BELLEK B!R!M!

!ekil 7-1 Bellek Birimlerinin Bilgisayar Sistemindeki Yeri

7.

Bellek Hücresi : Tek bitlik (0 veya 1) bilgiyi saklamak için
kullanõlan aygõt veya elektriksel devre. Bir Flip-Flop, manyetik
çekirdek, manyetik teyp veya disk üzerinde bir bölge bellek
hücreleri içeren örneklerdir.
Bellek Kelimesi : Bilgiyi veya bazõ tipteki veriyi gösteren bellek
içindeki bit grubudur. Örne#in bir yazmaç 8 tane FF içeriyorsa, bu
yazmaçta 8-bit veri kelime olarak depolanabilir.
• 4-bit : yarõm bayt (nibble)
• 8-bit : 1 bayt
• 16-bit : 2 bayt (1 kelime, word)
• 32-bit : 2 kelime (çift kelime, double word veya 4 bayt, quad byte)
• 64-bit : dört kelime (quad-word)
Bayt : 8-bit kelime için kullanõlan özel bir terimdir. Bir Bayt daima 8bit içerir.

Bellek birimlerinin çalõ"masõnõn anla"õlmasõ ve iyi bir "ekilde kullanõlmasõ için bu birimlerin ana
özelliklerinin açõklanmasõnda yaygõn olarak kullanõlan bazõ tanõm ve terimlerin bilinmesi gerekir.

7.1. Bellekler !çin Kullanõlan Terimler

7-2

Adres : Kelimenin bellek içindeki yerini tanõmlar. Bellek içinde
bulunan her bir kelimenin tek bir adresi vardõr.

Kapasite : Bellek aygõtõnõn bir parçasõnda veya bellek sisteminin
tümünde ne kadar bitin depolanabilece#ini belirtmek için kullanõlõr.
8192 tane 8-bit kelime depolayacak "ekilde düzenlenmi" bir bellek
birimi 65536-bit veri depolar ve bellek kapasitesi 8192 x 8-bit veya
8192-Bayt olarak gösterilir.
Ayrõca çok kullanõlan bellek kapasitesi üst birimleri,
210 Bayt = 1 KB (Kilo Bayt) = 1024 Bayt,
220 Bayt = 1024 KB = 1 MB (Mega Bayt) = 1,048,576 Bayt,
230 Bayt = 1024 MB = 1 GB (Giga Bayt) olarak tanõmlanmõ"tõr.
240 Bayt = 1024 GB = 1 TB (Terra Bayt) olarak tanõmlanmõ"tõr.

7-3

Eri"im Süresi : Bellek hõzõnõ belirlemek için kullanõlan özel bir
terimdir. Bellek biriminden okuma i"lemi yapmak için gerek duyulan
süredir.

Yazma !"lemi : Bellek biriminin dõ"õnda bulunan veri kelimesinin
yazma komutu alõndõktan sonra bellek içindeki belirli bir adresteki
veri kelimesine transfer edilmesidir. Bellek birimine veri depolamak
anlamõna gelir. Bu durumda, bellek adresinde önceden bulunan
veri üzerine yazõldõ#õ için kaybolur.

Okuma !"lemi : Bellek biriminin içindeki belirli bir adresteki veri
kelimesinin okuma komutu alõndõktan sonra bellek dõ"õna transfer
edilmesidir. Bellek içindeki bilgi de#i"mez, korunur.

7-4

Adres Giri"leri (Address inputs)
Veri Giri"leri (Data inputs)
Veri Çõkõ"larõ (Data outputs)
Okuma/Yazma Kontrol Giri"i ( R / W , Read / Write)
Bellek $zin Giri"i (ME , Memory Enable)

!ekil 7-2 Bellek Biriminin Uç Tanõmlarõ ( 32 x 4-bit )

7-5

CD-ROM

Teyp

Yüksek Kapasite
Orta veri hõzõ
Yüksek Kapasite
Ta"õnabilir
Yüksek Kapasite
Ta"õnabilir

Ta"õnabilir
Çok Ucuz

Floppy disket

Hard disk

Pahalõ olmasõ

Hõzlõ eri"im
Yüksek veri hõzõ

Yarõiletken Bellek

Yava" eri"im
Orta veri hõzõ

Çok uzun eri"im süresi

Sõnõrlõ kapasite
Sõnõrlõ güvenirlik
Yava" eri"im
Dü"ük veri hõzõ
Orta eri"im hõzõ

