Problemas para III previo “Física del Estado Sólido”2013

TEMAS:







Teoría cuántica de electrones libres en metales. Energía de Fermi
Movimiento de una partícula en un potencial periódico. Ondas de Bloch.
Bandas energéticas en los cristales. Metales y dieléctricos
Función de trabajo y nivel de Fermi. Unión de dos metales
Superconductividad
Espectros energéticos en las bandas de valencia y de conducción. Electrones y huecos. Masas efectivas
Impurezas donadoras y aceptadoras, Semiconductores intrínseco extrínsecos
Semiconductores extrínsecos n- y p- tipo. Efectos fotoeléctricos. Uniones semiconductoras (diodos).

FORMULAS
k B  1.38  1023 J K ; me  9.1  1031 kg ; 1eV  1.6  1019 J ; h  6.626  10 34 J  s; EF  0  

  V  EF ; U i  EF (2)  EF (1)

N e  2 2 me * kT

2

32

e

e ; Ue 

 E g  EF

kT



(2)

  (1)

; N h  2 2 mh * kT

3 n 
2m
2

2

23

;

e ;  k  x   eikxuk  x  ; uk  x  a   uk  x  ; m* 
2

32

e  EF

kT

; EF 

Eg
2

2

 E k
2

;E
2

2 2

k
;
2m *

m *
3
kT ln h
4
me *

PROBLEMAS Y PREGUNTAS
Teoría cuántica de electrones en metales. Energía de Fermi. Ondas de Bloch. Bandas energéticas. Metales y dieléctricos
1. Energía de Fermi para T  0K corresponde a la energía de los electrones: (A) promedia; (B) más baja; (C) que ocupan el nivel
más alto. Con el aumento de la temperatura la energía de Fermi: (D) crece; (E) baja; (F) no cambia
Respuestas (C, E)
2. Distribución de Fermi-Dirac para T  0K tiene forma (A) de un escalón; (B) suave; (C) monótona. Cuando temperatura crece
la distribución (D) se suaviza; se hace (E) mas abrupta; parecida a distribución de (F) Boltzmann; (G) Bose-Einstein
Respuestas (A, E,F)
3 Función de onda electrónica en los cristales es: (A) onda de De Broiglie; (B) onda de Bloch; (C) periódica; (D) no periódica, (E)
armónica; (F) Ninguno de los anteriores
Respuesta (B), (C)
4 ¿Cuales de las afirmaciones siguientes son correctas?. (A) Todos metales tienen el mismo nivel de Fermi. La posición de nivel
de Fermi en metales depende de (B) temperatura; (C) concentración de electrones libres; (D) volumen de material. (E) Ninguna
Respuesta (B), (C)
5. ¿Cuales de las afirmaciones siguientes son correctas. Con el aumento de la temperatura nivel de Fermi en metales: (A) sube, (B)
baja, (C) no cambia. Con el aumento de la concentración de los electrones nivel de Fermi en metales: (D) sube, (E) baja, (F) no
cambia. (G) Ninguna
Respuesta (B), (D)
6. Constante de la red de un metal es 0.4nm. Si cada átomo de este metal aporta a la banda de conducción un solo electrón la
energía de Fermi aproximadamente es: (A) 10eV; (B) 0.2eV; (C) 1eV; (D) 100eV, (E) 5eV (F) Ninguno
Respuesta (A)

a  0.4nm  4 1010 m; n  a 3  43 1030  1.6 1028 ; EF 
Solución.

 6.626 10 
34

8  9.87  9.1 10

2

3 n 
2m
2

32

h2
3 2 n
8 2 m

23

2

31

3  9.87 1.6 10 
28

23

 0.06*61*1019  3.66*10 18 ( J )  2.3eV

7. Onda de Bloch: describe en un cristal propagación de (A) onda electromagnética, (B) onda acústica, (C) un electrón, (D) un
hueco; puede tener el valor de número de onda k (E) cualquiera (F) solo positiva, (G) solo negativa, (H) restringida
Respuestas (C), (D), (H)
8. Para T=0 un metal en la banda de conducción (A) no tiene electrones; (B) tiene todos los niveles ocupados, (C) tiene niveles
ocupados por debajo del nivel de Fermi; (D) ocupados solo niveles superiores de nivel de Fermi, (E) solo electrones cercanos a
nivel de Fermi participan en la transferencia de carga y de la energía; (F) Ninguno
Respuestas (C), (E)
9. Para T=0 un semiconductor en la banda de conducción (A) no tiene electrones; (B) tiene todos los niveles ocupados, (C) tiene
niveles ocupados por debajo del nivel de Fermi; (D) ocupados solo niveles superiores de nivel de Fermi, y en la banda de valencia
(E) no tiene electrones; (F) tiene todos los niveles ocupados, (G) Ninguno
Respuestas (C), (E)
10. Para las temperaturas bajas la alta conductividad en metales se debe a: (A) el aumento del número de portadores de carga (B) la
alta movilidad de los electrones (C) el “congelamiento” de las vibraciones de la red cristalina (D) el incremento del recorrido libre
de los electrones. Para las temperaturas bajas el aporte en la capacidad calorífica de los metales dan (E) todos los electrones de la
banda de conducción, (F) todos los electrones de la banda de valencia, (G) solo una muy pequeña parte de los electrones con las
energías cercanas al nivel de Fermi
Respuestas (B, C, D, G)

