You are on page 1of 32

TECSUP

Electrónica Industrial

Unidad II

“TIPOS Y PRUEBAS DE ESTADO”

1.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de
potencia que quedaron disponibles en forma comercial.
1.1

TIPOS Y SÍMBOLOS
1.1.1.

DIODOS RECTIFICADORES

Cátodo

Anodo
A

K
Símbolo
Figura 2.1

1.1.2.

TIRISTORES

Anodo
A

Gate
G
Cátodo
K

Figura 2.2

9

Electrónica Industrial

1.1.3.

TECSUP

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA (BJT).

Colector
C
Base
B

E
Emisor
Figura 2.3

1.1.4.

TRANSISTORES DE METAL ÓXIDO SEMICONDUCTOR
FET (MOSFET).

Drenador

D

Gate

G
S
Surtidor
Figura 2.4

1.1.5.

TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA
(IGBT).

C
G

E
Figura 2.5

10

TECSUP

2.

Electrónica Industrial

FUNCIONAMIENTO IDEAL
De un modo ideal estos semiconductores funcionan como interruptores y por
tanto tienen dos posiciones definidas:
2.1

ESTADO DE BLOQUEO O CORTE
El semiconductor no permite el paso de corriente. En dicho estado el
semiconductor soporta el voltaje proporcionado por la fuente de
alimentación.

Dispositivo Semiconductor
de Potencia
Terminal
Principal 1

Terminal
Principal 2
I= 0
Terminal
de control
Figura 2.6

2.2

ESTADO DE CONDUCCIÓN O SATURACIÓN
El semiconductor permite el paso corriente, y la caída de tensión que
produce es nula en caso ideal. En dicho estado la cantidad de corriente
que fluye por el semiconductor depende del valor de la carga.

Dispositivo Semiconductor
de Potencia
Terminal
Principal 1

Terminal
Principal 2
I
Terminal
de control
Figura 2.7

11

• Buena posibilidad de admitir valores altos de dv/dt y di/dt. Alta tensión de bloqueo. cuyo paso del estado de bloqueo al de conducción depende de la polaridad de la fuente de alimentación que lo alimenta. • Tiempo de conmutación de conducción a bloqueo (tiempo de apagado t OFF ). En general podemos dar las características que servirán para evaluar a los distintos semiconductores en la lista siguiente: • Tensión de utilización. • Velocidad de conmutación. 2.4 CARACTERÍSTICAS IDEALES En un interruptor ideal serían deseables las siguientes características: • • • • • Baja corriente de fugas en estado de bloqueo. • Bajas tensiones e intensidades de control. potencia de control reducida. • Control con pequeña potencia (tensión o intensidad). • Intensidad nominal de empleo.Electrónica Industrial 2. • Cortos tiempos de conexión y desconexión. es decir. según los casos. Baja caída de tensión en el estado de conducción. 12 . Alta corriente nominal.5 CARACTERÍSTICAS REALES Lo que sucede en la práctica es que el comportamiento no es el ideal y se aleja de él. • Tiempo de conmutación desde bloqueo a conducción (tiempo de encendido t ON ). El único dispositivo de potencia que no tiene terminal de control es el Diodo Rectificador. 2. más o menos.3 TECSUP CONTROL El paso del estado de bloqueo al de conducción depende de la aplicación de una señal (de corriente o voltaje según el tipo de dispositivo) al terminal de control así como de la correcta polarización de los terminales principales del semiconductor. Proporcionalidad directa entre la caída de tensión y la intensidad de corriente.