Dezavantajlarõ

Avantajlarõ

Tablo 7-1 Bellek Çe"itleri ve Genel Özellikleri

Bellek Çe"idi

7.2. Bellek Çe"itleri

7-6

Bellek Kapasitesi

Dõ" Bellek
(Manyetik Teyp, CDROM, DVD)

Yardõmcõ Bellek
(Manyetik disk)

Ana Bellek
(yarıiletken bellek)

!ekil 7-3 Sayõsal Bilgisayar Sistemlerinde Kullanõlan Bellek Çe"itleri

Çalõ"ma
Hõzõ

Tampon
Bellek
(yarıiletken bellek)

7-7

Bellekler

! Yalnõz Okunabilir Bellekler (ROM, Read Only Memory)
Sistem dõ"õnda yazõlõp sistem tarafõndan yalnõz okunabilir
belleklerdir. Bu gruptaki bellekler ise, sistemde verilerin ve
bilgilerin kalõcõ olarak saklanmasõ amacõyla kullanõlõrlar.
Sistemin gücünün kesilmesiyle saklanan veriler ve bilgiler
kaybolmaz!

! Okunabilir/Yazõlabilir Bellekler (RAM, Random Access
Memory)
Sistem çalõ"õrken sistem tarafõndan Rasgele Eri"imli
Okunabilir/yazõlabilir belleklerdir. Bu gruptaki bellekler,
sistemde verilerin ve bilgilerin geçici olarak saklanmasõ
amacõyla kullanõlõrlar. Sistemin gücünün kesilmesiyle saklanan
veriler ve bilgiler kaybolur!

$lk yarõiletken bellek Intel tarafõndan 1970 yõlõnda üretilen 1K-bit p-kanal MOS dinamik RAM tümle"ik
bellek devresidir.

7.3. Yarõiletken

7-8

NOVRAM

FLASH ROM

EEPROM

OTPROM

EPROM

PROM

ROM

DRAM

SRAM

Yazmaç

Flip-Flop

Bellek Tipi

Bir bit yazmaç. Genellikle sayõsal devrelerde
temel tasarõm blo#u olarak kullanõlõr.
Bayt, kelime veya çift kelime tutan FF setidir.
Mikroi"lemciler gibi karma"õk yongalarõn içinde
kullanõlõr.
Adreslenebilir FF dizisidir. Verinin geçici olarak
saklanmasõ için kullanõlõr.
Adreslenebilir depolama hücre dizisidir. Ana
belleklerde veri saklamak için kullanõlõr.
Adreslenebilir donanõmla ba#lanmõ" hücre
dizisidir. Programlamasõ yonga üretimi
sõrasõnda yapõlõr.
Adreslenebilir sigorta dizisidir. Programlamasõ
kullanõcõ tarafõndan bir kez yapõlõr.
Silinebilir ve yazõlabilir ROM. Silme i"lemi
özellikli morötesi (ultraviolet) õ"õmasõ ile
yapõlõr.
Bir kez programlanabilir ROM. Temelde EPROM
’a benzer fakat penceresi yoktur.
Elektrik ile silinebilir ROM. Yazma çevrimi
sayõlarõ sõnõrlõdõr.
Bölgesel silinebilir ROM. Yazma çevrimi sayõlarõ
sõnõrlõdõr.
Batarya destekli SRAM veya SRAM/EEPROM
melez teknoloji

Özellikleri

Evet

Evet

Evet

Evet

Orta

Orta

Dü"ük

Orta

Bir
kez
Evet
yazõlõr
Evet

Orta

Evet

Birden
çok
yazõlõr

Evet

Çok Hõzlõ

Bir
kez
Evet
yazõlõr

Hõzlõ

Çok Hõzlõ

Yüksek

Orta

Yüksek

Orta

Orta

Yüksek

Dü"ük

Orta

Yüksek

Çok çok Çok
Hõzlõ
Yüksek

Çok Hõzlõ

Hayõr

Hayõr

Hayõr

Kalõcõ Hõzõ
Fiyat/bit
Çok çok Çok
Hayõr
Hõzlõ
Yüksek

Evet

Hayõr

Evet

Evet

Evet

Evet

Oku/ Yaz

7-9
Tablo 7-2 Yarõiletken Bellek Özellikleri

Bellek üretim teknoloji gruplarõ MOS grubu içinde NMOS ve CMOS, Bipolar/MOS grubu içinde ise
Bipolar, ECL ve Bi-CMOS örnekleri verilebilir.

