E - 13 AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR MOSFET

Objetivo:
Dar a conocer otro tipo de transistores, como los de efecto de campo, de la variedad de
compuerta aislada. ISOLATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR o IGBT o MOSFET
Metal Oxido Semiconductor FIELD EFFECT TRANSISTOR.
Establecer el mtodo de polarizacin y detreminar la ganancia, as como obtener las curvas
de salida y de transferencia.
Materiales y Equipo:
1 Fuente DC + cables
1 protoboard
1 osciloscopio c/2 cables
1 multmetro
1 Generador de funciones
Procedimiento:

1 transistor: MOSFET canal N: SS98 equivalente.

R = 1M, 880k, 470K, 240k, 120k, 56K
R = 1K , 2K , 3K
C = 2 x 10 uF , 25 v DC
Cables de conexiones

a) Armar el circuito de la Figura 1:

ID

Vo

240K

b) Polarizar el circuito y medir las tensiones de cada terminal del MOSFET respecto a tierra:
VG = _____________

VS = _____________

VD = _____________

c) Variar la resistencia R2 para obtener los voltajes VD y VG del cuadro siguiente, el que
nos muestra diferentes puntos de operacin del MOSFET

d) Calcular la corriente en cada caso, llenando la tabla

ID = (12 VD) / 2K
e) Trazar la recta de carga del MOSFET y los diferentes puntos de operacin de la tabla
ID
6 mA

VDS
12v
Si es necesario, cambiar la resistencia RD, de acuerdo a las caractersticas del Transistor
f) Trazar las curvas de transferencia ID VGS
ID

VD

VDS-VGS

VGS

VGS

g) Considerando una resistencia R2, de tal valor que mantenga VD casi a la mitad de la
fuente, aplicar en Vin una seal de 25 mV a la frecuencia de 1 KHz y medir la seal de
salida Vo. Determinar la ganancia del MOSFET
Vo = .

Av(MOSFET) = .

Aumentar la amplitud de la seal de entrada y determinar el mximo de Vin que puede

amplificar sin tener Vo una distorsin apreciable.
Vin(max) s/d =

Vo(max) s/d = .

Cuestionario:
1. Analizar la fsica de conduccin del Transistor MOS FET, tanto de cana N como de
canal P
Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en
controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS
existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta.
Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales
adicionales (surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente
dopadas que estn separadas por la regin del sustrato. Estas regiones pueden ser
de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del
sustrato.
cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la banda de valencia se
aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la

compuerta. Cuando se polariza todava ms la compuerta, el borde de la banda de

conduccin se acerca al nivel de Fermi en la regin cercana a la superficie del
semiconductor.
MOSFET CANAL N
La regin de superficie del semiconductor se llena de electrones en una regin de
inversin o un canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el xido.
Este canal conductor se extiende entre el drenador y el surtidor, y la corriente fluye a travs
del dispositivo cuando se aplica un potencial entre el drenador y el surtidor. Al aumentar la
tensin en la compuerta, se incrementa la densidad de electrones en la regin de inversin
y por lo tanto se incrementa el flujo de corriente entre el drenador y el surtidor.
Para tensiones de compuerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes
portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma slo una pequea
corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y el surtidor.
MOSFET CANAL P
Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta-surtidor (positiva entre surtidorcompuerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma
anloga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando
una tensin menos negativa que la tensin de umbral es aplicada (una tensin negativa
para el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de
subumbral entre el drenador y el surtidor.

2. Obtener las caractersticas del MOSFET utilizado

3. Desarrollar tericamente la polarizacin del MOS en prueba y verificar los datos
experimentales.

4. Dibujar el circuito equivalente en AC y el modelo en pequea seal del MOSFET,

determinando la ganancia en forma terica. Comparar los resultados con con lo
obtenido experimentalmente.

5. Describir la curva de transferencia ID VGS

6. Describir la curva de transferencia VD VGS

(Vo Vin en seal))

7. Explicar algunas aplicaciones de los MOSFET, de acuerdo a las caractersticas

analizadas en la presente experiencia.

Ing. Oscar Morales Gonzaga