6V. Cuando es polarizado con un voltaje de ánodo mayor que voltaje de cátodo en 0. Su funcionamiento es muy parecido a una válvula del tipo check que se usan en los tanques reservorios de agua para evitar el retorno del líquido. se utilizan los diodos de recuperación rápida (soportan altos voltajes) o los diodos Schottky (soportan bajos voltajes).1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO Es el más sencillo de los dispositivos electrónicos.TECSUP 3. el diodo bloqueara el paso de la corriente. Para aplicaciones industriales (60Hz de frecuencia) se utilizan diodos estándar o de uso general. en cambio para aplicaciones especiales a frecuencias de kHz. En la figura 2. tienen dos terminales denominados Anodo “A” y Cátodo “K”.9b se observa la forma de reconocer si el diodo se encuentra polarizado en directa o inversa.9a se muestra el símbolo usado para representar al diodo rectificador. (Nota: Presión es equivalente a Voltaje y fluido de agua es equivalente a corriente eléctrica). mayor presión de agua menor presión de agua - + Ejemplo de Válvula Check Figura 2. En la figura 2. Electrónica Industrial DIODOS RECTIFICADORES 3. permite el paso de corriente a su través en el sentido de Anodo a Cátodo. Si se encuentra conduciendo y se aplica la tensión en sentido inverso (polarización inversa) hasta hacer que la corriente A-K disminuya y sea menor que la corriente de mantenimiento (IH).8 Los diodos son dispositivos formados por la unión de cristales semiconductores de silicio conformando una pastilla de dos capas. La corriente ID que pasa por el diodo en conducción se encuentra limitada por la carga. 13 . La caída de tensión entre sus terminales A-K al momento de conducir es VD = 0. Dicho sentido aparece indicado con una flecha sobre el propio semiconductor.6V (polarización directa).

10 se observan los dos estados posibles que puede tener el diodo dependiendo de la polaridad en sus terminales A-K.10 14 . Figura 2. En dicha figura se considera al diodo como un interruptor electrónico ideal.Electrónica Industrial TECSUP Figura 2.9 En la figura 2.

• Los diodos pueden tener su terminal de ánodo (A) perteneciente a la parte roscada.3 TIPOS DE ENCAPSULADOS Figura 2.11 Figura 2. En la figura 2. En polarización directa: (Estado de conducción) IF(AV) : Corriente directa media (ADC). 3. VRSM: Voltaje de pico inverso no repetitivo (transitorio). La parte roscada sirve para instalar el diodo en una placa disipadora de calor sujetándola por medio de una tuerca y así evitar su excesivo calentamiento. no repetitiva que soporta en el tiempo de un semiciclo. • Los diodos cuyo terminal de cátodo (K) pertenece a la parte roscada. la parte roscada puede ser Anodo o Cátodo. 15 . se tiene un diodo rectificador industrial de encapsulado tipo DO-4. en tal caso se denominan “diodos negativos”. IFSM : Corriente directa instantánea máxima. IRRM : Valor pico de la corriente de fugas con VRRM. IF(RMS): Corriente directa eficaz (ARMS).13 Podemos observar tres tipos de encapsulados.12 Figura 2. se denominan “diodos positivos”. de los muchos que se tienen. correspondientes a diodos de potencia.TECSUP 3. La corriente promedio de conducción es de 16 a 25 ADC y voltaje pico inverso disponibles en el rango de 50 a 1200 Vpico.11.2 Electrónica Industrial PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS En polarización inversa: (Estado de bloqueo) VRRM: Voltaje de pico inverso repetitivo.

que son usados en potencia.4 PRUEBAS CON MULTÍMETRO EN “ESCALA DE DIODO” En la figura 2. Cable rojo OL Cátodo Cable negro GND Anodo Figura 2. La corriente promedio de conducción es de 450 a 550 ADC y voltaje pico inverso disponibles en el rango de 600 a 1600 Vpico.14.45V Cable rojo Anodo Cable negro GND Cátodo Figura 2.14 Al medir con el voltímetro en sentido contrario. 0.15 16 . El multímetro indicara el voltaje de conducción del diodo que normalmente esta en el rango de 0.13. Se observa que dicho diodo trabaja montado dentro de un armazón de aluminio que le sirve de disipador y debe ser ajustado a una presión de 1400 Lbs.12.4 a 0. se tiene un diodo rectificador industrial de encapsulado tipo SR-75.65V para diodos de silicio. 3. se indicará máxima escala (OL) en la pantalla del mismo. se tiene un diodo del tipo cátodo roscado.Electrónica Industrial TECSUP En la figura 2. En la figura 2. la parte inferior es el Anodo. se tiene un diodo rectificador industrial de encapsulado tipo HR-16. la parte roscada puede ser Anodo o Cátodo. La corriente promedio de conducción es de 430 y voltaje pico inverso de 1400 Vpico.