!ekil 7-4 Yarõiletken Belleklerin Teknolojik Sõnõflandõrmasõ

Yarõiletken belleklerin karakteristik özellikleri Tablo 7-2’de, tasarõm ve üretim teknolojilerini veren
gruplama ise !ekil 7-4’de, gösterilmi"tir.

7-10

!ekil 7-5 Bellek Biriminin Genel Yapõsõ

7-11

!ekil 7-6 Yazmaçlarla Tasarlanmõ" Bellek Biriminin Blok Diyagramõ

7-12

!ekil 7-7 Bipolar ROM ’un $ç Yapõsõ

7.4.1. Maskelenmi" Yalnõz Okunabilir Bellek

7.4. Yalnõz Okunabilir Bellekler

7-13

7-14

titanyum-tungsten (Ti-W) sigortalar, Yüksek hõzlõ lojik devre (Schottky), Adres eri"imi : en fazla 45 ns,
Dü"ük gerilim ile (10.5V) TRI-SAFE programlama, 74S472 üç-durumlu ve 74S473 açõk kolektör çõkõ".

7.4.2. Programlanabilir Yalnõz Okunabilir Bellek

!ekil 7-8 512-Bayt TTL PROM ‘un Blok Diyagramõ, Özellikleri ve Programlamasõ

7-15

7-16

!ekil 7-9 EPROM Bellek Hücresinin Kesiti

7.4.3. Silinebilir Programlanabilir Yalnõz Okunabilir Bellek

!ekil 7-10 EPROM ‘larõn Yüksek Performanslõ Programlama Akõ" Diyagramõ

7-17

!ekil 7-11 EPROM programlama süresinin kõsaltõlmasõ.

7-18

Silinme Süresi
(dakika)
20
25
50

Parlaklõk
("W/cm2)
15,000
10,000
5,000

Tablo 7-3 EPROM için silinme süreleri

!ekil 7-13 EPROM Veri Tutma Süresi

!ekil 7-12 EPROM Silinme Verimi

7-19

7-20

!ekil 7-14 8-KBayt CMOS EPROM ‘un Özellikleri ve Blok Diyagramõ

7.4.4. EPROM Tümle"ik Devreleri

!ekil 7-15 2/4/8/16/32/64-K Bayt CMOS EPROM Tümle"ik Devrelerinin Uç Ba#lantõlarõ

7-21

!ekil 7-16 CMOS EPROM için Okuma Dalga !ekilleri

7-22
Tablo 7-4 EPROM için Çalõ"ma Tablosu

!ekil 7-17 CMOS EPROM için Programlama Dalga !ekilleri

7-23

!ekil 7-18 EPROM Tümle"ik Devresinin Fiziksel Özellikleri

7-24

7-25

!ekil 7-19 Yüzen Kapõ Tipi Bellek Hücresi

7.4.5. Elektriksel Silinebilir Programlanabilir Yalnõz Okunabilir Bellek

!ekil 7-20 256/1024/2048/4096-bit CMOS Seri EEPROM ‘un Özellikleri ve Blok Diyagramõ

7.4.6. EEPROM Tümle"ik Devreleri

7-26

1

1

1
1
1
1
1

READ

WEN

ERASE
WRITE
ERAL
WRALL
WDS

Komut SB

11
01
00
00
00

00

!"lem
Kodu
10

A5-A0
A5-A0
10XXXX
01XXXX
00XXXX

11XXXX

A5-A0

Adres

D15-D0

D15-D0

Veri
Giri"i

Bütün yazmaçlara yazõlõr.
Bütün
programlama
"ekilleri yasaklanõr.

Bütün yazmaçlar silinir.

Seçilen yazmaca yazõlõr.

Belirtilen
adreste
saklanan veri okunur.
Bütün
programlama
"ekillerine izin verilir.
Seçilen yazmaç silinir.

