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EL TRANSISTOR FET

Tania Yahaira Torres Jaramillo.


Universidad Politcnica Salesiana, Facultad de Ingeniera, Cuenca, Ecuador.
ttorresj1@est.ups.edu.ec
Abstract in this practice, was designed, calculated and
simulated circuits about the polarization of transistor JFET
and MOSFET, then to analyze correctly the functionality of
each polarization was necessary graph the characteristic curve
of Jfet and Mosfet, because in these ones was possible to
verify the for each polarization, the operation of point of
transistor and other parameters of Jfet and mosfet
Index Terms transistores Jfet , transistores de efecto de
campo, curva Shockley, mosfet

OBJETIVOS
1) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los
siguientes circuitos de polarizacin Jfet.

Polarizacin con fuente al Gate.

Polarizacin con resistencia de Source


(Autopolarizacin).

Polarizacin con divisor de tensin.

Polarizacin con fuente doble y

Polarizacin con Gate a tierra.


2) Realizar el circuito y la simulacin de la polarizacin
de los transistores mosfet incremental y decremental.
3) Explique porque se puede quemar un transistor JFet y
MosFet.

I.

MARCO TERICO

A) Transistor JFET

Fig1. Smbolo de los transistores JFET de canal N

Fig2. Smbolo de los transistores JFET de canal P

- Alta impedancia de entrada


- Se logran altas escalas de integracin en circuitos
integrados
- Se pueden utilizar como memorias digitales al almacenar
en su capacitancia informacin en forma de voltaje
- Se pueden utilizar como resistores controlados por voltaje
en la regin hmica de trabajo
- Su condicin de trabajo depende menos de la temperatura
que la del BJT
- Presentan la capacidad de manejar grandes corrientes
- Pueden conmutar a altas velocidades
- Son sensibles a la esttica
- No se pueden implementar amplificadores de voltaje con
una ganancia significativa
Funcionamiento :
El Principio de funcionamiento de los Transistores de
efecto de campo (Field Effect Transistor) FETS se sustenta
en controlar la cantidad de portadores de carga de una
regin de semiconductor denominada canal por medio de
un campo elctrico que se produce al aplicar un voltaje
entre la terminal denominada compuerta (Gate) y la
terminal denominada fuente (Source).

Fig5.
Fig4. Curvas caracterstica del transistor JFET
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para
caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la
representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se
aprecia claramente el paso de la regin de corte a la de
saturacin (Figura 6). En la prctica slo se opera en el
segundo cuadrante de la grfica, puesto que el primero
la VGS positiva hace crecer rpidamente IG.

Circuitos de Polarizacin del transistor JFET:

Fig3. Estados del transistor JFET de canal N


En cada uno de los tipos de JFET la polarizacin entre la
compuerta y la fuente debe ser tipo inverso permitindose
como valores limite 0 volts para disminuir la resistividad
del canal al mnimo y un voltaje denominado voltaje de
apagado para incrementar al mximo la resistividad del
mismo
Existe adems un voltaje mximo entre compuerta y fuente
que de excederse daara dielectricamente al dispositivo.
Para explicar el principio de funcionamiento de los JFET
nos referiremos a un JFET canal N en el cual inicialmente
se provoca mediante un corto circuito que el voltaje VGS =
0V. Bajo esta condicin se comienza a variar desde cero el
voltaje VDS lo cual provocar que la tensin entre las
terminales de drenaje y compuerta polaricen en forma
inversa la unin entre dichas terminales crendose un
campo elctrico que empobrece la cantidad de portadores
de carga entre estas dos terminales como se muestra en la
figura. Este empobrecimiento no ocurre hacia el terminal de
fuente debido a que el VGS = 0V.

