ISSN 1688-2806

´ blica
Universidad de la Repu
Facultad de Ingenier´ıa

Dise˜no de circuitos integrados para
interfaz neural
Tesis presentada a la Facultad de Ingenier´ıa de la
´ blica por
Universidad de la Repu

Juli´an Oreggioni
en cumplimiento parcial de los requerimientos
´ n del t´ıtulo de
para la obtencio
´ctrica.
Magister en Ingenier´ıa Ele

Directores de Tesis
Fernando Silveira . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Universidad de la Rep´
ublica
Angel Caputi . . . . . . . . . . . . . . . Inst. Inv. Biol´ogicas Clemente Estable
Tribunal
Alfredo Arnaud . . . . . . . . . . . . . . . . . . Universidad Cat´olica de Uruguay
Rafaella Fiorelli . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Universidad de Sevilla
Conrado Rossi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Universidad de la Rep´
ublica
Angel Caputi . . . . . . . . . . . . . . . Inst. Inv. Biol´ogicas Clemente Estable
Fernando Silveira . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Universidad de la Rep´
ublica
´mico
Director Acade
Fernando Silveira . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Universidad de la Rep´
ublica

Montevideo
23 de agosto de 2013

Dise˜
no de circuitos integrados para interfaz neural, Juli´an Oreggioni.
ISSN 1688-2806
Esta tesis fue preparada en LATEX usando la clase iietesis (v1.1).
Contiene un total de 124 p´
aginas.
Compilada el 9 de septiembre de 2013.
http://iie.fing.edu.uy/

Agradecimientos
Antes que nada quiero agradecer muy especialmente a Fiorella, Valentina y
Camila, por el apoyo incondicional, por la paciencia, por las horas robadas, por
todo...
Trabajar y estudiar es complicado, sin el apoyo de Graciela, Mari´on y Eduardo,
hacer esta tesis no hubiese sido posible ¡Muchas gracias a ellos!
Estoy muy agradecido con algunas las personas que jugaron un papel muy
importante en el transcurso de la presente tesis. Sin dudas en primer lugar, con
Fernando Silveira y Angel Caputi, aprend´ı mucho con ellos en este tiempo y espero
seguir haci´endolo. Con Pablo Castro, por su generosidad y sus valiosos aportes
durante todo el desarrollo de la tesis. Con Conrado Rossi, Pablo Aguirre y Nicol´as
Barabino, siempre bien dispuestos a discutir un problema o a darme una mano
con el manejo de las herramientas de dise˜
no de circuitos integrados.
A mis compa˜
neros docentes de Electr´onica 1 que en las u
´ltimas semanas se
sobrecargaron de trabajo para que yo pudiera terminar de escribir esta tesis.
Quiero dar las gracias a los compa˜
neros del GME y del IIE que hacen que
laburar ac´
a sea un verdadero placer. En especial, a Leonardo Steinfeld, por su
compa˜
nerismo; y a Laura, Mar´ıa y Maxi, que siempre est´an dando una mano en
lo que sea.
Finalmente, quiero agradecer a la Comisi´on Sectorial de Investigaci´on Cient´ıfica
(CSIC) de la Universidad de la Rep´
ublica que mediante el proyecto CSIC Grupos
financi´
o la fabricaci´
on de un chip de esta tesis. Asimismo, quiero agradecer a la
Agencia Nacional de Investigaci´on e Innovaci´on (ANII) y a la Comisi´on Acad´emica
de Posgrados (CAP) de la Universidad de la Rep´
ublica por las becas que me
otorgaron en el marco de esta tesis.

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se exploraron t´ecnicas para programar su ganancia y su frecuencia de corte de superior. m´etodos de an´alisis de patrones.Resumen En la u ´ltima d´ecada se registra a nivel mundial un crecimiento importante de las investigaciones y potenciales aplicaciones de circuitos electr´onicos que interact´ uen con el sistema nervioso tanto con fines de investigaci´on en neurociencias. Uno de los desaf´ıos t´ecnicos m´as importantes que plantea el procesamiento de estas se˜ nales neurales es lograr observar un n´ umero alto de canales. Se propusieron e implementaron mejoras a la arquitectura del preamplificador neural que permitieron bajar su consumo. Estos cambios lograron que el preamplificador quede a nivel de otros en el estado . Asimismo. Los avances vertiginosos en: miniaturizaci´on de los aparatos de registro de EEG y de otras formas de registro de la actividad del sistema nervioso. Se utiliz´ o una arquitectura para preamplificadores neurales. El resto de las etapas se implementaron y caracterizaron a nivel de esquem´ atico. resolver la integraci´ on de altas constantes de tiempo en ´areas razonables. Asimismo. Se utiliz´ o el proceso C5 0. potencia de procesamiento. a lo que se suman las exigencias de alcanzar los bajos niveles de ruido necesarios para trabajar con se˜ nales tan peque˜ nas. La presente tesis consisti´o en el dise˜ no de un front-end para la adquisici´on de se˜ nales neurales en un circuito integrado. se desarroll´o la expresi´ on anal´ıtica de la transferencia. como con fines m´edicos u otros. En el marco de esta tesis se caracteriz´o la arquitectura y se extendi´o su uso a filtros. permitiendo a la vez obtener altos valores de CMRR y bajos niveles de ruido. un filtro programable y un filtro de salida con alto rango lineal. la expresi´on de la frecuencia corte inferior y la condici´ on para evitar no linealidades de la t´ecnica aplicada para lograr la caracter´ıstica pasabanda. es fundamental que la electr´onica que procesa estas se˜ nales tenga alto CMRR para poder eliminar las se˜ nales de interferencia en modo com´ un y sea capaz de bloquear niveles de continua en la entrada mucho mayores a los niveles de se˜ nal. El preamplificador se implement´o hasta el nivel f´ısico y se envi´ o a fabricar. y conocimiento de la organizaci´on cerebral de las funciones cognitivas han reavivado el inter´es en desarrollar este tipo de aparatos. mostrando su generalidad y versatilidad. su ruido y extender su ancho de banda.50µm de ON Semiconductor. tener bajo consumo para poder actuar con fuentes peque˜ nas de energ´ıa y no generar calentamiento local de los tejidos. En particular. Estos resultados permiten dise˜ nar circuitos basados en esta arquitectura f´ acilmente a partir de especificaciones. de tipo Gm-C que logra su caracter´ıstica pasabanda de una forma eficiente en t´erminos de ´area y consumo. El front-end se dividi´o en tres etapas: un preamplificador de bajo ruido.

1Hz (con capacitor externo) y 18Hz (con capacitor integrado). aumentando significativamente los contextos donde podr´a aplicarse. que es capaz de manejar a su salida 0. de mantenerse las caracter´ısticas simuladas en el circuito fabricado. En efecto. CM RR = 83dB.6dB. el front-end superar´ıa a todos los circuitos reportados a la fecha desde el punto de vista de la ganancia. 1 N EF es Noise Efficiency Factor por sus siglas en ingl´es. En particular. se logr´o obtener un front-end integrado programable. El preamplificador de caracter´ıstica pasabanda utilizado en la etapa de entrada del front-end presenta las siguientes caracter´ısticas simuladas: ganancia en banda pasante 49.1Hz − 10kHz.191 .46µVrms . 2µA y un ruido equivalente a la entrada de 1.96µVrms .87µVrms . igualando los mejores compromisos ruido-consumo y manteniendo una buena performance en las otras caracter´ısticas. se trata de una figura de m´erito que eval´ ua el compromiso entre consumo y ruido. Por otra parte. frecuencia de corte superior 9. De mantenerse las caracter´ısticas simuladas en el circuito fabricado.del arte.97Vpp con una T HD = 3.1 %. Asimismo. Presenta un consumo de 8.3dB y 99. realizando aportes novedosos. e incluso en alguna dimensi´ on sea mejor. En resumen se propuso una soluci´ on que alcanza. El m´aximo consumo del front-end es 11. 1µA y un ruido equivalente a la entrada de 1. desde el punto de vista del consumo y el ruido para barrer el rango 0. la ganancia del front-end es programable entre 57. lo que se corresponde con un N EF = 2.3dB. iv . brindando al usuario mucha flexibilidad.61. lo que se corresponde con un N EF = 2. se dise˜ n´o un filtro pasabanda de alto rango lineal. superar´ıa a todos los circuitos reportados a la fecha.2µA y su m´aximo ruido equivalente es 1. Para la segunda etapa del front-end se dise˜ n´o un filtro pasabanda. que permite trabajar con un conjunto muy amplio de se˜ nales biopotenciales. Como etapa de salida.2kHz.1kHz y 5. su frecuencia de corte superior es programable entre 0. presenta una frecuencia de corte inferior de 20Hz (con capacitores totalmente integrados) y un CM RR = 82dB. cuya ganancia es programable entre 1V /V y 110V /V y su frecuencia de corte superior es programable entre 100Hz y 5kHz.2kHz). y en alg´ un aspecto supera. El front-end configurado para tener m´axima ganancia (99.3dB) y m´axima frecuencia de corte superior (5.6kHz y frecuencia de corte inferior 0. presenta un consumo de 11. el estado del arte en el tema.

. .3. Fabricaci´ on . . . . . . . An´ alisis de bloqueo de continua . . . . Antecedentes . . .4. . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . CMRR . 1. .2. . .4. .2. . . . . . . . . . . . .7. . . .5. .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . 2. 2. 2. . . .4. . . . . . . .4. . . . . Resultados . . .5. .3. . . 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Objetivos . 2. . . . . . . 2. . . . . . Soluci´ on propuesta .2. .2. . . . . 2. . . . . . . . . . . . . . 1. . Desaf´ıos . . .1. . . . Ruido . . . . . . . . . . .1. Rango lineal de entrada . . . . . . . . . . . . . . .7. . . . . . . .1. . . . . . . . . . . . . Introducci´ on 1. . . . . 2. . . . . . . . . . .3. . . . . . . Transferencia del preamplificador .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . Flujo de dise˜ no . . . . . .3. . . . Desde el punto de vista de la se˜ nal biol´ogica 1. . . 13 13 15 15 18 18 19 20 20 21 23 24 24 25 28 28 29 29 30 32 32 2. . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . Offset .2. . . . . . . . 1 1 2 3 4 5 8 9 10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dise˜ no . . . . . . . . . .3. . .1. . . . 2. . . . . . . . Consumo . . 1. .1. .4. An´ alisis de ruido . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . An´ alisis de linealidad . . . . . . . . . . . Implementaci´on . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . . Comparaci´ on con otros preamplificadores 2. . . . . . . . . . . . .6. . . . .2. . Desde el punto de vista del sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . 2. . . . . . . . . . . . . . .3. . . 1. . . . . . . . .5.Tabla de contenidos Agradecimientos I Resumen III 1. . . . . . . . .4. . Respuesta en frecuencia . 1. . . . . . . . .1. . . . 2. . . Discusi´ on y conclusiones . . . . . . . . . . . Especificaciones . . . 2. . . . . . . . 2. 2. . . . Desde el punto de vista del front-end . . . .2. . . . . . . . . . . . Motivaci´ on y aplicaciones . . . . . . . 2. . . . . . . 2. . . . . .4. . . . . . . . . .2. . . Preamplificador de bajo ruido 2. . . . . . . . . Bloqueo de continua . . 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Soluci´ on propuesta . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . . . . . 2. . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . .6. . 2. . . . . . . . . . . . . .

. . . 5. . . . . . . . . . .1. . . . . . . . . . . . .4. . . .3. . . . Programabilidad . . . . .Tabla de contenidos 3. . . . 5. Discusi´ on y conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1. . 4. . . . . . . . . . . . . 47 47 48 50 51 52 53 53 54 55 55 56 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. .3. . . . . . . . . . . . . . Rango lineal de entrada . . . . .2. . . . . 5. . . . . . . .1. . . . . . . . . .3. . . Deducci´ on 73 c´ alculos del Preamplificador de la transferencia del Preamplificador . . . . . . . . . . Respuesta en frecuencia. . . Dise˜ no . . . . . . . . . . .1. . . Filtro programable 3. . 3. . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . . . . 3. . . . . . . . . Circuito completo: Front-End 5. .3. . . 5. . . .3. . . . . . . . . . . . . .3. . . 35 35 36 38 39 39 40 40 42 44 4. 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Linealizaci´ on de OTAs . .3. . . . . . .2. de la condici´ on anal´ıtica para evitar la multiplicaci´on . . . . .2. . . . . .2. . . . . . . .2. . . . . . . 3. . . . . . . . . . . .2. . . . . Programaci´ on Filtro Base 3. . . . . . . . . . . . . . . . 85 85 86 86 vi . . . . . . . . . . . .3. .2. . Rango lineal de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Bloqueo de continua . . . . . . . . . . 4. . . Biquad cl´ asico B. . . 3. Resultados . . . . . .1. Detalle de los A. . . . . . . . . . . . Deducci´ on A. . . . . 4. . . . . . . . . . . . Resultados . Deducci´ on A. . . . . . . . Rango lineal de entrada . . . . . . . . 79 79 82 84 B. . . . .3. . . . . . . . . . . .2. 5. .3. 6. . . . . . B. . . . . . . . . Conclusiones A. . Bloqueo de continua . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . offset 5. . . . . . . . CMRR . . . . . . . .2. . . . . . . . . . Especificaciones .3.1.3. Implementaci´ on . . . . . . 4. . .3. 5. . . Discusi´ on y conclusiones .4. . . . .2. . . . . . . Implementaci´ on . . . 3. . . . Respuesta en frecuencia y offset . . . . . . . y ruido . . . . . . . . . Dise˜ no .2. . . . . . . de la expresi´ on del ruido del Preamplificador .2. . . . . . . . .1. . . . . . . . . . .2. Comparaci´ on con otros front-end . . . . . . . . Flujo de dise˜ no . . . . . . 3. . . .3. . . Discusi´ on y conclusiones .2. . . . . . Filtro de alto rango lineal 4. . . .4.2. . . . . . 4. . . . . Resultados .2. . consumo. . . . . . . . . . . . . . 4. . B. . . . . . . . . . . . Punto de funcionamiento y consumo 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . Circuito y ecuaciones . . . . . . .1. . . An´alisis de bloqueo de continua . . . . . . . . .2. . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1. . . . Filtro Base . . . . . . . . . . . . . . .3.2. . . . . . . . . . . . . . . . . Implementaci´ on . . . . . . . Especificaciones . .2. Flujo de dise˜ no filtro Base 3. . .1. . . . 59 59 59 59 65 67 68 69 70 . . . . . . 5. . . .

3. . . . . . . . . . . . . . . . .1. . .1. . . Bloqueo de continua . . . . Punto de funcionamiento y Consumo D. . Implementaci´on . . . . . . . . . . . .Tabla de contenidos C. . .2. . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Arquitectura original C. . . . . Especificaciones . . . . . . . . D. . . D. .4. . . . . .2. . .1. . . . . . . . . D. . . . . Circuito y ecuaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Rango lineal de entrada . . . . . . . . . . . Flujo de dise˜ no . . Soluci´ on propuesta . . . . . . . D. . . . . . . . . Respuesta en frecuencia .5. 89 89 93 93 94 94 95 95 95 97 98 98 99 100 Referencias 101 ´ Indice de tablas 106 ´ Indice de figuras 110 vii . . . . . . . D. . . . . . . . . . . . . . . . . Ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . D. .2. . . . . .4. Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . .1. . . . .2. . . .3. . . . .3. .3. . D. . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . D. . . . Filtro con alfa=1 D. D. . . . . . . Conclusiones . . . . . . . . . . . D. . .

.Esta p´ agina ha sido intencionalmente dejada en blanco.

algunos ya existen. 2]. en la industria del entretenimiento. y.Cap´ıtulo 1 Introducci´on En la u ´ltima d´ecada se registra a nivel mundial un crecimiento importante de las investigaciones y potenciales aplicaciones de circuitos que interact´ uen con el sistema nervioso tanto con fines de investigaci´on en neurociencias. en el conocimiento de la organizaci´ on cerebral de las funciones cognitivas. como con fines m´edicos u otros. BMI. el procesamientos de se˜ nales. juegos o para interfaz con computadora (ver [7–9]). Los avances vertiginosos en: la miniaturizaci´on de los aparatos de registro de EEG y de otras formas de registro de la actividad del sistema nervioso.1. Motivaci´on y aplicaciones Adem´ as de las aplicaciones citadas en la secci´on anterior. la teor´ıa de la informaci´on y la microelectr´onica. en otros se est´a cerca. en los avances en los m´etodos de an´alisis de patrones. Son muchas las oportunidades que se abren. La posibilidad de controlar m´aquinas utilizando se˜ nales derivadas del an´ alisis del electroencegalograma (EEG) en tiempo real (Brain-Computer Interface. en aplicaciones de uso masivo en el deporte. Sus aplicaciones e implicancias son variadas abarcando campos tan distantes como la filosof´ıa. en el aumento de la potencia de procesamiento que tienen dispositivos cada vez m´as peque˜ nos. en la ense˜ nanza o para mejorar diversos aspectos de la vida cotidiana. 1. en otros se requerir´a varios a˜ nos de investigaci´ on en diversos campos y en otros es dif´ıcil aventurar hoy si se . en la cl´ınica m´edica. se visualizan muchas otras: a nivel de neuro-rehabilitaci´on. especialmente si el problema es abordado con la integraci´on de equipos en donde convergen distintos tipos de formaci´on incluyendo la neurociencia. ICM) fue concebida por Vidal hace alrededor de 40 a˜ nos [1. Existen m´ ultiples iniciativas tendientes a usar informaci´on de actividad cerebral (obtenida no invasivamente mediante EEG o invasivamente mediante electrodos intracerebrales) en productos con aplicaci´on desde la cl´ınica m´edica (ver por ejemplo [4–6]) hasta el consumo masivo para el entrenamiento de habilidades. la inform´atica. A continuaci´on se repasan algunos ejemplos. han reavivado el inter´es en desarrollar este tipo de aparatos desde comienzos de la d´ecada pasada [3]. las neuro-pr´otesis o los videojuegos. o Interfaz Cerebro-M´aquina.

Introducci´on podr´a llegar. el gorrito podr´ıa comunicarse con un PC para graficar un audiograma o en un CTI para diagnosticar el estado del paciente o la muerte cerebral. Por otra parte. esto es el circuito electr´onico encargado del acondicionamiento (amplificaci´on y filtrado) previo a la digitalizaci´on o transmisi´ on. podr´ıa utilizarse para la predicci´ on de un ataque epil´eptico. En el u ´ltimo caso. incluyendo las se˜ nales neurales que se estudian habitualmente caracteriz´ andolas desde el punto de vista el´ectrico. A nivel de consumo masivo. Desaf´ıos La adquisici´ on. En este sentido. 2 . estos dispositivos se pueden utilizar para detectar si el usuario se est´ a durmiendo [11].Cap´ıtulo 1. La investigaci´ on actual en las aplicaciones m´edicas de la ICM est´a centrada en el desarrollo de canales de comunicaci´ on alternativa para los pacientes con graves trastornos neuromusculares cr´ onicos (prevalencia 4-8/1. En efecto. esto puede ser sumamente u ´til en choferes profesionales donde se le podr´ıa pedir al sistema que cuando detecte esa condici´on emita una se˜ nal de alarma u obligue al chofer a detenerse. Otra aplicaci´on relacionada. Una plataforma o sistema de ICM podr´ıa ayudar a estos pacientes a desplazarse e interactuar con su entorno. puede ser un sistema para detectar si un usuario est´a bajo el efecto de sustancias como el alcohol o las drogas. se discutir´ an los desaf´ıos presentes en el front-end. se analiza el problema desde el punto de vista del sistema (considerado de punta a punta). y transmitir en forma inal´ambrica esta informaci´ on permite adem´as pensar en aplicaciones de BSN (Body Sensor Networks) a la medicina. Tambi´en se puede pensar en un eje de aplicaciones. 1. tanto a nivel de primaria (utilizando la plataforma en conjunto con una computadora del Plan Ceibal). y dependiendo de la aplicaci´on. el deporte o al entretenimiento. donde el sistema pueda usarse para apoyar actividades de ense˜ nanza y extensi´on.000/a˜ no) [10]. En segundo lugar. puede pensarse en un gorrito o vincha que podr´ıa usarse para detectar y procesar potenciales evocados visuales o auditivos. o transitorios como por ejemplo el s´ındrome de Guillain-Barr´e (incidencia 1-2/100.000) como por ejemplo infarto o hematoma cerebral. de secundaria o superior. permitiendo que un usuario que padece esta enfermedad pueda realizar actividades cotidianas y sea alertado ante la inminencia de un ataque para tomar los recaudos correspondientes. En primer lugar se presentar´a el problema desde el punto de vista de la se˜ nal biol´ogica. en muchos casos se trata de problemas abiertos. Por u ´ltimo.2. lesi´ on medular traum´atica. esclerosis lateral amiotr´ofica [5]. una plataforma de ICM podr´ıa tener aplicaciones diagn´osticas en la cl´ınica m´edica. En este caso el gorrito se podr´ıa comunicar con la PC para mostrar las se˜ nales EEG o indicar aspectos detectados en las mismas. el procesamiento y la transmisi´on de se˜ nales neurales presentan desaf´ıos importantes a mucho niveles. Disponer de dispositivos aut´ onomos muy peque˜ nos que permitan adquirir y procesar biopotenciales en forma no invasiva y confortable.

es la secuencia de intervalos inter-espiga (llamado tambi´en ISI por el acr´ onimo en ingl´es de Inter-Spike Interval).13]. donde se registra la actividad el´ectrica a trav´es de la membrana celular. b) Potenciales de acci´on o espigas1 . puede pensarse que la comunicaci´on de larga distancia se implementa mediante un c´ odigo de pulsos donde el elemento sustancial del c´odigo es el ISI. 3 . o sea que la informaci´on viaja en la frecuencia y en la fase. 2 Tambi´en conocidos como LFP. Dependiendo de su forma de registro y la estructura explorada. Desde el punto de vista de la se˜nal biol´ogica En las se˜ nales el´ectricas utilizadas por los electrofisi´ologos para explorar el sistema nervioso se ven reflejadas varias actividades neuronales: 1. por su acr´onimo en ingl´es Neural Action Potential.1. una vez que se llega a un nivel cr´ıtico de despolarizaci´on se generan variaciones transitorias del potencial de membrana. que debido a la din´amica de la membrana celular. por lo cual se comportan como ondas viajeras y son ideales para trasmitir se˜ nales a distancias largas con bajo ruido. Los potenciales de acci´ on son se˜ nales de comunicaci´on interneuronal que predominantemente se utilizan para transportar se˜ nales a distancias medianas (cercanas al mil´ımetro) o largas. Una misma neurona emite (se utiliza el t´ermino disparar) siempre el mismo tipo de forma de onda. lo que var´ıa es el momento del disparo. o globales (de muchas neuronas) como el electroencefalograma (EEG). Registros intracelulares. lo que importa a los efectos del an´ alisis. La detecci´on de la espiga es el primer paso en el estudio de muchos tipos de funciones cerebrales [12. por su acr´onimo en ingl´es de Local Field Potential. Pueden definirse distintos tipos de actividad en el interior de una c´elula: a) Potenciales lentos que se deben a variaciones locales de la resistencia de membrana ya sea por actividad sin´aptica (es decir los efectos de las se˜ nales provenientes de otra c´elula) o por fen´omenos din´amicos (todo evento el´ectrico cambia las propiedades el´ectricas de la membrana de modo que un evento puede tener consecuencias no inmediatas). Dichas variaciones tienen una forma de onda estereotipada para cada regi´on de la c´elula y son capaces de generar fen´omenos similares en su entorno. los potenciales lentos pueden corresponder a respuestas locales2 (de pocas neuronas). 2. b) Espigas: consistentes en variaciones r´apidas de potencial. Las espigas generalmente 1 Tambi´en llamados spikes o menos frecuentemente NAP. Registros extracelulares. Por tanto. Desaf´ıos 1.2.1. all´ı se tienen dos tipos de actividades: a) Potenciales de campo lentos que reflejan la actividad sincr´onica de m´ ultiples neuronas. En definitiva.2.

1 y 1. que se encuentran superpuestas a altas tensiones de offset (se˜ nales DC producidas en la interfaz piel-electrodo o neurona-electrodo) y se˜ nales de interferencia en modo com´ un (la red el´ectrica u otras se˜ nales biol´ ogicas). 3. (EOG) los potenEl microcontrolador. adaptar En todos los casos se obtiene una diferencia demismas potencia funci´oyneldel tiempo las señales adquiridas en los electrodos. o en forma invasiva usando electrodos colocados intra-celularmente (pinchando el tejido que se Front-End quiere registrar) 2. o esquel´ valen todas las paralelo-serie mismas consideraciones que paray las lasenviará neuronas al computador junto con el resto de los datos. se envía la se˜ n al de EEG que se observa luego de un est´ ımulo auditivo.1. Introducci´on est´ an contaminadas con el ruido ambiente y son interferidas por las espigas de neuronas cercanas. 4 5 Señal obtenida en el Instituto de Investigaciones Biológicas Clemente Estable. Dado que no se provee front-end para estas señales de sincronismo. ´estos son el registro de estas mismas se˜ nales ante un Para ilustrar un espec´ poco más sobre la utilidad de lasel señales de sincronismo. de muy baja amplitud.2.2. el electromiograma (EMG).3 semacro dandem´ s detalles). ıa querer medir el tiempo de respuesta del cerebro dada la ocurrencia de un estímulo. En estos casos se aplican las t´ecnicas que se mencionan en la secci´ on 1. potencial evocado auditivo EEG. Los datos fueron sacados de 2-4. Descripción laaestructura del front-end. obtener registros de una u ´nica neurona puede ser dif´ıcil. Existen ejemplos de aplicaciones que usando MEMS integran 100 o m´as electrodos [18]. éstas deberán ser adaptadas por el no hay espigas). Figura 1. 7 .1: Ejemplo de se˜ nal EEG. módulo base. es la sección del módulo remoto encargada de do). Desde el punto de vista del front-end Uno de los desaf´ıos t´ecnicos m´ as importantes que plantea el procesamiento de se˜ nales neurales es lograr observar un n´ umero alto de canales. se trata de se˜ nales lentas. dos de estas se˜ nales. Diseño del Analog (AFE) o extra-celularmente (recubriendo el nervio mediante electrodos cuff o colocando el electrodo en la superficie del tejiEl Analog Front-End (AFE) del sistema de adquisición. Por lo tanto. y luego en el computador se mide el tiempo de latencia entre el pulso de sincronismo y los “potencia [22]. de modo que las tenganen la amplitud ancho de banda adecuados para luego ser digitalizadas por al ADC de dicho módulo. En las tablas 1. Permitir la integraci´on de tantos electrodos es una dificultad. 5 Figura 2-3. 1. [15–17].Cap´ıtulo 1. en el caso de lasobre piellasyseñales los ojos los potenciales son lentos. Seetico encargará del multiplexado de estas señales de sincronismo.1). ejemplo de las señales que se adquirirán en los electrodos conectados al módulo remoto. La Figura 2-3 muestra un (ver por ejemplo en Fig. Otras actividades electrofisiol´ ogicas de inter´es son el electrocardiograma (ECG). En la Figura 2-4 se encuentra una descripción del front-end del módulo remoto. Asimismo. La Figura 2-5 muestra un detalle de la arquitectura utilizada para cada uno de los canales que componen el front-end del módulo remoto. por ejemplo. En ellos el emisor es otro tejido (en m´ usculo sincronismo. para intentar extraer la informaci´on de todas las neuronas presentes en el registro. Señal de EEG . Figura gentileza de [14]. por un lado recibirá los datos electro-oculograma trasmitidos inalámbricamente (por elymódulo remoto) enviaráde al computador.3. T´ıpicamente estas se˜ nales se registran en forma no invasiva utilizando electrodos sobre la piel. en una visión macro de su estructura. se plantea comode ejemplo el ser´ est´ ımulo ıfico. 1.2. Las señales de sincronismo entrarán directamente al antes mencionadas. En resumen. y por otro recibirá hasta 4 señales que llamaremos señalescard´ de ıaco cialesy los lentos piel. a la que se suman las exigencias 3 Se presenta informaci´ on de se˜ nales que se registran habitualmente en el Departamento de Neurociencias Integrativas y Computacionales (DNIC) del Instituto de Investigaciones Clemente Estable (enFigura la secci´ on 1.2 se presentan las principales caracter´ısticas el´ectricas de algunas se˜ nales biopotenciales3 . y sirven como referencias de control adquiridas en el módulo remoto. tambi´en se trabaja con los Potenciales Evocausuario antes ingresar al Conversor Análogo-Digital (ADC) del módulo base. de forma sincrónica el estímulo y un “pulso de sincronismo”. Entonces.