Açõklama

7-27
Tablo 7-5 EEPROM için Çalõ"ma Tablosu

!ekil 7-21 Seri EEPROM Okuma komutu zamanlamasõ

!ekil 7-21‘de verilen zamanlama diyagramõnda SK saat i"aretinin çõkan
kenarlarõnda DI veri giri"ine SB seri verinin ba"langõç biti “1”, komut
sütununda verilen “10” i"lem kodu, adres sütununda 64x16-bit bellek için
A5-A0 adres bilgisi uygulandõktan sonra DO veri çõkõ"õndan “0” ve
arkasõndan D15-D0 veri bilgisi okunur. Saat i"areti periyodunun 1us olmasõ
durumunda yakla"õk 25us zaman alõr.

7-28

7.4.7. Fla" Bellek Tümle"ik Devreleri

1 MBit, 128K x 8-bit Fla" Bellek

!ekil 7-22 Fla" Belle#in uç tanõmlarõ

A0-A16
17-bit Adres Giri" uçlarõ
DQ0-DQ7 8-bit Veri Giri"/Çõkõ" uçlarõ
VCC, GND Besleme uçlarõ
CE#
Yonga seçim
OE#
Çõkõ" izin
WE#
Yazma izin
RP#
Güç kapatma kontrol giri"i
VPP
Programlama gerilimi

P28F001

7-29

7-30
Tablo 7-6 Fla" belle#in çalõ"ma tablosu

Not:

IA,
IID
SRD
BA
PA
PD

kimlik bilgisinin adresi 00H üretici kodu, 01H cihaz kodu
kimlik tanõmlayõcõlardan okunan veri
durum yazmacõndan okunan veri
silinen blo#un içindeki adres
programlanacak bellek bölgesinin adresi
PA adresindeki programlanacak veri

7-31
Tablo 7-7 Fla" belle#in komut tablosu

7-32
!ekil 7-23 128K x 8-bit Fla" Belle#in iç Blok Diyagramõ

!ekil 7-24 Statik RAM Bellek Hücreleri

7.5.1. Statik Rasgele Eri"imli Bellekler (SRAM, Static RAM)

7.5. Rasgele Eri"imli Bellekler

7-33

!ekil 7-26 Bir Statik RAM Bellek Hücresinin Çalõ"masõ

!ekil 7-25 Bellek Hücresinin Lojik Devresi

7-34

!ekil 7-27 6264 8-KBayt Statik RAM Tümle"ik Bellek Devresinin Blok Diyagramõ

7.5.2. SRAM Tümle"ik Devreleri

7-35

!ekil 7-28 6264 8 KBayt Statik RAM Tümle"ik Bellek Devresinin Uç Ayrõntõlarõ

7-36

7-37
Tablo 7-8 8 KB SRAM Çalõ"ma Tablosu

!ekil 7-29 Okuma Zamanlama Dalga !ekli

7-38

!ekil 7-30 Yazma Zamanlama Dalga !ekli

7-39

7-40

!ekil 7-32 Dinamik RAM Bellek Hücresinin Tazelenmesi

!ekil 7-31 Dinamik RAM Bellek Hücreleri

7.5.3. Dinamik Rasgele Eri"imli Bellekler (DRAM)

!ekil 7-33 Dinamik RAM Bellek Tazeleme Kontrol Devresi

7-41

!ekil 7-34 Adres Ço#ullamanõn Blok Diyagramõ

7-42

!ekil 7-35 Adres Tutma (Latch) i"aret zamanlamasõ

7-43

DDR - PC1600, PC2100, PC2700, PC3200

Bu bellek birimlerinin fiziksel, teknik, vs. özelliklerini belirleyen endüstriyel standartlarõ vardõr. $ki
yüzünde ba#lantõ uçlarõ bulundurmasõ (SDRAM için 2X84 ve DDR için 2x92 uç) nedeniyle modül
(Dual-Inline Memory Module, DIMM) olarak adlandõrõlõr. Ayrõca çalõ"ma frekansõna ba#lõ olarak
SDRAM PC100 (100MHz) veya PC133 (133MHz), DDR ise PC1600 (200MHz), PC2100 (266MHz),
PC2700 (333MHz) ve PC3200 (400MHz) olarak adlandõrõlõrlar. 168 uçlu SDRAM bellek modülünde
her bir saat çevriminde bir i"lem, 184 uçlu DDR SDRAM bellek modülünde ise her bir saat çevriminde
iki i"lem yapõlõr. !ekil 7-37’de SDRAM bellek modüllerinin fiziksel yapõsõ verilmi"tir.