*Configuracin de polarizacin fija

Fig5. Circuito polarizacin fija

Curvas caractersticas:

*Circuito de auto polarizacin:

Fig8. Circuito de auto polarizacin


2

Fig6. Circuito polarizacin por divisor de tensin

=
Cuando

entonces

B)

Transistor MOSFET

Caractersticas:

*Circuito de polarizacin pro divisor de tensin


Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor
(MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan
un campo elctrico para crear una canal de conduccin.
Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la
mayor parte de los circuitos integrados digitales se
construyen con la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal
N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS
El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Los ms usados son los MOSFET de canal N


La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con
mayor movilidad menores resistencias de canal en
conduccin

MOSFET decremental o de empobrecimiento

*Caractersticas y funcionamiento:
En tres sus principales caractersticas estan las similitudes
que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de
los JFET y de los MOSFET de tipo decremento permiten
un anlisis similar de cada uno en el dominio de Dc. La
diferencia ms importante entre los dos es el hecho de que
el MOSFET de tipo decremento permite puntos de
operacin con valores positivos de VGS y niveles de ID
que excedan lDSS.

La corriente que fluye por el transistor ingresa por la fuente


, este la conduce por un sustrato (regin tipo p ) que es un
canal angosto hasta llagar al drenador
A al izquierda hay una compuerta metlica llamada
graduador (aislante) , por ser el aislante la corriente en el
graduados es despreciable

MOSFET incremental o de enriquecimiento

*Caractersticas y funcionamiento:
Las caractersticas de transferencia del MOSFET de tipo
incremental son muy diferentes de las encontradas para el
JFET y los MOSFET de tipo decremental, pero se obtiene
una solucin grafica muy diferente a las encontradas en
secciones precedentes. Lo primero y quiz ms importante
es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de
canal-n, la corriente de drenaje es cero para aquellos niveles
de voltaje compuerta-fuente, menores que el nivel del
umbral VGS (Th)

Fig7. Smbolo MOSFET decremental o empobrecimiento


canal n
Fig10. Smbolo MOSFET incremental o enriquecimiento
canal n

Fig8. Smbolo MOSFET decremental o empobrecimiento


canal p
Fig11. Smbolo MOSFET incremental o enriquecimiento
canal p

Fig9. Grfico de funcionamiento MOSFET decremental


Fig12. Grfico de funcionamiento MOSFET incremental
Como se ve en la figura (10): los transistores mosfet de
empobrecimiento MOSFET posee cuatro electrodos
llamados fuente compuerta drenaje y sustrato

Debemos tener en cuenta que para un MOSFET de tipo


incremental de canal-n, la corriente de drenaje (ID) es cero

para aquellos niveles de voltaje compuerta fuente


menores al nivel de umbral VGS (TH).

Datos:
1

Adems ya que las hojas de especificaciones por lo general


proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente
de drenaje as como su nivel correspondiente de VGS
(encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato. Para
completar la curva, primero tiene que determinar la
constante k de la ecuacin a partir de los datos de las hojas
de especificaciones mediante la sustitucin en la ecuacin y
resolviendo para k de la siguiente manera:
(
(
(

2
))
))

))

Clculos:
DATOS
VDD=12V
VGS>VP
VGG
IG=0mA
Entonces como el punto de trabajo Q esta en el medio
decimos que:
(
( )

II.

Descripcin
Transitor MOSFET MPF 102
resistencia 1K
Cable multipar
TOTAL

III.

Cantidad
2
10
1m

Precio
$2.00
3.00
0.50
5.50

( )

MATERIALES Y HERRAMIENTAS

MALLA #1
1
1

( )
(

DESARROLLO

C) Clculos de la prctica:
MALLA #2
IG=0

* Polarizacin con doble fuente

VRG=0V

VDD
12V
RD

Si cumple entonces que:


VGS > VP
Otra manera de calcular nuestro VGS es:

1.5 V

(1

(1
RD
Fig13. Circuito de polarizacin con doble fuente

)2

(1

1M

(1

)
)