Desaf´ıos Ancho de banda (Hz) Amplitud (µVpp ) EEG (cuero cabelludo) 0. 1.1. Adem´as. peque˜ no y c´ omodo) con una autonom´ıa razonable (bajo consumo). por tratarse de se˜ nales de amplitud muy peque˜ na. Sin embargo.1 se profundizar´a en los antecedentes m´ as relevantes que se encuentran en la literatura. Desde el punto de vista del sistema El desaf´ıo a nivel sistema es lograr tener un dispositivo portable (inal´ambrico. 21] y una segunda etapa de filtrado que todav´ıa requiere algo de amplificaci´on debido a la baja amplitud de la se˜ nales de entrada [22–24].1 − 7k 1 − 500 Amplitud (µVpp ) 50 − 1000 1000 − 5000 Tabla 1. es necesario que sea capaz de bloquear importantes niveles de offset en la entrada. Es fundamental que la electr´onica que procesa estas se˜ nales tenga alto CMRR para poder eliminar las se˜ nales de interferencia en modo com´ un. que sea capaz 5 . las constantes de tiempo involucradas en el front-end son t´ıpicamente mucho m´as grandes que el tiempo de cambio necesario en el multiplexor para registrar adecuadamente cambios neuronales r´ apidos [18]. extremo que se vuelve cr´ıtico trabajando con registros extra-celulares o con electrodos de tipo cuff donde es deseable tener valores de CMRR mayores a 90dB [19]. Este esquema casi permitir´ıa utilizar tantos canales como se requiera.5 − 100 20 − 200 EEG (potencial evocado auditivo) 5 − 3k 20 − 200 EMG (electrodo superficie-piel) 25 − 3k 10 − 1000 EOG 0.2. el filtrado digital no presenta una resoluci´ on suficiente o que la tenga implica sobre-costos en consumo inaceptables. resolver la integraci´on de altas constantes de tiempo en ´areas razonables. Espigas LFP Ancho de banda (Hz) 0. Es usual atacar este problema mediante una cadena de filtrado que involucra un preamplificador de bajo ruido con caracter´ıstica pasabanda [20.2: Caracter´ısticas el´ectricas de algunas se˜ nales biopotenciales en peces el´ectricos. tener bajo consumo para poder actuar con fuentes peque˜ nas de energ´ıa y no generar calentamiento local de los tejidos.3. En la secci´on 2.2. El ´ area podr´ıa no ser un problema si usa un u ´nico front-end y se comparte con m´ ultiples electrodos a trav´es de un multiplexor anal´ogico.1: Caracter´ısticas el´ectricas de algunas se˜ nales biopotenciales en humanos. En este tipo de aplicaciones es indicado utilizar filtros anal´ogicos porque se trata de procesar se˜ nales anal´ogicas y trasladar los requerimientos que surgen de sus caracter´ısticas (especialmente niveles de ruido compatibles con los bajos niveles de se˜ nal) a un Conversor AD resultar´ıa ineficiente o imposible.1 − 10 20 − 400 Tabla 1. de alcanzar los bajos niveles de ruido necesarios para trabajar con se˜ nales tan peque˜ nas. Asimismo.

pesa 0. se tienen 2M bps. En la literatura se encuentran varios m´etodos para detectar la posici´on de un spike [12].17 gramos y tiene una autonom´ıa de 5 horas trabajando con una pila de 1. En segundo lugar se evita la utilizaci´ on de largos cables entre el electrodo y la sucesivas etapas. Tambi´en se encuentran m´etodos. donde un sistema cableado resulta suficiente en la mayor´ıa de los casos. Introducci´on de adquirir los biopotenciales y tomar una acci´on en funci´on de ellos o transmitir esa informaci´ on. Algunos de ellos.Cap´ıtulo 1. la tasa efectiva de transmisi´on de datos deber´ıa ser mayor a 24M bps.6um BiCMOS.5V . El algoritmo m´ as sencillo para detectar la posici´on de una espiga es detecci´ on por umbral o threshold detection. el mayor desaf´ıo que se enfrenta a nivel sistema es el manejo del enorme volumen de informaci´ on que se genera. Hay varios trabajos de investigaci´ on que han buscado brindar soluciones con las herramientas tecnol´ ogicas que se encontraban disponibles en su momento. La utilizaci´ on de sistemas inal´ ambricos para adquisici´on de se˜ nales neurales presenta ciertas caracter´ısticas muy interesantes. que es fuente habitual de interferencia [25]. con lo cual. contar con sistema inal´ambrico permitir´ıa profundizar en el estudio simultaneo de la actividad neural y el comportamiento. En este contexto. que adquiere se˜ nales neurales y EMG en peque˜ nos animales (flying locusts y weakly swimming electric fish) y las transmite en forma inal´ ambrica en la banda de los 900M Hz. Para muestrear se˜ nales de 10kHz como m´ınimo se necesitan 20ksamples/s por canal. En [25] se presenta un sistema de telemetr´ıa. fabricada en 0.79 gramos y tiene una autonom´ıa de 2 horas trabajando con dos pilas de 1. Su principal desventaja es que es sensible al ruido o a la interferencia de otras se˜ nales (por ejemplo espigas de otras neuronas). Si se tratara de 100 canales. Ning´ un protocolo de comunicaci´on inal´ambrica de bajo consumo alcanza estas tasas de transmisi´on hoy en d´ıa. comparan la se˜ nal cruda contra un template (template matching). Una manera de resolver el problema de tener que transmitir un volumen tan alto de datos es incorporar procesamiento de datos.35µm CMOS. El m´etodo detecta spikes viendo los cruces de la se˜ nal por un umbral fijado arbitrariamente. algunos ejemplos interesantes son: [25–28]. ya que los sistemas cableados restringen los movimientos del usuario. si se trata de 8 canales y samples de 12 bits. En el Grupo de Microelectr´onica (GME) del Instituto de Ingenier´ıa El´ectrica (Universidad de la Rep´ ublica) se ha comenzado recientemente un esfuerzo en este sentido [14] [29]. pesa 0. Estos m´etodos son particularmente efectivos cuando la forma de onda del spike buscado es conocido a priori o puede estimarse. En primer lugar otorgan m´as libertad. Se han planteado mejoras que utilizan un umbral positivo 6 . Tambi´en se presenta una versi´on 2 fabricada en 0. que midiendo la energ´ıa de la se˜ nal. Se presenta una versi´on 1.5V .1 no ser´ıan factibles con un sistema cableado. para tomar acciones in situ (dar una alarma o estimular) o para transmitir un volumen mucho menor de datos. en un dispositivo peque˜ no y con un presupuesto de energ´ıa muy acotado. Incluso a nivel de investigaci´on. si el registro tiene m´as de una neurona su resultado puede no ser satisfactorio. Su principal ventaja es que es sencillo de implementar y tiene bajo costo computacional. La mayor´ıa de las aplicaciones planteadas en la secci´on 1. logran resolver el problema [27].

EMG. Mohseni ha trabajado estos temas con el objetivo de estimular. A nivel de sistema se presenta otro desaf´ıo no totalmente resuelto al d´ıa de hoy: el sincronismo con se˜ nales de est´ımulo.2. Por otra parte. se establecen ciertas caracter´ısticas distintivas de la se˜ nal (como por ejemplo su amplitud pico a pico o el tiempo que pasa entre el pico negativo y positivo) y se agrupan las que poseen caracter´ısticas similares. y en lugar de enviar toda la se˜ nal se env´ıan 6 puntos (los cruces por los umbrales. existen en el mercado varias opciones de equipos comerciales cableados e inal´ ambricos. Para el caso de tener una o m´as neuronas superpuestas se puede utilizar feature analysis. el pico positivo y el pico negativo). EOG. En varias ´areas de investigaci´on relacionadas con la neurociencias. o se pueden usar t´ecnicas de reconocimiento de patrones como k-means o bayesian clustering. En lo que respecta espec´ıficamente a los registros donde el electrodo est´a en contacto con la piel (EEG. 31]. es decir. Luego de identificar se utilizan t´ecnicas para clasificar. de f´acil colocaci´on y preferentemente embebidos en la ropa. pero su 7 . se requiere de mucha intervenci´ on del usuario para configurar los umbrales (se realiza a mano viendo las formas de onda de las espigas en cada experimento).1. A nivel comercial. La desventaja mayor que tienen es la falta de automatizaci´on. En general. La detecci´ on de spikes termina siendo un primer paso de muchos de m´etodos de an´ alisis.) con el objetivo de buscar correlaciones. etc. En el caso de k-means la pertenencia al cluster se define mediante la distancia euclideana respecto al centro (que se calcula como la media) [12]. Este proceso de colocaci´ on es lento. Este m´etodo puede extenderse y automatizarse mediante PCA (Principal Component Analysis). en [28] se plantea un esquema de compresi´on de datos mediante feature extraction: el spike es detectado mediante dos umbrales (uno negativo y otro positivo). procesarlas y estimular otras neuronas. La necesidad de electrodos peque˜ nos. es importante realizar registros de se˜ nales neurales despu´es de realizar un cierto est´ımulo (visual. la medicina o la sicolog´ıa. etc. traen asociado un software que permite realizar PCA o an´alisis matem´aticos m´as complejos. logrando integrar en un mismo chip un sistema capaz de adquirir se˜ nales neuronales. En general alcanza con enviar el ISI pero pueden plantearse esquemas que env´ıen pocos datos m´ as brindando mucha m´as informaci´on. auditivo. se conocen desde hace tiempo tambi´en los electrodos secos. evitando totalmente de este modo la necesidad de transmitir datos hacia el exterior [30. t´ıpicamente son de Ag/AgCl y se pegan a la piel mediante un gel conductivo que mejora las condiciones de la interfaz. que llamaremos h´ umedos. Los electrodos est´ andar. Lograr que el sistema incorpore como entrada la se˜ nal de est´ımulo sincronizada perfectamente con el registro neural es un problema no totalmente resuelto al d´ıa de hoy en equipos comerciales.) hay varios desaf´ıos por resolver. Por ejemplo. por ejemplo [32–34]. se puede usar template matching o filtrado ´ optimo. no se encuentra totalmente resuelta al d´ıa de hoy. si se conocen las formas de onda o se pueden estimar. Desaf´ıos y otro negativo para buscar los flancos positivos y negativos de la espiga o que adaptan el umbral en funci´on del ruido [27]. engorroso y el resultado es inc´omodo para el usuario. entre otras.

trabajando en conjunto con el Departamento de Neurociencias Integrativas y Computacionales (DNIC) del Instituto de Investigaciones Clemente Estable (IIBCE). la procese y tome una acci´on. Esto involucra la adquisici´ on y acondicionamiento de la se˜ nal para que posteriormente un SoC (System on Chip) la digitalice. Se espera que los circuitos dise˜ nados en el marco de la tesis (y sus futuras continuaciones) puedan formar parte del trabajo de investigaci´ on del DNIC y aporten m´etodos novedosos de registro y procesamiento de se˜ nales electrofisiol´ ogicas. la calidad de la se˜ nal obtenida por los electrodos secos actuales y con la electr´ onica de adquisici´on tradicional tiene importantes deficiencias en t´erminos de ruido y sensibilidad al movimiento del electrodo [35]. Figura gentileza de [14]. etc. 1.3.2: Diagrama de bloques de alto nivel de la plataforma de ICM. ya sea en forma local o la transmita en forma inal´ambrica (ver Fig. Figura 1. ganancia y ancho de banda. ambiciosos requerimientos en t´erminos de rango din´ amico. Por tanto desde el punto de vista de la electr´onica. Esto aumenta significativamente el n´ umero de aplicaciones y le brinda al usuario flexibilidad. Objetivos El objetivo general de la presente tesis es estudiar.Cap´ıtulo 1.2). uno de los problemas abiertos es la optimizaci´on de los electrodos y los circuitos de adquisici´on de se˜ nal para paliar las desventajas que presentan los electrodos secos. generando como se ver´a m´as adelante. En contrapartida. se espera que el DNIC contin´ ue 8 . a cargo del Dr. juegos. dise˜ nar e implementar circuitos integrados para utilizar en el front-end de una plataforma de ICM. Introducci´on desarrollo se mantiene acotado a ciertos nichos (fitness. Fue un objetivo particular de la tesis generar trabajo multi-disciplinario en el a´rea. Se espera que el front-end sea programable y permita trabajar con el conjunto m´as amplio de se˜ nales biopotenciales que sea posible (en la jerga interna esto es llamado un todo terreno).). 1. Angel Caputi. Asimismo. La principal ventaja que aportan los electrodos secos es la facilidad de colocaci´on y la comodidad de uso.

Ganancia G programable entre 1k y 100k.3: Caracter´ısticas de las se˜ nales que debe adquirir el front-end De acuerdo a las caracter´ısticas planteadas en la Tabla 1.3 y otras caracter´ısticas usuales en aplicaciones similares se fijaron las siguientes especificaciones para el front-end: Frecuencia de corte inferior flow ≤ 0. Especificaciones En funci´ on de las l´ıneas de investigaci´on en curso y los biopotenciales que se estudian en el DNIC se definieron las caracter´ısticas de las se˜ nales que deber´a adquirir el front-end (ver Tabla 1. Especificaciones proveyendo el conocimiento que permita dise˜ nar estos circuitos y aplicaciones de ICM desde el punto de vista biol´ogico. El objetivo de estas investigaciones. en ese marco se realizan registros de se˜ nales el´ectricas neuronales en diversos seres vivos (tanto animales como humanos). y sea qui´en implemente las pruebas en seres vivos. intra-celulares. neuronal y global del cerebro. EMG. por otra parte los equipos inal´ ambricos no resuelven bien el sincronismo entre la se˜ nales de est´ımulo y el registro de los biopotenciales. el control motor o las funciones cognitivas.1. El DNIC tiene larga trayectoria en el pa´ıs en investigaci´on en neurociencias. 1Hz. con funciones cerebrales como la percepci´on. Estos registros pueden ser unitarios. es descubrir relaciones entre la actividad el´ectrica. En el DNIC se trabaja con equipos cableados de Datawave Technologies [33] y recientemente se adquiri´o el Nicolet EEG Wireless Amplifier de Natus Medical [34].4.1 − 10k 80 100 50mV - Tabla 1. Amplitud (µVpp ) Frecuencia (Hz) CMRR (dB) Nivel de continua en la entrada (mV ) Aceptable Ideal 10 − 400 1 − 1000 1 − 2k 0. se confirma el hecho que las soluciones que multiplexan un u ´nico amplificador de entrada son peores que los otros. Esto genera una demanda constante de innovaci´on en las t´ecnicas de adquisici´on. Finalmente. Si bien se trata de muy buenos equipos. 1. extracelulares.4. etc. permita la aplicaci´on futura de dichos circuitos y pueda generar desarrollos nacionales de sistemas ICM con distintas aplicaciones. se espera que este trabajo de colaboraci´on. los equipos cableados presentan problemas de ruido e interferencia importantes.3). Frecuencia de corte superior fhigh programable entre 100Hz y 5kHz. EEG. que excede la presente tesis. en ning´ un caso el nivel de satisfacci´ on ha sido completo. 9 . y con ello la necesidad de nuevos y mejores dispositivos que permitan alcanzar dicho fin.

3V /V ) y alto rango lineal (ver cap´ıtulo 4).5. lo cual genera un overhead en consumo y ´area. En lo que refiere al dise˜ no de circuitos integrados se utilizaron metodolog´ıas que se basan en el uso de la relaci´ on transconductancia . La programaci´ on se deja para una etapa intermedia. rms ≤ 2µVrms CMRR ≥ 80dB Bloqueo de continua ≥ 50mV Output Swing ≥ 1Vpp con T HD ≤ 5 % Filtrado mayor o igual que –40dB/dec a baja y alta frecuencia. la arquitectura permite aumentar significativamente el CMRR sin penalizar el consumo. Como herramientas de CAD se utiliz´o el entorno profesional Cadence. donde no sea necesario filtrar se˜ nales de amplitud tan peque˜ nas (y por tanto el ruido ya no sea un problema serio) ni tan grandes (donde la linealidad sea dif´ıcil de manejar). Por u ´ltimo. Las tres etapas tiene una caracter´ıstica pasabanda de primer orden. Adem´as. En este trabajo se propone utilizar la arquitectura propuesta en [21] que logra eliminar la continua sin la necesidad de ese overhead. hay mayor actividad de investigaci´ on y desarrollo reciente en torno a los filtros Gm-C por lo que resulta un ´ area de trabajo interesante.Cap´ıtulo 1. Las arquitecturas de biquad cl´ asicas para implementar un filtro pasabanda (por ejemplo [37] p. Introducci´on Consumo IDD ≤ 16µA. para el cual existe f´acil disponibilidad de kits de dise˜ no para 10 .corriente del transistor como variable gu´ıa de la exploraci´ on del espacio de dise˜ no [38]. Finalmente se tiene un amplificador baja ganancia (3. 847) dedican un OTA casi exclusivamente para dar la caracter´ıstica pasa-alto y eliminar la continua. Ruido equivalente de entrada V ni. Esta etapa intermedia consiste en un filtro pasabanda que tiene ganancia programable entre 1 y 100 y frecuencia superior programable entre 100 y 5kHz (ver cap´ıtulo 3 para m´as detalles). MOSFET-C y a capacitores conmutados. 1. En primer lugar un preamplificador de bajo ruido de ganancia fija (300V /V ) que se presentar´a en el cap´ıtulo 2. Los filtros Gm-C presentan mayor resistencia de entrada (aspecto importante para la aplicaci´on) y logran trabajar en un rango mucho mayor de frecuencias (decenas de Hz hasta alg´ un GHz) [36]. El front-end propuesto consta de tres etapas (ver Fig. Basada en un DDA (Differential Difference Amplifier) propone una nueva t´ecnica para eliminar la continua en la salida y fijar la frecuencia de corte inferior. En el rango de frecuencias de inter´es de la presente aplicaci´on los tres tipos de filtro funcionar´ıan bien. 1.3). Soluci´on propuesta Las principales arquitecturas de filtros anal´ogicos integrados que pueden implementarse en tecnolog´ıa CMOS son: Gm-C. a la vez que se aplican modelos que permiten trabajar en todas las zonas de operaci´on del transistor MOS (como el ACM [39]).

1.5. Soluci´on propuesta

























  
 
Figura
1.3: 
Arquitectura
propuesta
para el 
front-end.
   

  



     
   






     







 



 



   
 





las tecnolog´
ıas de punta y Matlab
como
herramienta
de implementaci´
on de las ru 

 
 

 


   

tinas de dise˜
no. Para la fabricaci´on de prototipos se cont´o con el apoyo de Mosis.
Los circuitos fueron dise˜
nados, simulados y fabricados en el proceso C5 0,50µ de
ON Semiconductor.

11

Esta p´
agina ha sido intencionalmente dejada en blanco.

Cap´ıtulo 2
Preamplificador de bajo ruido
2.1. Antecedentes
En esta secci´
on se presentar´an los principales antecedentes del estado del arte
en preamplificadores de bajo ruido y ultra bajo consumo con aplicaci´on a se˜
nales
1
neurales. Para eso primero se definir´a el N EF , la figura de m´erito usada habitualmente en la literatura para compararlos. Planteado por primera vez en [40],
el N EF permite evaluar el compromiso entre consumo, ruido y ancho de banda.
Cualitativamente se puede decir que cuanto mas bajo es mejor, ya que eso estar´ıa
indicando que sobre el mismo ancho de banda, a igual consumo se tiene menos
ruido (ver secci´
on 2.2.4).
Harrison et al. en [20] presenta un circuito que en la u
´ltima d´ecada se ha
vuelto referencia ineludible (ver Fig.2.1), al punto que muchos otros han utilizado
su arquitectura [17,22,23,28,41–43]. En su momento report´o el mejor compromiso
ruido-consumo (ancho de banda: 25mHz−7,2kHz, ruido vni = 2,2µVrms y N EF =
4,0), y todav´ıa en ciertos aspectos su circuito se mantiene en el estado del arte. Para
minimizar el ruido, la arquitectura propuesta pone el mayor esfuerzo de dise˜
no en
los transistores de entrada (utilizando transistores grandes, trabajando en inversi´on
d´ebil o moderada). El circuito presenta varios aspectos interesantes: la ganancia es
fijada por un cociente de capacidades (lo que evita el uso de resistencias que son
fuente de ruido), tiene entrada diferencial (lo que ayuda a tener un buen CMRR)
y la caracter´ıstica pasabanda se logra mediante condensadores en la entrada. En
contraposici´
on, la frecuencia de corte inferior no se puede predecir con precisi´on ya
que es fijada mediante un seudo-resistor MOS. En efecto, el valor de este elemento
es dif´ıcil de modelar y controlar, se trata de un elemento no lineal, que adem´as
puede sufrir deriva. Por tanto, si bien esta arquitectura se presta para llegar a
valores de flow menores a 0,1Hz, no puede asegurarlo con una precisi´on razonable.
Asimismo, si bien se obtienen valores correctos de CMRR (60dB), no es posible
obtener valores muy altos (80 − 100dB) debido al matching entre los capacitores
que fijan la ganancia.
1

N EF es Noise Efficiency Factor por sus siglas en ingl´es, se trata de una figura de
m´erito que eval´
ua el compromiso entre consumo y ruido.

Cap´ıtulo 2. Zhang et al. Preamplificador de bajo ruido Figura 2. donde el preamplificador implementado result´o en una performance levemente inferior sobre un mayor ancho de banda (ancho de banda: 11. ruido vni = 3. en [22] presenta una modificaci´on a la arquitectura de Harrison que utilizando una estructura de folded-cascode permite que el gasto importante de corriente se concentre en el par de entrada del OTA.2kHz. en [41] es uno de ellos. reduciendo el consumo de las otras ramas (ancho de banda: 45Hz − 5. Horiuchi et al.1: Preamplificador de Harrison.3kHz. Zou et al.8µVrms y N EF = 1.1µVrms y N EF = 2.1) e implementa un sistema de spike sorting basado en umbrales. M´as recientemente.4µVrms con IDD = 11µA) pero es mejor en t´erminos de ´area. El circuito tiene un buen desempe˜ no a costa de bajar el ancho de banda. Los mismos autores. La mayor´ıa de los trabajos que han seguido la arquitectura de Harrison no han logrado o no se han preocupado por llegar a una flow de 0. M´ as recientemente los mismos autores presentaron una versi´on con 32 canales [42]. Wattanapanitch et al. vni = 3.5Hz − 9.6µVrms y N EF = 7. Rodr´ıguez-P´erez et al. en particular una t´ecnica para mejorar la linealidad de los seudo-resistores. introduciendo alguna mejora a la 14 .8).7). Esto permite una reducci´on de ruido interesante (ancho de banda: 217Hz − 7. en [17]. en [23] tambi´en propone mejoras a la arquitectura de Harrison. en [43] presenta un sistema de adquisici´on de se˜ nales neurales que utiliza feature extraction para comprimir la informaci´on. que no es tan buena en t´erminos de los par´ametros que estamos analizando (vni = 5.1Hz. en [28] reportan un circuito m´as complejo basado en el anterior.5mHz − 292Hz).9). Figura tomada de [20]. El preamplificador est´ a basado en la arquitectura de Harrison y se destaca que en la etapa de entrada se implement´ o un filtro de segundo orden. pero trabajando sobre un ancho de banda bastante m´as restringido (4.8µVrms y N EF = 1. que se destaca por el muy bajo consumo IDD = 530nA (pero con vni = 20. ruido vni = 2.8kHz.

1Hz a 10kHz manteniendo las otras especificaciones. 15 .2). logra bajar el N EF a 2. 2. Soluci´on propuesta arquitectura original de Harrison. En particular se derivaron las ecuaciones de la arquitectura que permiten dise˜ nar f´ acilmente a partir de los requerimientos (se desarroll´o la expresi´on de la transferencia. en [21] presenta una arquitectura que permite aumentar significativamente el CMRR (CM RR > 107dB) sin penalizar el consumo.10 de la secci´on 2. se mostr´o la versatilidad de la soluci´ on dise˜ nando un preamplificador de bajo ruido. Chatuverdi et al. bajar el ruido y extender el ancho de banda. 2. IBIASGm2 = 2ID2 e IBIASGmf = 2IDf .9 mantenido una flow menor a 0. En el ap´endice C se presenta un resumen para tener una referencia r´apida. al punto que estos cambios permitieron que el preamplificador fabricado mostrara resultados que igualan o superan el estado del arte en varios aspectos (NEF. ruido equivalente a la entrada.2. Esta es la base de la arquitectura escogida en la presente tesis y ser´a desarrollada m´ as adelante. pero se dejaron varios cabos sueltos.). en [21]) aunque ninguna logra cubrir el ancho de banda de 0. Soluci´on propuesta En [21] se presenta la prueba de concepto de una arquitectura novedosa para un circuito DDA.2. y eso permiti´o atar varios de esos cabos. Otras arquitecturas de preamplificadores han sido propuestas (Guo et al.4µVrms y N EF = 4. En esta tesis se propuso utilizar esa arquitectura repens´ andola en t´erminos de un biquad.2 no se muestran las fuentes de corrientes que polarizan los OTAs.2. Basada en un DDA (Differential Difference Amplifier) propone una nueva t´ecnica para eliminar la continua en la salida y fijar la frecuencia de corte inferior (ancho de banda: 250Hz − 8kHz.1Hz. entre otras). En particular.2. se destaca que Castro et al. en [45]. etc.2. un filtro programable y un filtro de ganancia fija y alto rango lineal. ancho de banda. Los bloques Gm2 y Gmf se implementan con OTAs sim´etricos cuya respectiva transconductancia es gm2 y gmf . Transferencia del preamplificador Para implementar el preamplificador se propone utilizar un circuito2 cuyo diagrama esquem´ atico se presenta en la Fig. ´estas ser´ıan: IBIASGm1 = 2ID1 . las ecuaciones de la ganancia y los polos.5 se listan las principales caracter´ısticas de los preamplificadores rese˜ nados en esta secci´on. ruido vni = 2.1. En la Tabla 2. 2. la condici´on para evitar no linealidades de la t´ecnica novedosa aplicada de bloqueo de la componente de continua de entrada. En la Fig. 2 Como se mencion´ o anteriormente el circuito est´a basado en la arquitectura propuesta en [21]. en [44]. Finalmente. Asimismo se propusieron modificaciones que permitieron bajar el consumo. Castro et al. 2.

pero esto no es un problema porque las se˜ nales son muy peque˜ nas.Title mayor ser´a la corriente que <Title> se entregue a la salida. 2. los gm de estos transistores se definen as´ı: gmM 6 = gm6 . El detalle de los c´alculos puede verse en el ap´endice A. en consecuencia Size Document Number A <Doc> conviene tomar gm7  gm6 y gm8  gm9 . gm8  gm9 y gm7 = gm8 = gm1 . nuestra propuesta consume la mitad de corriente. 4 Se est´ a proponiendo un abuso de notaci´on que se espera ayude al lector a seguir las ecuaciones. gmM 7 = gm7 . se puede observar que cuanto menos corriente tomen M6 y M9. Desde el punto de vista funcional se trata de circuitos equivalentes.2. en contrapartida la excursi´on de salida se ver´ a afectada (hay un totem de 6 transistores en la rama de salida contando que la fuente de corriente est´ a cascodeada contra 4 en [21]). Para simplificar4 la notaci´ on. la corriente que fluye por M2. El bloque formado por los transistores M6. que es la mitad de la corriente de salida. 16 . se observa que dada una entrada diferencial.1) Esta es una de las principales diferencias con [21] donde Gm1 est´a implementado con un OTA sim´etrico.3 se ver´a su funcionamiento en detalle. y por tanto mayor ser´a la ganancia de Gm1. se copia por M4-M5 y se termina dividiendo entre M6 y M7. Gm2 y Gmf (y por lo tanto no refieren a los transistores M1. gm8 y gm9 refieren a la transconductancia de M6. 2.2: Diagrama de bloques del preamplificador propuesto Con el objetivo de reducir el consumo se propone implementar3 Gm1 como un par diferencial con carga activa de transconductancia gm1 (en la Fig.4 3 2 Cap´ıtulo 2. M7. En el peor caso el output swing en la salida ser´a de 300mV . 2013 A continuaci´ on se presentan las ecuaciones de losDate: principales par´ametros del Sheet 4 3 2 circuito considerando que gm7  gm6 .3 se puede ver el bloque Gm1 a nivel transistor). se reparte por M8 y M9. la corriente de salida que aporta M1. June 25.1: vout = vin s2 + 3 gm2 CL s gm1 CL s (g +g )gmf + m6CLm9 Cf (2. gm7 . en la secci´ on 2. Por otro lado. M2 y Mf). gm2 y gmf refieren a la transconductancia efectiva de los bloques Gm1. M7. An´ alogamente. Analizando el circuito de la Fig. Tuesday. De este modo. Por un lado gm1 . M8 y M9. M8 y M9 es para la eliminaci´on de continua en forma local.3. gm6 . Preamplificador de bajo ruido - Vf = V9G Gmf + - Cf CL Vin Gm2 Vout + + Gm1 - Figura 2. gmM 8 = gm8 y gmM 9 = gm9 .