!ekil 7-36 SDRAM ve DDR SDRAM bellek birimleri

SDRAM - PC100 , PC133

Ayrõca daha büyük bellek kapasitesine sahip bellek birimlerini olu"turmak için, bir baskõlõ devre (PCB,
Printed Circuit Board) üzerine birden fazla tümle"ik bellek devresi bulunduran bellek modülleri
kullanõlõr. !ekil 7-36’de bu tip SDRAM ve iki kat veri hõzõnda çalõ"an SDRAM (Double Data-Rate
Synchronous DRAM, DDR SDRAM) bellek modülleri görülmektedir.

7.5.4. Bellek Birimi Modülleri

7-44

Tablo 7-9 Bellek modüllerinin teknolojisi ve özellikleri

!ekil 7-37 SDRAM Modülünün Fiziksel Yapõsõ

7-45

!ekil 7-38 256Kx16-Bit DRAM (KM416C256) Tümle"ik Bellek Devresinin iç Blok Diyagramõ

7.5.5. DRAM Tümle"ik Devreleri

Günümüzde yaygõn olarak kullanõlan ki"isel bilgisayarlarõn ana bellek sisteminde artan ihtiyacõ
kar"õlamak üzere ekonomik bellek birimleri bulunmaktadõr. Geli"en teknolojiyle büyük kapasitelerde
RAM tümle"ik devreleri üretilmekle beraber veri okuma ve yazma hõzlarõnda i"lemcilerin hõzlarõnda
çalõ"an bellekler daha küçük kapasitelerde ve daha pahalõdõr. Bugün 3.2 GHz saat frekansõnda
çalõ"an i"lemciler ekonomik oldu#u için 400 MHz bellek birimleriyle çalõ"mak durumundadõr. Bu sorun
i"lemci ile ana bellek arasõnda daha hõzlõ bir yardõmcõ bellek kullanõlarak çözülmektedir. Bu yardõmcõ

7-46

!ekil 7-39 256Kx16-Bit DRAM (KM416C256) Tümle"ik Bellek Devresinin Uç Düzeni

7-47

7-48
Tablo 7-10 256Kx16-Bit DRAM için Çalõ"ma Tablosu

!ekil 7-40 Kelime Okuma Zamanlama Dalga !ekli

7-49

!ekil 7-41 Bayt Yazma Zamanlama Dalga !ekli

7-50

!ekil 7-43’de tümle"ik belleklerin verinin yazõlmasõ ve tutulmasõ özelli#ine ba#lõ olarak kullanõm
"ekilleri gibi bazõ karakteristik özellikleri kar"õla"tõrmak üzere verilmi"tir. EPROM içinde bulundu#u
sistem üzerinde programlanamaz. Ancak yazõlõm kontrollü sistem ile dõ"arõda programlanmasõna

!ekil 7-42 Belleklerin Veri Programlama Sayõlarõ ve Tekrar Programlama Süreleri

7-51

!ekil 7-43 Belleklerin Bazõ Karakteristik Özellikleri

7-52
kar"õn programlanmõ" veriyi tutmak için bataryaya ve bu bataryanõn bakõmõna ihtiyaç duymaz. CMOS
RAM ise içinde bulundu#u sistemde okundu#u gibi yazõlabilir olmasõna ra#men veriyi tutmak için
bataryaya ve bu bataryanõn bakõmõna ihtiyaç duyar. EEPROM ise her iki tip bellek grubunun iyi
özelliklerini ta"õr. Bundan dolayõ yazõlabilir ve okunabilir belleklerin içindeki verinin tutulmasõ gereken
uygulamalarda bu gruba giren Fla" bellekler kullanõlmaktadõr.

DB0
DB1
DB2
:
:
DBx
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
DBm

ABn
: :
AB2
AB1
AB
__0
R/W
__
CS

:

:

D0 D1 D2 …Dz

R/W

__

RAM-k

An… A2 A1 A0
__
CS

!ekil 7-44 Bellek biriminin kelime boyutunun geni"letilmesi

:

D0 D1 D2 …Dy

R/W

D0 D1 D2 …Dx

R/W

RAM-2
__

__

RAM-1

An… A2 A1 A0
__
CS

An… A2 A1 A0
__

CS

7.6. Bellek Biriminin Kelime Boyutunun Geni"letilmesi

7-53

ABn
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
AB2
AB1
AB0
Dy

D0 D1 …

RAM-k

!ekil 7-45 Kelime boyutunu geni"letmek için grafik yakla"õm

An
:
:
:
:
:
RAM-1
RAM-2
:
:
:
:
:
A2
A1
A0 D0 D1 … Dx D0 D1 …
DB0 DB1 …

7-54

Dz
DBm

DBm

DB1
DB2

DB0

AB
__0
R/W

AB1

: :
AB2

ABn

ABn+1

CS
ABN
: :