17 . Tienen tres terminales denominados Anodo “A”. tiene dos estados de trabajo: Bloqueo (no conducción) y Conducción. el tiristor siempre bloquea el paso de corriente en sus terminales principales independientemente de aplicación de corriente en el terminal de Gate. En el sentido de polarización inversa Cátodo . Podemos representar el funcionamiento del Tiristor haciendo analogía con el siguiente circuito hidráulico: Nota: Presión es equivalente con Voltaje y fluido de agua es equivalente a corriente. En la siguiente figura se muestra el símbolo que representa a dicho dispositivo. para que exista conducción se han de dar simultáneamente las dos condiciones siguientes: • Tensión aplicada de polarización directa en los terminales de potencia en el sentido de Ánodo a Cátodo. Una vez lograda la conducción. Pero a diferencia del diodo.Ánodo. Electrónica Industrial TIRISTORES 4. Los terminales A y K son denominados “terminales de Potencia”.16 El tiristor es un dispositivo que. A K G Figura 2. Ahora el Gate ha perdido el control del tiristor.TECSUP 4. el tiristor se mantiene en dicho estado aunque se elimine la corriente en el Gate. y el terminal G es denominado “terminal de control”.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO Son dispositivos formados por la unión de cristales semiconductores de silicio conformando una cápsula de cuatro capas. Para que el tiristor pase al estado de Bloqueo se debe cumplir la siguiente condición: • Reducir (por algún medio externo) la corriente que pasa a través de Ánodo-Cátodo hasta hacerla menor que la corriente de mantenimiento (IH) durante un tiempo dado. Cátodo “K” y Gate “G”. al igual que el diodo rectificador. • Pulso de corriente adecuada en el terminal de Gate.

Estado de Conducción mayor presión de agua menor presión de agua - + CATODO ANODO GATE Figura 2.Electrónica Industrial TECSUP Estado de Bloqueo mayor presión de agua menor presión de agua - + CATODO ANODO GATE Figura 2. volviéndose conductor pues se cumplen los dos requisitos para tal fin: Polarización Directa y Pulso de corriente en Gate. Analogía: La compuerta deslizante es jalada hacia abajo permitiendo que la apertura de la compuerta principal deje fluir el agua. Analogía: terminal de Gate representado por una compuerta deslizante.17 El tiristor no conduce a pesar de estar polarizado en directa: Potencial Ánodo mayor que Potencial Cátodo.19 18 .18 El tiristor es activado (disparado). Disparo del Tiristor mayor presión de agua menor presión de agua - + CATODO ANODO GATE Figura 2.

El la figura 2. no repetitiva que soporta en el tiempo de un semiciclo. Tiristor bloqueándose presión de agua cero presión de agua cero flujo casi cero - - ANODO CATODO GATE Figura 2. prácticamente no debe haber flujo de corriente a través de sus terminales de potencia. Analogía: cuando no existe fluido.2 PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS En polarización inversa: VRRM: Voltaje de pico inverso repetitivo. Analogía: La compuerta de Gate es repuesta en su posición primigenia. En polarización directa: IF(AV): Corriente directa media (ADC). IRRM: Valor pico de la corriente de fugas con VRRM. VRSM: Voltaje de pico inverso no repetitivo (transitorio).TECSUP Electrónica Industrial El tiristor permanece en conducción a pesar que el terminal de Gate es desactivado. nos permite mostrar los dos estados de trabajo del tiristor representados en un eje cartesiano. la compuerta principal retorna a su posición primigenia por medio de la rótula de la compuerta de Gate. 19 . IFSM: Corriente directa instantánea máxima. IF(RMS): Corriente directa eficaz (ARMS). así como los términos más usuales. 4.20 Para que el tiristor deje de conducir.21.