ID1 VinVin+ M1 VinVin+ M2 𝛂 : 1 M8 M9 Vbias C VSS Vout VDD M7 M6 V9G 𝛂 : 1 M4 M5 B VSS Figura 2.2: los pares diferenciales M6-M7 y M8-M9 podr´ıan introducir una multiplicaci´on indeseada de se˜ nales.4) En resumen. La soluci´ on propuesta entonces. la ganancia en la banda pasante G y la frecuencia de corte inferior flow est´ an dados por: A Title fhigh <Title> gm2 = 2πCL Size A Date: 5 4 gm1 G= gm2 flow = 3 gm6 + gm9 gmf gm2 2πCf (2. 2013 2 (2.3: Detalle a nivel de transistor del transconductor Gm1 del preamplificador Se puede ver que la transferencia es de tipo pasabanda donde la frecuencia de corte superior fhigh . July 23.5 4 3 2 2. Por otra parte. Asimismo. En primer lugar. determina el polo de alta frecuencia e interviene en la expresi´ on de la ganancia y en el polo de baja frecuencia.3) (2. en ´area y en consumo. utiliza un OTA menos que en arquitecturas m´as tradicionales (por ejemplo la planteada en el ap´endice B). 17 Sheet . Soluci´on propuesta D VDD 2. Gmf determina el polo de baja de frecuencia.2. conectado como resistencia de valor 1/gm2 . con lo cual hay un ahorro en complejidad. que se estudiar´a en la secci´on 2. la soluci´on presenta una posible desventaja. el Gm1 del preamplificador propuesto determina la ganancia y elimina la continua. propone una t´ecnica novedosa para eliminar la continua en la salida y fijar la frecuencia de corte inferior. permite aumentar significativamente el CMRR sin penalizar el consumo. y Gm2.2) Document Number <Doc> Tuesday.2. hereda las ventajas reportadas por [21] pero utilizando un presupuesto de corriente del orden de la mitad.

En el ap´endice A. Este ahorro en consumo est´a fundamentado en que se elimina la continua localmente (donde un offset importante en la entrada. Gm2 o Gmf. es mejor tomar α  1 en gm7. 18 . M7.6) vin  v9g  Donde α se defini´ o como: gm7 = gm8 = αgm9 = αgm6 con α  1.2.2.3. la situaci´ on podr´ıa complicarse. En efecto.5) 2α − αnUT (gm /ID )C1 (2. 2 o f y corresponde respectivamente a Gm1. Preamplificador de bajo ruido 2. En la secci´ on 2.2. Para el preamplificador se tomar´a un valor extremo de α = 100. cualquier diferencia en la salida Vout respecto a tierra ser´ a integrada por Gmf-Cf modificando el valor Vf = V9G de modo tal que M6 y M9 tomen la corriente que sobra. las condiciones se cumplen sobradamente: 2 ' 80mV (gm /ID )1 (2. An´alisis de linealidad Los pares diferenciales M6-M7 y M8-M9 potencialmente pueden llegar a introducir una multiplicaci´ on entre vin y v9g . M8 y M9 van a estar en inversi´on d´ebil y α = 100.Cap´ıtulo 2. que deber´a ser mucho m´ as chico para no consumir demasiado (como por ejemplo se hace en el ap´endice B). Considerando que tanto M1-M2 como M6. si es una E corresponde a los transistores que funcionan como espejos y si es C a los cascodos. El circuito ser´ a capaz de eliminar la continua en la salida a menos del offset de Gmf.2. Si a se omite se refiere a los transistores del par de entrada. Tomar una relaci´ on tan grande puede limitar la cantidad de corriente que son 5 Aclaraci´ on sobre notaci´ on: cuando se escribe (gm /ID )ab . Este valor deber´ a simularse rigurosamente porque se trata de un OTA cuyo valor de transconductancia es peque˜ no y esto implica niveles de offset mayores [46]. puede hacerse una an´ alisis transitorio.8 = αgm6.9 .8) vin  v9g  2. si ese mismo offset se quiere eliminar con otro OTA. genera una corriente importante en un OTA que est´a manejando niveles de corriente importantes). b puede ser 1. ya que es el lugar donde se est´a invirtiendo m´as corriente. Este esquema de eliminaci´ on de continua deber´ıa ser capaz de bloquear altos niveles de DC sin penalizar el consumo. An´alisis de bloqueo de continua Para corroborar que el bloque M6-M9 de Gm1 bloquea la continua.1 se estableci´ o que.7) 2α − αnUT = αnUT ' 4V (gm /ID )C1 (2. desde el punto de vista del consumo.2 se hacen los c´alculos que permiten llegar las siguiente condiciones5 : 2 (gm /ID )1 (2. Esta corriente es la necesaria para que el lazo de realimentaci´ on establezca que la corriente de salida de Gm1 sea cero y por tanto el voltaje Vout tambi´en lo sea.

2. An´alisis de ruido En [21] se desarrolla la expresi´on de la densidad espectral de potencia del ruido T otal debida al ruido t´ Sni ermico de los transistores MOS6 .9) Donde γ = γwi = 2 en inversi´on d´ebil y es γ = γsi = 8/3 en inversi´on fuerte.3): M4 M5 Sni = Sni = γE1 nn kT gmE1 2 gm1 (2. si se imponen esas condiciones en nuestro dise˜ no. Si se considera que el espejo M4-M5 copia perfecto. Las corrientes de ruido de estos transistores se introducen en el nodo de salida vout en forma directa y puede probarse (ver detalle del c´ alculo en ap´endice A.2 La Sni de los transistores M1 y M2 es sencilla de evaluar porque estos transistores ya se encuentran en la entrada: M1 M2 Sni = Sni = γ1 np kT gm1 (2. si hubiera una o ser´ıa salida.2. (gm /ID )2 m´ınimo: transistores del par de entrada de Gm2 en inversi´on fuerte. y por tanto limitar la capacidad de bloqueo de continua del bloque.10) Si se observan las ecuaciones 2. (gm /ID )E2 m´ınimo: transistores de los espejos de Gm2 en inversi´on fuerte. para saber el ruido introducido por Gm1 alcanzar´a con estudiar los aportes de M1. En el anexo D se presenta un filtro que utiliza el otro extremo imponiendo que α = 1 (all´ı la penalidad en consumo es m´ axima).4.2. k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura en grados Kelvin.3 puede observarse que los transistores de la fuente de corriente introducen ruido en modo com´ un y por tanto pueden no considerarse. para conocer el ruido de preamplificador alcanzar´a con estudiar el ruido que genera Gm1. 6 19 . el aporte de ambos transistores va ser el mismo (gmE1 = gmM 4 = gmM 5 ). Por lo tanto. All´ı puede verse que el ruido se minimiza e incluso se independiza de Gm2 tomando: ID1  ID2 . En el supra-´ındice se indica el origen del ruido.10 se concluye que conviene dise˜ nar los transistores del siguiente modo: origen Nomenclatura para Sni : en el sub´ındice ni. M 1.9 y 2. A lo largo de la tesis se estudiar´a este tema y se intentar´a dar elementos para encontrar el mejor compromiso. n es el factor de pendiente (el sub´ındice indica si se trata de un transistores PMOS o NMOS). la n refiere a ruido y la i a entrada. 2. M2.2. (gm /ID )1 m´ aximo: transistores del par de entrada de Gm1 en inversi´on d´ebil. Del mismo modo puede verse que los transistores M6-M9 son cascodos y por tanto no aportan ruido. en el filtro programable y el filtro de salida se intentar´ a utilizar un α = 10 que brinda un compromiso interesante. Soluci´on propuesta capaces de entregar M6 y M9. Tomando como referencia la Fig. M4 y M5. Por otra parte. Entonces.

Sumando el aporte de todos los transistores ruidosos (ecuaciones 2. Preamplificador de bajo ruido (gm /ID )1 m´ aximo: transistores del par de entrada de Gm1 en inversi´on d´ebil. gm1 queda determinado.Cap´ıtulo 2.n (2.4 (gm /ID )1 debe ser m´ aximo para minimizar el ruido.3.12) Donde vni el ruido total del preamplificador referido a la entrada. Fijado gm1 . Entonces.9 y 2. 7 Se utilizar´ a este NEF porque se trata de un est´andar de facto en este tipo de aplicaciones.3.3. dado gm2. La expresi´on de este l´ımite es: N EFmin = √ 2. se toma como hip´otesis que el u ´nico ruido presente en el circuito es el ruido t´ermico que introduce el par de entrada M1-M2 (se desprecia totalmente el ruido de flicker y el t´ermico de otros transistores) y se asumen que el filtrado es de primer orden. Complementariamente puede resultar u ´til considerar el l´ımite te´ orico de NEF que se propone en [22] para preamplificadores como el nuestro. la especificaci´ on de la ganancia del preamplificador G determina gm2 a trav´es de la ecuaci´ on 2. Si bien se alcanzan sin problemas valores de fhigh adecuados para la aplicaci´on se observa que hay un l´ımite que vendr´ a impuesto por las capacidades par´asitas en el nodo salida vout . IDD es la corriente total consumida.11) Para evaluar el compromiso entre consumo y ruido es usual en estas aplicaciones utilizar el NEF (Noise Efficiency Factor) planteado por [40]7 r N EF = vni IDD 2kπT UT BW (2.1. pero se debe observar que fue concebido pensando solamente en el ruido t´ermico y es interesante observar que todo el esfuerzo que se realice por mitigar el ruido de bajas frecuencias como Flicker no se ver´ a reflejado adecuadamente porque el t´ermino BW permanecer´ a constante. 20 . Flujo de dise˜no Dado un presupuesto de corriente ID1 y que seg´ un se vio en la secci´on 2.2 y la especificaci´on de fhigh se tiene CL . la ecuaci´ on 2.2. Dise˜no 2. (gm /ID )E1 m´ınimo: transistores de los espejos de Gm1 en inversi´on fuerte.13) 2. UT = kT /q es el voltaje t´ermico y BW es el ancho de banda. Para evaluar el NEF resulta u ´til compararlo con otros preamplificadores que se encuentren en el estado del arte. All´ı.10) se llega a: total Sni 2γsi nn kT = gm1  γwi np (gm /ID )E1 + γsi nn (gm /ID )1  (2.

dada una especificaci´on para flow a trav´es de la ecuaci´on 2. como los transistores cascodos no aportan ruido. Se eligi´ o tomar una ID1 = 3. Este fue el criterio utilizado para Gm2. Una vez determinados gm2 .2. Definido as´ı (gm /ID )f queda determinado IDf . Esto obliga a que Vin. M7.DC .65V . gm6 y gm9 . por simetr´ıa se fija en VDD /2 = 1. la tensi´on continua de gate de M8 y M9. para mantener el tama˜ no de estos transistores puede convenir polarizar en inversi´ on moderada o d´ebil.65V . la tensi´on continua de gate de M1 y M2. Por otro lado.3. Entonces. Dise˜no Por un lado conviene polarizar los transistores del par de entrada de Gm2 en inversi´ on fuerte para minimizar el ruido (ver secci´on 2.1 se vio que debe imponerse que gm7  gm6 y gm8  gm9 donde gm7 ∼ = gm8 . En funci´ on de las especificaciones descriptas en la secci´on 1.4 y de los criterios de dise˜ no y compromisos expresados en la secci´on 2.2. llevarlos a inversi´on muy fuerte ser´a penalizado desde el punto de vista del consumo. Implementaci´on El circuito se dise˜ n´ o para trabajar con un voltaje de alimentaci´on nominal VDD = 3.3. Para tener una flow lo m´as baja posible se necesita tener un valor gmf lo m´ as peque˜ no posible.75µA porque es la mitad de corriente que usa [21] y un (gm /ID )1 = 27V −1 .DC = 2V . En funci´on de estos compromisos se deben dimensionar los transistores M6. una polarizaci´on en inversi´on d´ebil que lleve a un peque˜ no VDSsat es lo m´as apropiado.1 se mostr´o que desde el punto de vista del ruido conviene polarizar los espejos de Gm1 y Gm2 en inversi´on fuerte.4) y tambi´en esto es u ´til para tener buen rango lineal en Gm2 (esto es porque la entrada de Gm2 est´ a conectada a la salida vout y puede llegar a manejar se˜ nales de 300mVpp ). Por otra parte. M8 y M9 y por tanto fijar gm6 y gm9 . En general. lo cual implica un W/L chico. sea un poco m´ as alta de 1. M7. se defini´o usar Vin. en la secci´on 2.4. Vbias .2.3. Por este motivo y para tener mejor rango lineal de entrada puede ser preferible polarizar los transistores del par de entrada de Gmf en inversi´on fuerte. Entonces. aunque las corrientes involucradas son tan peque˜ nas que este argumento no pesa. ´esta ser´a la referencia que se utilizar´a a trav´es de todo el front-end. Desde el punto de vista del consumo esto es mejor. Para obtener un ruido equivalente de entrada Vni = 21 . En la secci´ on 2.2. Para obtener un valor tan bajo como sea posible del polo de baja frecuencia conviene que gm6 y gm9 sean lo m´as bajo posible y por tanto convendr´ıa que estos transistores estuvieran en inversi´on fuerte. En funci´ on de este compromiso se define (gm /ID )2 y como gm2 ya estaba determinado. Aunque hacerlo.2. por otra parte esto puede llevar a tener un VDSsat alto. M8 y M9 tambi´en intervienen en el polo de baja frecuencia. 2. los transistores cascodos M6. Sin embargo para Gm1. queda fijado ID2 . puede devenir en transistores excesivamente largos con valores de Cgs igualmente altos. y considerando que Cf est´a acotado por el m´ aximo valor que pueda conseguirse con un ´area razonable (Cf = 200 − 300pF ).1 se tomaron los criterios de dise˜ no que se describen a continuaci´on. el valor gmf queda determinado.3V y VSS = 0V . lo u ´nico a tener en cuenta es que no limiten el output swing.

Cap´ıtulo 2. Preamplificador de bajo ruido
2µVrms , partiendo del W/L que arroj´
o el flujo de dise˜
no, se simularon diferentes
casos variando el W (en las tablas 2.1 y 2.2 se presentan los casos m´as destacados8 ).
Finalmente se eligi´
o (W/L)1 = 8000µ/1µ. En paralelo, para el espejo de Gm1 se
tom´o (gm /ID )E1 = 2,5V −1 lo que signific´o un VDSsat = 590mV .
El sustrato de los transistores del par de entrada (PMOS) se conectaron a VDD
porque es preferible desde el punto de vista del ruido. La conexi´on a source puede
verse como un aumento del n, lo cual baja el gm y aumenta la Sn , ambos efectos
indeseados.
Los ajustes antes descriptos lograron disminuir el NEF de 4,2 que se reporta
en [21] a 2,1.

W/L(µm)
2000/1
4000/1
8000/1
12000/1

2
´
Area(µm
) gm (µS)
2000
94.0
4000
98.0
8000
101.0
12000
102.5

gm /ID (V −1 ) G(V /V )
25.7
288
26.7
299
27.5
306
27.9
309

vni (µVrms )
2.23
2.11
2.05
2.02

NEF
2.33
2.20
2.14
2.11

Tabla 2.1: Diferentes valores de W/L para el par de entrada de Gm1 con flow = 18Hz

Si se comparan las tablas 2.1 y 2.2 no parece haber grandes diferencias desde
el punto de vista del ruido, el ruido t´ermico est´a integrado sobre un ancho de
banda tan grande que el ruido de Flicker que se introduce entre flow = 18Hz y
flow = 0, 1Hz no pesa. Harrison reporta el mismo comportamiento en [20].

W/L(µm)
4000/1
8000/1

2
´
Area(µm
) gm (µS)
4000
97.8
8000
100.8

gm /ID (V −1 ) G(V /V )
26.7
295
27.5
306

vni (µVrms )
2.20
2.08

NEF
2.30
2.17

Tabla 2.2: Diferentes valores de W/L para el par de entrada de Gm1 con flow = 0,09Hz

Para garantizar que gm7  gm6 y gm8  gm9 se fij´o que la relaci´on entre ellos
α sea igual a 100, es decir: gm7,8 /100 = gm6,9 .
De acuerdo al reparto de ganancia dentro del front-end que se fij´o en la secci´on
1.5 se tom´o G = 50dB. Para que toda la cadena de filtrado, que se compone de tres
etapas pasabanda de primer orden, tenga una frecuencia de ca´ıda de 3dB, la frecuencia de corte superior de cada etapa debe ser mayor a los 5kHz requeridos. Por
este motivo y debido a que el preamplificador utilizado en forma separada podr´ıa
ser u
´til para otras aplicaciones se decidi´o fijar fhigh = 10kHz. Esto determin´o el
uso de un CL = 5pF .
Llegar a una frecuencia de corte inferior planteada por las especificaciones (secci´on 1.4) de 0,1Hz sin utilizar un capacitor externo no es muy factible. Mirando la
ecuaci´on 2.4 puede concluirse que no hay mucho margen. Por un lado gm2 interviene en la ganancia y en el polo de alta, con lo cual modificarlo no es una buena idea.
8

vni surge de la simulaci´
on esquem´
atico integrando entre 3nHz y 100M Hz. Para el

alculo del NEF se estim´
o IDD1 = 8,1µA y fhigh = 11kHz

22

2.4. Resultados
Se tomaron gm6,9 muy chicos (100 veces menor que gm1 ) y gmf extremadamente
chico (sub nS) y utilizando un Cf = 200pF se logr´o obtener una flow = 5Hz sin
utilizar capacitor externo9 . Si bien es posible que puedan obtenerse valores de gmf

as chicos se opt´
o por incluir una llave para habilitar la utilizaci´on de un capacitor
externo de modo tal que si Cf = 10nF entonces flow = 0,1Hz.
Para obtener un gmf cuyo valor est´a por debajo del nS se utiliz´o la t´ecnica
de divisi´
on de corriente mediante asociaciones serie-paralelo propuesta en [46].
En el espejo N se pusieron diez transistores en serie en la rama interior y diez
transistores en paralelo en la rama de salida, obteniendo un factor de divisi´on de
corriente MGmf = 100. Siguiendo el planteo de [21], la misma t´ecnica se utiliz´o con
MGm2 = 9 en Gm2 para bajar ruido y consumo. En la simulaci´on el factor MGm2
dio razonablemente lo esperado mientras que MGmf ∼
= 70. Esta diferencia, que
ser´ıa en principio atribuible al simulador10 , no es preocupante ya que de obtenerse
el MGmf nominal, simplemente se obtendr´ıa una frecuencia de corte inferior m´as
chica, efecto que en general va a ser deseado.
Para mejorar el CMRR se utiliza un transistor cascodo en la fuente de corriente
de Gm1. Para polarizar este transistor se utiliz´o la t´ecnica propuesta en [47]. All´ı se
muestra un procedimiento de dise˜
no que permite generar f´acilmente la tensi´on de
polarizaci´
on de modo tal que el transistor del espejo opere en inversi´on d´ebil y su
VDS sea apenas un poco mayor que el VDSsat . Esto se hace mediante un solo diodo,
evitando la necesidad de utilizar una fuente de voltaje de continua y eventualmente
un pin externo. Si bien este procedimiento result´o muy u
´til, el dise˜
no realizado no
prest´
o suficiente atenci´
on al consumo ni al ´area, resultando en ocupar un ´area
importante y en aportar un consumo no despreciable11 .
En funci´
on de las consideraciones realizadas anteriormente, e iterando con simulaciones se obtuvieron los valores de los par´ametros necesarios para implementar
el preamplificador, los principales se listan en la Tabla 2.3.
Por u
´ltimo, los capacitores integrados son: CL = 5pF y Cf = 47pF .

2.4. Resultados
En esta secci´
on se presentan resultados provenientes de simulaciones. En alg´
un
caso se trata de simulaciones del esquem´atico y en otras del extra´ıdo, en cada caso
se aclarar´
a a qu´e corresponden.
9

En el momento de hacer el layout se termin´o implementando un Cf = 50pF dejando
el flow ∼
= 20Hz sin capacitor externo.
10
En otros trabajos en curso dentro del GME se report´o este mismo problema. El origen
no est´
a determinado pero estar´ıa vinculado a dificultades que tiene el simulador para
trabajar con transistores en serie.
11
Este circuito aporta dos ramas que cada una consume IBIASGm1 /10 lo que representa
1, 54µA y no ser´
a considerado en las siguientes secciones como parte del consumo del
preamplificador.

23

Cap´ıtulo 2. Preamplificador de bajo ruido

(gm /ID )P arEntrada
(gm )P arEntrada
gm
ID1
(W/L)P arEntrada
M
(gm /ID )E
gm6
gm9
gm7
gm8

Gm1
Gm2
−1
27,5V
9,3V −1
101µS
2,7µS
100µS
320nS
3,67µA
291nA
7776/1,05 3,3/6
1, 01
8,5
2,5V −1
735nS
710nS
91µS
83µS
-

Gmf
17,1V −1
86nS
1, 19nS
5nA
3/42
72,5
-

Tabla 2.3: Principales par´ametros del preamplificador (simulaci´on esquem´atico)

2.4.1. Consumo
En la tabla 2.4 se presenta un deglose del consumo de los OTAs que componen
el preamplificador, el consumo total es 8, 1µA, menos de la mitad del reportado
en [21]. Estos resultados corresponden a la simulaci´on del esquem´atico.

IDD (µA)

Gm1 Gm2 Gmf Total
7,41 0,66 0,01 8, 08

Tabla 2.4: Consumo preamplificador (simulaci´on esquem´atico)

2.4.2. Respuesta en frecuencia
En la Fig. 2.4 se presentan simulaciones Montecarlo (500 runs Process and
Mismatch) de la respuesta en frecuencia del extra´ıdo del preamplificador con Cf =
47pF integrado. Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado
(ver Tabla 2.5).

Dise˜
no (Simulaci´on esquem´atico)
Ganancia G
50dB
fhigh
11kHz
flow
18Hz

Simulaci´on MC (extra´ıdo)
49,5dB − 50,0dB
8,9kHz − 9,7kHz
16Hz − 28Hz

Tabla 2.5: Respuesta en frecuencia del preamplificador con Cf = 47pF integrado (simulaci´on
extra´ıdo).

En la Fig. 2.5 se presentan simulaciones Montecarlo (500 runs Process and
Mismatch) de la respuesta en frecuencia del extra´ıdo del preamplificador con Cf =
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en 5kHz da −18. Resultados Figura 2.6 se presentan simulaciones Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) de la ganancia en modo com´ un del extra´ıdo del preamplificador con Cf = 47pF interno. el peor caso se da en 10kHz y es −16. esto corresponde a un CM RR de 66dB y 68dB respectivamente. Se puede apreciar una gran dispersi´on en los valores.4.4: Respuesta en frecuencia del preamplificador con Cf = 47pF integrado (simulaci´ on extra´ıdo).5: Respuesta en frecuencia del preamplificador con Cf = 10nF externo (simulaci´ on extra´ıdo).3dB.2.3. 10nF externo.5dB. 25 . CMRR En la figura 2. es aproximadamente 36dB/dec. Figura 2.6). Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado (ver Tabla 2. En ambos casos la ca´ıda del preamplificador a altas frecuencias es mayor a 20dB/dec.4. 2.

El valor CM RRmedio toma la media en el histograma de la ganancia diferencial y de la ganancia en modo com´ un.AC) del extra´ıdo del preamplificador con Cf = 47pF interno (ver Fig. Preamplificador de bajo ruido Dise˜ no (Simulaci´on esquem´atico) Ganancia G 50dB fhigh 11kHz flow 0. en 5kHz da −19. 2.07Hz − 0. Se realiz´ o el mismo histograma presentado en la Fig. 2. se volvi´o a hacer una simulaci´on Montecarlo (1000 runs Process and Mismatch) de la ganancia en modo com´ un (.7 a 50Hz arrojando resultados muy similares. 2.09Hz Simulaci´on MC (extra´ıdo) 49.Cap´ıtulo 2. Este criterio se adopta en lugar del cl´asico de 3σ porque el histograma de la ganancia en modo com´ un no result´o ser gaussiano.7dB.14Hz Tabla 2.2dB.6: Respuesta en frecuencia del preamplificador con Cf = 10nF externo (simulaci´on extra´ıdo).3dB − 49. esto corresponde a un CM RR de 66dB y 69dB respectivamente. Figura 2.2kHz − 9. Dado que la Fig.9dB 9.8kHz 0. 26 .7). El valor CM RRp−90 presentado en la Tabla 2.7 indica que el 90 % de los chips que se fabriquen tendr´ an un CM RR > 73dB.6 no es f´ acil de interpretar. Para Cf = 10nF externo se obtienen los mismos valores: el peor caso se da en 10kHz y es −16.6: Ganancia en Modo Com´ un del preamplificador con Cf = 47p interno (simulaci´on extra´ıdo).

2.5dB −33.7: Resultados de CM RR del preamplificador en 500Hz.4. 27 . Figura 2.3dB −23.7: Histograma ganancia en Modo Com´ un a 500Hz del preamplificador con Cf = 47p interno (simulaci´ on extra´ıdo).1dB 49.7dB 66dB 73dB 83dB Tabla 2. Resultados Ganancia en modo com´ un (peor caso) Ganancia en modo com´ un (p-90) Ganancia en modo com´ un (media) Ganancia diferencial (media) CM RRP eorcaso CM RRp−90 CM RRmedio Esperado − − − 50dB ≥ 80dB ≥ 80dB ≥ 80dB Resultados −16.

en un caso t´ıpico vni = 1. se obtiene que la media es Vno = 581µVrms y su desviaci´on est´andar es 3. 28 .4. 2. Las peque˜ nas diferencias entre la simulaci´on del esquem´atico y del extra´ıdo son coherentes con la diferencia en la frecuencia de corte superior.8 se presenta simulaciones Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) del extra´ıdo con Cf = 10nF externo. y se sub-estima porque la ca´ıda del preamplificador en alta frecuencia es mayor a 20dB/dec.9).8: Ruido preamplificador con Cf = 10nF externo (simulaci´on extra´ıdo).11 vni rms ajustan demasiado bien.6µVrms . se observa que la media es Vno = 592µVrms y su desviaci´ on est´ andar es 3. el tiempo de arranque del circuito es de aproximadamente 500ms. Entonces.2 corresponden a la simulaci´on del esquem´atico del preamplificador.05µVrms y N EF = 2.Cap´ıtulo 2.4. En la figura 2.7µVrms . en un caso t´ıpico vni = 1. Se calcul´ o la THD entre 800ms y 950ms considerando 8192 muestras y la frecuencia fundamental 1kHz. Los valores de vni y N EF de las tablas 2.92µVrms y por tanto N EF = 2. En la tabla 2.1 y 2.08µVrms y N EF = 2.96µVrms y por tanto N EF = 2. por un lado se sobre-estima despreciando aportes de ruido de segundo orden.5.17 y en el caso de Cf = 47pF integrado es vni = 2.98µV estos valores con lo esperado te´ oricamente en la ecuaci´on 2. La misma simulaci´on para Cf = 47pF integrado. Rango lineal de entrada Se hizo una simulaci´ on del transitorio param´etrico en la amplitud de la se˜ nal de entrada (sinusoidal de 1kHz). All´ı puede verse que el valor esperado en el caso de Cf = 10nF externo es vni = 2. Preamplificador de bajo ruido 2.5mV (ver figura 2. tomando 30 pasos equiespaciados entre 0V y 1.19.4. Si se comparan teo = 1.15.8 se presenta el valor de la THD para algunos valores representativos. Esto se puede deber a que.14. Entonces. Ruido Figura 2. La simulaci´ on corresponde al esquem´atico del circuito con Cf = 47p integrado.