(1

)
1
1

1
(

1
*Polarizacin por divisor de tensin

* Polarizacin con resistencia al sourse


VDD

VDD
12V

12V

RD

RD
R1

RS

RG

R2

Fig14. Circuito de polarizacin con resistencia al


sourse
Datos:
1
1
1

RS

Fig15. Circuito de polarizacin con divisor de


tensin
Datos:
1
1
1
Clculos:

Clculos:
(1

(1
(1

(1

)
)
)

(1

)
1
1
1
1

1
1

VDD

12V

1
1

RD

R7
120

Q5

1
BF510

RS

1
1

V1
-12V

R13
2.2k

1
RD
2

1
1

RS
Fig16. Circuito de polarizacin con doble fuente
simtrica
Datos:
2.58
1

1
Clculos:
*Con doble fuente simtrica
(1

(1

)
1

11

1
(

)
1

1
MOSFET INCREMENTAL
1
*Autopolarizacin o Polarizacion con gate a Tierra.
15
15V

RD

R7
850

Q5

BF510

MOSFET INCREMENTAL
Datos del Mosfet IRF 151
VGS (encendido)=10V
ID (encendido)=40A
VGS (TH)=3V
Datos:

DATOS
2.58
1

VDD=15V
IG=0mA
MALLA # 1
1
(
1
1

Procedemos al clculo del circuito con los mismos


procedimientos que empleamos para los fet.
1
1
1
1

MOSFET DECREMENTAL

VDD
15V
VDD

En cambio para el voltaje VD sacamos la diferencia de


voltaje que existe en el circuito:

R2
91

Entonces:
Para el clculo de RS

Q1
3
BSP149*
1

R3
1M

( )

R1
22

MOSFET DECREMENTAL

Para el clculo de RD

Datos del Mosfet BSP 149


IDSS =0.14A
VP=-10V

( )

DATOS
VDD=15V
IG=0mA

1
1

Entonces como el punto de trabajo Q esta en el medio


decimos que:
(
( )
( )

)
1

MALLA# 1
1

4) Explique porque se puede quemar un transistor JFet y


MosFet.

Un mosfet y Jfet se pueden quemar por exceso de


disipacin o insuficiente excitacin del mismo.
SIMULACIONES
* Polarizacin con fuente al gate

Grfica de la curva caracterstica del circuito


polarizacin con 2 fuentes con el transistor Fet, con un
Vp=-1.

Fig19.Simulacion de polarizacin con doble fuente

TABLA I
MEDIDAS PARA POLARIZACIN CON DOBLE
FUENTE
Valores
Valores
Valores
Parmetros
calculados
simulados
medidos
5mA
4.597 mA
5.15mA
6V
5.104
5.97V
6V
5.104V
5.97V
-0.87064V
-0.764
-0.78

TABLA DE PUNTOS PARA LA RECTA DE CARGA

VGS

ID

-1V

0mA

-0.3V

5mA

-0.5V

2.5mA

0V

10mA

Recta de Carga en el cual nuestro punto de trabajo se


encuentra en el medio de la recta, en el circuito de
polarizacin con 2 fuentes con el transistor Fet.

* Polarizacin con resistencia al source


+

U3

5.05m

DC 1e-009Ohm
RD
V4
15V

R15
1.3k

U4

+
-

DC 10MOhm

VD

VGS
+
-

R2
1M

-0.734

6.563

Q4
IDss=10mA
VP= -2.87V

2N3821*

U6
V

7.629

DC 10MOhm

U5
DC 10MOhm
VS

RS

R13
160

U8

+
-

0.808

DC 10MOhm

Fig20.Simulacion de polarizacin con resistencia al sourse

TABLA II
MEDIDAS PARA POLARIZACIN CON RESISTENCIA
AL SOURSE
Valores
Valores
Valores
Parmetros
calculados
simulados
medidos
5mA
5.05mA
5.15mA
V
4,97 V
5,2V
-7.5V
7.62V
7.59V
-0,84V
-0,734
-0,75

