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Símbolos

Símbolos Curvas características de salida en Emisor Común en un BJT npn Efecto Early en las
Símbolos Curvas características de salida en Emisor Común en un BJT npn Efecto Early en las

Curvas características de salida en Emisor Común en un BJT npn

Símbolos Curvas características de salida en Emisor Común en un BJT npn Efecto Early en las

Efecto Early en las características de entrada

Zonas de Funcionamiento

Zonas de Funcionamiento De manera general la polarización de un circuito hace referencia a las fuentes

De manera general la polarización de un circuito hace referencia a las fuentes de corriente directa (fuentes reguladas, baterías, pilas) que se utilicen para alimentar el circuito. Para el caso particular del transistor bipolar, la polarización busca obtener un punto de funcionamiento en una región específica, es decir busca establecer un valor fijo de voltaje entre el terminal

de colector y emisor y un valor fijo de corriente de colector, que hagan que el

punto de operación del transistor esté en una región de operación específica.

Zonas de Funcionamiento De manera general la polarización de un circuito hace referencia a las fuentes
Zonas de Funcionamiento De manera general la polarización de un circuito hace referencia a las fuentes

Zonas de Funcionamiento

Zonas de Funcionamiento
Zonas de Funcionamiento
Zonas de Funcionamiento

Características dinámicas. Tiempos de conmutación

Características dinámicas. Tiempos de conmutación Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que tiempo de encendido (ton), como ocurre en la mayoría de los conmutadores, tal y como se muestra en la siguiente figura.

Tiempo de retardo (Delay Time, td) Tiempo de subida (Rise time, tr) Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts) Tiempo de caída (Fall time, tf)

Características dinámicas. Tiempos de conmutación Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de
Características dinámicas. Tiempos de conmutación Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de

Área de operación segura en un BJT de potencia

Área de operación segura en un BJT de potencia Además de especificar la máxima disipación de

Además de especificar la máxima disipación de potencia a diferentes temperaturas de encapsulado, los fabricantes de transistores de potencia suelen indicar una gráfica de la frontera del área de operación sin riesgo (SOA, Safe Operation Area) en el plano Ic-Vce. La especificación de una SOA típica presenta la forma que se muestra en la siguiente figura:

Área de operación segura en un BJT de potencia Además de especificar la máxima disipación de

1. La corriente máxima permisible ICmax. Si se excede esta corriente de manera continua puede dar como resultado que se fundan los alambres que conectan el dispositivo a los terminales del encapsulado

2. La hipérbola de máxima disipación de potencia. Este es el lugar geométrico de los puntos para los cuales se

cumple que Vce·Ic = Pmax (a TCO). Para temperaturas TC > TCO se obtendrán un conjunto de hipérbolas más

bajas. Aún cuando se pueda permitir que el punto de trabajo se mueva de modo temporal por encima de la

hipérbola, no debe permitirse que el promedio de disipación de potencia exceda de Pmax.

Área de operación segura en un BJT de potencia

Área de operación segura en un BJT de potencia 3. Límite de segunda ruptura. La segunda
Área de operación segura en un BJT de potencia 3. Límite de segunda ruptura. La segunda

3. Límite de segunda ruptura. La segunda ruptura es un fenómeno que resulta debido a que la circulación de corriente por la unión entre emisor y base no es uniforme.

Más bien, la densidad de corriente es mayor cerca de la periferia de la unión. Esta “aglomeración de corriente” da lugar a mayor disipación de potencia localizada y por lo tanto a calentamientos en lugares que reciben el nombre de “puntos calientes”. Como el calentamiento produce un aumento de corriente, puede ocurrir un gradiente térmico que provoque la destrucción de la unión semiconductora.

4. Voltaje de ruptura de la unión colector emisor BVCEO. Nunca debe permitirse que el valor instantáneo de Vce exceda de BVCEO; de otra manera, ocurrirá la ruptura de avalancha de la unión entre colector y base.

Finalmente, debe mencionarse que por lo general se utilizan escalas logarítmicas para Ic y Vce que llevan a un límite de área de rectas.

Características

Características Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) Menor capacidad de

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar) No tiene diodo parásito

Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.

Características Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) Menor capacidad de

Curva Característica

Curva Característica Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningún
Curva Característica Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningún
Curva Característica Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningún

Consideremos que

el

IBGT

se

encuentra

bloqueado

inicialmente.

Esto significa que

no

existe ningún

voltaje aplicado al gate. Si un voltaje

VGS

es

aplicado

al

gate,

el

IGBT

enciende

inmediatamente,

la

corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero

Introducción

Introducción El encendido es análogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de “cola”:

El encendido es análogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de “cola”:

Introducción El encendido es análogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de “cola”:
Introducción El encendido es análogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de “cola”:

Formas de Onda Características de la Tensión y Corriente en el Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta que no sube completamente Vd)

La corriente de cola se debe a la conmutación más lenta del BJT, debido a la carga almacenada en su base (huecos en la región n-).

Bibliografía

Bibliografía [1] F ISHER, M. J.: “Power Electronics”, Ed. PWS - KENT Publishing Company. [2] RASHID,

[1] FISHER, M. J.: “Power Electronics”, Ed. PWS - KENT Publishing Company.

[2] RASHID, M. H.: “Electrónica de Potencia”, Ed. Prentice Hall International Editions.

[3] DANIEL W. HART: “Electrónica de Potencia”, Ed. Prentice Hall.

[4] ALDANA y otros: “Electrónica de Potencia” Ed. Universidad

Politécnica de Madrid