9: Rango lineal de entrada del preamplificador Vin 0. La figura mues12 Nomenclatura: a lo largo de todo el presente texto se usar´a a VOS como un desbalance en el nivel de continua en la entrada.9 se presenta c´ omo algunos par´ametros relevantes del circuito que se modifican con VOS . Savo que se indique lo contrario. En la columna ID9 /ID6 de 2.65mVpp 1.76 % 430mV pp 5. Esta columna pone de manifiesto el gasto en corriente que se invierte en compensar VOS . 2.7. Por otra parte.20mVpp Vout THD 200mVpp 1. a partir de ese valor se constata una penalizaci´on importante en la ganancia. Bloqueo de continua Si se genera un desnivel en continua del par de entrada de valor VOS 12 se puede ver que el circuito bloquea la continua quedando el voltaje de continua de la salida VoutDC en 1.00 % Tabla 2.4.9 se muestra el valor de la corriente que est´a actuando. se constata que el mecanismo de bloqueo de continua no afecta significativamente el funcionamiento lineal del filtro. VOf f set referir´a al offset en la salida. La THD est´a calculada con una se˜ nal de entrada sinusoidal de amplitud de 1mVpp . 29 . mientras que para VOS < 0V viene de ID9 .4. Observar que VOS y VOf f set no son lo mismo.07 % 330mVpp 2. Para VOS ≥ 0V la corriente que compensa ese desbalance viene fundamentalmente de ID6 . Por otra parte.00mVpp 1. Resultados Figura 2. El circuito opera correctamente hasta valores de VOS = 50mV .6. 2. En la Tabla 2.651V . se utilizar´a VOf f set para referirse la tensi´ on de offset de los OTAs (tanto offset sistem´atico como debido a desapareo o diferencias en el proceso).4. Offset En la Fig.2.8: THD del preamplificador 2.10 se presenta una simulaci´on Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) del voltaje de continua de la salida del preamplificador.

2.87V 1.5dB 45.10 se presentan las caracter´ısticas m´as relevantes de los preamplificadores rese˜ nados en la secci´ on 2.96 % 1.9: Respuesta del preamplificador ante un desnivel de continua en la entrada tra que la media es 1.82V 1.99µA 1.97µA 1.49µA 0.45 % Tabla 2. Es la mejor opci´ on desde el punto de vista consumo y ruido para barrer el rango 30 .7dB 48.03µA 0.06V ID8 = ID7 2.17µA 3.36 % 2.35µA 6.1 para compararlos con el dise˜ nado en este cap´ıtulo. Preamplificador de bajo ruido VOS −20mV −10mV 0mV 5mV 10mV 20mV 50mV 100mV V9G 1.45V 1.38V 1.68µA 3.43µA ID9 oID6 1.8dB 41. e incluso en alguna dimensi´on es mejor.69µA 1.Cap´ıtulo 2.65 % 0.42µA 3.51 % 1.94µA 4. Comparaci´on con otros preamplificadores En la Tabla 2.56 % 0.46µA Ganancia 46.652V y la desviaci´on est´andar σ = 4mV .04 % 0.64µA 3.65V 1. En negro est´a el nuestro.9dB 49.4dB 31. Por lo tanto se tiene un offset sistem´ atico de 2mV y tomando entonces el offset en la salida (debido al desapareo y diferencias en el proceso de fabricaci´on) como ±3σ = ±12mV se tiene que VOf f set = 14mV .99V 2. Los resultados son independientes del capacitor Cf que se utilice. Lo datos muestran que el preamplificador est´a a nivel de otros preamplificadores neurales en el estado del arte. Figura 2.17µA 2.00µA 0. Para facilitar la comparaci´ o n se presenta la Fig.5. En rojo est´an los preamplificadores que no llegan a 0.11 donde se ha gra√ ficado el consumo contra vni / BW .77 % 1.78V 1.6dB 47.7dB 47.50µA 0.7dB THD 0.1Hz y en azul los que s´ı.10: Offset a la salida del preamplificador 2.

65 Tabla 2.65 42 83 110 16 [17] 40 10.5 1 NEF=3 NEF=2 0. −5 2. 31 .84 1.4 2.9 40 6.06 2.53 2.0 20.6 3.20 2.5 5 5.5 46.5 7.4 [43] 47.2.96 4.7 7.1Hz − 10kHz.11: Comparaci´on del preamplificador dise˜ nado. En t´erminos de NEF solamente es superado por [43] y [45] (gracias a que filtran con mayor orden en el preamplificador).5 40.2 3.3 0.05 12.6 8 9.5 NEF=1 1.1 2.5 6 −8 x 10 Figura 2.5 3 3.81 2.06 5.10: Comparaci´on del preamplificador dise˜ nado.88 80 1 [41] [22] [45] 42.7 5.1 16.5 8.66 2.1Hz.5 2 2.5 4 v /sqrt(BW) [V/sqrt(Hz)] ni 4.5.6 250 0.2 2. Comparaci´on con otros preamplificadores 0.19 66 107 83 0.2 10 0.3 10 22 45 5 0.7 1.5 0.2 217 1.99 5.5 7.12 66 7.025 200 16 22.1 3. Hay opciones que consumen menos pero no llegan a 0.76 >2 [21] Nosotros 48 49.5 Preamplificadores Neurales x 10 Harrison‘03 Guo‘11 Zhang‘11 Nosotros Horiuchi‘04 Sarpeshkar‘07 CNM‘11 Castro‘11 Chatuverdi‘11 CNM‘12 Consumo [A] 2 1. Ganancia (dB) fhigh (kHz) flow (Hz) Consumo (µA) Ruido vni (µVrms ) NEF CM RRP eorcaso CM RRmedido/medio THD 1 % (mVpp ) [20] [44] 39.1 2. Tambi´en es una buena opci´on en t´erminos ruido vni .4 1.

Por este motivo. entre otras). la condici´ on para la multiplicaci´on.12: Layout de la segunda versi´on del preamplificador 2. 67mm2 . All´ı puede verse que se cumple 32 . 2. En la Tabla 2. las ecuaciones de la ganacia y los polos.6.11 se resumen los principales resultados.50µ de ON Semiconductor a trav´es de MOSIS.12 se presenta el layout fabricado en mayo de 2013. el ´area total ocupada es de 0. el testing del preamplificador no pudo ser recogido en la presente tesis. Figura 2. Los circuitos fueron fabricados en el proceso C5 0.Cap´ıtulo 2. en la Fig. Preamplificador de bajo ruido 2.7. Discusi´on y conclusiones El primer resultado importante de este cap´ıtulo es haber derivado las ecuaciones de la arquitectura propuesta que permiten dise˜ nar f´acilmente a partir de las especificaciones (se desarroll´ o la expresi´on de la transferencia. En mayo de 2013 se fabric´o una segunda versi´ on que est´ a prevista llegue a Montevideo en agosto de 2013. Fabricaci´on En enero de 2013 se fabric´ o una primer versi´on del preamplificador que no funcion´o debido a un error en el conexionado a los pads.

si bien el ruido equivalente a la entrada vni del preamplificador bajar´a mucho.96µVrms ≥ 80dB 83dB 83dB 300 @ THD< 5 % 330 @ THD= 2. en este escenario. ´estas no llegan a 0. Se constata una variaci´on en flow apreciable (casi un factor 2). Esto se debe fundamentalmente a la variaci´on que sufren gm6 y gm9 . Si bien se encuentran opciones que consumen menos. se destaca que se propusieron modificaciones que permitieron bajar el consumo. por lo tanto lo que sucede es que el ruido t´ermico es mucho mayor al ruido de Flicker.92µVrms 1.7.1Hz − 10kHz. En la secci´ on 2.3. de mantenerse las caracter´ısticas simuladas en el circuito fabricado. Discusi´on y conclusiones con todos los requerimientos a menos del CMRR. esto no seguir´a siendo cierto.2kHz − 9.0dB 49. El origen de esto. Este tema ser´ a retomado varias veces en los sucesivos cap´ıtulos.9kHz − 9. El ruido y el NEF dan muy bien. existe margen 33 . 1µA ≤ 2µVrms 1.5dB − 50. En segundo lugar. El CMRR est´a bien aunque se esperaba que fuese m´ as alto. e incluso en alguna dimensi´on sea mejor.2. el NEF de preamplificador empeorar´ a. ver ecuaci´on 2. es que el preamplicador est´a integrando ruido t´ermico en un ancho de banda muy grande (10kHz).11: Resumen de resultados del preamplificador Una posible desventaja que presenta el preamplificador implementado es el nivel de continua en la entrada que es capaz de bloquear (50mV con una penalizacion en la ganancia de 8dB).8 % 330 @ THD= 2. Estos cambios.4). bajar el ruido y extender el ancho de banda. pero la dispersi´on de la suma gm6 + gm9 es menor (que es lo que interviene en la ecuaci´on del polo de baja frecuencia. En aplicaciones que necesiten bajar la frecuencia de corte superior (por ejemplo 100Hz en EEG).9dB 10kHz 8.8kHz 0. Tambi´en es una muy buena opci´ on en t´erminos de ruido equivalente en la entrada vni .43Hz ≤ 16µA 8. Parte de la causa de esto nace del criterio de dise˜ no que estableci´ o que gm6 = gm7 /100 y gm9 = gm8 /100 (para minimizar el impacto en el consumo y en la ganancia que tiene agregar el bloque M6-M9). como se vio en la secci´ on 2.2 se observ´o que el aporte del ruido de Flicker del preamplificador no era apreciable incluso llegando a una frecuencia de 0. y por tanto bajar mucho el aporte de ruido t´ermico. Ganancia G fhigh flow Consumo IDD Ruido vni CMRR Output Swing (mVpp ) Offset Salida Bloqueo continua VOS Especificaciones Resultados (Cf int) Resultados (Cf ext) 50dB 49. 1µA 8. En efecto. 1Hz 16Hz − 28Hz 0.1Hz. lograron que el preamplificador est´e a nivel de otros preamplificadores neurales en el estado del arte. superar´ıa a todos los circuitos reportados a la fecha.7kHz 9.3dB − 49.1Hz.8 % ≤ 20mV 14mV 14mV ≥ 50mV 50mV 50mV Tabla 2. desde el punto de vista del consumo y el ruido para barrer el rango 0. La dispersi´on de ellos por separado es importante (var´ıan m´as de un orden de magnitud).5. Si bien este escenario no fue estudiado a fondo.07Hz − 1.

Finalmente.Cap´ıtulo 2. Aplicar la t´ecnica de [47] para la polarizaci´on del transistor cascodo de la fuente de corriente de Gm1 result´ o muy u ´til.3) manteniendo el W/L para no modificar el nivel de inversi´ on. En contrapartida represent´ o una inversi´on en consumo y en ´area que seguramente puedan bajarse. por ejemplo aumentando el W y el L del espejo NMOS de Gm1 (M4 y M5 en Fig. 34 . 2. Permiti´o polarizar el espejo en inversi´on d´ebil (lo que posibilit´ o tener un mayor output swing en la salida) sin la preocupaci´on de utilizar una fuente de tensi´ on continua (y por tanto un pin externo). ser´ıa interesante evaluar a futuro la aplicaci´on de la mencionada t´ecnica en los transistores cascodos de la salida de Gm2 y de esa manera ahorrar los dos pines que hoy se usan para ello. Preamplificador de bajo ruido dentro del preamplificador para mejorar su performance. en futuras implementaciones deber´ıan evaluarse estos puntos.

1. con lo cual el ruido equivalente de entrada del filtro deber´a ser vni P reamp 0. ´estas u ´ltimas son: Frecuencia de corte superior fhigh = 10kHz. Ruido equivalente de entrada vni = 2µVrms Offset a la salida VOf f set = 14mV Adem´ as.4) y de las caracter´ısticas del preamplificador presentado en el cap´ıtulo 2. Especificaciones Las especificaciones del filtro programable se establecen a partir de las especificaciones generales del sistema (ver secci´on 1. Desde el punto de vista del consumo se requiere que el filtro programable consuma mucho menos que el preamplificador. Consumo IDD = 8µA. Ganancia en banda pasante G = 300V /V . 1 − 20Hz (dependiendo si Cf es integrado o no). El filtro tendr´a una ganancia programable entre 1 y 100 de modo tal que a su salida se tenga como m´aximo 300mVpp . si el preamplificador debe manejar se˜ nales de entrada entre 10µVpp y 1mVpp . se tiene: vni = vno P reamp F iltro < 1. Si el ruido equivalente a la entrada P reamp del preamplificador es 2µVrms . En relaci´ on al ruido. Frecuencia de corte inferior flow < 0. lo ideal ser´ıa IDD = 1µA. se necesita que el aporte del filtro programable sea mucho menor al que introduce el preamplificador. . Si se impone que el ruido equivalente a la entrada del filtro sea menor que un 10 % m´as q 2 2 Eq P reamp F iltro < + vni que el ruido que aporta el preamplificador. a su salida el ruido es vno = 600µVrms . 1vno .Cap´ıtulo 3 Filtro programable 3. 45vno = 270µVrms . a la entrada del filtro programable esto representa una variaci´on entre 3mVpp y 300mVpp . Filtrado a –20dB/dec a baja y alta frecuencia.

Los bloques Gm2 y Gmf son OTAs sim´etricos cuya respectiva transconductancia es gm2 y gmf . Para especificar el m´ aximo valor de continua en la entrada que el circuito es capaz de eliminar (se llamar´ a VOS a este valor). Filtrado a –20dB/dec a baja y alta frecuencia. Gm1 es un OTA sim´etrico de transconductancia gm1 . 3. Frecuencia de corte superior fhigh programable entre 100Hz y 5kHz.1Hz con condensador externo.2 para lograr su programaci´on.Cap´ıtulo 3. se debe considerar el valor del offset en la salida del preamplificador de la etapa anterior (14mV con 3σ) sumado al offset referido a la entrada del filtro programable. asumiendo que las distribuciones son gaussianas. llegar a flow = 0. Filtro programable El ancho de banda ideal buscado es 0.1 se presenta el diagrama esquem´atico de la arquitectura propuesta.2). Por otra parte. Si estimamos este valor enp20mV . M8 y M9 (ver Fig. que el offset a la salida (VOf f set ) sea menor que 20mV . con condensador integrado se espera llegar lo m´as abajo posible de 20Hz para que sea el preamplificador quien fije el polo de baja frecuencia. una fhigh = 5kHz ser´ıa aceptable. M7. Para dise˜ nar el filtro Base se utiliz´ o la arquitectura reportada en [21] ya aplicada en el preamplificador (para una referencia r´apida sobre detalles de la misma puede consultarse el ap´endice C).1Hz sin condensador externo no es muy factible. 36 . Dise˜no En primer lugar se dise˜ n´ o un filtro Base que cumple con las mayores exigencias de ganancia (G = 100) y ancho de banda (fhigh = 5kHz) y luego se le aplicaron las t´ecnicas descriptas en la secci´ on 3. ser´ıa deseable para no exigir a la etapa siguiente.2.1Hz − 10kHz. En la figura 3. Por u ´ltimo. Frecuencia de corte inferior flow = 5Hz con condensador integrado y flow = 0. En funci´ on de las caracter´ısticas del preamplificador y otras restricciones del sistema antes descritas se generan las siguientes especificaciones para el filtro: Ganancia G programable en banda pasante entre 1V /V y 100V /V . al cual se le agreg´ o un bloque de eliminaci´on de continua local formado por los transistores M6. Consumo IDD = 1µA Ruido equivalente de entrada vni. se llega a que VOS ≥ (14mV )2 + (20mV )2 = 24mV .2.rms < 270µVrms Output Swing = 300mVpp con T HD < 5 % Bloqueo de continua VOS ≥ 24mV Offset a la salida VOf f set ≤ 20mV 3.

1: fhigh = G= A flow gm2 2πCL (2. ´estas ser´ıan: IBIASGm1 = 2ID1 .2.2: Detalle a nivel de transistor del Gm1 del filtro Base.5 4 3 2 3. VDD B D M11 M10 VDD 𝛂 : 1 Vbias M8 2. July 23.3) Title gm6 + gm9 gmf = gm2 2πCf <Title> Size A Date: 5 4 3 (2. June 25. Dise˜no D - Vf = V9G Gmf + - Cf CL Vin C Vout Gm2 + + Gm1 5 4 3 2 Figura 3. B En la Fig.2) gm1 gm2 (2. La ecuaciones del filtro son exactamente las mismas que las del preamplificador presentadas en la secci´ on 2. IBIASGm2 = 2ID2 e IBIASGmf = 2IDf .4) Document Number <Doc> Tuesday.ID1 Vin- M1 M2 M9 VSS Vin+ Vout VDD A Title M7 C M6 𝛂 : Size 1 A Date: 5 M12 4 M3 M4 3 <Title> V9G Document Number <Doc> Tuesday. 3. 2013 Sheet 2 M5 VSS Figura 3. 2013 2 37 Sheet .1 no se muestran las fuentes de corrientes que polarizan los OTAS.1: Arquitectura del filtro Base.2.

8 ∼ = 10gm6. para tener mayor margen de programaci´on conviene que trabajen en inversi´on fuerte. dada una especificaci´on de flow = 5Hz a trav´es de la ecuaci´on 2. Por un lado gm1 . Los transistores cascodos de Gm2 ((gm /ID )C2 ) se polarizan en inversi´on d´ebil para tener un peque˜ no VDSsat y maximizar el output swing. Fijado gm2 . gm6 y gm9 como se mencion´ o anteriormente est´an determinados y Cf est´a acotado por el m´ aximo valor que pueda conseguirse con un ´area razonable (Cf = 200 − 300pF ). Para minimizar el ruido. 2 o f y corresponde respectivamente a Gm1.3. gm8 y gm9 refieren a la transconductancia de M6. gm7 . Para tener una flow lo m´as baja posible se necesita tener un valor gmf lo m´as peque˜ no posible. Filtro programable Se seguir´ an los mismos criterios de notaci´on utilizados en el cap´ıtulo 2. y por tanto quedan determinadas ID1 e ID2 . llevando a estos transistores hacia inversi´ on d´ebil. gm2 .2. gm6 . el valor de gm2 queda determinado por la ecuaci´ on 2. y u ´nicamente para el bloque M6-M9.3.4. M8 y M9. M7. para minimizar el impacto en el consumo y en la ganancia que tiene agregar el bloque M6-M9 y para bajar a´ un m´as el polo de baja frecuencia se impone que α = 10. 38 . lo cual implica un 1 Se ver´ a m´ as adelante que las etapas de entrada Gm2 y Gmf tienen transistores largos (L > 200µm). En efecto. Los transistores cascodos de Gm1 (M6-M9) se polarizan en inversi´on fuerte ((gm /ID )C1 = 5V −1 ) para obtener un valor tan bajo como sea posible del polo de baja frecuencia (la corriente est´a dada por la polarizaci´ on del par de entrada. en inversi´on d´ebil es d´onde se registrar´ a menos consumo. Balanceando los compromisos antes planteados se determina (gm /ID )1 = 10V −1 y (gm /ID )2 = 5V −1 . Asimismo. Finalmente. esto es: gm7.9 m´ as chico ser´ a el polo).1. el valor gmf queda determinado. por tanto.2. Complementariamente.9 .2. A partir de este punto. Gm2 y Gmf. m´as all´a que el contexto no deber´ıa dar a confusiones.Cap´ıtulo 3. Asimismo.2. Entonces. por lo tanto presentan una Cgs relativamente alta.4 cuanto m´as chicos sean gm6. Gm2 o Gmf. como se ver´a en la secci´on 3. la ganancia esperada G = 100V /V determina gm1 a trav´es de la ecuaci´on 2. y seg´ un la ecuaci´on 2. aplican los mismos criterios de dise˜ no planteados para el preamplificador en la secci´ on 2. si es una E corresponde a los transistores que funcionan como espejos y si es C a los cascodos. Flujo de dise˜no filtro Base Considerando que la capacidad del nodo de salida tiene una cota inferior para que su valor no dependa de las capacidades par´asitas (CLmin = 2pF )1 y que la frecuencia de corte superior es un requerimiento (fhigh = 5kHz). parte de la programaci´on que se va realizar es bajando las corrientes ID1 e ID2 . Si a se omite se refiere a los transistores del par de entrada. b puede ser 1. que los transistores de los pares de entrada de Gm1 y Gm2 se polaricen en inversi´ on fuerte es bueno por dos razones: para el rango lineal (todos los OTAs necesitan manejar se˜ nales de hasta 300mVpp en su entrada) y para la programaci´ on. 3. (gm /ID )1 debe ser m´aximo y (gm /ID )2 debe ser m´ınimo. gm2 y gmf refieren a la transconductancia efectiva de los bloques Gm1. cuando se escribe (gm /ID )ab . Por otro lado.1.

2. 3. Modificar gm2 tiene los inconvenientes mencionados en el p´arrafo anterior. Con el objetivo de tener una soluci´on r´apida y sencilla de implementar.3V y tomando Cf = 300pF . Por este motivo y para tener mejor rango lineal de entrada es preferible polarizar la etapa de entrada de Gmf en inversi´on fuerte. En la secci´ on 2.1. Programabilidad Se necesita modificar la ganancia entre 1 y 100 y la frecuencia de corte superior fhigh entre 100Hz y 5kHz. En funci´ on de las consideraciones realizadas en las secciones 3. y como adem´as alcanza con tener cambios discretos se opt´o por pensar en una soluci´on que utilice varios condensadores que cambiando su conexionado pueda resultar en diferentes valores de CL . aunque las corrientes involucradas son tan peque˜ nas que este argumento no pesa. para mantener acotado el tama˜ no de estos transistores puede convenir polarizar en inversi´on moderada o d´ebil.3. se opt´ o por combinar tres t´ecnicas: cambiar la relaci´on de copia en los espejos de salida de Gm1. Entonces. 3. y por tanto queda determinado IDf . los principales se listan en la Tabla 3.4 se muestra que desde el punto de vista del ruido conviene polarizar los espejos en inversi´on fuerte. y modificar la corriente de polarizaci´ on de los OTAs.3. Por otra parte.2.2. Dise˜no W/L chico. por otra parte esto puede llevar a tener un VDSsat alto. Para modificar fhigh se puede actuar sobre CL o gm2 . Para modificar la ganancia se puede actuar sobre gm1 o gm2 . Modificar gm2 afecta la ganancia pero tambi´en afecta la frecuencia de corte inferior y la frecuencia de corte superior. llevar a inversi´ on fuerte esta etapa puede devenir en transistores excesivamente largos con valores de Cgs igualmente altos. Por tanto.1 y 3.2. A modo de compromiso se fij´o (gm /ID )E1 = 10V −1 y (gm /ID )E2 = 15V −1 . Mediante una llave se cambia la relaci´on de copia del espejo de salida de Gm1 lo que permite realizar una sinton´ıa gruesa.2 se obtienen los valores de los par´ametros necesarios para implementar el filtro Base. Al utilizar CL como par´ametro de programaci´on. dividir un condensador en varios m´as peque˜ nos en paralelo y configurar la cantidad que pueden conectarse. Desde el punto de vista del consumo esto es mejor. debe considerarse dentro de este valor la capacidad de entrada que tiene la etapa siguiente (que se estima podr´ a variar entre 1pF y 2pF ).2.2. Para realizar una sinton´ıa fina se modifica IBIASGm1 . En funci´on de estos compromisos se define que (gm /ID )f = 25V −1 (que implica un L ∼ = 200µm). 2 Este cambio podr´ıa compensarse f´acilmente. aumentando gmf . Implementaci´on El circuito se implement´o con un voltaje de alimentaci´on nominal VDD = 3. 39 . si hubiera inter´es. es preferible actuar sobre gm1 que act´ ua sobre la 2 ganancia y sobre la frecuencia de corte inferior (a trav´es de gm6 y gm9 ).2.

63µA 0. 10pF . 300Hz y 100Hz.2) para disminuir respectivamente en un factor 10 ´ o 100 el gm1 . El valor de 40 . Para la sinton´ıa gruesa de la ganancia.5/217 gm6 = gm9 315nS Tabla 3.31µS 0.5nA 75pA IDD 2. 3kHz.3nA (W/L)P arEntrada (µm) 2.09µS Tabla 3. 1kHz.14µS 2.1: Dise˜ no filtro Base Se fijaron los siguiente valores discretos de CL : 1.31µS 0.3pF y 100pF .2 1.14µS 3.6µS 0.3pF .82µS 3. De acuerdo a simulaciones realizadas para este trabajo. Resultados En esta secci´ on se presentan resultados provenientes de las simulaciones del esquem´atico (no se implement´ o layout de este circuito).5µA 50nA 0. 3.9nS ID 630nA 12.3µS 63nS 1.1. Filtro Base Punto de funcionamiento y consumo (gm /ID )1 gm1 ID1 IDD1 gm6 gm7 gm8 gm9 Dise˜ no Resultados 10V −1 12V −1 6. 20pF .63µA 2. 500Hz. 3.Cap´ıtulo 3.1/1.52µA 2. 3.2 se presentan resultados de la simulaci´on del punto de operaci´on de Gm1 y los principales par´ ametros de peque˜ na se˜ nal del filtro Base.2: Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gm1 del filtro Base.52µA 0.3.5/213 1. En la Tabla 3.6pF .39µS 0. que respectivamente fijan fhigh en: 5kHz. bajando IBIASGm1 se puede bajar gm1 en un factor de 5 sin alterar significativamente el funcionamiento del circuito. 3. Si E = 1 la relaci´on de copia es 1. Filtro programable Gm1 Gm2 Gmf −1 −1 (gm /ID )P arEntrada 10V 5V 25V −1 gm 6. La sinton´ıa fina se logra modificando IBIASGm1 .3µS 7. 33.18µS 3. se aumenta por un factor E = 10 ´o E = 100 el L del transistor M5 y M10 (ver Fig.3.

4: Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gmf del filtro Base.3 y 3.NOISE) sobre el esquem´ atico del filtro Base. En el caso de G. Resultados (gm /ID )1 result´ o un poco m´as alta lo que redund´o en un gm1 un poco m´as alto. (gm /ID )2 gm2 ID2 IDD2 Dise˜ no Resultados −1 5V 5V −1 63nS 62nS 12.57µA (3. el offset en la salida (. Los valores de gm6 y gM 9 se apartan significativamente del valor dise˜ nado.6nS 74pA 303pA Tabla 3.1nA Tabla 3. Sumando los consumos de los diferentes OTAs se tiene que el consumo total del filtro Base es: IDD = IDD1 + IDD2 + IDDf = 2.0nA 50. Tanto para el ruido como para el offset en la salida se reporta el valor correspondiente a 3σ. Para calcular la THD se hizo una simulaci´on del transitorio para el peor caso de se˜ nal de entrada (vin = 3mVpp ).5).AC). pero es razonable ya que la corriente por ellos es la que menos se controla (depende del offset sistem´ atico y m´ as en general de la continua que debe bloquearse).5nA 12. En la Tablas 3. Para el resto de los par´ ametros se obtienen los valores esperados. Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado (ver Tabla 3. Cabe destacar que en la simulaci´on del esquem´atico del preamplificador se observaba una dispersi´on igual o mayor en estos valores.3.4 se presentan resultados de la simulaci´on del punto de operaci´ on de Gm2 y Gmf y los principales par´ametros de peque˜ na se˜ nal. Los valores obtenidos se ajustan razonablemente a lo dise˜ nado. y la misma se redujo de manera notoria en la simulaci´on de extra´ıdo.5V −1 1. el tramo computado es entre 80ms y 95ms considerando 8192 muestras y la frecuencia fundamental 1kHz. fhigh y flow se presenta el m´aximo y el m´ınimo obtenido en la simulaci´ on Montecarlo. (gm /ID )f gmf IDf IDDf Dise˜ no 25V −1 1. offset.5nA 50.3: Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gm2 del filtro Base.DC) y el ruido (.9nS 75pA 300pA Resultados 21. 41 . ruido y linealidad Se realizaron simulaciones Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) de la respuesta en frecuencia (.1) Respuesta en frecuencia.3.