11. Para T=0 en metales la banda de valencia esta ocupada (A) totalmente, (B) parcialmente o esta (C) vacía, y la banda de
conducción esta ocupada (D) totalmente, (E) parcialmente. En semiconductores la banda de valencia esta ocupada (F) totalmente,
(G) parcialmente, y la banda de conducción esta ocupada (H) totalmente, (I) parcialmente o (K) esta vacía Respuestas (A, E, F, K)
12. En aislantes la brecha entre bandas de valencia y de conducción (A) es pequeña, (B) grande, (C) contiene niveles discretos,
(D)es mas grande que en semiconductores, (D) es mas pequeña que en semiconductores, (F) Ninguno
Respuestas (B, D)
ik x
13, Si función de onda de un electrón en un cristal 1D con la constante de la red a es  k  x   e uk  x  , esta satisface
condiciones (A) uk  x  2a   uk  x  ; (B) uk  x  2a   uk  x  ; (C) uk  x  a   uk  x  ; (D) uk  x  a   uk  x  ; (E)

 a  k   a ;
(F) Ninguno
Respuestas (A, B, C, D, E)
14. Un cristal formado por átomos con un solo electrón en su capa superior, este material con mayor probabilidad es: (A) metal,
(B) semiconductor, (C) dieléctrico. La banda de valencia de este material es (D) totalmente vacía, (E) totalmente ocupada (F)
ocupada en 50%. La banda de conducción de este material es (G) totalmente vacía, (H) totalmente ocupada (I) ocupada en 50%
15. Calcúlese la energía para de Fermi un metal cuya constante de la red de es 0.3nm. (0.6pto) y utilícese este resultado para
graficar la curva de ocupación de niveles energéticos en la banda de conducción de este metal en función de la energía para
temperatura T=0°K. (0.2pto). Muéstrese a través de los gráficos como se modifica esta curva cuando la temperatura se aumenta
sucesivamente. (0.2pto)
Solución.
(a) a  0.3nm  3 1010 m; n  a 3  33 1030  3.7 1028 m3

34

2

6.626 10
23
h2
EF 
3 n  2 3 2 n 
3  9.87  3.7 1028
2m
8 m
8  9.87  9.1 1031
 0.06 106 1019  6.36*1019 ( J )  4eV
2

2

32

23

(b)

(c)

Función de trabajo y nivel de Fermi. Unión de dos metales
1. Si la energía de Fermi en un metal es de 7 eV y la barrera de potencial en la superficie es 9eV, entonces la función de trabajo es:
(A) 7eV; (B) 9eV; (C) 2eV; (D) 16eV; (E) 11eV; (F) Ninguno
Respuesta (C)
2. 18. Si la energía de Fermi en un metal es de 7 eV y la barrera de potencial en la superficie es 9eV, entonces el efecto
fotoeléctrico se puede observar cuando la longitud de onda es: (A) menor 141nm (B) mayor 141nm, (C) menor138nm, (D) mayor
138nm, (F) menor 621nm, (G) mayor 621nm
Respuesta (F)
34
8
c
hc
6.626 10  3 10
Solución V  9eV ; EF  7eV ; h  V  EF   

 6.21107 (m)  621nm

V W
2 1.6 1019
2. Considere una unión de dos metales (Fig. 1) con las concentraciones de electrones 6 1028 m3 y
4 10 28 m3 y las barreras de potencial externas V1  10eV y V1  9eV , respectivamente. Calcúlese (a)
las energías de Fermi en metales (0.3pto), (b) funciones de trabajo (0.3pto), potenciales de contacto, (c)
interno (0.2pto) y (d) externo (0.2pto)
Solución.
(a) EF (1) 

3 n 
2m
2

32

2

1

h2
8

2

3 n 
m
2

1

23

 6.626 10 
34

8  9.87  9.1 10

2

2

31

3  9.87  6 10 

6.626  1034
23
h2
EF 
3 n1
 2 3 2 n1

3  9.87  4  1028
2m
8 m
8  9.87  9.1  1031
(b) (1)  V1  EF (1)  10  5.44  4.56eV ; (2)  V2  EF (2)  9  4.2  4.8eV
2

(1)

2

32

(c) Ui  EF (2)  EF (1)

 e  1.24V : U   
e

(2)