Recta de Carga en el cual nuestro punto de trabajo se


encuentra en el medio de la recta, en el circuito de
autopolarizacin con el transistor Fet.
Fig 9. Curvas caractersticas y determinacin de punto de trabajo

* Polarizacin con divisor de tensin


U3

4.921m

VRD

DC 1e-009Ohm
RD
V4
15V

VD

R4
33k

Q2
IDss=10mA
VP= -2.58V
VGS

-0.766

VS
R13
330

Fig21.Simulacion de polarizacin con divisor de tensin


TABLA III
MEDIDAS PARA POLARIZACIN CON DIVISOR DE
TENSIN
Valores
Valores
Valores
Parmetros
calculados
simulados
medidos
5mA
4.82mA
5.13mA
7.5V
7.47V
7.6V
-0,755V
-0,766
-0.78V

Grfica de la curva caracterstica del circuito de


autopolarizacin con el transistor Fet, con un Vp=-1

7.474

DC 10MOhm

U5
DC 10MOhm

RS

U4

2N3821**

R2
2k

R15
1.2k

Grfica de la curva caracterstica del circuito de


polarizacin con divisor de tensin con el transistor Fet,
con un Vp=-2.58
Fig22.Simulacion de polarizacin con doble fuente simtrica
TABLA IV
MEDIDAS PARA POLARIZACIN CON FUENTE
SIMTRICA
Valores
Valores
Valores
Parmetros
calculados
simulados
medidos
5mA
5.46mA
5.40mA
12V
11.32
11.67V
-0,62V
-0, V
-0.58V

Recta de Carga en el cual nuestro punto de trabajo se


encuentra en el medio de la recta, en el circuito de
polarizacin con divisor de tensin con el transistor Fet.

a) Polarizacin con fuente doble simtrica (el gate


va a tierra).

Fig 9. Curvas caractersticas y determinacin de punto de trabajo

* Polarizacin con fuente simtrica

Grfica de la curva caracterstica del circuito de


polarizacin con fuente doble simtrica con el transistor
Fet, con un Vp=-3

Recta de Carga en el cual nuestro punto de trabajo se


encuentra en el medio de la recta, en el circuito de
polarizacin con fuente doble simtrica con el transistor
Fet.

Grfica de la curva caracterstica del circuito de


polarizacin con fuente doble simtrica con el transistor
Fet, con un Vp=-3

Fig 9. Curvas caractersticas y determinacin de punto de trabajo

* Polarizacin con Gate a tierra


U6

8.441m

VRD

DC 1e-009Ohm
RD
V3
15V

R10
850

Q1
IDss=8.73mA
VP= -2.58V

VD
U2

+
-

2N3821*

7.823

DC 10MOhm

VS
U9

+
-

DC 10MOhm

Recta de Carga en el cual nuestro punto de trabajo se


encuentra en el medio de la recta, en el circuito de
polarizacin con fuente doble simtrica con el transistor
Fet.

Fig22.Simulacion de polarizacin con doble fuente simtrica


TABLA IV
MEDIDAS PARA POLARIZACIN CON FUENTE
SIMTRICA
Valores
Valores
Valores
Parmetros
calculados
simulados
medidos
8.73mA
8.441mA
8.68mA
7.5V
7.823V
7.64V
0V
0,V
0

Fig 9. Curvas caractersticas y determinacin de punto de trabajo

a) Polarizacin con fuente doble simtrica (el gate


va a tierra).
* Polarizacin con mosfet incremental

Simulacin de la corriente de la carga ID(Q) en el


circuito del Mosfet Incremental

Simulacin del voltaje de la carga VDS(Q) y del voltaje


de la resistencia RD en el circuito del Mosfet Incremental.

Trazo de la curva de transferencia para el MOSFET tipo


enriquecimiento.

Grfica para la determinacin del punto de trabajo Q


para el MOSFET tipo enriquecimiento.