1dB 0.6dB 0. el ruido (.Cap´ıtulo 3.6).654V 1.8kHz − 5.655V V9G 1.0kHz 2.2.0dB 0.8dB 0.5dB 0. El circuito opera sin penalizar la ganancia hasta valores de VOS = 50mV .DC).NOISE) y el consumo (.6: Respuesta del filtro Base ante un desnivel de continua en la entrada.5nA 40.3. y hasta 100mV con una penalizaci´on menor.AC).43 % 910nA 34.83V 1.39V 0. Programaci´on Filtro Base Se simularon los bordes que permiten mostrar que la programaci´on funciona correctamente.78 % 332nA 40. El tramo computado es entre 85ms y 100ms considerando 8192 muestras y la frecuencia fundamental 1kHz. 42 .45 % Tabla 3. En segundo lugar. Programaci´on de la ganancia con fhigh = 5kHz Se realizaron simulaciones del esquem´atico (para los valores t´ıpicos) de la respuesta en frecuencia (.77 % 119nA 40. En primer lugar.654V 1.TRAN) para el peor caso de se˜ nal de entrada (300mVpp en la salida). Filtro programable Ganancia G fhigh flow Offset en salida Ruido en entrada Vni T HD@vin = 3mVpp Dise˜ no 40dB 5kHz 5Hz - Resultados 38dB − 42dB 4.77 % Tabla 3. Para calcular la THD se hizo una simulaci´ on del transitorio (.21V ID8 585nA 544nA 436nA 274nA 147nA ID9 Ganancia THD 6. El c´alculo de la THD. A partir de los 150mV se registra una penalizaci´ on importante en la ganancia (ver Tabla 3. se toma CL = 1. VOS 0mV 20mV 50mV 100mV 150mV VoutDC 1. muestra que el mecanismo de bloqueo de continua no afecta significativamente el funcionamiento lineal del filtro.5: Resultados del filtro Base.652V 1.98V TBD 0.8mV 75µVrms 0. efectuado para una se˜ nal de entrada sinusoidal de amplitud de 3mVpp .62 % 655nA 38. se toma CL = 100pF (que corresponde a la m´ınima fhigh = 100Hz) y se simulan los extremos de programaci´on de la ganancia.4Hz − 6. Bloqueo de continua Si se genera un desnivel en continua del par de entrada de valor VOS se puede ver que el circuito bloquea la continua modificando levemente el voltaje de continua de la salida VoutDC .655V 1.6Hz 20.6pF para considerar todo el rango de programaci´ on de la ganancia trabajando con la m´axima fhigh = 5kHz. 3.

2dB T HD@VOS = 20mV 0.2dB 0. 1Hz puede ser u ´til para evitar el uso de un condensador externo.6 % 63nA 3.1Hz) fruto del cambio de gm1 .3.1dB 5. IBiasGm1 630nA Ganancia G 40.2Hz 102µVrms 439nA 1.2Hz 160µVrms 247nA 4.3 % 7. Este cambio no es necesariamente un problema.5dB (a 3.8dB y 3.8dB fhigh 5.4Hz hasta 0. Para calcular 43 .9 % en el bloqueo del VOS = 20mV ).1kHz flow 0.7 % 125nA 31. Para llegar a valores inferiores incluyendo el 0dB es necesario tomar E = 100 (Tabla 3.9 % 1.4Hz Ruido en entrada Vni 58µVrms Consumo IDD 2. al contrario.6 % 63nA 26.9kHz 0. Moviendo IBiasGm1 es posible bajar la ganancia desde 40.NOISE) y el consumo (. Se observa una variaci´ on importante en flow (desde 3.7 se presentan resultados para CL = 1.9dB 0.6Hz 64µVrms 552nA 0.6pF y E = 1. M´ as abajo de 0dB no se podr´a llegar porque se est´a en el l´ımite de la especificaci´ on de la linealidad cuando se quiere bloquear una continua en la entrada de VOS = 20mV .9dB 7.57µA T HD@vin = 300mVpp /G 0.6dB T HD@VOS = 20mV 0. el ruido (.8dB 4.DC).7: Resultados del filtro programable con CL = 1.7 % Tabla 3.2Hz 72µVrms 304nA 0.96µA T HD@vin = 300mVpp /G 0.8: Resultados del filtro programable con CL = 1.5dB no se estar´ıa llegando con este seteo ya que se tiene una T HD = 7. El resto de los par´ametros del filtro programable est´ an dentro de lo esperado.4Hz Ruido en entrada Vni 66µVrms Consumo IDD 1.2kHz 0.5 % 30.1dB (e incluso m´as).3.5 % G@VOS = 20mV 19.0dB 5.6pF y E = 10.6pF y E = 1.6 % 125nA 8.9).8) se observa que es posible llegar a un valor entre 8.0kHz flow 3. IBiasGm1 630nA Ganancia G 19.5 % 24.9 % Tabla 3.4dB 3. en los casos que se necesita llegar a frecuencias del orden de 0.7 % G@VOS = 20mV 40.AC).7dB fhigh 5. Programaci´on de la ganancia con fhigh = 100Hz Se realizaron simulaciones del esquem´atico (para los valores t´ıpicos) de la respuesta en frecuencia (.8dB hasta 26.9kHz 0. Cambiando la relaci´ on de copia en E = 10 (Tabla 3. Resultados En Tabla 3.2kHz 0.5dB 4.

7dB 1. a menos de flow que no ser´ıa un problema.10 se presentan resultados los extremos: para E = 1 se obtiene una ganancia de 40.10: Resultados del filtro programable con CL = 100pF La frecuencia fhigh = 100Hz se setea conectando CL = 100pF . En este caso valen los mismos comentarios realizados en la secci´on anterior.Cap´ıtulo 3. Dependiendo de su programaci´on.4dB T HD@VOS = 20mV 5.1Hz Ruido en entrada Vni 225µVrms Consumo IDD 2.16µA T HD@vin = 300mVpp /G 3.4dB T HD@VOS = 20mV 4. Los par´ametros del filtro programable est´an dentro de lo esperado.4. IBiasGm1 700nA E 100 Ganancia G 0.0 % G@VOS = 20mV −0. cuya ganancia es programable entre 1V /V y 110V /V y su frecuencia de corte superior es programable entre 100Hz y 5kHz.9kHz flow 0.6 % Tabla 3. El tramo computado es entre 850ms y 1000ms considerando 8192 muestras y la frecuencia fundamental 10Hz.03dB fhigh 4.3µA y 2. Moviendo IBiasGm1 y E es posible modificar la ganancia dentro del rango deseado.2 % 40.6µA.1Hz Ruido en entrada Vni 78µVrms Consumo IDD 2. el filtro consume entre 0. tiene un ruido equivalente en la entrada que var´ıa 44 .0 % 630nA 1 40.9: Resultados del filtro programable con CL = 1.5 % G@VOS = 20mV −0.16µA T HD@vin = 300mVpp /G 3.57µA 1. Discusi´on y conclusiones Se dise˜ n´ o e implement´ o a nivel de esquem´atico un filtro pasabanda.3Hz 39µVrms 2. Filtro programable IBiasGm1 700nA Ganancia G 0. la THD se hizo una simulaci´ on del transitorio (.6pF y E = 100.7 % Tabla 3.8dB 100Hz 3. En la Tabla 3.8dB mientras que para E = 100 se obtiene pr´acticamente 0dB. 3.03dB fhigh 100Hz flow 0.TRAN) para el peor caso de se˜ nal de entrada (300mVpp en la salida).

El filtro presenta una correcta linealidad logrando un excursi´on de salida de 300mVpp con una T HD < 5 % y es capaz de bloquear niveles de continua en su entrada de 20mV . 1Hz puede ser u ´til para evitar el uso de un condensador externo.3µA − 2.2. El offset en la salida result´o un poco alto. el requerimiento de bloqueo de continua fue cumplido razonablemente.1Hz − 3. estos resultados dan la pauta que introducir alguna t´ecnica de linealizaci´on en Gm1 (como las que se usar´ an en el cap´ıtulo 4) mejorar´ıa la performance del circuito desde el punto de vista de la linealidad y el consumo.3. En resumen.4Hz Consumo IDD ≤ 1µA 0. Por tanto. Especificaciones Resultados Ganancia programable G 0dB − 40dB 0dB − 40.8).11: Resumen de resultados del filtro programable Como se adelant´ o se la secci´on 3. habr´a que tener esto en cuenta en la etapa siguiente. El flujo de dise˜ no planteado en 3. En la tabla 3.8mV Bloqueo continua VOS ≥ 24mV 20mV Tabla 3. con las limitaciones antes mencionadas.6µA Ruido vni ≤ 270µVrms 39µVrms − 225µVrms Output Swing 300mVpp T HD < 5 % T HD < 5 % Offset Salida ≤ 20mV 20. al contrario. A excepci´ on de las bajas ganancias. Si se quisiera controlar esa frecuencia con mayor precision podr´ıa pensarse un esquema para modificar gmf a contra-fase del cambio en gm1 .11 se presenta un resumen de los resultados obtenidos. Estos niveles de distorsi´on se logran llevando al filtro a su mayor consumo.6 %. 45 . Este cambio no es necesariamente un problema.1Hz) fruto del cambio de gm1 . en los casos que se necesita llegar a frecuencias del orden de 0. La linealidad del filtro llega al borde de la especificaci´on para ganancias bajas. obtener una ganancia alta en un ancho de banda amplio es oneroso para esta arquitectura. El consumo est´ a bien para varias configuraciones del filtro programable.2 se constata una variaci´on importante en flow (desde 3. En particular.4Hz hasta 0. ya que con menores niveles de corriente la distorsi´ on aumenta (esto se observa claramente en la Tabla 3. Discusi´on y conclusiones entre 39µVrms y 225µVrms y presenta un offset en su salida de 20.7dB fhigh programable 100Hz − 5kHz 100Hz − 5kHz flow (Cf int) 5Hz 0. se destaca que se pudo dise˜ nar un filtro programable a partir de la arquitectura planteada que cumple razonablemente con las especificaciones de la aplicaci´on.1 no deja mucho margen.8mV . pero en varias otras se pasa del presupuesto asignado. y para la misma ganancia en fhigh = 5kHz es 4. para G = 1 y fhigh = 100Hz se tiene una T HD = 5 %. donde se est´a muy justo.4. Este tema ser´a re-evaluado en el cap´ıtulo 5 cuando se estudie la globalidad del front-end.2.

Esta p´ agina ha sido intencionalmente dejada en blanco. .

´estas u ´ltimas son: Frecuencia de corte superior m´axima fhigh = 5kHz. Offset a la salida VOf f set = 20. Si se estima este valor en 20mV . Output Swing = 300mVpp Filtrado a –20dB/dec a baja y alta frecuencia.8mV Como el front-end debe tener un excursi´on de salida de 1Vpp . se llega a que VOS ≥ p (20. la ganancia del filtro de salida deber´ a ser G = 3. con condensador integrado se espera llegar lo m´ as abajo posible de 20Hz para que sea el preamplificador quien fije el polo de baja frecuencia. llegar a flow = 0.Cap´ıtulo 4 Filtro de alto rango lineal 4.1Hz sin condensador externo no es muy factible. el filtro de salida debe ser capaz de bloquear el offset remanente en la salida del filtro programable (20. Desde el punto de vista del consumo se requiere que el filtro consuma mucho menos que las etapas anteriores. Especificaciones Las especificaciones del filtro de salida se establecen a partir de las especificaciones generales del sistema (ver secci´on 1.7µA.33V /V .4) y de las caracter´ısticas del filtro programable presentado en el cap´ıtulo 3.1Hz − 3.1Hz − 10kHz.9mV . No hay requerimientos de ruido porque la se˜ nal ya adquiri´o una amplitud tal (mayor a 300mVpp ) que el ruido intr´ınseco de los componentes no interviene. asumiendo que las distribuciones son gaussianas. Frecuencia de corte inferior flow = 0. 8mV con 3σ) superpuesto al offset (referido a la entrada) generado por el propio filtro de salida. una fhigh = 8 − 10kHz ser´ıa aceptable para que el front-end mantenga fhigh = 5kHz. se establece entonces que IDD = 1µA. .4Hz Consumo de preamplificador y filtro programable IDD = 8. El ancho de banda ideal buscado es 0.1.4µA − 10. Finalmente. Por otra parte.8mV )2 + (20mV )2 = 28.

4. June 25.1. 2013 Sheet .Cap´ıtulo 4.1 y 3.2) y aplica el mismo flujo de dise˜ no utilizado en la secci´on 3. al cual se le agreg´ o un bloque de eliminaci´on de continua local formado por los transistores M6. Filtro de alto rango lineal En funci´ on de las consideraciones realizadas anteriormente se tiene las especificaciones para el filtro de salida: Ganancia G = 3. Las figuras y ecuaciones se repiten en esta secci´ on para facilitar la lectura. 4 3 2 - Vf = V9G Gmf + - Cf CL Vin Gm2 Vout + + Gm1 - Figura 4. Filtrado a –20dB/dec a baja y alta frecuencia.33. Frecuencia de corte inferior flow < 5Hz con condensador integrado y flow = 0. Dise˜no 5 Si se observan las especificaciones se concluye que se necesita un filtro que es un caso particular del filtro programable presentado en la cap´ıtulo 3 pero con m´as requerimientos de rango lineal. Por tanto. M7. Gm1 es un OTA sim´etrico de transconductancia gm1 . M8 y M9 (ver Fig. Los bloques Gm2 y Gmf son OTAs sim´etricos cuya respectiva transconductancia es gm2 y gmf .1Hz con condensador externo.2. Frecuencia de corte superior fhigh = 8 − 10kHz. Consumo IDD = 1µA Output Swing ≥ 1Vpp con T HD ≤ 5 % Bloqueo de continua VOS ≥ 30mV Offset a la salida VOf f set ≤ 20mV 4.2).2.1: Arquitectura del filtro de salida. se utiliza el mismo circuito (ver figuras 3.1 se presenta el diagrama esquem´atico de la arquitectura propuesta. 48 Title <Title> Size A Date: Document Number <Doc> Tuesday. En la figura 4.

gm6 . Por un lado gm1 . B En la Fig. Si a se omite se refiere a los transistores del par de entrada.3) Document Number <Doc> Tuesday.2. gm7 .1: fhigh = gm2 2πCL (2. m´ as all´ a que el contexto no deber´ıa dar a confusiones.2. La ecuaciones del filtro son exactamente las mismas que las del preamplificador presentadas en la secci´ on 2. 4.1 no se muestran las fuentes de corrientes que polarizan los OTAS. 2013 2 (2. cuando se escribe (gm /ID )ab .4) Se seguir´ an los mismos criterios de notaci´on utilizados en los cap´ıtulos anteriores. Gm2 o Gmf. b puede ser 1. Asimismo. Gm2 y Gmf. IBIASGm2 = 2ID2 e IBIASGmf = 2IDf . Por otro lado. M7. si es una E corresponde a los transistores que funcionan como espejos y si es C a los cascodos. y u ´nicamente para el bloque M6-M9. Dise˜no VDD D M11 M10 VDD 𝛂 : 1 Vbias M8 2.5 4 3 2 4.2) A Title <Title> gm1 G= gm2 Size A Date: 5 4 3 flow = gm6 + gm9 gmf gm2 2πCf (2. M8 y M9. 2 o f y corresponde respectivamente a Gm1.2: Detalle a nivel de transistor del Gm1 del filtro de salida. gm2 y gmf refieren a la transconductancia efectiva de los bloques Gm1.ID1 Vin- M1 VSS Vin+ M2 M9 Vout VDD M7 C M6 𝛂 : 1 M12 M3 M4 V9G M5 VSS Figura 4. gm8 y gm9 refieren a la transconductancia de M6. July 23. ´estas ser´ıan: IBIASGm1 = 2ID1 . 49 Sheet .

pero cuanto m´as fuerte es el nivel inversi´ on m´ as chico es W/L. tanto para el PMOS como para el NMOS. esto es: gm7. dada una especificaci´on de flow = 4Hz a trav´es de la ecuaci´on 2. Este aspecto se vuelve cr´ıtico si se pretende linealizar el par de entrada (ver secci´ on 4. Por este motivo y para tener mejor rango lineal de entrada es preferible polarizar en inversi´on fuerte.9 . gm6 y gm9 como se mencion´ o anteriormente est´an determinados y Cf est´a acotado por el m´ aximo valor que pueda conseguirse con un ´area razonable (Cf = 300pF ). el valor de gm2 queda determinado por la ecuaci´ on 2. lo cual implica un W/L chico y por tanto transistores largos. Resultados provenientes de simulaciones sugieren que tambi´en conviene polarizar en inversi´ on fuerte los cascodos de Gm1 para bajar la dispersi´on en gm6 y gm9 . Para minimizar el impacto en el consumo y en la ganancia que agrega el bloque M6-M9 se impone α = 10. Entonces. como el voltaje del gate de estos cascodos no puede modificarse (est´a fijo. Este punto se tornar´a cr´ıtico cuando se agreguen transistores de linealizaci´on. gm2 . Para tener una flow lo m´as baja posible se necesita tener un valor gmf lo m´as peque˜ no posible.4. La ventaja de la inversi´ on fuerte puede ser debida al rango lineal del par diferencial que forman los cascodos. por un lado el tama˜ no y por otro la capacidad par´ asita en la entrada de Gmf (que es el nodo de salida del filtro). Flujo de dise˜no Considerando que la capacidad del nodo de salida tiene una cota inferior para que su valor no dependa de las capacidades par´asitas (CLmin = 4pF )1 y que la frecuencia de corte superior es un requerimiento (fhigh = 10kHz). lo cual lleva a transistores excesivamente largos con valores de Cgs igualmente altos.2. En segundo lugar. las etapas de entrada de Gm1 ((gm /ID )1 ) y Gm2 ((gm /ID )2 ) se polarizan en inversi´on fuerte: (gm /ID )1 = 5V −1 y (gm /ID )2 = 5V −1 . para mantener acotado su tama˜ no 1 Se ver´ a m´ as adelante que las etapas de entrada de Gm2 y Gmf tienen transistores largos (L > 200µm).2.8 ∼ = 10gm6. Como el requerimiento de rango lineal es el m´as importante.3. que asegura que en un mayor rango de variaci´on de V9G el gm se mantenga constante.2. m´as peque˜ no ser´a VDSsat y por tanto mayor ser´ a el output swing. Esto genera dos problemas. El compromiso entre estos elementos impuso que: (gm /ID )C1 = 10V −1 .1. 50 . Los transistores cascodos de Gm2 ((gm /ID )C2 ) se polarizan en inversi´on d´ebil para tener un peque˜ no VDSsat y maximizar el output swing: (gm /ID )C2 = 25V −1 . Con estos criterios quedan definidos gm6 y gm9 . si se llevan a inversi´on muy d´ebil. Fijado gm2 . en Vbias ∼ = VDD /2). el VGS de estos transistores ser´ a peque˜ no y por tanto el voltaje de drain de los espejos ser´a muy alto (innecesariamente ya que los espejos est´an en inversi´on d´ebil) y el output swing se ver´ a limitado.2). En los transistores cascodos de Gm1 ((gm /ID )C1 ) hay que balancear tres cosas. polarizar en inversi´on fuerte conviene para obtener un valor tan bajo como sea posible del polo de baja frecuencia. cu´ anto m´ as d´ebil sea el nivel de inversi´on. Filtro de alto rango lineal 4. Por u ´ltimo. la ganancia esperada determina gm1 a trav´es de la ecuaci´ on 2.Cap´ıtulo 4. En primer lugar. el valor gmf queda determinado. Entonces. por lo tanto con una Cgs relativamente alta.

lo cual implica que debe ser capaces de manejar en su entrada vout = Gvin ∼ = aplicarse alguna t´ecnica de linealizaci´on. lo cu´al est´a en el l´ımite de lo que puede representar un problema para un par diferencial est´andar.2.1) Gm1 debe tener un rango lineal de entrada que incluya vin ∼ = 300mVpp superpuesto M8 a un M9 offset del orden de 20mV . quedando determinado as´ı IDf . 51 3 . En [48] se hacen las cuentas para inversi´ on fuerte y se plantea como ecuaci´on de dise˜ no la relaci´on entre (W/L) recogida en la ecuaci´ on 4.2. Linealizaci´on de OTAs D Tomando en cuenta las especificaciones del filtro (ver secci´on 4. Desde el punto de vista del consumo esto es mejor.2. La clave de esta t´ecnica es polarizar los transistores Mk1 y Mk2 en zona de lineal de modo tal que para bajos vin se comporte como una resistencia (aumentando de este modo el rango lineal como si fuera una resistencia de source).3: Circuito de linealizaci´on Para aumentar el rango lineal de Gm1. 4 3 Para tener un VDSsat bajo. Correspondiendo el sub´ındice E1 a los espejos de Gm1 y E2 a los espejos de Gm2.4. logrando extender un poco m´as el rango lineal a costa de aumentar un poco la THD.1. Dise˜no (L ≤ 250µm) se decidi´ o polarizar en inversi´on d´ebil a los transistores del par de entrada de Gmf ((gm /ID )f = 20). aunque las corrientes involucradas son tan peque˜ nas que este argumento5 no pesa. Por otra parte. (gm.Vin)/2 4. con lo cual a partir de cierto punto pasan a saturaci´on. los espejos se polarizaron en inversi´on d´ebil: (gm /ID )E1 = (gm /ID )E2 = 25V −1 . Gmf y Gm2 Iout1 deben ---> 1V . 5 4 al aumentar vin aumenta el voltaje drain-source de estos transistores.Vin)/2 Mk2 Mk1 B Vin+ M1 M2 Vin- Figura 4. M7 M6 C VDD VDD Ibias/2 Ibias/2 (gm.3. Gm2 y Gmf se propone utilizar la A t´ecnica propuesta en [48] que consiste en conectar el source de los transistores del par de entrada mediante dos transistores Mk1 y Mk2 (llamados de linealizaci´ on) seg´ un figura 4.

2. Si K es muy chico su efecto sobre la linealizaci´on es imperceptible. y el K ´optimo para Gmf (inversi´on d´ebil) estaba entre 3 y 4. que a su vez depende del nivel de inversi´on de los transistores del par de entrada. usar K = 5 en Gm1. 4.3.5/430 105nS 1. Esta t´ecnica se ha utilizado en inversi´on d´ebil con muy buenos resultados tambi´en. el filtro requiere que estos OTAs tengan transconductancias bajas (especialmente Gmf). mientras que si es muy grande la transconductancia resultante disminuye. para tener un rango lineal de 1Vpp . El circuito se implement´ o con un voltaje de alimentaci´on nominal VDD = 3. la frecuencia de corte superior baja a valores fuera del rango requerido (fhigh < 5kHz).5/340 1. si se toma los valores ´optimos de K.1nA 1.7nS 105nA 31nA 280pA 420nA 124nA 1. el K ´optimo para Gm1 y Gm2 (inversi´on fuerte) estaba entre 6 y 8.5/26 1. Implementaci´on (gm /ID )P arEntrada gm ID IDD (W/L)P arEntrada (µm) (W/L)Lin (µm) gm6 gm7 gm8 gm9 Gm1 Gm2 Gmf −1 −1 5V 5V 20V −1 523nS 157nS 5. 52 . y seg´ un la ecuaci´on 4. En consecuencia se tienen varios transistores largos. Por lo tanto. La soluci´on de compromiso fue: sacar CL . La capacidad de aumentar el rango lineal de esta t´ecnica es muy buena pero en nuestro filtro genera un aumento importante de la capacidad par´asita en el nodo de salida vout (que es la entrada de Gm2 y Gmf).05µS 105nS - Tabla 4.5/215 1.1) donde (W/L)P arEntrada es el (W/L) del par de entrada y (W/L)Lin es el (W/L) de los transistores de linealizaci´ on.5/130 1.3V y tomando Cf = 300pF .1: Implementaci´on filtro de salida. K = 4 en Gm2 y K = 2 en Gmf . M1k y M2k necesitan un (W/L) K veces m´ as chico.1.5/85 1. Filtro de alto rango lineal (W/L)Lin = (W/L)P arEntrada K (4. 48–50] se determin´o que en nuestro caso. Por tanto existe un K ´optimo. Mediante simulaciones y apoyado en [46. lo cual aumenta significativamente la capacidad par´asita en la salida.Cap´ıtulo 4. conectados en la salida. por lo cual se tiene un (W/L)P arEntrada chico. En efecto.05µS 1.

3nS 1.11µS 1.3.3 y 4.0nA 30.1 se presentan los par´ametros finales m´as relevantes. 4.05µS 1.4 se presentan resultados de la simulaci´on del punto de operaci´ on de Gm2 y Gmf y los principales par´ametros de peque˜ na se˜ nal.2) 53 .1 y 4.8nA 104nA 125nA Tabla 4.2.3: Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gm2 del filtro de salida. Resultados 4. Resultados En funci´ on de las consideraciones realizadas en las secciones 4. En la Tabla 4. Sumando los consumos de los diferentes OTAs se tiene que el consumo total del filtro salida es: IDD = IDD1 + IDD2 + IDDf = 548nA (4. pero es razonable ya que la corriente por ellos es la que menos se controla (depende del offset sistem´ atico y m´ as en general de la continua que debe bloquearse). El resultado del resto de los par´ametros es coherente con lo esperado. (gm /ID )2 gm2 ID2 IDD2 Dise˜ no Resultados −1 5V 5V −1 157nS 155nS 31.2.21µS 42nS Tabla 4.3.05µS 105nS Resultados 5V −1 523nS 105nA 422nA 6. (gm /ID )1 gm1 ID1 IDD1 gm6 gm7 gm8 gm9 Dise˜ no 5V −1 523nS 105nA 420nA 105nS 1. Punto de funcionamiento y consumo En la Tabla 4.2 se obtienen los valores de los par´ametros necesarios para implementar el filtro de salida.4.3.1.2: Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gm1 del filtro de salida. En la Tablas 4.2 se presentan resultados de la simulaci´on del punto de operaci´ on de Gm1 y los principales par´ametros de peque˜ na se˜ nal del filtro de salida. Los valores de gm6 − gm9 se apartan significativamente del valor dise˜ nado.

Cap´ıtulo 4. 12nA 1. 28dB.5dB − 10. Dise˜ no Ganancia G 10. 4.8V −1 5. 28nA 0.0kHz 0. Respuesta en frecuencia y offset Se realizaron simulaciones Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) de la respuesta en frecuencia (.4: Histograma de la ganancia para f = 100Hz 54 .4dB fhigh 10kHz flow 4Hz Offset en la salida - Resultados 8. Al igual que en las otras etapas. Filtro de alto rango lineal (gm /ID )f gmf IDf IDDf Dise˜ no Resultados 20V −1 18.2.5). En el caso de G.DC) del esquem´atico del filtro de salida. 10nA Tabla 4.3. Se observa que la frecuencia de corte superior y la ganancia son un poco m´as chicas de lo esperado. Figura 4. 27nA 1.5Hz 33.5mV Tabla 4.4 se muestra un histograma en f = 100Hz donde se puede ver que la media de la ganancia es 9. 4. se observa una variaci´ on en flow que no es despreciable. Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado (ver Tabla 4. en la Fig.7Hz − 2.0kHz − 8.1nS 0.AC) y el offset en la salida (.7nS 5.4: Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gmf del filtro de salida.5: Resultados del filtro salida. fhigh y flow se presenta el m´aximo y el m´ınimo obtenido en la simulaci´ on Montecarlo. Para el offset en la salida se reporta el valor correspondiente a 3σ.1dB 7.

Figura 4.4. Rango lineal de entrada Se hizo una simulaci´ on del transitorio param´etrico en la amplitud de la se˜ nal de entrada (sinusoidal de 1kHz). el tiempo de establecimiento del circuito es de aproximadamente 2000ms.3.3.7 se muestra el valor de la corriente que est´a actuando.5: Rango lineal de entrada del filtro de salida Se˜ nal Vin Naranja 160mVpp Violeta 300mVpp Azul 310mVpp Vout 490mVpp 910mVpp 970mVpp THD 1.0 % 3. se constata que el mecanismo de bloqueo de continua no afecta significativamente la ganancia. 55 .0 % Tabla 4. El circuito opera correctamente hasta valores de VOS = 100mV o superiores.4. Para VOS ≥ 0V la corriente que compensa ese desbalance viene fundamentalmente de ID9 . Bloqueo de continua Si se genera un desnivel en continua del par de entrada de valor VOS se puede ver que el circuito bloquea la continua quedando el voltaje de continua de la salida VoutDC en aproximadamente 1.6: THD del filtro de salida 4.652V . La simulaci´on corresponde al esquem´atico del circuito. Esta columna pone de manifiesto el gasto en corriente que se invierte en compensar VOS . En la columna ID9 /ID6 de la Tabla 4.5).3. Resultados 4. Por otra parte. El c´alculo de la THD fue efectuado para una se˜ nal de entrada sinusoidal de amplitud de 300mVpp . En la tabla 4. a partir de 100mV se constata una penalizaci´on en la THD (ver Tabla 4.6 se presenta el valor de la THD para valores que est´ an en el l´ımite de la especificaci´on.7). mientras que para VOS < 0V viene de ID6 . tomando 23 pasos equiespaciados entre 100mV y 330mV (ver figura 4.1 % 5. Se calcul´ o la THD entre 2450ms y 2500ms considerando 65536 muestras y la frecuencia fundamental 1kHz.3.

