m
2.0m
2.5m
3.0m
4.1.2.2.- Anlisis a pequea seal.
A la frecuencia de trabajo de la fuente sinusoidal los condensadores se
comportan como corto circuito. Luego el modelo hibrido equivalente es:

Nota:
R
12
= R
th
= 6.67K
h
ie
= 4.33K
R
E
= 150
R
C
= 3.3K
R
L
= 10K
V
s
=V
g

R
s
=R
g


Impedancia de entrada:

Impedancia de salida:

Ganancia de voltaje:
La ganancia de voltaje A
V
esta dada por:

Fig 4.1.2.2.- Modelo equivalente en pequea seal

Ganancia de corriente:

4.1.3.- Excursin simtrica mxima
Antes de analizar el valor de amplitud mxima de entrada para que no se
produzca distorsin en la seal de salida, se dispondr a determinar la
interseccin entre ambas rectas de carga. Simulando en pspice la recta de
carga en continua y alterna simultneamente. En la cual se muestra en la figura
4.1.3.

Observaciones:
Al observar la simulacin, se aprecia que el punto de operacin se encuentra
en la zona activa, el cual es (5.7V,0.9mA), cuyo valor es cercano al calculado
tericamente.
Amplitud mxima:
Observando las rectas de carga tanto en continua como en alterna,
considerando el voltaje de saturacin del transistor de 0.2V, se aprecia que V
ce

puede variar entre (5.72-0.2) = 5.7, hasta (8.12-5.72)=2.4.
Fig.4.1.3.- Rectas de carga de salida.

V_Vce
0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V 11V 12V 13V 14V 15V
IC(Q2) (12-V(c,e))/(3.3k+3.3k+150) 0.93m-(V(c,e)-5.72)/2.63k
0
1.0m
2.0m
3.0m
4.0m
(5.7208,930.257u)
(8.1200,17.452u)
La menor diferencia entre estas es de 2.4, es decir la mxima seal de salida
simtrica entregada por el amplificador es de 2.4V= V
0max
.
Dado que:

Por lo cual la amplitud mxima que puede entregar la fuente seria:

Asumiendo que la corriente I
in
=I
b
8.4A

se tiene que:
Vg 157mV
Este valor es terico, naturalmente, pero pueden haber discrepancias con lo
prctico, especialmente porque en la teora se asume que la caractersticas
estticas son homogneas independientemente del punto de operacin

4.2.- Anlisis practico.
4.2.1.- Clculos experimentales
Antes de implementar el circuito amplificador, se procedi a realizar la medicin
de cada resistencia utilizada para as realizar clculos ms cercanos
a la realidad.

Haciendo referencia a la gua, cabe sealar que efectivamente si se puede
medir I
BQ
indirectamente, mediante ley de Ohm, cuyo proceso se realizo
anteriormente en forma terica.
Al tener a disposicin un multmetro, se dispuso a medir la tensin en la
resistencia de colector.
Tabla 4.2.1.- Valores reales resistencias
Resistencias Valor Nominal (K) Valor Real (K)
R
1
20 21.7
R
2
10 9.88
R
G
3.3 3.28
R
E
0.150 0.149
R
E1
3.3 3.2
R
C
3.3 3.31
R
L
10 9.92

Luego de la tabla 4.2.1, la cual muestra los valores reales de las resistencias,
tenemos que la resistencia de colector cuyo valor nominal es 3.3K, realmente
es de 3.31K, pese a la similitud de este valor, es necesario realizar estas
comprobaciones experimentales, para obtener resultados reales. Por ley de
Ohm tenemos que:

Posteriormente, se repite el proceso para calcular la corriente de emisor,
mediante la medicin de la tensin de emisor, la cual es:

Nuevamente por la ley de Ohm usando la resistencia medida tenemos que:

Luego, para conocer la magnitud de I
BQ
tenemos que:

Reordenando y reemplazando valores,

Por lo que se calculo el valor de I
BQ
indirectamente.
Adems, se puede estimar el valor de con el cual esta trabajando el circuito,
de la siguiente relacin:

Para el anlisis de pequea seal de nuestro circuito, podramos estimar el
valor de r

(= h
ie
). De la siguiente relacin

,

Luego:

Observaciones:





4.2.2.-Barrido en frecuencia
Al medir la ganancia de voltaje a distintas frecuencias, se podr estimar el ancho de banda, del
amplificador, cuyos valores se encuentran en al tabla 4.2.2.







Con estos datos medidos, se dispuso realizar un grafico que nos permitiera visualizar el ancho
de banda (BW) de la ganancia de tensin.


Observaciones:
En primer lugar, cabe sealar que si experimentalmente se pudiera obtener mayores valores
de frecuencia, tendramos un valor en el cual la ganancia de tensin vuelve a cero. Adems se
aprecia que aproximadamente que el ancho de banda se encuentra entre 100hz y 100Khz, en
el cual la ganancia de tensin se mantiene constante en 15.
Tabla 4.2.2.- Barrido en frecuencia ganancia de voltaje
f A
V

1hz 0
10 Hz 10
100 Hz 15
1 KHz 15
10 KHz 15
100 KHz 15
1 MHz 11

Fig.4.2.2.- Barrido en frecuencia


0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0.1 1 10 100 1000 10000 100000 1000000
A
v

Hz
Tabla 4.2.3.- Excursin simtrica mxima
Am (mV) amplitud de
entrada
Amplitud de salida V
0
Distorsin
132 1.5 V NO
152 1.8 V NO
204 2.2 V NO
210 - Arriba
250 - Arriba
700 - Arriba-abajo

Para poder tener una mejor apreciacin de la respuesta en frecuencia de nuestro amplificador,
se procedi a realizar una simulacin de esta, obteniendo lo siguiente.

4.2.3.- Excursin simtrica mxima
Anteriormente, en forma terica se estimo la amplitud mxima de la seal de
entrada para que la seal de salida no se distorsionara, para encontrar tambin
de forma experimental este valor, se fue variando a la fuente de entrada su
amplitud mxima, para posteriormente observar en el osciloscopio en que valor
se apreciaba una distorsin de la seal d salida.
Estos datos se reflejan en la tabla siguiente.




Fig.4.2.2.- Barrido en frecuencia Pspice

Frequency
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
V(out) / V(in)
0
5
10
15
ANCHO DE BANDA