 (1)

28

23

23

Fig. 1

 0.06 147 1019  8.7 *1019 ( J )  5.44eV

 0.06  112  1019  6.72 *10 19 ( J )  4.2eV

 e  0.24V


Superconductividad
1. Fenómeno de superconductividad consiste en: (A) disminución significativa de la resistencia a bajas temperaturas,
(B) desaparición de la resistencia para temperaturas inferiores de un umbrala y se debe a: (C) congelamiento de vibraciones de la
red cristalina, (D) formación de pares bosonicos de Cooper, (E) formación por pares de Cooper una onda de Broglie con una
longitud macroscópica, (E) ninguno
Respuesta (B, D, E)

2. En un superconductor pares de Cooper son (A) fermiones, (B) bosones, que tienen (C) la misma energía, (D) diferentes energías
y se forman por 2 electrones con espines (E) paralelos, (F) anti-paralelos, momentos lineales (G) similares, (H) opuestos cuyos
energías (I) muy bajas, (K) son cercanas a la energía de Fermi
Respuestas (B, C, F, H, K)
3. Superconductor es un (A) paramagnético, (B) ferromagnético, (C) diamagnético. Al bajar temperatura a valores inferiores de la
temperatura crítica campo magnético externo dentro de un superconductor (D) se incrementa, (E) disminuye (F) cambia su
dirección (G) se anula (H) Ninguno
Respuestas (C), (G)
4. Temperatura crítica Tc corresponde al (A) congelamiento o (B) destrucción de pares de Cooper. Cuando temperatura T se
incrementa pero se queda por debajo Tc , la brecha  T  en el espectro de un superconductor (C) crece, (D) no cambia (E)
decrece. Para T  Tc la brecha es (F) máxima, (G) se anula (H) Ninguno

Respuestas (B, E, G)

5. Campo magnético crítico Bc corresponde al valor del campo que (A) transforma un metal normal a superconductor, (B)
transforma un superconductor a metal normal, (C) destruye pares de Cooper, (D) logra penetrar en un superconductor. Cuando
temperatura T se incrementa pero se queda por debajo Tc el valor de Bc (E) se incrementa, (F) no se cambia, (G) decrece, (H) se
anula para T  Tc

Respuestas (B, C, D, G, H)

6. Efecto de superconductividad se observa: (a) para temperaturas bajas (T<Tc) o altas (T>Tc) (0.1pto), (b) para campos
magnéticos débiles (B<Bc) o fuertes (B>Bc) (0.1pto), (c) para corrientes débiles (j<jc) o fuertes (j>jc) (0.1pto), (d)¿ En que
consiste efecto de Meissner y porque superconductor se llama diamagnético ideal) (0.3pto)
Solución
(a) Para temperaturas bajas (T<Tc) (0.1pto), (b) para campos magnéticos débiles (B<Bc) (0.1pto), (c) para corrientes débiles
(j<jc) (0.1pto), (d) Efecto de Meissner no puede penetrar en superconductor

Bandas de valencia y de conducción. Electrones y huecos. Impurezas donadoras y aceptadoras,
Semiconductores intrínseco y extrínsecos. Semiconductores n- y p- tipo. Efectos fotoeléctricos. Uniones semiconductoras

1. El espectro en la banda de conducción de un semiconductor esta definido a través de la dependencia de la energía Ec del número
de onda k Ec (k )  1.2  2 k 2 me (eV ) y en la banda de valencia Ev (k )   2 k 2 3me (eV ) donde

me es la masa de electrón libre. Encuéntrese (a) el valor de la brecha

E g entre bandas de

conducción y de valencia (0.1pto), (b) masas efectivas de electrón y hueco me *, mh * (0.3pto); ) la
energía de nivel de Fermi para temperatura T  300K (0.4pto)
Solución
a) Eg  1.2eV ; b) me *  0.5me , mh *  1.5me
Eg

m *
m *
3
 kT ln h ; Eg  1.2eV ; kT  0.025eV ; h  3; EF  0.6  0.01875ln 3  0.62eV
2 4
me *
me *
energéticos de los huecos se ubican en (D) la banda de conducción, (E) banda de valencia (G) brecha entre ellos, (H) Ninguno
Respuestas (C, E)
2, La brecha entre bandas de conducción y de valencia Eg  0.5eV de un semiconductor intrínseco, masas efectivas de electrón y
EF 

hueco son me *  0.05me ; mh *  0.1me . La energía de nivel de Fermi para temperatura T  300K es: {A) 0.52eV, (B)
0.75eV, (C) 0.263eV (D) Ninguno
Respuesta (C)
Sol: EF 

Eg

m *
3
 kT ln h : kT  1.38 1023  300  4.14 1021 ( J )  0.026eV ; EF  0.25  0.75  0.026  ln 2  0.263eV
2 4
me *