4nA 2.0nA 14nA 26nA 38nA Ganancia 8.2dB 9.1 %.2. Debido a las capacidades par´asitas en el nodo de salida.7Hz − 2.7 % Tabla 4.5mV ≥ 30mV 100mV Tabla 4. se˜ nales de 0.9dB 9. fundamentalmente las correspondientes a las etapas de entrada de Gm2 y Gmf (que incluyen transistores de linealizaci´ on).652V V9G 2.3dB 9.652V 1.1 % ≤ 20mV 33.31Vpp y a su salida de 0. Ganancia G fhigh flow Consumo IDD Output Swing Offset Salida Bloqueo continua VOS Especificaciones Resultados 10. En ambos casos.652V 1.1 % 3.3dB y es capaz de manejar a su entrada.11 se presenta un resumen completo de los resultados obtenidos.41V ID8 = ID7 89nA 95nA 101nA 104nA 104nA 102nA 98nA 92nA 86nA ID9 oID6 33nA 21nA 9. su offset en la salida es 33.55V 1. Nuevamente se constata una variaci´on apreciable en flow (casi un factor 3).3dB 9.652V 1.6nA 2. 56 .6nA 7. El filtro tiene una frecuencia de corte superior de 7.651V 1.8: Resumen de resultados del filtro de salida Debido a los transistores de linealizaci´on la ganancia es un poco m´as chica de lo esperado.652V 1. En la tabla 3.5 % 2.97Vpp con una T HD = 3.97Vpp con T HD = 3.8 % 3.2 y por esto fue que no se incluy´ o CL en este filtro ni tampoco se aumentaron los tama˜ nos de los transistores de linealizaci´ on tanto como se hubiese deseado. 4dB 9.652V 1.55µA 1Vpp con T HD < 5 % 0.12V 2.81V 1.0dB 9.Cap´ıtulo 4. El filtro presenta un consumo de 550nA.4 % 7. Filtro de alto rango lineal VOS −150mV −100mV −50mV −20mV 0mV 20mV 50mV 100mV 150mV VoutDC 1. El filtro presenta una ganancia de 9.7dB 8.651V 1. Esto se hab´ıa detectado y reportado en la secci´on 4. Discusi´on y conclusiones Se dise˜ n´ o e implement´ o a nivel de esquem´atico un filtro pasabanda de alto rango lineal y baja ganancia. la frecuencia de corte superior tambi´en es m´as peque˜ na de lo dise˜ nado. 4.4 % 4.5Hz ≤ 1µA 0.92V 1.0 % 2. 3dB 8kHz − 10kHz 7kHz − 8kHz ≤ 5Hz 0.651V 1.3 % 1.0dB THD 1.4.7: Respuesta del filtro de salida ante un desnivel de continua en la entrada.5mV y es capaz de bloquear niveles de continua en su entrada mayores a 100mV . no est´a en riego el cumplimiento con las especificaciones del front-end.04V 1.5kHz y una frecuencia inferior de 1Hz.1dB 9.5 % 3.1dB 9.62V 1.69V 1.47V 1.

4). pero la dispersi´ on de la suma gm6 + gm9 es menor (que es lo que interviene en la ecuaci´on del polo de baja frecuencia. cumpliendo con las especificaciones de la aplicaci´on. ver ecuaci´on 2.4. La linealidad del filtro est´a al borde de la especificaci´on pero logra manejar amplitudes de se˜ nales importantes.4. El offset en la salida result´ o un poco alto. El requerimiento de bloqueo de continua fue cumplido ampliamente. 57 . a partir de la arquitectura planteada. esto deber´a tenerse en cuenta en la etapa siguiente. A futuro deber´ıan estudiarse e introducirse t´ecnicas que permitan bajar estas capacidades par´asitas. Finalmente. Discusi´on y conclusiones Esto se debe fundamentalmente a la variaci´on que sufren gm6 y gm9 . se destaca que se pudo dise˜ nar un filtro de alto rango lineal que se utilizar´a en la salida del front-end. La dispersi´on de ellos por separado es importante (var´ıan m´as de un orden de magnitud). La capacidad de aumentar el rango lineal de la t´ecnica utilizada [48] es muy buena pero en nuestro caso gener´o un aumento importante de la capacidad par´ asita en el nodo de salida. El consumo se ajusta muy bien a lo requerido y por tanto el filtro de salida no terminar´ a teniendo mucha incidencia en el consumo total del front-end.

Esta p´ agina ha sido intencionalmente dejada en blanco. .

de este modo la frecuencia de corte inferior viene determinada por el preamplificador. Resultados 5. Implementaci´on Se conectaron en cascada las tres etapas del front-end: preamplificador de bajo ruido (cap´ıtulo 2). Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado (ver Tabla 5. consumo.NOISE). Aqu´ı se est´a considerando que la capacidad de carga de la etapa siguiente (por ejemplo la capacidad de entrada de conversar A/D integrado) es mucho menor a la capacidad de carga propia de la etapa final del front-end. el offset en la salida (. Respuesta en frecuencia.1. offset y ruido Se realizaron simulaciones Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) de la respuesta en frecuencia (. No se agreg´ o condensador externo Cf para fijar la frecuencia de corte inferior en ninguna de las etapas. .1. Considerando la media del ruido equivalente en la entrada vni . Tanto para el ruido como para el offset en la salida se reportan la media y el valor de σ que arroja la simulaci´on (ver Tabla 5. Del mismo modo que en el filtro de salida. no se est´a colocando capacitor a la salida del front-end. G y fhigh m´aximas El filtro programable se setea para dar la m´axima ganancia (E = 1 e IBiasGm1 = 630nA) y la m´ axima frecuencia de corte superior fhigh (sin CL ).2.AC). se tiene que N EF = 2. fhigh y flow se presenta el m´aximo y el m´ınimo obtenido en la simulaci´ on Montecarlo.61.2).2.DC) y el ruido (. 5. Se presentan resultados para las cuatros esquinas que surgen de la programaci´on de la ganancia y la frecuencia de corte superior. En el caso de G.1). filtro programable (cap´ıtulo 3) y filtro de salida (cap´ıtulo 4).Cap´ıtulo 5 Circuito completo: Front-End 5.

3dB 134.8dB 11.2µA Tabla 5.2: Ruido a la salida del front-end para G y fhigh m´aximas 60 . flow y consumo del front-end para G y fhigh m´aximas Ganancia G @ 500Hz Ruido salida vno Ruido entrada vni Offset en salida Dise˜ no 100dB - Media 99.1mV σ 0. ruido y offset del front-end para G y fhigh m´aximas Figura 5.46µVrms 2.4dB 5.5Hz 11.7mV Tabla 5.1: Resultados G.4kHz 18.1: Offset a la salida del front-end para G y fhigh m´aximas Figura 5.2: Resultados de G.3mVrms 1.12µVrms 10.1dB − 101.5mVrms 0.0kHz − 5. Circuito completo: Front-End Ganancia G fhigh flow Consumo Dise˜ no 100dB 5kHz 18Hz - Resultados 96.Cap´ıtulo 5. fhigh .6Hz − 20.

Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado (ver Tabla 5.9Hz − 17.3: Resultados G.8Hz 11.7mV Tabla 5. En el caso de G.40µVrms 2. Dise˜ no Ganancia G 100dB fhigh 100Hz flow 18Hz Consumo - Resultados 96dB − 101dB 115Hz − 117Hz 16. ruido y offset del front-end para G m´axima y fhigh m´ınima Considerando la media del ruido equivalente en la entrada vni .2.9dB 35.00mVrms 0.3: Respuesta en frecuencia del front-end para G y fhigh m´aximas G m´axima y fhigh m´ınima El filtro programable se setea para dar la m´axima ganancia (E = 1 e IBiasGm1 = 630nA) y la m´ınima frecuencia de corte superior fhigh (CL = 100pF ).5. Tanto para el ruido como para el offset en la salida se reportan la media y el valor de σ que arroja la simulaci´on (ver Tabla 5.3). fhigh y flow se presenta el m´aximo y el m´ınimo obtenido en la simulaci´ on Montecarlo. Resultados Figura 5. flow y consumo del front-end para G m´axima y fhigh m´ınima Ganancia G @ 50Hz Ruido salida vno Ruido entrada vni Offset en salida Dise˜ no 100dB - Media 98.8 3.1mV σ 0. 61 .38mVrms 0. fhigh .4).16.2µA Tabla 5. se tiene que N EF = 5.4: Resultados de G.03µVrms 10.

Tanto para el ruido como para el offset en la salida se reportan la media y el valor de σ que arroja la simulaci´on (ver Tabla 5. Circuito completo: Front-End Figura 5.40. En el caso de G.4: Ruido a la salida del front-end para G m´axima y fhigh m´ınima Figura 5. Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado (ver Tabla 5. fhigh y flow se presenta el m´aximo y el m´ınimo obtenido en la simulaci´on Montecarlo. Considerando la media del ruido equivalente en la entrada vni . se tiene que N EF = 14.5: Respuesta en frecuencia del front-end para G m´axima y fhigh m´ınima G m´ınima y fhigh m´ınima El filtro programable se setea para dar la m´ınima ganancia (E = 100 e IBiasGm1 = 700nA) y la m´ınima frecuencia de corte superior fhigh (CL = 100pF ). 62 .5).Cap´ıtulo 5.6).

03µVrms 10.2dB − 59.2.1mV σ 1. ruido y offset del front-end para G m´ınima y fhigh m´ınima Figura 5.7mV Tabla 5.8µA Tabla 5.5.1dB 21µVrms 0. flow y consumo del front-end para G m´ınima y fhigh m´ınima Ganancia G @ 50Hz Ruido salida vno Ruido entrada vni Offset en salida Dise˜ no 60dB - Media 57.7: Respuesta en frecuencia del front-end para G m´ınima y fhigh m´ınima 63 .6: Ruido a la salida del front-end para G m´ınima y fhigh m´ınima Figura 5.14µVrms 2.5: Resultados G.1Hz 10. Resultados Dise˜ no Ganancia G 60dB fhigh 100Hz flow 18Hz Consumo - Resultados 54.8 − 18.3dB 834µVrms 1. fhigh .6: Resultados de G.5dB 121Hz − 125Hz 15.

11mVrms 0.8).1dB 1. Dise˜ no Ganancia G 60dB fhigh 5kHz flow 18Hz Consumo - Resultados 54. ruido y offset del front-end para G m´ınima y fhigh m´axima Considerando la media del ruido equivalente en la entrada vni .7). Circuito completo: Front-End G m´ınima y fhigh m´axima El filtro programable se setea para dar la m´ınima ganancia (E = 100 e IBiasGm1 = 700nA) y la m´ axima frecuencia de corte superior fhigh (sin CL ).Cap´ıtulo 5.6Hz 10.35.7mV Tabla 5.8µA Tabla 5.50mVrms 1.7: Resultados G.1dB 0. fhigh y flow se presenta el m´aximo y el m´ınimo obtenido en la simulaci´on Montecarlo.5dB 4. fhigh . En el caso de G.1mV σ 1.8: Ruido a la salida del front-end para G m´ınima y fhigh m´axima 64 . Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado (ver Tabla 5.87µVrms 2. flow y consumo del front-end para G m´ınima y fhigh m´axima Ganancia G @ 500Hz Ruido salida vno Ruido entrada vni Offset en salida Dise˜ no 60dB - Media 58.5dB − 60.8kHz − 5. Figura 5. Tanto para el ruido como para el offset en la salida se reportan la media y el valor de σ que arroja la simulaci´on (ver Tabla 5.0kHz 19. se tiene que N EF = 3.8: Resultados de G.14µVrms 10.4Hz − 20.

AC) para la esquina de mayor ganancia y mayor frecuencia de corte superior. Resultados Figura 5. El valor CM RRmedio presentado en la Tabla 5. el filtro programable se setea para dar la m´axima ganancia (E = 1 e IBiasGm1 = 630nA) y la m´axima frecuencia de corte superior fhigh (sin CL ). dejando el CM RR incambiado.2.2.9 sale de considerar la media 65 . Figura 5.5. No es necesario presentar las otras esquinas porque el resultado va ser esencialmente el mismo. CMRR Se realizaron simulaciones Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) de la ganancia en modo com´ un (. Lo esperado es que el CM RR del front-end sea igual al CM RR del preamplificador.9: Respuesta en frecuencia del front-end para G m´ınima y fhigh m´axima 5.10: Ganancia en modo com´ un del front-end para G m´axima y fhigh m´axima Los resultados obtenidos son bastante aproximados a lo esperado (ver Tabla 5. ya que las etapas sucesivas amplificar´ an por el mismo factor la ganancia en modo com´ un y la ganancia diferencial.2. Por tanto.9).

11: Histograma de la ganancia en modo com´ un del front-end en 500Hz. 5. Este criterio se adopta en lugar del cl´ asico de 3σ porque el histograma de la ganancia en modo com´ un no es gaussiano (ver Fig.9: Resultados de CM RR del front-end en 500Hz. el valor CM RRp−90 presentado en la Tabla 5. Figura 5.9 indica que el 90 % de los chips que se fabriquen tendr´an un CM RR > 74dB. en el histograma de la ganancia diferencial y de la ganancia en modo com´ un (ver Fig. Circuito completo: Front-End Ganancia en modo com´ un (peor caso) Ganancia en modo com´ un (p-90) Ganancia en modo com´ un (media) Ganancia diferencial (media) CM RRP eorcaso CM RRp−90 CM RRmedio Esperado 34dB 27dB 17dB 100dB 66dB 73dB 83dB Resultados 32dB 25dB 17dB 99dB 67dB 74dB 82dB Tabla 5.Cap´ıtulo 5.11).11). 5. Por otra parte. 66 .

8 % 26. Figura 5.12: Rango lineal de entrada del front-end Se˜ nal Vin Celeste 5µVpp Verde 9µVpp Roja 10µVpp Vout 483mVpp 950mVpp - T HD 1. La simulaci´on corresponde al esquem´atico del circuito. El tiempo de establecimiento del circuito es de aproximadamente 5000ms. tomando tomando 11 pasos equiespaciados entre 0. La simulaci´on corresponde al esquem´atico del circuito.1mVpp V y 11mVpp (ver figura 5.5.2.10: THD del front-end G m´ınima Se hizo una simulaci´ on del transitorio param´etrico en la amplitud de la se˜ nal de entrada (sinusoidal de 1kHz).12).1 % Tabla 5. 67 . con el filtro programable seteado para dar la m´axima ganancia (E = 100 e IBiasGm1 = 700nA) y la m´axima frecuencia de corte superior fhigh (sin CL ). con el filtro programable seteado para dar la m´axima ganancia (E = 1 e IBiasGm1 = 630nA) y la m´ axima frecuencia de corte superior fhigh (sin CL ).13). En la tabla 5.3. Se calcul´ o la T HD entre 5500ms y 6000ms considerando 65536 muestras y la frecuencia fundamental 1kHz. tomando tomando 11 pasos equiespaciados entre 1µVpp V y 11µVpp (ver figura 5. Resultados 5.11 se presenta el valor de la T HD para algunos valores representativos. Se calcul´ o la T HD entre 5500ms y 6000ms considerando 65536 muestras y la frecuencia fundamental 1kHz. En la tabla 5.2.10 se presenta el valor de la T HD para algunos valores representativos.0 % 4. El tiempo de establecimiento del circuito es de aproximadamente 5000ms. Rango lineal de entrada G m´axima Se hizo una simulaci´ on del transitorio param´etrico en la amplitud de la se˜ nal de entrada (sinusoidal de 1kHz).

La simulaci´ on corresponde al esquem´atico del circuito. Por otra parte. con el filtro programable seteado para dar la m´axima ganancia (E = 100 e IBiasGm1 = 68 .2.8 % Tabla 5.652V .11: THD del front-end para G m´ınima 5.0 % 2. G minima Si se genera un desnivel en continua del par de entrada de valor VOS se puede ver que el circuito bloquea la continua quedando el voltaje de continua de la salida VoutDC en 1. Circuito completo: Front-End Figura 5. a partir de ese valor se constata una penalizaci´ on importante en la ganancia. Para VOS ≥ 0V la corriente que compensa ese desbalance viene fundamentalmente de ID6 .Cap´ıtulo 5. La THD est´a calculada con una se˜ nal de entrada sinusoidal de amplitud de 5µVpp . Bloqueo de continua G m´axima Si se genera un desnivel en continua del par de entrada de valor VOS se puede ver que el circuito bloquea la continua quedando el voltaje de continua de la salida VoutDC en 1. En la Tabla 5.12 se muestra el valor de la corriente que est´a actuando. se constata que el mecanismo de bloqueo de continua no afecta significativamente el funcionamiento lineal del filtro. La simulaci´ on corresponde al esquem´atico del circuito. En la columna ID9 /ID6 de 5. mientras que para VOS < 0V viene de ID9 . El circuito opera correctamente hasta valores de VOS = 50mV . Esta columna pone de manifiesto el gasto en corriente que se invierte en compensar VOS .13: Rango lineal de entrada del front-end para G m´ınima Se˜ nal Vin Violeta 0.12 se presenta como algunos par´ ametros relevantes del circuito se modifican con VOS .4. con el filtro programable seteado para dar la m´axima ganancia (E = 1 e IBiasGm1 = 630nA) y la m´ axima frecuencia de corte superior fhigh (sin CL ).652V .6mVpp Azul 1mVpp Vout 496mVpp 806mVpp T HD 1.

64µA 3.9dB 99.0 % 1.4 % 2. En la columna ID9 /ID6 de 5.5.51µA 4. VOS −50mV −20mV −10mV 0mV 10mV 20mV 50mV V9G 1. La mayor´ıa de los trabajos que se muestran en la tabla.94µA 4.0 % 1.35µA Ganancia 51.17µA 3.0 % 0. Comparaci´on con otros front-end En la Tabla 5.43µA ID9 /ID6 6.40µA 1.8dB 97. El circuito opera correctamente hasta valores un poco mayores de VOS = 20mV .3.82V 1.35µA 6. reportan resultados de medidas experimentales y presentan ejemplos de aplicaci´on en seres vivos. el resto son circuitos 69 .97V ID8 = ID7 1.7 % 0.49µA 0.6dB THD 4.34V 1.3.45V 1.1 % 2.97V 2. 5.69µA 1.99µA 4.99µA 1. Esta columna pone de manifiesto el gasto en corriente que se invierte en compensar VOS .7 % 2. En la columna Nosotros se presenta el front-end desarrollado a lo largo de este cap´ıtulo donde los datos corresponden a la m´ axima frecuencia de corte superior.40µA 1.24V 1.7 % 1.49µA ID9 /ID6 4.03µA 0.5 % 6.47µA 3.12: Respuesta del front-end ante un desnivel de continua en la entrada 700nA) y la m´ axima frecuencia de corte superior fhigh (sin CL ).65V 1. mientras que para VOS < 0V viene de ID9 .0dB 50.03µA 0. Comparaci´on con otros front-end VOS −100mV −50mV −10mV 0mV 10mV 50mV 100mV V9G 1.45V 1.13 se muestra el valor de la corriente que est´a actuando.5 % 0.82V 1.17µA 3.14 se presentan las caracter´ısticas m´as relevantes de algunos front-end que se encuentran en el estado del arte.1dB 92.13: Respuesta del front-end ante un desnivel de continua en la entrada Para VOS ≥ 0V la corriente que compensa ese desbalance viene fundamentalmente de ID6 . Algunos trabajos son capaces de programar tambi´en el ancho de banda.17µA 2. salvo el trabajo de Nicolelis [51] en 2004 que utiliza componentes discretos.5 % Tabla 5. a partir de 50mV se constata una penalizaci´on importante en la THD.17µA 1. Asimismo se destaca que.9 % 3. La THD est´a calculada con una se˜ nal de entrada sinusoidal de amplitud de 5µVpp .1dB 81.3dB 59.65V 1.12V 1.6dB THD 0.0 % Tabla 5.00µA 0.87V 1.46µA Ganancia 82.06V ID8 = ID7 0.2 % 2.1dB 56.24V 1.41µA 1.8dB 56.47µA 2.97µA 1.3dB 97.00µA 0.2dB 91. En la Tabla 5.67µA 3.64µA 3.1dB 57.6dB 55.13 se presenta como algunos par´ametros relevantes del circuito se modifican con VOS .

15 se presenta un resumen de los resultados obtenidos.9 11. se puede observar que es la opci´on que m´ as ganancia puede brindar.5 58.1 11. El front-end presenta una correcta linealidad logrando un excursi´on de salida de 950mVpp con una T HD = 4.4 6. Los datos muestran que el front-end est´a al nivel de los otros rese˜ nados.0 10 25 4. Circuito completo: Front-End integrados y la mayor´ıa est´ an implementados en tecnolog´ıas m´as modernas que la utilizada por nosotros (por lo tanto el efecto de las capacidades par´asitas en nuestro caso es m´ as significativo). pensamos que debe tratarse de simulaciones que no contemplan mismatch entre los capacitores de entrada. El m´aximo consumo del front-end es 11. su frecuencia de corte superior es programable entre 116Hz y 5.2 5.4 69. All´ı puede verse que en general el front-end cumple con las especificaciones pedidas.0 300 75 1. Tecnolog´ıa (µm) Ganancia m´axima (dB) Ganancia m´ınima (dB) fhigh (kHz) flow (Hz) Consumo (µA) Ruido vni (µVrms ) NEF CM RRP eorcaso (dB) CM RRmedido/medio (dB) fhigh programable (kHz) flow programable (Hz) [51] Discreto 93. Esto se debe fundamentalmente al efecto de las capacidades par´asitas y la gran ganancia.8 1. se observa que la frecuencia de corte superior fhigh es un poco menor. igualando los mejores compromisos de ruido-consumo reportados y manteniendo una buena performance en las otras caracter´ısticas.61 66 66 62 83 82 No 1 − 8.8 65.25 0. En la tabla 5.0 67.9 5.4.5 66.8 %.32 134 No 100 − 1000 [42] [54] [28] Nosotros 0.67 3.0 79.95 6.1 − 5.9dB.8 − 9.14: Comparaci´on del front-end dise˜ nado.5 99.53 5.0 52.2kHz.13 0.2 No 4 − 1200 12 − 167 No Tabla 5.46 2. 70 .0 28.60 63 No No [52] 0. Seg´ un [52] se trata de un valor que corresponde a simulaciones.46 6.1 3.2 350 100 167 18 11. Discusi´on y conclusiones Se dise˜ n´ o e implement´ o a nivel de esquem´atico un front-end integrado para adquisici´on de se˜ nales neurales.8 8.0 39 42 No No [53] 0.5 78.13 77.29 2.8 10.3 49.Cap´ıtulo 5. con lo cual no parece muy factible que el valor de CM RR que reporta sea realista.6 42.9 6.32 8. e incluso en alguna dimensi´ on es mejor.8 0.67 1. cuya ganancia es programable entre 57.18 0.4 47.3dB y 98.2µA y su m´aximo ruido equivalente es 1.4 6. 5.87µVrms .9 4. [52] utiliza una etapa de entrada con la arquitectura de Harrison [20]. Por otra parte. En efecto.5 445 3170 1.7 8.

0 − 11.4 − 1.4.4 CMRR (dB) ≥ 80 66(peor caso) .9 fhigh programable (kHz) 0.00 @ T HD < 5 % 0. Finalmente se observa que la especificaci´on de la frecuencia de corte superior se cumple ajustadamente.2 flow (Hz) 18 16 − 21 Ruido entrada vni (µVrms ) ≤2 0. a futuro deber´ıa estudiarse alguna t´ecnica que permita mantener el alto rango lineal bajando las capacidades par´asitas (o considerar migrar hacia una tecnolog´ıa m´ as moderna).2 NEF 2. se traslada directamente al front-end.0 0.1 − 5.6 − 14.95 @ T HD = 4.8 % Bloqueo continua VOS (mV ) ≥ 50 35 − 50 Offset Salida @ 3σ(mV ) 34.2 Tabla 5.87 Consumo IDD (µA) ≤ 16 9.1 − 5.15: Resumen de resultados del front-end Los resultados son consistentes con los obtenidos en las etapas que lo componen. el CMRR de la etapa de entrada. que es un poco m´as bajo de lo esperado en el peor caso. Discusi´on y conclusiones Especificaciones Resultados (min-max) Ganancia programable G(dB) 60 − 100 57. 71 .5.82(medio) Output Swing (Vpp ) 1.3 − 98. C´omo mejorar este aspecto del circuito es algo que deber´a estudiarse en el futuro. En particular.

Esta p´
agina ha sido intencionalmente dejada en blanco.

