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EL DIODO SEMICONDUCTOR

EL DIODO SEMICONDUCTOR
DIODO DE POTENCIA
(DISCO DE HOCKEY)
DIODO DE MEDIANA POTENCIA
(MONTADO EN PERNO)
TIPOS DE DIODOS
DIODOS PARA
CIRCUITO IMPRESO
DIODO DE MEDIANA POTENCIA
MONTAJE EN PERNO
DIODO PARA TECNOLOGÍA SMD
DIODO DE POTENCIA
MONTAJE EN PERNO
DIODO DE POTENCIA
(DISCO DE HOCKEY)
DIODO DE POTENCIA
( EN PACK)
SÍMBOLO DEL DIODO Y SU ESPECIFICACIÓN TÉCNICA
ESPECIFICACIÓN TÉCNICA DE UN DIODO:
Código del fabricante o
Corriente / PIV
Ejemplo:
Un diodo 1N4007
Un diodo de 1 Amperio/1000 Voltios
ALESSANDRO VOLTA
El Anodo es abreviado como A
El Cátodo es abreviado como K
Símbolo del Diodo y encapsulado
Diodos
El diodo es un dispositivo de dos
terminales
Un diodo ideal conduce en
una sola dirección
TIPO DE ENCAPSULADO DE DIODOS
La línea indica el
cátodo
TIPO DE ENCAPSULADO DE DIODOS
BAJA POTENCIA
TERMINAL AXIAL
MEDIANA
POTENCIA
MONTAJE EN
PERNO
ALTA POTENCIA
DISCO DE HOCKEY
Materiales Semiconductores
Los materiales comunmente usado en los
dispositivos semiconductores son:
• Silicio (Si)
• Germanio (Ge)
• Arseniuro de Galio (GaAs)
Dopaje
Las características del Silicio y Germanio son mejoradas agregando
materiales en un proceso llamado Dopaje.
Esto origina dos tipos de materiales semiconductores.
Tipo N
Tipo P
• Los materiales tipo N se forman dopando al Silicio con átomos
pentavalentes como el Antimonio, Arsénico o Fósforo.
El material tipo N contienen un exceso de electrones .
. Los materiales tipo P se forman dopando al Silicio con átomos
trivalentes como el Boro, Galio o el Indio.
El material tipo P contienen un exceso de huecos .
ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR
Los átomos de los
materiales
semiconductores forman
una red cristalina
uniforme
Los cuatro electrones de la capa
exterior del silicio se llaman
electrones de valencia.
No hay electrones libres como en
los conductores.
Al calentar el cristal de
silicio se rompen los
enlaces y aparecen
electrones libres.
El lugar dejado por un
electrón se llama hueco,
EFECTO DE LA TEMPERATURA EN EL CRISTAL DE
SILICIO
DOPADO O CONTAMINACIÓN DEL SILICIO
Introducimos átomos de
arsénico ( pentavalente ) y hay
un electrón de mas. Se ha
formado el silicio tipo N
Introducimos átomos de indio
( trivalente ) y falta un
electrón, se ha formado un
hueco y se obtenido el silicio
tipo P.
Al unirse el silicio N con el P,
los electrones del N se
combinan con los huecos del
P , dando lugar a una zona
exenta de portadores.
Esta zona sin portadores se
llama barrera de potencial y
vale entre 0,5 V a 0,8 V.
PROCESO DE DIFUSIÓN
POLARIZACION DE LA JUNTURA PN
Si se aplica tensión + al
silicio N y negativa al
silicio P (polarización
Inversa) la barrera de
potencial se ensancha y no
hay flujo de portadores.
Si se aplica tensión + al silicio
P y negativa al silicio N
(polarización directa), la
barrera de potencial se reduce
y existe flujo de portadores.
J UNTURA PN
Un material de silicio o germanio tipo P se puede unir
con otro material tipo N.
El resultado es una JUNTURA PN.
ESTRUCTURA DEL DIODO Y SU SÍMBOLO ESQUEMÁTICO
Juntura PN
Estructura básica del diodo
Contacto metálico y
terminales
Símbolo esquemático
Ánodo(A)
Cátodo(K)
CONEXIONES EN´POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA
Polarización directa Polarización inversa
EL DIODO CONDUCE CORRIENTE EN UNA SOLA
DIRECCIÓN
Constantes
• Diodo de Silicio: V
D
= 0.7 V
• Diodo de Germanio: V
D
= 0.3 V
Análisis ( Para diodo de Silicio )
• V
D
= 0.7 V (o V
D
= E si E < 0.7 V)
• V
R
=E – V
D
• I
D
=I
R
=I
T
=V
R
/ R
Polarización Directa
I
D
I
R
Condiciones de operación del Diodo
El diodo se comporta, idealmente,
como un cortocircuito.
El diodo se comporta,
idealmente, como un circuito
abierto.