3, Impurezas de un átomo de grupo V incorporadas en un semiconductor de grupo IV son (A) donadoras, (B) aceptadoras, y
transforman un semiconductor (C) intrínseco a extrínseco, (D) extrínseco a intrínseco, (E) en n-tipo, (F) en p-tipo, (G) Ninguno
Respuestas (A, C, E)
4. Impurezas de un átomo de grupo V incorporadas en un semiconductor de grupo IV forman unos niveles energéticos ubicados en
(A) banda de conducción, (B) banda de valencia; en la brecha (C)por debajo de banda de conducción (C) por arriba de banda de
valencia , (D) en la mitad de la brecha. Estos niveles son (E) poco profundos, (F) muy profundos, (G) Ninguno Respuestas (C, E)

k 2 me (eV ) y en la BV Eh (k )  3  2 k 2 me (eV ) donde me es la masa de
electrón libre. Encuéntrese (a) el valor de la brecha E g entre BC y BV (0.1pto), (b) masas efectivas de electrón y hueco
6.

El espectro en la BC es Ec (k )  0.7  5 

2

me *, mh * (0.2pto); c) la energía de nivel de Fermi para temperatura T  300K (0.2pto) y d) la longitud de onda EM
correspondiente al umbral del efecto fotoeléctrico de semiconductor intrínseco(0,2ptos)

Solución
a) Eg  0.7eV b

(0.1pto)

b) 2me *  me / 5 , me *  me / 10; 2mh *  me / 3  mh *  me / 6

EF 

c)
d) h

c

Eg

m *
m * 5
3
5
 kT ln h ; Eg  0.7eV ; kT  0.025eV ; h  ; EF  0.35  0.01875ln  0.36eV
2 4
me *
me * 3
3

 Eg   

hc 6.63 1034  3 108

 17.75 107  m   1775nm
Eg
0.7 1.6 1019

(0.2ptos)
(0.2ptos)
|(0.2pto)

7. Preguntas teóricas:
Para semiconductor en la base de cristal de Ge explíquese:
(a) ¿Qué tipo de impurezas hay que incorporar para obtener semiconductor tipo n y semiconductor tipo p, que tipo de portadores
de carga predominan en cada caso y porque? (0.3pto),
(b) En esquema de bandas de conducción y de valencia muéstrese ¿Dónde se ubican niveles energéticos de impurezas y niveles
de Fermi para T=0°K en cada caso? (0,3pto),
(c) ¿En que consisten procesos de ionización y recombinación en cada caso)? 0.3pto,
(d) ¿Qué procesos se realizan en el proceso fotoeléctrico en cada caso y porque este efecto se llama interno? 0.3pto
*) Cada pregunta vale 0.2ptos y puede tener 0,1 o 2 o más respuestas correctas.
1 Campo magnético débil puede penetrar dentro de (A) semiconductor, (B) aislante, (C) metal normal, (D)
A,B,C,E,
superconductor (E) paramagnético, (F) ferromagnético, (E) ningún material
F
2 Cuando la temperatura crece la resistencia eléctrica se incrementa en (A) semiconductor, (B) superconductor, (C)
D
aislante, (D) metal normal, (E) ningún material
3 Superconductor es (A) un metal con la resistencia muy pequeña, (B) un metal con la resistencia cero, (D)
B, D, G
diamagnético ideal, (E) paramagnético, (F) semiconductor, (G) un estado de metal para temperaturas por debajo la
temperatura crítica (H) un estado de metal para temperaturas superior a la temperatura crítica
4 En un semiconductor intrínseco: el nivel de Fermi para T=0°K está ubicado (A) en la banda de valencia (B) en la
C, H
banda de conducción, (C) en la mitad de la brecha entre BV y BC, (D) cerca de BC, (E) cerca de BV; El número de
electrones (F)es superior del número de huecos, (G) inferior, (H) igual
5 Los un semiconductor intrínseco los electrones están ubicados en (A) la brecha entre BC y BV, (B) en BC, (C) en
B, F
BV. Los huecos están ubicados en (D) la brecha entre BC y BV, (E) en BC, (F) en BV.
6 En un semiconductor n-tipo: el nivel de Fermi para T=0°K está ubicado (A) en la banda de valencia (B) en la banda D, F
de conducción, (C) en la mitad de la brecha entre BV y BC, (D) por debajo y cerca de BC, (E) por arriba y cerca de
BV; El número de electrones (F)es superior del número de huecos, (G) inferior, (H) igual
7. Si el semiconductor de Si está dopado por las impurezas de átomos de grupo V estas impurezas son (A) aceptadoras, B, D, E
(B) donadoras, transforman cristal de Si en un semiconductor (C) intrínseco, (D) extrínseco, (E) n-tipo, (F) p-tipo