• IH : Corriente de mantenimiento. pero dicha forma de trabajo no es recomendable pues el tiristor se puede destruir. • Corrientes de fuga directa e inversa: Idealmente debieran ser cero. es la corriente de ánodo mínima necesaria para mantener el tiristor en el estado de conducción. • Caída directa de voltaje: Es la caída de voltaje entre los terminales de potencia del tiristor cuando se encuentra en conducción. pero. debido a las imperfecciones de los tiristores tienen valores muy pequeños diferentes de cero. 20 .21 • IL : Corriente de enganche. Se observa que el tiristor también podría dispararse sin aplicar señal de gate si es que el voltaje pico de la fuente de alimentación supera el VRRM.Electrónica Industrial TECSUP Figura 2. es la corriente de ánodo mínima necesaria para mantener al tiristor en estado de conducción inmediatamente después de que ha sido activado y se ha retirado la señal de gate. • VBO = VRRM : Es el voltaje de pico inverso y directo repetitivo máximo que pueden soportar los terminales de potencia del tiristor.

En la figura 2.24 Podemos observar tres tipos de encapsulados. Se pueden conseguir tiristores con corrientes promedio de conducción entre 6. la parte roscada siempre es el terminal de Anodo. la parte inferior es el Anodo. En la figura 2.23. Ver la siguiente figura: 21 . se tiene un tiristor de encapsulado tipo TO-48.2 a 22 ADC y voltaje pico inverso entre 50 hasta 800V.TECSUP 4. se tiene un tiristor de encapsulado tipo HT-23. Se pueden conseguir tiristores con corrientes promedio de conducción entre 175 a 230 ADC y voltaje pico inverso entre 200 hasta 1600V.24. correspondientes a tiristores. En la figura 2. se tiene un tiristor de encapsulado tipo TO-93.22.22 Figura 2. Se observa que dicho tiristor trabaja montado dentro de un armazón de aluminio que le sirve de disipador y ajustado a una presión de operación de 2400 lbs. La parte roscada sirve para colocar una placa disipadora de calor sujetándola con una tuerca y así evitar calentamiento excesivo en el dispositivo.23 se observa que existen dos terminales Cátodo. de los muchos que se tienen. Ambos conductores se encuentran físicamente unidos pero uno de ellos pertenece a la etapa de potencia (conductor de mayor calibre) y el otro pertenece a la etapa de disparo (conductor rojo). la parte roscada siempre es el terminal de Anodo. La corriente promedio de conducción es de 550 ADC y voltaje pico inverso de 1600V.23 Figura 2.3 Electrónica Industrial TIPOS DE ENCAPSULADOS Figura 2. permitiendo el retorno de la corriente de disparo que ingresa al gate. En la figura 2.

26. El multímetro indicara los siguientes valores cuando el dispositivo se encuentre en buenas condiciones.45V Cátodo Cable rojo Gate Cable negro GND Anodo Figura 2.25 4.Electrónica Industrial TECSUP En la figura 2. K K Retorno IG Tarjeta de disparo G Ingreso IG A Figura 2.26 Cable Rojo Multímetro A K A G K G Cable Negro Multímetro K A G A G K Tabla 2.4 PRUEBAS CON MULTÍMETRO EN “ESCALA DE DIODO” En la figura 2.24 se observa que dicho tipo de tiristores trabajan satisfactoriamente cuando han sido instalados y ajustados sus terminales de potencia con una presión de 2400 lbs. se tiene un tiristor. 0.1 22 Valor Medido (V) OL OL OL OL Valor pequeño ≠ 0 Valor pequeño ≠ 0 .