Cap´ıtulo 6
Conclusiones
La presente tesis consisti´o en el dise˜
no de un front-end para la adquisici´on de
se˜
nales neurales en un circuito integrado. El front-end se dividi´o en tres etapas:
un preamplificador de bajo ruido, un filtro programable y un filtro de salida con
alto rango lineal. El preamplificador se implement´o hasta el nivel f´ısico y se envi´
o a fabricar. El resto de las etapas se implementaron y caracterizaron a nivel de
esquem´
atico.
Se utiliz´
o una arquitectura novedosa de tipo Gm-C que logra su caracter´ıstica
pasabanda de una forma eficiente en t´erminos de ´area y consumo, permitiendo a la
vez obtener altos niveles de CMRR y bajos valores de ruido. La prueba de concepto
de esta arquitectura fue presentada en [21] para un circuito DDA pero se dejaron
varios cabos sueltos. En este trabajo se utiliz´o esa arquitectura repens´andola en
t´erminos de un biquad, y eso permiti´o atar varios de esos cabos. En particular
se derivaron las ecuaciones de la arquitectura que permiten dise˜
nar f´acilmente
a partir de los requerimientos (se desarroll´o la expresi´on de la transferencia, las
ecuaciones de la ganancia y los polos, la condici´on para evitar no linealidades de la
t´ecnica aplicada para lograr la caracter´ıstica pasabanda, entre otras). Asimismo se
propusieron modificaciones a la arquitectura original que permitieron obtener resultados muy interesantes que se comentar´an m´as adelante. Finalmente, se prob´o la
versatilidad de la soluci´
on utilizando la misma arquitectura para dise˜
nar el preamplificador de bajo ruido, el filtro programable y el filtro de alto rango lineal. Estos
bloques fueron implementados para el proceso C5 0,50µ de ON Semiconductor.
Para la etapa de entrada del front-end se dise˜
n´o un preamplificador neural de
caracter´ıstica pasabanda, cuya ganancia en banda pasante es 49,6dB, su frecuencia
de corte superior es 9,6kHz y su frecuencia de corte inferior es 0,1Hz (con capacitor
externo) y 18Hz (con capacitor integrado). Presenta un consumo de 8, 1µA y
un ruido equivalente a la entrada de 1,96µVrms , lo que se corresponde con un
N EF = 2,19. El preamplificador presenta un CM RR = 82dB y es capaz de
bloquear una se˜
nal de continua en la entrada de 50mV .
Se destaca que las modificaciones introducidas en la arquitectura original permitieron bajar el consumo a casi la mitad (de 16 a 8,1µA) y bajar el ruido m´as de
un 20 % (de 2,4 a 1,96µVrms ), extendiendo el ancho de banda (de 250Hz − 8kHz
a 0,1Hz − 9,6kHz). Estos cambios lograron que el preamplificador est´e a nivel de

Cap´ıtulo 6. Conclusiones
otros en el estado del arte, e incluso en alguna dimensi´on sea mejor. En efecto,
de mantenerse las caracter´ısticas simuladas en el circuito fabricado, superar´ıa a
todos los circuitos reportados a la fecha, desde el punto de vista del consumo y el
ruido para barrer el rango 0,1Hz − 10kHz. Tambi´en es una muy buena opci´on en
t´erminos de ruido equivalente en la entrada. Si bien se encuentran opciones que
consumen menos, ´estas no llegan a una flow = 0,1Hz.
Para la segunda etapa del front-end se dise˜
n´o un filtro pasabanda, cuya ganancia es programable entre 1V /V y 110V /V y su frecuencia de corte superior
es programable entre 100Hz y 5kHz. Como etapa de salida, se dise˜
n´o un filtro
pasabanda de alto rango lineal, que es capaz de manejar a su salida de 0,97Vpp con
una T HD = 3,1 %.
El front-end, formado por los bloques antes mencionados, configurado para tener m´axima ganancia (99dB) y m´
axima frecuencia de corte superior (5,2kHz), tiene un consumo de 11, 2µA y un ruido equivalente a la entrada de 1,46µVrms , lo que
se corresponde con un N EF = 2,61. Asimismo, presenta un CM RRmedio = 82dB
y una frecuencia de corte inferior 20Hz (con capacitores totalmente integrados).
De mantenerse las caracter´ısticas simuladas en el circuito fabricado, el front-end
superar´ıa a todos los circuitos reportados a la fecha desde el punto de vista de la
ganancia, igualando los mejores compromisos ruido-consumo y manteniendo una
buena performance en las otras caracter´ısticas. Por otra parte, la ganancia del
front-end es programable entre 57,3dB y 99,3dB y su frecuencia de corte superior es programable entre 0,1kHz y 5,2kHz. El m´aximo consumo del front-end es
11,2µA y el m´
aximo ruido equivalente a la entrada es 1,87µVrms .
El consumo del preamplificador y del filtro de salida se ajustan muy bien a
lo requerido. Por otra parte, el consumo del filtro programable es aceptable para
varias configuraciones, pero en varias otras excede el presupuesto asignado. Como
se vio a lo largo de la tesis, obtener una ganancia alta en un ancho de banda amplio
es oneroso para esta arquitectura. Como posible trabajo a futuro se plantea que
es posible que sea mejor (desde el punto de vista del consumo) que la ganancia del
filtro programable var´ıe entre G = 50 y 0,5 y en el filtro de salida se amplifique
por 6,66. De cualquier modo, esto tampoco ser´ıa imprescindible ya que el consumo
global del front-end es muy bueno.
Los valores obtenidos de CMRR son muy buenos pero no cumplen las especificaciones en el peor caso. En la arquitectura original [21] se reporta un CM RR >
107dB, por lo tanto el CMRR alcanzado es esperable que pueda mejorarse, lo que
puede ser necesario dependiendo de la aplicaci´on.
Mediante simulaciones Montecarlo se constata una variaci´on en flow apreciable:
un factor 2 en el preamplificador y un factor 3 en el filtro de salida. Esto se debe
fundamentalmente a la variaci´
on que sufren gm6 y gm9 (del circuito de bloqueo
de continua). La variaci´
on de ellos por separado es importante (var´ıan m´as de
un orden de magnitud), pero la variaci´on de la suma gm6 + gm9 es menor (que
es lo que interviene en la ecuaci´
on del polo de baja frecuencia, ver ecuaci´on 2.4).
En la flow del filtro programable se tiene una variaci´on todav´ıa mayor (desde
0,1Hz hasta 3,4Hz) pero esto es fundamentalmente fruto de la modificaci´on en
gm1 para programar la ganancia. Este cambio no es necesariamente un problema,
74

Debido a que el filtro programable cumple ajustadamente la especificaci´on de linealidad para ganancias bajas. y por tanto limita la capacidad de bloqueo de continua del bloque. Si se quisiera controlar esa frecuencia con mayor precision podr´ıa pensarse un esquema para modificar gmf a contra-fase del cambio en gm1 . para llegar a bloquear 50mV se tiene una disminuci´on en la ganancia. Al punto que no se incluy´o CL en este filtro ni tampoco se aumentaron los tama˜ nos de los transistores de linealizaci´on tanto como se hubiese deseado. la frecuencia de corte superior del filtro de salida fue bastante m´as peque˜ na de lo esperado. Se concluye por tanto. y por tanto mejora la capacidad de bloqueo de continua. en los casos que se necesita llegar a frecuencias del orden de 0. dependiendo de la configuraci´on. Este tiene un buen nivel de bloqueo de continua (50mV sin alterar la ganancia) pero utiliza m´ as del doble de presupuesto de corriente. En efecto. En este caso. no puede bloquear un rango amplio de continua. Por tanto. que tomar una relaci´on no tan grande aumenta la cantidad de corriente que son capaces de entregar M6 y M9. En el caso del filtro programable y el filtro de salida se tom´o un factor α = 10 (gm6 = gm7 /10 y gm9 = gm8 /10). En el preamplificador se tom´o un extremo (α = 100) para minimizar el impacto en el consumo y en la ganancia que tiene agregar el mencionado bloque: gm6 = gm7 /100 y gm9 = gm8 /100. el filtro de salida logra bloquear niveles que superan los 100mV . La linealidad obtenida en cada bloque del front-end es en general buena. se dise˜ naron y simularon tres configuraciones diferentes para el bloque M6-M9.al contrario. mejorar´ıa la performance del circuito desde el punto de vista de la linealidad y el consumo. En relaci´ on al bloqueo de continua. para finalizar. mos75 . Por su parte. no es necesario aumentar mucho VOS para que la T HD salga del rango permitido. A modo de resumen. Tomar una relaci´ on tan grande limita la capacidad de corriente que son capaces de entregar M6 y M9. En el anexo D se plantea el otro extremo (α = 1): un filtro que utiliza gm6 = gm7 y ´ gm8 = gm9 . estos resultados dan la pauta que introducir alguna t´ecnica de linealizaci´on en Gm1. Para el filtro programable. El offset en la salida en general result´o en valores aceptables para la aplicaci´on. se logra bloquear entre 20mV y 50mV (y posiblemente valores m´as altos) sin p´erdida significativa de ganancia. si con un VOS = 0 se tiene una T HD l´ımite. y no hay una penalizaci´on significativa en la ganancia y en el consumo. el filtro programable llega a valores de linealidad que est´ an en el borde de la especificaci´on. Se concluye por tanto. como la utilizada en el filtro de salida. se quieren destacar los aportes al estado de arte que se desarrollaron en el marco de esta tesis: Se logr´ o caracterizar la arquitectura de [21] y extender su uso a filtros. fundamentalmente las correspondientes a las etapas de entrada de Gm2 y Gmf (que incluyen transistores de linealizaci´ on). En el caso particular de ganancias bajas. 1Hz puede ser u ´til para evitar el uso de un condensador externo. y lo hace requiriendo un nivel relativamente alto de consumo. que la capacidad de aumentar el rango lineal de la t´ecnica utilizada [48] es muy buena pero a futuro deber´ıan estudiarse e introducirse t´ecnicas que permitan bajar las capacidades par´asitas. Debido a las capacidades par´asitas en el nodo de salida.

El feedback que se obtenga de esta etapa ser´ a muy importante para desarrollar nuevas versiones. aumentando significativamente los contextos donde podr´a aplicarse.1Hz − 10kHz. se desarroll´o la expresi´on anal´ıtica de la transferencia. Analizar el origen del valor del CMRR del preamplificador y evaluar si puede aumentarse.Cap´ıtulo 6. caracterizar el preamplificador en laboratorio y probarlo in vivo. que permite trabajar con un conjunto muy amplio de se˜ nales biopotenciales. que supera a todos los circuitos reportados a la fecha. Esto brinda al usuario mucha flexibilidad. logrando reducir el N EF a la mitad. Si bien se encuentran opciones que consumen menos. 76 . ´estas no llegan a una flow = 0. En segundo lugar. Trabajo a futuro Quedan por delante muchas cosas por hacer. En primer lugar. Conclusiones trando su generalidad y versatilidad. El front-end presentado superara a todos los circuitos reportados a la fecha desde el punto de vista de la ganancia.1Hz. Se dise˜ n´ o un preamplificador de bajo ruido y ultra bajo consumo. de modo de poder aumentar fhigh o la linealidad. desde el punto de vista del consumo y el ruido para barrer el rango 0. Asimismo. se puso especial ´enfasis en el dise˜ no del circuito desde el punto de vista del ruido. Esto permite permiten dise˜ nar circuitos basados en esta arquitectura f´acilmente a partir de las especificaciones. se exploraron t´ecnicas para programar su ganancia y su frecuencia de corte de superior. igualando los mejores compromisos ruido-consumo y manteniendo una buena performance en las otras caracter´ısticas. Se propusieron e implementaron modificaciones en la arquitectura del preamplificador (cambio de OTA sim´etrico por par diferencial con carga activa) que lograron bajar el consumo a la mitad sin penalizar las otras caracter´ısticas importantes del circuito. En particular. Tambi´en es una muy buena opci´ on en t´erminos de ruido equivalente en la entrada. Se logr´ o dise˜ nar un front-end integrado programable. en el transcurso del presente trabajo se detectaron una serie de mejoras que deber´ a evaluarse si conviene incorporar en futuras etapas: Estudiar e incorporar t´ecnicas para reducir las capacidades par´asitas en el nodo de salida. la expresi´on de la frecuencia corte inferior y la condici´ on para evitar no linealidades de la t´ecnica aplicada para lograr la caracter´ıstica pasabanda. Adem´as.

En tercer lugar. Implementar la t´ecnica de [47] en los transistores cascodos de la salida de Gm2 y de esa manera ahorrar los dos pines que hoy se usan para ello. Completar el an´ alisis de la respuesta en frecuencia de la arquitectura calculando el valor del polo no dominante y evaluar a partir de qu´e frecuencia podr´ıa verse afectada la frecuencia de corte superior.Optimizar en ´ area y consumo el circuito utilizado para la polarizaci´on del transistor cascodo (t´ecnica planteada en [47]) de la fuente de corriente del Gm1 del preamplificador. Finalmente.7) para minimiza el impacto del ruido de Flicker en los casos que fhigh es baja. Evaluar si es necesario incorporar alguna mejora (como la discutida en la secci´ on 2. ser´ a tiempo de fabricar y probar in vivo todo el front-end.1Hz. Simular PSRR. hay una serie de tareas que podr´ıan realizarse para terminar de caracterizar el dise˜ no: Simular el front-end con condensadores externos y verificar que se llega a 0. Para ese momento se espera haber completado el desarrollo de la plataforma [29] y por tanto se pueda adquirir las se˜ nales y transmitirlas en forma inal´ambrica con los circuitos desarrollas en el marco de la presente tesis. 77 . Calcular y simular la m´ınima tensi´on de alimentaci´on.

.Esta p´ agina ha sido intencionalmente dejada en blanco.

2013 2 Sheet . Finalmente. En segundo lugar. A.1: Detalle a nivel de transistor de Gm1 A Title <Title> Size A Date: 5 4 3 Document Number <Doc> Tuesday. la suma de estos resultados ser´a iout1 total. D VDD 2.1.1. 5 4 2 Aplicando superposici´ on en el circuito de la 3 Fig. asumiendo v9g = 0 se calcular´a iout1 en funci´on de vin . July 23. Deducci´on de la transferencia del Preamplificador Tomando como hip´ otesis para todos los transistores que el voltaje de early VA = ∞ y que gmbs = 0.Ap´endice A Detalle de los c´alculos del Preamplificador A.ID1 VinVin+ M1 VinVin+ M2 Vbias 𝛂 : 1 M8 M9 C VSS Vout VDD M7 M6 V9G 𝛂 : 1 M4 M5 B VSS Figura A. en primer lugar se considerar´ a vin = 0 y se calcular´a la corriente de salida iout1 en funci´on de v9g .

3) Sunday. gmM 7 = gm7 .9 2 4 3 Combinando las dos ecuaciones anteriores: id8 = 1 80 1 gm1 gm8 vin 2 gm8 + gm9 Notaci´ on: gmM 6 = gm6 .Vin)/2 Figura A.4) Sheet .Vin)/2 𝛂 : 1 M8 M9 Iout1 ---> M7 M6 𝛂 : 1 (gm.4 3 2 Ap´endice A.9 = (gm8 + gm9 )vs8. En la Fig. donde la corriente de salida iout1 es: iout1 = id7 + id8 (A.2: Gm1 en peque˜ na se˜ nal con v9g = 0 Si se considera V9g = 0 y se observa que vin entra en forma diferencial al par M1-M2.9 (A. por ejemplo se analizar´a la mitad superior (fuente de corriente 21 gm1 vin . 2013 2 (A.2) Title Si se aplica Nudos en los source de los transistores M8 y M9 se obtiene: 1 gm1 vin = gm8 vs8. Considerando la corriente de drain de M81 se tiene: id8 = gm8 vs8. M8 y M9) y despu´es extrapolar´a a la mitad inferior. A. se tiene que 12 gm1 vin entra directamente en el source de M8 y M9. Detalle de los c´alculos del Preamplificador (gm.9 + gm9 vs8. gmM 8 = gm8 y gmM 9 = gm9 Size A Date: <Title> Document Number <Doc> (A. June 30.2 se presenta un circuito equivalente en peque˜ na se˜ nal. mientras que otro tanto (con signo opuesto) es copiado por el espejo M4-M5 entrando en el source de M6 y M7.1) Como el circuito es sim´etrico alcanza con estudiar una mitad considerando los sub´ındices adecuados.

10) Por superposici´ on. 2.7 Donde se puede probar que: 5 4 Size A Date: 3 (A.7 = gm6 v9g gm7 + gm6 (A.Vin)/2 D A.11) 2 gm8 + gm9 gm6 + gm7 gm8 + gm9 gm7 + gm6 Tomando el nodo en v9g (ver Fig.3: Gm1 en peque˜ na se˜ nal con vin = 0 A Title <Title> iout1 = gm8 vs8.2) se obtiene: 81 Sh .9 = gm9 v9g gm8 + gm9 (A.6 y A.6) 2 gm8 + gm9 gm6 + gm7 C VDD Ibias/2 gm1 gm7 1 Iout1 ---> vin 2 gm6 + gm7 Ibias/2 (gm. A. ahora asumiendo que Vin = 0. M2.9) Combinando las ecuaciones anteriores se obtiene:   gm8 gm9 gm6 gm7 iout1 = + v9g gm8 + gm9 gm7 + gm6 (A. 2013 2 vs6.1. se puede ver que no circula corriente en se˜ nal por M1. Aplicando nodos en la salida se obtiene (ver Fig. M4 y M5.5 4 3 2 (gm.1 se obtiene: M7 M6   1 g g m8 m7 VDD iout1 = gm1 + vin (A.): Mk2 𝛂 : 1 M8 M9 Mk1 B Vin+ M1 M2 Vin- Iout1 ---> M7 𝛂 V9g M6 : 1 Figura A.10 : 1 gm8 gm7 gm8 gm9 gm6 gm7 iout1 = gm1 ( + )vin + ( + )v9g (A.Vin)/2 Por otra parte. iout1 es la suma de las ecuaciones A.7) Document Number <Doc> Wednesday.9 + gm7 vs6.3. July 24.5) Sustituyendo las dos u ´ltimas ecuaciones en la ecuaci´on A.8) vs8. Deducci´on de la transferencia del Preamplificador M8 M9 An´ alogamente se puede ver que: id7 = (A. con lo cual alcanza con analizar lo que sucede en M6-M9.

4) A.3) gm6 + gm9 gmf gm2 2πCf (2.13) Combinando las tres u ´ltimas ecuaciones se llega a la siguiente ecuaci´on: vout = 2 vin s + gm7 gm8 1 gm1 2 CL ( gm8 +gm9 + gm6 +gm7 )s gmf gm2 gm6 gm7 gm8 gm9 CL s + ( gm8 +gm9 + gm7 +gm6 ) CL Cf (A. Detalle de los c´alculos del Preamplificador gmf v9g =− vout sCf (A.14) Si se observa que cuanto menos corriente tomen M6 y M9 mayor ser´a la corriente que se entrega a la salida y por tanto la ganancia de Gm1. Tomando estas dos simplificaciones se llega a la transferencia del preamplificador: vout = vin s2 + gm2 CL s gm1 CL s (g +g )gmf + m6CLm9 Cf (2. Adem´as es posible dise˜ nar M7 y M8 para que gm7 = gm8 .15) .Ap´endice A. la ganancia en la banda pasante es G y la frecuencia de corte inferior es flow : fhigh = G= flow = gm2 2πCL (2. Deducci´on de la condici´on anal´ıtica para evitar la multiplicaci´on Partiendo de la ecuaci´ on obtenida en la secci´on A.2) gm1 gm2 (2. 2.2) se obtiene: iout1 = gm2 vout + sCL vout (A.1) Se puede ver que la transferencia es de tipo pasabanda donde la frecuencia de corte superior es fhigh . Sustituyendo en la ecuaci´on anterior: iout1 = gm1 vin + 2gmc v9g 82 (A.2. La ecuaci´on refleja esto y puede verse que tomando gm7  gm6 y gm8  gm9 se logra duplicar la ganancia con un mismo presupuesto de corriente.11) 2 gm8 + gm9 gm6 + gm7 gm8 + gm9 gm7 + gm6 Se tomar´ a como hip´ otesis que gm1 = gm7 = gm8 = αgm9 = αgm6 ≡ αgmc con α  1 y que ID1 = ID7 = ID8 = αID6 = αID9 ≡ αIDC .12) Tomando el nodo en vout (ver Fig.1: 1 gm8 gm7 gm8 gm9 gm6 gm7 iout1 = gm1 ( + )vin + ( + )v9g (A.

18) ID1 + 21 gm1 vin αIS 0 Considerando el desarrollo de Taylor de gmc de primer orden en 0: 0 0 gmc = gmc (0) + 0 ∂g 0 ∂gmc (0)vin = gmc + mc (0)vin ∂vin ∂vin 1 0 gm1 ∂gmc 1 q (0) = .20) ID1 αIS Sustituyendo en la ecuaci´on A.A.22) Despejando v9g : r v9g  αnUT 1+ IDC 2IDC = αnUT ( − 1) IS gmC nUT (A.6) 83 .16) 1 2 (2. Deducci´on de la condici´on anal´ıtica para evitar la multiplicaci´on Una manera de ver el efecto de multiplicaci´on es ver c´omo perturba la se˜ nal de entrada la polarizaci´ on de los transistores M6.2. = 2 ∂vin αnUT 1 + (A.5) ID1  gm1 vin ⇒ vin  2 (gm /ID )1 Considerando la expresi´on general para gm dada por el modelo ACM se tiene: 1 2I p DC nUT 1 + 1 + IDC /IS gmc = (A.23) Entonces: v9g  2α − αnUT (gm /ID )C (2..15: 1 gm1 1 q iout1 = gm1 vin + 2gmc v9g + 2 2 αnUT 1 + ID1 αIS vin v9g (A. Si esto es cierto no habr´a multiplicaci´ on: 1 gm1 1 q gm1 vin  2 2 αnUT 1 + ID1 αIS vin v9g ⇒ 1  1 1 q αnUT 1 + ID1 αIS v9g (A. M8 y M9: ID1 + 12 gm1 vin α Una primer condici´ on sale directamente de la ecuaci´on anterior: 0 IDC = (A. M7.19) (A.17) Con lo cual: 0 gmc = 1 αnUT 2(ID1 + 21 gm1 vin ) r 1+ 1+ (A..21) La segunda condici´ on surge de imponer que el primer t´ermino de lado derecho de la ecuaci´ on anterior sea mucho mayor al tercero.

Las corrientes de ruido de estos transistores se introducen en el nodo de salida vout .10) se llega a:   2γsi nn kT γwi np (gm /ID )E1 total Sni = + (2.3.10) Si se observan las ecuaciones 2.Ap´endice A. n es el factor de pendiente (el sub´ındice indica si se trata de un transistores PMOS o NMOS). Si se considera que el espejo M4-M5 copia perfecto el aporte de ambos transistores va ser el mismo (gmE1 = gmM 4 = gmM 5 ). M4 M5 Sni = Sni = γE1 nn kT gmE1 2 gm1 (2.10 se concluye que conviene dise˜ nar los transistores del siguiente modo: (gm /ID )1 m´ aximo: transistores del par de entrada de Gm1 en inversi´on d´ebil. (gm /ID )E1 m´ınimo: transistores de los espejos de Gm1 en inversi´on fuerte.2 La Sni de los transistores M1 y M2 es sencilla de evaluar porque estos transistores ya se encuentran en la entrada: M1 M2 Sni = Sni = γ1 np kT gm1 (2.9 y 2.9 y 2. Deducci´on de la expresi´on del ruido del Preamplificador M 1.9) Donde γ = γwi = 2 en inversi´ on d´ebil y es γ = γsi = 8/3 en inversi´on fuerte.11) gm1 γsi nn (gm /ID )1 84 . k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura en Kelvin. Detalle de los c´alculos del Preamplificador A. Teniendo en cuenta la observaci´ on anterior y sumando el aporte de todos los transistores ruidosos (ecuaciones 2.

Gm3 y Gmf son OTAs sim´etri4 2 cos cuya respectiva transconductancia 3es gm1 . 847). B. 2013 2 Sheet . gm2 .1 se presenta el esquem´atico de un filtro biquad gm-C pasabanda cl´ asico ( [37] pp.1) gm3 gmf CL Cf gm1 gm2 gm2 fhigh = 2πCL gm3 gmf flow = gm2 2πCf G= (B.1. Gm2.1: Filtro Biquad pasabanda VOU T = 2 VIN s + gm1 CL s gm2 CL s + (B. Los bloques Gm1. June 25.3) (B.Ap´endice B Biquad cl´asico B. Circuito y ecuaciones 5 En la Fig. Las ecuaciones se presentan a continuaci´ on: + Gmf - Vf - Cf Vin Gm3 - + Vout Gm2 CL + + Gm1 - Figura B. gm3 y gmf .4) Title <Title> Size A Date: 5 4 3 Document Number <Doc> Tuesday.2) (B.

9) Combinando las ecuaciones anteriores se obtiene: VOU T = 86 gm1 VOS gm2 + gm3 gmf ROf (B. puede verse que cualquier diferencia en la salida respecto a tierra sera integrada por Gmf-Cf aumentando el valor Vf hasta que Gm3 tome la misma corriente que entrega Gm1. En el transitorio. An´alisis de bloqueo de continua Hay varias maneras de analizar c´ omo el circuito de la Fig.2. B. Gmf y Gm2. All´ı los condensadores son un circuito abierto y se debe considerar la resistencia de salida (ROf ) de Gmf para determinar el voltaje en Vf . as´ı como la corriente que entrega Gm2. Rango lineal de entrada Gm1 debe tener un rango lineal de entrada tal que soporte la m´axima variaci´on que pueda tener VIN teniendo en cuenta que generalmente estar´a superpuesta a un offset.8) Considerando el nudo en Vf : Vf = gmf ROf VOU T (B.1) se obtiene: Vf sCf = gmf VOU T =⇒ Vf = gmf VOU T 2πf Cf (B. Dependiendo de la ganancia y/o el lugar del filtro en la cadena puede ser necesario aplicarse alguna t´ecnica de linealizaci´on a Gm1.3. considerando el nudo en VOU T se tiene: gm1 VOS = gm2 VOU T + gm3 Vf (B. Por otra parte. B. La resistencia de salida de los otros OTAs no hace falta considerarla porque est´ an en paralelo con Gm2. Otra manera de verlo es analizar el circuito en DC. Biquad cl´asico B.7) B. el rango lineal de entrada de Gm3 requiere cierto an´alisis. Considerando el nodo en Vf (ver Fig. el peor caso ser´ıa : Vf = gmf VOU T 2πflow Cf (B. Si VIN = VOS donde VOS es un voltaje de offset (continua). que oficia como resistencia de valor 1/gm2 . Gmf y Gm2 deben ser capaces de manejar en su entrada VOU T = GVIN .Ap´endice B.5) Si se observa que el mayor voltaje de inter´es en Vf se dar´a en flow (a frecuencia altas Vf cae con la frecuencia y antes de flow va estar atenuado y no se esperan se˜ nales de tanta amplitud a tan baja frecuencia).6) Combinando el resultado anterior con la ecuaci´on B. Por u ´ltimo.4 se obtiene: Vf = gm2 VOU T ≤ VOU T =⇒ gm3 ≥ gm2 gm3 (B.10) . y por tanto VOU T ser´a cero.1 bloquea la continua.

14) 87 . para garantizar un funcionamiento lineal.12) (B. Vf debe poder ser capaz de subir tanto como lo indica la ecuaci´on B. An´alisis de bloqueo de continua Vf = gm1 gmf ROf VOS gm2 + gm3 gmf ROf (B. Para que el circuito pueda bloquear la continua.B.12 muestra que para ROf suficientemente grande la salida es cero y por tanto el circuito bloquea la continua. Vf no podr´a superar max ).11) Observando que gm2 ≤ gm3 (ecuaci´on B.13) Las ecuaci´ on B. A partir de esta observaci´ el rango lineal de entrada de gm3 (Ving on se obtiene m3 la siguiente ecuaci´ on de dise˜ no: Vf = gm1 VOS max VOS ≤ Ving =⇒ gm3 ≥ max gm1 m3 gm3 Vingm3 (B.3.7) y tomando como hip´otesis que gmf ROf  1.13. sin embargo. se obtiene: VOU T = gm1 VOS gm3 gmf ROf Vf = gm1 VOS gm3 (B.

Esta p´ agina ha sido intencionalmente dejada en blanco. .

2013 Sheet juega el bloque M6-M9 de Gm1. Gm1 es un OTA sim´etrico de transconductancia gm1 . al cual se le agreg´ o un bloque de eliminaci´on de continua local formado por los transistores M6. en el transitorio puede verse que cualquier diferencia en la salida Vout respecto a 4 3 2 . estas ser´ıan: IBIASGm1 = 2ID1 .1 no se muestran las fuentes de corrientes que polarizan los OTAS.3). M8 y M9 (ver Fig. Si se compara el circuito propuesto con un biquad cl´ asico (ver ap´endice B Fig. Gm3 es un OTA Document Number que interviene en la determinaci´on del polo de bajaSizefrecuencia y juega un papel A <Doc> fundamental en la eliminaci´on de continua (ver ap´endice B.1 se presenta el diagrama esquem´atico de la arquitectura propuesta en [21].1.1) se puede apreciar que se elimin´o el Gm3 y se modific´o<Title> Gm1. Los bloques Gm2 y Gmf son OTAs sim´etricos cuya respectiva transconductancia es gm2 y gmf . En la Fig. June 25. se lo expresa en t´erminos de un biquad. Circuito y ecuaciones D - Vf = V9G Gmf + - Cf CL Vin C Gm2 Vout + + Gm1 - Figura C. Title B. C. IBIASGm2 = 2ID2 e IBIASGmf = 2IDf .Ap´endice C Arquitectura original 5 4 3 2 C.2). C. en vez de presentar el circuito como un DDA.1: Arquitectura de [21] B A 5 En la figura C. El esquem´ atico se ha cambiado un poco respecto al original. En [21] este papel lo Date: Tuesday. M7. Para corroborar el funcionamiento de este bloque.

1) gm2 2πCL (2.5 4 3 Ap´endice C.2: Detalle a nivel de transistor del Gm1 del Preamplificador de [21] 5 tierra ser´a integrada por Gmf-Cf modificando el valor Vf = V9G de modo tal que M6 y M9 tomen la corriente que sea necesaria hasta que la realimentaci´on establezca que la corriente de salida de Gm1 sea cero y el voltaje Vout tambi´en lo sea. Gmf determina el polo de baja de frecuencia.3) gm2 CL s fhigh = G= 1 gm1 CL s (g +g )gmf + m6CLm9 Cf El c´ alculo de la transferencia y la frecuencia de corte inferior son un aporte de la presente tesis que no est´ an reportados en [21] 90 Sheet . que conectado como resistencia de valor 1/gm2 . se tomar´ a : gmM 7  gmM 6 y gmM 8  gmMTitle continuaci´on 9 . July 23.2) gm1 gm2 (2. A <Title> se presentan las ecuaciones de los principales par´ametros del circuito. y Gm2. el detalle de Size Document Number A <Doc> los c´alculos puede consultarse en el ap´endice A. 2013 se˜ nal y por tanto las ecuaciones son las mismas al preamplificador propuesto por 4 3 2 la presente tesis: vout = vin s2 + (2. En resumen: Gm1 determina la ganancia y elimina la continua. determina el polo de alta frecuencia e interviene en la expresi´on de la ganancia y el polo de baja frecuencia.ID1 Vin- M1 M2 M9 VSS Vin+ Vout VDD M7 M6 𝛂 : 1 M12 M3 M4 V9G M5 VSS Figura C.11 ya que el circuito en peque˜ na Date: Tuesday. Arquitectura original 2 VDD M11 M10 VDD 𝛂 : 1 Vbias M8 2. Para minimizar el impacto en el consumo y en la ganancia que tiene agregar el bloque M6-M9.