Análisis
• V
D
=-E
• V
R
= 0 V
• I
D
= 0 A
Polarización Inversa
Condiciones de operación del Diodo
I
D
EN EL SIGUIENTE CIRCUITO :
LA LECTURA DE LOS VOLTÍMETROS ES :
V1 = 10V
Vo = 9,3 V
V diodo =
0,7 V
EN EL SIGUIENTE CIRCUITO :
LA LECTURA DE LOS VOLTÍMETROS ES :
V1 =
10V
Vo = 0 V
Vdiodo = 10V
CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO
Polarización
directa
Polarización
inversa
1
T K
V q
Is I 
Donde:
I = Corriente en el diodo (Amperios)
Is = Corriente inversa de saturación (Amperios)
q = carga del electrón =
19
10 602 , 1 x
Coulombs
V = tensión aplicada al diodo (Voltios)
K = Constante de Boltzman =
23
10 38 , 1 x
Wattio-segundo/ºC
T = temperatura absoluta en ºK
ECUACION DE BOLTZMANN
LUDWING BOLTZMANN
Curva característica del Diodo
Observe las regiones :
Sin polarización,
polarización directa y
polarización inversa.
Cuidadosamente observe
las escalas para cada una
de estas condiciones.
REAL PARA EL
SILICIO
TEÓRICO
VERIFICANDO EL ESTADO DE UN DIODO
Para verificar el estado de un diodo usando el multímetro
digital en la función diodo, debemos recordar que en esta
función el multímetro aplica un voltaje determinado a los
terminales del diodo bajo prueba.
Con el multímetro digital en
la función diodo; un diodo
en buenas condiciones
mostrará aproxidamente 0,7
V o 0.6 V, al estar polarizado
directamente.
En polarización inversa, el
multímetro digital mostrará
el voltaje total de prueba o
las letras OL o parpadeará.
Diodo en polarización
inversa
Diodo en polarización
directa
PRUEBA DE UN DIODO USANDO EL MULTIMETRO DIGITAL
Prueba de un Diodo Semiconductor
• Arseniuro de Galio 1.2 V
• Diodo de Silicio 0.7 V
• Diodo de germanio 0.3 V
Los multímetros digitales tienen una función para probar
diodos .
Para probar un diodo, éste debe encontrarse fuera del
circuito.
Un diodo, en condiciones normales muestra
aproximadamente los siguientes niveles de voltajes:
TRANSFORMADOR DE ACOPLAMIENTO DE ENTRADA
Los Transformadores son usados para cambiar el voltaje y
producir aislamiento..
La relación de vueltas del primario al secundario determina el
voltaje de salida con respecto al de entrada.
Al no haber conexión directa entre los bobinados primario y
secundario, ello evita que los riesgos del primario pasen al
circuito secundario.
DIAGRAMA EN BLOQUES DE UN RECTIFICADOR Y
UNA FUENTE DE ALIMENTACIÓN CON SU CARGA
220V,60Hz
Voltaje rectificado de
media onda
220V,60Hz
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Voltaje filtrado Voltaje regulado
FUENTE DE ALIMENTACIÓN COMPLETA, CON
RECTIFICADOR, FILTRO Y REGULADOR
CIRCUITO DE UN RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Durante el semiciclo positivo, el diodo está polarizado directamente y conduce, la tensión en
RL es igual a la tensión de entrada.
Durante la alternancia negativa, el diodo está polarizado inversamente, no
conduce, por lo tanto la tensión en RL es 0.
Forma de onda del voltaje en RL para tres ciclos de la onda de entrada
OPERACIÓN BÁSICA DE UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON DERIVACIÓN CENTRAL.
OBSERVE QUE LA CORRIENTE EN LA CARGA (RL) CIRCULA EN LA MISMA DIRECCIÓN DURANTE
AMBOS SEMICICLOS DE LA ONDA DE ENTRADA, POR LO TANTO EL VOLTAJE DE SALIDA TIENE
LA MISMA POLARIDAD
Durante el semiciclo positivo, D1 está polarizado directamente y D2 está polarizado inversamente.
Durante el semiciclo negativo, D1 está polarizado inversamente y D2 está polarizado directamente.
OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
EL DIODO PUENTE DE GRAETZ
SÍMBOLOS
ASPECTO FÍSICO
PRUEBA DEL DIODO PUENTE DE GRAETZ
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE
ORDEN DE CONDUCCIÓN DE LOS DIODOS DURANTE
EL SEMICICLO POSITIVO
FORMA DE ONDA DURANTE
EL SEMICICLO POSITIVO
ORDEN DE CONDUCCIÓN DE LOS DIODOS
DURANTE EL SEMICICLO NEGATIVO
FORMA DE ONDA DE ENTRADA Y DE SALIDA EN
UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE 9 VOLTIOS DC
CONSTITUCIÓN INTERNA DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN
DE 9 VOLTIOS DC
CIRCUITO ELÉCTRICO BÁSICO
ANDRÉ MARIE AMPÉRE
DEMOSTRANDO LOS NIVELES DE CORRIENTE POR EFECTO
DEL CORTOCIRCUITO
I = V/R
EJEMPLOS DE CORTOCIRCUITOS
DATASHEET DEL DIODO 1N4007
DATASHEET DEL DIODO 1N4007
DATASHEET DEL DIODO 1N4007
DIODO POLARIZADO DIRECTAMENTE E INVERSAMENTE
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CIRCUITO PARA OBTENER LA CURVA CARACTERÍSTICA DE
UN DIODO SEMICONDUCTOR
APLICACIONES DEL DIODO
EL DIODO PUENTE DE GRAETZ
THE END