Figura 2. Base y Colector. La señal de control es en forma de corriente saliendo del terminal B. los cuales responden a las abreviaturas E. Observe que en el transistor tipo NPN. Su empleo durante muchos años estuvo limitado al campo de las pequeñas tensiones e intensidades. Se utilizan en forma amplia en convertidores de CA-CD y CD-CA. Los terminales de potencia son E y C y los terminales de control son B y C. la polarización de los terminales principales debe ser VC>VE. entonces se utilizan en aplicaciones de baja y mediana potencia. 23 . La señal de control es en forma de corriente ingresando por su terminal B. Electrónica Industrial TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA (BJT) Fue el primer semiconductor controlable y su desarrollo permitió la construcción de los primeros amplificadores de electrónica de estado sólido. B y C. No se emplea como amplificador. Ahora en el mercado hay transistores que permiten mayores tensiones e intensidades y por ello se les denominan transistores de potencia.27 En electrónica de potencia se usa este semiconductor como interruptor controlable. Se pueden tener transistores BJT del tipo NPN y PNP tal como se muestra en la figura. En el transistor PNP la polarización debe ser VE>VC. Esta formado por la unión de cristales de silicio dopados de manera precisa para formar una pastilla semiconductora de tres capas.TECSUP 5. Su velocidad de conmutación es mayor a la de los tiristores pero las especificaciones de voltaje y corriente son menores. Es un dispositivo de tres terminales denominados Emisor.

se dice que el transistor se encuentra en estado de Corte (al igual que el estado de Bloqueo en diodos y tiristores). el terminal de control B no debe recibir corriente.Electrónica Industrial 5. En tal estado los terminales C y E tienen una caída de voltaje de 1V aproximadamente. • Cuando los terminales principales C y E permiten el paso máximo de corriente limitado por la carga. por lo tanto tiene dos estados de operación: • Cuando los terminales principales C y E no permiten el paso de corriente. Estado de Corte (Bloqueo) mayor presión de agua menor presión de agua + - COLECTOR EMISOR BASE Figura 2. Haciendo analogía del trabajo del transistor con un circuito hidráulico tenemos: Nota: Presión es equivalente con voltaje y fluido de agua es equivalente con corriente eléctrica. Además los terminales principales C y E soportan presión máxima. el transistor es usado como interruptor. el terminal de control B debe recibir permanentemente una señal de corriente. se dice que el transistor se encuentra en estado de Saturación (al igual que el estado de Conducción en diodos y tiristores).28 Observamos que la compuerta esta normalmente cerrada no permitiendo el flujo de agua. En tal estado los terminales C y E soportan el máximo voltaje proporcionado por la fuente de alimentación. Para que el transistor trabaje en dicho estado. Para que el transistor trabaje en dicho estado.1 TECSUP PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO En potencia. 24 . El terminal B se encuentra inactivo.

29 Observamos que el terminal de control B tiene aplicada una señal en forma permanente para que la compuerta este abierta permitiendo de ese modo el paso de fluido. Transistor de Potencia en Corte C E + - I= 0 B Figura 2.TECSUP Electrónica Industrial Estado de Saturación (Conducción) mayor presión de agua menor presión de agua + - COLECTOR EMISOR BASE Figura 2.30 25 .2 PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS En estado de Corte: BVCEO: Máximo voltaje que pueden soportar los terminales de potencia C y E. BVCBO: Máximo voltaje que pueden soportar los terminales C y B. 5. A continuación se muestra el siguiente gráfico representando al transistor de potencia en el estado de corte por medio de una analogía eléctrica.

La respectiva analogía eléctrica del transistor trabajando en saturación se muestra en el gráfico siguiente: Transistor de Potencia en Saturación E C + - I B Figura 2.31 En la figura 2. (No tiene unidades). ft: Máxima frecuencia de trabajo del transistor. hFE: Ganancia de corriente. BVEBO: Máximo voltaje inverso que pueden soportar los terminales B y E.32. se muestra las curvas generales de un transistor de potencia con indicación de las regiones de Corte y Saturación. 26 .Electrónica Industrial TECSUP En estado de Saturación: IC: Máxima corriente que pueden soportar los terminales de potencia C y E. PD= ICxVCE (Watts). PD: Máxima potencia de disipación del dispositivo. hFE= IC/IB. (Unidades en Hz).