MOSFET DECREMENTAL
MOSFET INCREMENTAL
TABLA DE VALORES

ID(Q)
VDS(Q)
VRD

CALCULADO

SIMULADO

20A
7.5V

21.752A
6..29V

6V

5.987V

Simulacin de la corriente de la carga ID(Q) en el


circuito del Mosfet Decremental.

Simulacin del voltaje de la carga VDS(Q) en el circuito


del Mosfet Decremental.

Grfica para la determinacin del punto de trabajo Q


para el MOSFET tipo empobrecimiento.

TABLA DE VALORES
CALCULADO

SIMULADO

ID(Q)
VDS(Q)

70mA
7.5V

63.5mA
7.56V

VRD
VRS

6V
1.5V

5.987V
1.447V

IV.
Simulacin del voltaje VRD en el circuito del Mofet
Decremental.
MOSFET DECREMENTAL

Grfica de la curva caracterstica del circuito del


MOSFET decremental, con un Vp=-10

ANLISIS DE RESULTADOS

De las tablas de resultados se puede ver que los valores


obtenidos de manera terica no varan con referencia a los
valores simulados, y los obtenidos experimentalmente.
En cuanto las diferentes polarizaciones del transistor JFET
En la polarizacin con polarizacin de divisor de tension
los valores calculados difieren menos que en las otras
polarizaciones debido a que al momento de agregar una
fuente al gate del transistor entonces este valor ser la
tensin entre gate-sourse a diferencia de los otros circuitos
que debemos calcular este voltaje el cual estar definido por
otros parmetros. En las grficas se pudo ver que el punto
de trabajo del transistor est en la mitad de la recta de carga
para todas las polarizaciones.
Del anlisis del comportamiento de los MOSFET de las
tablas se puede ver que existe una diferencia poco
significativa entre los valores simulados y los calculados.
En la grfica del punto de operacin de del mosfet
decremental se puede ver que este tipo de trnsito permite

puntos de operacin con valores positivos de VGS y niveles


de ID que excedan lDSS, colocando de esta manera el
punto de operacin en la mitad de la recta de carga.
V.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

*In this practice was possible to check the functionality of


each circuit of polarization with the transistor Jfet and to
know the important of the characteristic for each one.

During practice we find that the polarizations of the


FET transistor, are totally different than the BJT
transistor, we should also be aware that demos work
with the measured values of Vp and IDSS current,
since we can not impose the values because each
transistor has as data and thus would not match our
calculated values with the measured ones.
The working curve of FET transistors work in the
center its load point, and varied the same way the
points work because of the components used.
For to realize this practice about the polarization of
transistor JFET was necessary considered the different
parameters to obtain good result. For the design was
necessary obtain the different parameters from the data
sheet after calculate each elements to arm the circuit. For
the simulation was necessary change the parameters of the
virtual transistor thats depending of collector current and
Pinch-Off Voltage ,

RECOMENDACIONES

from the values of the resistors at the time


we bought as we could affect the
calculations.

Debemos verificar siempre cuando estamos


armando o buscando el error del circuito
tener la fuente de trabajo apagada para
evitar posibles accidentes.
Otra recomendacin sera que al momento
de verificar los valores calculados con los
simulados es necesario no variar mucho los
valores de las de las resistencias al momento
que compramos ya que nos podra afectar
con los clculos realizados.
We always check when we are arming or
trying the mistake of having the power circuit
off work to avoid accidents.
Another recommendation would be the time
to check the calculated values with those
simulated is necessary not vary significantly

VI.

BIBLIOGRAFA

[1]R.Boylestad ,L.Nashelsky, Electrnica : teora de circuitos y


dispositivos electrnicos .8va edicin. PearsonEducation
[2] http://www.unicrom.com/Tut_Caracteristicas_electricas_JFET.asp
[3] http://www.slideshare.net/washimosfet88/transistoresfet-3700018
[4] http://www.slideshare.net/armandorob/electronica-polarizacion-delfet
[5]http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/leccin_22
_mosfet_de_tipo_decremental_e_incremental.html