__

:

:

D0 D1 D2 …Dm

!ekil 7-46 Bellek biriminin kapasitesinin geni"letilmesi

:

R/W

D0 D1 D2 …Dm

__

R/W

A2 A1 A0

RAM-k

An…
__
CS

D0 D1 D2 …Dm

RAM-2

A2 A1 A0

R/W

CS

An…
__

.

__

RAM-1

A2 A1 A0

.

.

__

CS

An…
__

Kod
Çözücü

G

__

7.7. Bellek Biriminin Kapasitesinin Artõrõlmasõ

7-55

An
: RAM-2
A2
A1
A0
An
: RAM-1
A2
A1
A0 D0 D 1 … D m
DB0 DB1 …DBm

An
: RAM-k
A2
A1
A0

!ekil 7-47 Bellek kapasitesini artõrmak için grafik yakla"õm

ABN
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
:
ABn+1
ABn
:
AB2
AB1
AB0

7-56

D0-D7
/
8

D0-D3

A0-A10
/
11

4
/
D4-D7

11
/

4
/

11
/

A0-A10
RAM
(2048x4Bit)__
D0-D3
CS

R/ W

_

CS

CS

__

A0-A10
R/W
RAM
(2048x4Bit) __
D0-D3

R/W

_

_

D0-D7

A0-A10
4
/

11
/

Örnek Pr. 7-1: Yanda çalõ"ma tablosu verilen, 2 tane kontrol ucuna
sahip, 2048 x 4-bit RAM tümle"ik devrelerini kullanarak, 2 KB bellek
birimini blok diyagramõnõ çizerek tasarlayõnõz.
Çözüm :

7-57
R/ W
X
H
L

CS

R/W

__

_
_

R/W

Açõklama
Seçilmemi"
Okuma
Yazma

A0-A10
RAM
(2KB) __
CS
D0-D7

CS
H
L
L

CS
H
L
L

WE
X
H
L

Açõklama
Seçilmemi"
Okuma
Yazma

Çözüm:
Bellek organizasyonu 2048 x 8-bit olarak verildi#i için veri yolu 8-bit ve RAM oldu#u için iki yönlüdür.
2048=211 oldu#undan 2048 bellek kelimesini adreslemek için 11 tane adres ucuna ihtiyaç vardõr.
Di#er taraftan tasarlanmak istenen 8 KB kapasiteli yeni bellek biriminin 8192=213 oldu#undan 8192
bellek kelimesini adreslemek için 13 tane adres ucuna ihtiyaç vardõr. Bunun sonucunda 2 KB RAM
tümle"ik devresinden 4 tane kullanõlmasõ gerekir. Yeni birimde fazladan bulunan 13-11=2 adres ucu
2’den 4’e kod çözücü tarafõndan kullanõlarak bu bellek tümle"ik devreleri seçilir.

Örnek Pr 7.2: Yanda çalõ"ma tablosu verilen, iki tane kontrol ucuna
sahip, 2048 x 8-bit RAM tümle"ik devrelerini kullanarak, 8 KB bellek
birimini blok diyagramõnõ çizerek tasarlayõnõz.

7-58

11
/

8
/

13
/

8
/

A0-A10

D0-D7

A0-A12

D0-D7

R/W

WE
A0-A10
RAM
(2KB) __
D0-D7
CS

CS

__

_
R/W

__

WE
A0-A12
RAM
(8KB) __
D0-D7
CS

CS

__

_

__

D0-D7

D0-D7

D0-D7

G

A
B

Y0
Y1
Y2
Y3

D0-D7

A0-A10
RAM
(2KB)
D0-D7

/
11
/
8

A0-A10
RAM
(2KB)

/
11
/
8

D0-D7

A0-A10
RAM
(2KB)

/
8

/
11

A0-A10
A0-A10
/
11
RAM
(2KB)
D0-D7
D0-D7
/
8

A11
A12

_2

D0-D7
/
8

A0-A12
/
13

CS

__

R/W

_

7-59

__

CS

__

WE

__

CS

__

WE

__

CS

__

WE

__

CS

__

WE