Circuito y ecuaciones flow = gm6 + gm9 gmf gm2 2πCf (2. T es la temperatura en Kelvin.C. El ahorro en consumo est´ a fundamentado en que se elimina la continua localmente (donde un offset importante en la entrada. n es el factor de pendiente. k es la constante de Boltzmann. la soluci´on propuesta presenta una desventaja que habr´ a que analizar: los pares diferenciales M6-M7 y M8-M9 podr´ıan introducir una multiplicaci´ on indeseada de se˜ nales. 91 . En [21] se desarrolla la expresi´on de la densidad espectral de potencia del ruido T otal ) debida al ruido t´ (Sni ermico de los transistores MOS2 : T otal Sni = 2γnkT ID2 . Puede verse que para minimizar el ruido conviene tomar: ID1  ID2 . si ese mismo offset se quiere eliminar con otro OTA. (gm /ID )1 T otal no depende de Gm2 y puede m´ aximo y (gm /ID )2 m´ınimo. ayuda a reducir el consumo.[A + . A y B vienen dados por la siguiente ecuaci´on: A=1+2 B= (gm /ID )E1N (gm /ID )E1P + (gm /ID )1 (gm /ID )1 (gm /ID )2 (gm /ID )E2N (gm /ID )E2N (gm /ID )E2P + + + 4 4 2 (gm /ID )1 M (gm /ID )1 M (gm /ID )1 M (gm /ID )1 M 2 (C.3) Donde M = MGm2 es el factor de divisi´on de corriente entre la rama de entrada de Gm2 y la rama de salida (generada en los espejos N mediante asociaci´on de serie-paralelo de transistores).B] gm1 ID1 (C. genera una corriente importante en un OTA que est´ a manejando este nivel de corrientes o mayores). B. Este planteo.2) (C. Por otra parte.4) gm1 (gm /ID )1 (gm /ID )1 2 La ecuaci´ on que aqu´ı se presenta es diferente a la reportada en [21] debido a que nosotros no estamos considerando el ruido que aportan los cascodos. en ´area y en consumo.1 es muy similar al circuito de la Fig. con lo cual hay un ahorro en complejidad. el circuito de la Fig. De este modo Sni aproximarse por:   (gm /ID )E1N (gm /ID )E1P 2γnkT T otal Sni = 1+2 + (C. la situaci´on podr´ıa complicarse.4) En conclusi´ on. C.1 aunque presenta a priori algunas ventajas. En primer lugar utiliza un OTA menos. adem´as de bajar el ruido como se ve en las ecuaciones anteriores.1.1) Donde γ = 2 en inversi´ on d´ebil y es γ = 8/3 en inversi´on fuerte. que deber´a ser mucho m´as chico.

.Esta p´ agina ha sido intencionalmente dejada en blanco.

ya que es el lugar d´onde se est´a invirtiendo m´ as corriente.rms < 270µVrms Output Swing = 1Vpp con T HD < 5 % bloqueo de continua VOS ≥ 20mV α=1 vinmax ∼ = 10mVpp . y por tanto limitar la capacidad de bloqueo de continua del bloque. Frecuencia de corte inferior flow ≤ 100Hz. D. Filtrado a –20dB/dec a baja y alta frecuencia. Por otra parte.2. Consumo IDD = 2µA Ruido equivalente de entrada Vni. es mejor tomar α  1 en gm7. Para el preamplificador se tom´ o un valor extremo de α = 100.9 = gmc . Tomar una relaci´on tan grande puede limitar la cantidad de corriente que son capaces de entregar M6 y M9.Ap´endice D Filtro con alfa=1 En la secci´ on 2. en el filtro programable y el filtro de salida se intentar´ a utilizar un α = 10 que presenta un compromiso interesante.1.1 se estableci´o que. desde el punto de vista del consumo. En este anexo se presenta un filtro que utiliza el otro extremo imponiendo que α = 1 (donde se supone que la penalidad en consumo es m´axima). Ganancia en banda pasante G = 100V /V . Especificaciones Se establecer´ an arbitrariamente las siguientes especificaciones para el filtro: Frecuencia de corte superior fhigh ≥ 8kHz.8 = αgm6.

los detalles del circuito pueden consultarse en el anexo C. pero cuanto m´as fuerte es la inversi´ on m´ as chico es W/L. Entonces. por otra parte esto puede llevar a tener un VDSsat alto. que el par de entrada de Gm2 este polarizado en inversi´on fuerte es bueno para el rango lineal.1. el valor gmf queda determinado. Por otra parte. Este aspecto se vuelve cr´ıtico si se pretende linealizar el par de entrada. Este punto se tornar´a cr´ıtico cuando se agreguen transistores de linealizaci´ on.2.3. una polarizaci´on en inversi´on d´ebil que lleve a un peque˜ no VDSsat es lo m´as apropiado. Fijado gm2 . En [21] tambi´en se muestra que desde el punto de vista del ruido conviene polarizar los espejos en inversi´ on fuerte. Para tener mejor rango lineal de entrada es preferible polarizar en inversi´on fuerte. gmc y gm2 como se mencion´ o anteriormente est´an determinados y Cf est´a acotado por el m´aximo valor que pueda conseguirse con un ´area razonable (Cf = 300pF ). para bajar gmc todo lo posible y por tanto el polo. Tomando gm1 /ID1 = 25 y gm2 /ID2 = 5. Esto genera dos problemas.2. Complementariamente. por lo tanto con una Cgs relativamente alta. lo cual lleva a transistores excesivamente largos con valores de Cgs igualmente altos. el valor de gm2 queda determinado por la ecuaci´ on 2. gmc juega en el polo de baja frecuencia. El compromiso fue fijar gmc /ID = 10. D. M7. M8 y M9 que forman el bloque de eliminaci´on de continua son cascodos con transconductancia gmc . como los transistores cascodos no aportan ruido. lo cual implica un W/L chico y por tanto transistores largos. Entonces.4. dada una especificaci´ on para flow a trav´es de la ecuaci´on 2. A modo de compromiso se fij´o (gm /ID )Espejos = 5. Soluci´on propuesta Para implementar el filtro utilizar´ a la arquitectura propuesta en [21]. lo u ´nico a tener en cuenta es que no limiten el output swing. para mantener el tama˜ no acotado el tama˜ no de los transistores del par de entrada de Gmf (L ≤ 500µm) se decidi´ o polarizar en inversi´on d´ebil gmf /IDf = 20 quedando determinado as´ı IDf . 94 . Para minimizar el ruido gm1 /ID1 debe ser m´aximo y gm2 /ID2 debe ser m´ınimo [21]. En general.Ap´endice D. la ganancia esperada determina gm1 a trav´es de la ecuaci´on 2. por un lado el tama˜ no y por otro la capacidad par´ asita en la entrada de Gmf (que es el nodo de salida del filtro). Para tener una flow lo m´as baja posible se necesita tener un valor gmf lo m´ as peque˜ no posible. En particular para Gm1. convendr´ıa que estos transistores estuvieran en inversi´ on fuerte. Flujo de dise˜no Se sigue un flujo de dise˜ no similar al implementado en el filtro Base (ver cap´ıtulo 3) o en el filtro de salida (ver cap´ıtulo 4). Filtro con alfa=1 D. aunque las 1 Se ver´ a m´ as adelante que Gm2 y Gmf son transistores largos.2. los transistores M6. quedan determinadas ID1 e ID2 . Desde el punto de vista del consumo esto es mejor. Considerando que la capacidad del nodo de salida tiene una cota inferior para que su valor no dependa de las capacidades par´asitas (CLmin = 4pF )1 y que la frecuencia de corte superior es un requerimiento (fhigh = 10kHz).

2 se presentan resultados de la simulaci´on del punto de operaci´on de Gm1 y los principales par´ametros de peque˜ na se˜ nal. la frecuencia de corte superior baja sustancialmente. los principales se listan en la Tabla D.5/213 1.1. Por otra parte.3. conectados en la salida. 95 . Resultados D. Gm1 debe tener un rango lineal de entrada que incluya vin ' 10mV superpuesto a un offset m´aximo de 20mV .D. All´ı se puede observar que se tom´o gm1 /gm2 = 100 lo que equivale a una G = 50V /V = 34dB. Finalmente.3V . Tomando en cuenta las especificaciones del filtro.5/1000 5µS - Tabla D. Resultados corrientes involucradas son tan peque˜ nas que este argumento no pesa.3. Para aumentar el rango lineal de Gmf y Gm2 se propone utilizar la t´ecnica utilizada en el filtro de salida (ver secci´on 4. el filtro requiere que estos OTAs tengan transconductancias bajas (especialmente Gmf). y seg´ un la ecuaci´on 4. Gmf y Gm2 deben ser capaces de manejar en su entrada Vout = GVin ' 1V .2. gm /ID gm ID IDD (W/L)P arEntrada (W/L)Lin gmc Gm1 Gm2 Gmf 25V −1 5V −1 20V −1 25µS 250nS 2.5/53 1. lo cual implica que debe aplicarse alguna t´ecnica de linealizaci´on.2. Implementaci´on El circuito se implement´o con un voltaje de alimentaci´on nominal VDD = 3. M1k y M2k necesitan un W/L K veces m´ as chico. lo cual aumenta significativamente la capacidad par´asita en la salida.4nS 1µA 50nA 120pA 4µA 200nA 480pA 110/1.1: Dise˜ no Filtro D.3.1.2 1. si se toma K = 6 en Gm2 y K = 4 en Gmf.2) propuesta en [48]. El compromiso encontrado fue: sacar CL y usar K = 4 en Gm2 y K = 2 en Gmf .2.5/518 1. Punto de funcionamiento y Consumo En la Tabla D.1. En consecuencia se tienen varios transistores largos. por lo cual se tiene un (W/L)P arEntrada chico. lo que no representa un problema para un par diferencial est´andar. La capacidad de aumentar el rango lineal de esta t´ecnica es muy buena pero en nuestro filtro genera un aumento importante de la capacidad par´asita en el nodo de salida Vout (que es la entrada de Gm2 y Gmf). D. En funci´ on de las consideraciones realizadas en las secciones anteriores se obtienen los valores de los par´ametros necesarios para implementar el filtro. En efecto.

En la Tablas D.75µS 5.4 se presentan resultados de la simulaci´on del punto de operaci´on de Gm2 y Gmf y los principales par´ametros de peque˜ na se˜ nal.4nS 120pA 480pA Resultados 18.Ap´endice D. Para el resto de los par´ametros se obtienen los valores esperados.57µS 5. Los valores obtenidos se ajustan razonablemente a lo dise˜ nado.3 y D.48µA 4.6nA 194nA Tabla D. pero es razonable ya que la corriente por ellos es la que menos se controla (depende de la continua que debe bloquearse). Los valores de gm6 −gm9 se apartan significativamente del valor dise˜ nado.66µS 4. Filtro con alfa=1 gm1 /ID1 gm1 ID1 IDD1 gm6 gm7 gm8 gm9 Dise˜ no 25V −1 25µS 1µA 4µA 5µS 5µS 5µS 5µS Resultados 23.4: Simulaci´ on punto de operaci´on Gmf y par´ametros de peque˜ na se˜ nal Sumando los consumos de los diferentes OTAs se tiene que el consumo total del filtro es: IDD = IDD1 + IDD2 + IDDf = 4.67µA 96 (D.2: Simulaci´ on punto de operaci´on Gm1 y par´ametros de peque˜ na se˜ nal La diferencia entre este valor y el que se reporta son 0.2nS 115pA 463pA Tabla D.7V −1 2.1) . gm2 /ID2 gm2 ID2 IDD2 Dise˜ no 5V −1 250nS 50nA 200nA Resultados 5V −1 249nS 49.77µS Tabla D.3µS 1µA 4.3: Simulaci´ on punto de operaci´on Gm2 y par´ametros de peque˜ na se˜ nal gmf /IDf gmf IDf IDDf Dise˜ no 20V −1 2.3V −1 23.5µA que toma M6 que no hab´ıan sido considerando en el dise˜ no.

Respuesta en frecuencia Filtro sin linealizar Se presentan simulaciones Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) de la respuesta en frecuencia del circuito. 97 .3.D. Eso ocasion´o que bajara la frecuencia de corte superior. D. all´ı se obtiene un resultado bastante aproximado a lo esperado (ver Tabla D.9dB 9. En la Fig. Figura D.6 se resumen los principales resultados. En la Fig.2.5: Respuesta en frecuencia del filtro sin linealizar Filtro linealizado Para aumentar el rango lineal se agregaron transistores de linealizaci´on en los pares de entrada de Gm2 y Gmf.2 se presentan simulaciones Montecarlo (500 runs Process and Mismatch) de la respuesta en frecuencia del circuito y en la Tabla D. Resultados D.1: Respuesta en frecuencia del filtro sin linealizar Dise˜ no Ganancia 34dB fhigh 10kHz flow 25Hz Simulaci´on MC 31.2kHz − 9. Sacando CL y poniendo K = 2 en Gmf y K = 4 en Gm2 se obtiene una frecuencia de corte superior aceptable y como efecto no buscado (pero bienvenido) se consigue un aumento de la ganancia.7dB − 33. D.3.5kHz 18Hz − 25Hz Tabla D.1 puede apreciarse el circuito sin los transistores de linealizaci´on y tomando CL = 4pF .5).

7dB fhigh ≥ 8kHz 8.6: Respuesta en frecuencia del filtro linealizado D.32mV pp 0.38mV pp 1.5dB − 39. Ruido El simulador arroja que el ruido equivalente a la salida es 1. En la tabla D. Se calcul´o la THD entre 10ms y 15ms considerando 8192 muestras y la frecuencia fundamental 1kHz.3kHz flow ≤ 100Hz 24Hz − 33Hz Tabla D.4.04V pp 5. tomando 30 pasos entre 0mV y 15mV (ver figura D. Rango lineal de entrada Se hizo un an´ alisis transitorio param´etrico en la amplitud de la se˜ nal de entrada (sinusoidal de 1kHz).rms = 19µVrms .2kHz − 8.3.00 % Tabla D.02 % 10.3.3.3).63mVRM S (integrando entre 3nHz y 10M Hz). con lo cual el ruido equivalente a la entrada es sim aproximadamente Vni.7: THD D. 98 .34mV pp 0.Ap´endice D. Filtro con alfa=1 Figura D.91V pp 2.37 % 11.2: Respuesta en frecuencia del filtro linealizado Especificaciones Simulaci´on MC Ganancia 40dB 37.80V pp 2. Se˜ nal Roja Azul Fucsia Vin Vout THD 9.7 se presenta el valor de la THD para valores que est´an en el l´ımite de la especificaci´on.

47 % 2.54 % 2.9dB 0.3. En la Tabla D.3: Rango lineal de entrada del filtro D. El circuito opera correctamente incluso en valores de VOS = 50mV .74 % 47nA 20.4dB 0. Resultados Figura D.28 % 372nA 36.8: Respuesta del circuito ante un desnivel de continua en la entrada 99 .41V Iout Ganancia THDa THDb 485nA 38. La THDa est´a calculada con una se˜ nal de entrada sinusoidal de amplitud de 2mVpp y THDb con una se˜ nal de entrada de 10mVpp .8 se presentan algunos par´ametros relevantes del circuito.7dB 0.3dB 0.50 % 2. Por otra parte.5. VOS 0 20mV 50mV 100mV 150mV V9G 1.61 % 3.D.653V .79 % 161nA 30.50 % 2. Bloqueo de continua Si se genera un desnivel en continua del par de entrada de valor VOS se puede ver que el circuito bloquea la continua quedando el voltaje de continua de la salida VoutDC en 1.62V 1.49V 1.3.14 % 462nA 38. a partir de ese valor se constata una penalizaci´on importante en la ganancia.7dB 0.57V 1.04 % Tabla D.65V 1. se constata que el mecanismo de bloqueo de continua no afecta significativamente el funcionamiento lineal del filtro.

9dB 9.2µA 4. Filtro con alfa=1 D.7dB − 33.9: Resumen de resultados (sin linealizar) Se concluye que utilizar α = 100 en lugar de α = 1.9 se presenta un resumen de los principales resultados obtenidos. 100 .6kHz 9. permite obtener el doble de ganancia con menos consumo absoluto.7µA 20mV 50mV Tabla D.5kHz 20Hz 18Hz − 25Hz 4. a costa de poder bloquear menos de la mitad de continua. Ganancia G fhigh flow Consumo IDD Bloqueo continua VOS Estimaci´on con α = 100 Resultados con α = 1 40dB 31. Conclusiones En la Tabla D.4.Ap´endice D.2kHz − 9.

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. . . . . . . . .6. . . . . . . 3. . .7. . . . .11. . . 2. .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.9. . . . . Comparaci´ on del preamplificador dise˜ nado. 2.1. .´Indice de tablas 1. . . . . .10. . . . . . . 3. . . . . . . . . . . 3. . . . 3. . . . . . .3. . . . . . . . . 1. . . .1. . . .09Hz . . . . . . . . . . Respuesta en frecuencia del preamplificador con Cf = 47pF integrado (simulaci´ on extra´ıdo). 1. . . . . . . . . . . 3. . . . . . . . . .7. . . . . . . . . . Caracter´ısticas el´ectricas de algunas se˜ nales biopotenciales en peces el´ectricos. . . . . . . Resultados del filtro programable con CL = 1. . . . . . . . . . . Diferentes valores de W/L para el par de entrada de Gm1 con flow = 18Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . .6. . . . . . . Principales par´ ametros del preamplificador (simulaci´on esquem´atico) 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . THD del preamplificador . 2. . . . . Resumen de resultados del preamplificador . Respuesta en frecuencia del preamplificador con Cf = 10nF externo (simulaci´ on extra´ıdo). . . . . . . . . . . . . . . . . . Caracter´ısticas de las se˜ nales que debe adquirir el front-end . . Resultados del filtro programable con CL = 1. . . .5. Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gm2 del filtro Base. . . . . . . . . . . . . .2. . . Diferentes valores de W/L para el par de entrada de Gm1 con flow = 0. . . . . . 2. 5 5 9 22 22 24 24 24 26 27 29 30 31 33 40 40 41 41 42 42 43 43 44 . . . . . . . . . . . . . .6pF y E = 10. . . Consumo preamplificador (simulaci´on esquem´atico) .1. . . . . Caracter´ısticas el´ectricas de algunas se˜ nales biopotenciales en humanos. . . . 3. . . . . . 3.3. .6pF y E = 1. . . . . . . . . . Resultados de CM RR del preamplificador en 500Hz. . . . . . . . Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gm1 del filtro Base. . .2. . . . . . . . . . . 3. 2. . . . . . . . . . . . Resultados del filtro programable con CL = 1. . . . . . 3. . Punto de operaci´ on y par´ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gmf del filtro Base. . . . . . . . . .8. . . . . . . . . 2. . . . Dise˜ no filtro Base . . . . . . 2. 2.9. .4. . . . . . . . . 2.5. . . . . . . . . . . . . Resultados del filtro Base. . . . .8. . . . . . . Respuesta del preamplificador ante un desnivel de continua en la entrada . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . Respuesta del filtro Base ante un desnivel de continua en la entrada. . . . .4. .6pF y E = 100. . . . . . .

. Resultados de G. . . . . . . . . . .2. . . . . . . . 5.4. . . . . . . . . . . . . . . . Resultados de CM RR del front-end en 500Hz. . . 4. . Resultados G. . . . . . .4. . . . . . . . . . . .´Indice de tablas 3. ruido y offset del front-end para G m´ınima y fhigh m´axima . . . . . . Resultados de G. . . 5. . . 4. . . . . . . . 5. Simulaci´ on punto de operaci´ on Gm1 y par´ametros de peque˜ na se˜ nal Simulaci´ on punto de operaci´ on Gm2 y par´ametros de peque˜ na se˜ nal Simulaci´ on punto de operaci´ on Gmf y par´ametros de peque˜ na se˜ nal Respuesta en frecuencia del filtro sin linealizar . . . . THD del front-end para G m´ınima . .7. . . . . . . Punto de operaci´ on y par´ ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gm2 del filtro de salida. . . . . . . . . . . . .11. . . . . . . . . . . . . . 5. . . .5. . . . . . . . . . Resultados de G. . . . . . . 4. . . . . ruido y offset del front-end para G y fhigh m´aximas 5. . . . . . . . 4.13. . . . . . . .7. . . . . . .3.11. ruido y offset del front-end para G m´axima y fhigh m´ınima . . . flow y consumo del front-end para G m´ınima y fhigh m´ınima . . . . . . . . Resumen de resultados del filtro de salida . . Respuesta en frecuencia del filtro linealizado . . 5. . .9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15. . . . . . . . . . .6. . . . . . . . . . . . D. . . . . . . . . . . . . . D. Resumen de resultados del front-end . . . . . . Punto de operaci´ on y par´ ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gmf del filtro de salida. .10. . . fhigh . . . . . . . . . . . . . . . .6. Resultados G. . . . . . . . . . 108 Dise˜ no Filtro . . 4. . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . ruido y offset del front-end para G m´ınima y fhigh m´ınima . . D. . fhigh . . 5. . . . . . . . . . . .5. . . . Respuesta del front-end ante un desnivel de continua en la entrada 5. . . . . Comparaci´ on del front-end dise˜ nado. . . 5. fhigh . .4. . Respuesta del filtro de salida ante un desnivel de continua en la entrada. . . . . . . . . . . . . . flow y consumo del front-end para G y fhigh m´aximas . . . . . . . . .2. . . . . Resultados del filtro programable con CL = 100pF . Punto de operaci´ on y par´ ametros de peque˜ na se˜ nal del transconductor Gm1 del filtro de salida. . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . .1.8. . . . . THD del filtro de salida . . . . 4. . . THD del front-end . . . . . . . . . . . . . .6. 44 45 4. . . . . . . .7. . 5. . . . . . . . . . . . D. . . . . . .1. . . . . . . . . . . . . . . . . . 53 53 54 54 55 56 56 60 60 61 61 63 63 64 64 66 67 68 69 69 70 71 95 96 96 96 97 98 98 . . . . THD . . . D. . . .1. . . . D. . . . . . . . . .8. . . . . Resultados G. . .12. . Resultados G. . . . . . . . . . flow y consumo del front-end para G m´ınima y fhigh m´ axima . . . . . 5. . . . . . .14. . . . . . . . Resumen de resultados del filtro programable . . .3. . . . . . . . . . . . . Resultados de G. . . . Respuesta del front-end ante un desnivel de continua en la entrada 5. 3. . . . flow y consumo del front-end para G m´axima y fhigh m´ınima . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . . . . 52 5. . fhigh . . . . 5. Implementaci´ on filtro de salida. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5. . . . . . . . . . . . D. .3. . . . .10. . . . . . . . . . . . . . Resultados del filtro salida. . .

. . 100 109 .´Indice de tablas D. . . Resumen de resultados (sin linealizar) . . . . . .8. .9. . 99 D. . . Respuesta del circuito ante un desnivel de continua en la entrada . . .

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. Ruido a la salida del front-end para G y fhigh m´aximas . . . . . . . . . . . . . . . Histograma ganancia en Modo Com´ un a 500Hz del preamplificador con Cf = 47p interno (simulaci´on extra´ıdo). . . .6. . . . . 2. . . . . Rango lineal de entrada del filtro de salida . 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2. . . . . .5. . . . . . . . 4. . . . Offset a la salida del preamplificador . . . . . .3. . 2. . . .4. . . . . . Offset a la salida del front-end para G y fhigh m´aximas .3. . . . 2. . . 5. Arquitectura del filtro de salida. Preamplificador de Harrison. . . . 14 16 17 25 25 26 . . . .2. . . . . . . . . . .3. . . . . . Diagrama de bloques de alto nivel de la plataforma de ICM. . 2. . . 2. . . . . 1. . . . . Respuesta en frecuencia del preamplificador con Cf = 10nF externo (simulaci´ on extra´ıdo). 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2. . . . . Ruido a la salida del front-end para G m´axima y fhigh m´ınima . . . . . . . Histograma de la ganancia para f = 100Hz .2. . . Respuesta en frecuencia del preamplificador con Cf = 47pF integrado (simulaci´ on extra´ıdo). . 60 60 61 62 . . . . . . . Layout de la segunda versi´on del preamplificador . . . . . . .1. . . . . . . . . . Comparaci´ on del preamplificador dise˜ nado. . . 2. . .1. . Arquitectura del filtro Base. . . . . . 37 37 4. . . Ejemplo de se˜ nal EEG. . . .2. . . 5. . . .1. . . . . Figura tomada de [20].1. . . . . 5. . . . 27 28 29 30 31 32 3.9. . . . . . . . . . .8. . . Respuesta en frecuencia del front-end para G y fhigh m´aximas . . . 2. . .´Indice de figuras 1. . .7. . . . . . . . . . . . . . . . .10. . . 1. . . . . . . Figura gentileza de [14]. . . . 4 8 11 2. .11. . . . . . . . . . Diagrama de bloques del preamplificador propuesto . . . . . . . . Figura gentileza de [14]. . .5. . . . . Ganancia en Modo Com´ un del preamplificador con Cf = 47p interno (simulaci´ on extra´ıdo). . . . . . . 2.4.4. . . .2. Ruido preamplificador con Cf = 10nF externo (simulaci´on extra´ıdo). . Detalle a nivel de transistor del Gm1 del filtro de Circuito de linealizaci´on .3. . . . . . . . . . 3.2. . . . . . . 48 49 51 54 55 5. . salida. . . . .12. . . . . . . . 4. . . . . . . . . Detalle a nivel de transistor del transconductor Gm1 del preamplificador . . . . . . . . . . . . . Detalle a nivel de transistor del Gm1 del filtro Base. . . . . Arquitectura propuesta para el front-end. . . . 4.1. . . Rango lineal de entrada del preamplificador . . . . . . . . . . . .

. .8. . 79 80 81 B. .11. . . .1. . . . . . . . . . . . . .5. A. . . . . Histograma de la ganancia en modo com´ un del front-end en 500Hz.1. . . . . . . .´Indice de figuras 112 5. . . . . Respuesta en frecuencia del filtro linealizado . . . . A. 5. . C. . .2. Detalle a nivel de transistor de Gm1 . . . . . . .13. . . . . . . . . . . . . . . . . . Ruido a la salida del front-end para G m´ınima y fhigh m´ınima . . . . . . . . . . .1. . . . Filtro Biquad pasabanda . . . . . . . Respuesta en frecuencia del front-end para G m´axima y fhigh m´ınima 5. .9. 89 90 D. . . . .12.2. . . . 85 C. . . . . . . 5. . . . . . . . . . . Rango lineal de entrada del filtro . . . . . . . . . . . . . . . . .3.1. .3. . Detalle a nivel de transistor del Gm1 del Preamplificador de [21] . . . . . . 5. . 5. . . . . . . . 62 63 63 64 65 65 66 67 68 A. 5. . . . . . . . . D. . Rango lineal de entrada del front-end . . Respuesta en frecuencia del filtro sin linealizar .2. . . . 97 98 99 . . . . D. . . . .6. . .7. . . . . . . . . . . Respuesta en frecuencia del front-end para G m´ınima y fhigh m´ınima 5. Gm1 en peque˜ na se˜ nal con v9g = 0 . .10. . Rango lineal de entrada del front-end para G m´ınima . . Ruido a la salida del front-end para G m´ınima y fhigh m´axima . . . Arquitectura de [21] . Gm1 en peque˜ na se˜ nal con vin = 0 . . . . . . . . . . . . Ganancia en modo com´ un del front-end para G m´axima y fhigh m´axima . Respuesta en frecuencia del front-end para G m´ınima y fhigh m´axima 5. . . . . . . . . . .

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uy/ .fing. http://iie.edu.Esta es la u ´ltima p´agina. Compilado el 9 de septiembre de 2013.