32 Vemos que la intensidad de corriente aplicable a la base permite el control del transistor.33 27 . Para resolver dicho inconveniente sin que desaparezcan las ventajas del transistor de potencia. • Para i B = i B máx el transistor se encuentra en la región de saturación. Para operar al transistor como interruptor electrónico se debe hacer: • i B = 0. El principal inconveniente del transistor BJT ocurre cuando se quiere controlar grandes cantidades de corriente fluyendo por los terminales de potencia. Debido a su pequeña ganancia de corriente (hFE= IC/IB) sería necesario aplicar un valor excesivo de potencia de control.TECSUP Electrónica Industrial Figura 2. Esquema básico de un transistor Darlington Figura 2. el transistor se encuentra en la región de Corte. se usan asociaciones de transistores acoplados en conexión Darlington con la cual se incrementa la ganancia disminuyendo por lo tanto el valor de la corriente de control IB.

• t OFF = Tiempo de apagado. y la llegada de la intensidad de colector al 10% de su valor final. Dichos tiempos son del orden de µs debido a su gran frecuencia de conmutación mucho mayores que la de los tiristores. es la suma de las anteriores t OFF = t al + t c . Tenemos: • t r = Tiempo de retardo. nos muestra el cambio de estado del transistor desde el estado de Corte (IC=0) a Saturación (ICnom) y finalmente a Corte (IC=0). • t s = Tiempo de subida. • t c = Tiempo de caída. También se puede observar los tiempos de conmutación característicos y la respectiva disipación de potencia del componente (Pdis). • t al = Tiempo de almacenamiento.: 4 µs ). Características dinámicas de un transistor Paso de Corte a Saturación y viceversa Figura 2. que ocurre solo durante la conmutación. es la suma de las anteriores t ON = t r + t s (ejm.34. • t ON = Tiempo de excitación.34 28 . entre el inicio de la desexcitación de la base hasta que su intensidad cae a 90% de su valor (ejm: 8µs ). transcurrido entre el inicio de la excitación de base. transcurrido para que la intensidad de colector pase del 10 al 90% de su valor final.Electrónica Industrial TECSUP Otras características importantes de los transistores de potencia BJT son los tiempos de conmutación. el que emplea la intensidad de colector para bajar del 90 al 10% de su valor (ejm: 3µs ) . En la figura 2.

Los valores máximos de corriente Ic que puede soportar se encuentran en el rango de 50A.36. y los valores máximos de voltaje BVCEO son del orden de 800V. Consideramos un transistor NPN.TECSUP 5. y los valores máximos de voltaje BVCEO son del orden de 150V. En la figura 2. se tiene un transistor de encapsulado TO-220.37.35 Figura 2. El aluminio sirve para poder efectuar el montaje en un disipador de calor de igual material. se tiene un transistor de encapsulado TO-63. Figura 2. Los valores máximos de corriente Ic que puede soportar se encuentran en el rango de 50A. Observamos un diodo instalado entre CE.37 En la figura 2. 5.35. En la figura 2. donde el terminal C normalmente se encuentra internamente unido a su placa de aluminio. donde el terminal C normalmente se encuentra internamente unido a su placa de aluminio. con el objetivo de evitar calentamiento excesivo del transistor. y los valores máximos de voltaje BVCEO son del orden de 1500V.4 PRUEBAS CON MULTÍMETRO EN “ESCALA DE DIODO” A continuación mostramos la forma de comprobar el perfecto estado del componente por medio del multímetro digital. donde el terminal C también es la parte roscada. 29 . se tiene un transistor de encapsulado TO-3. Los valores máximos de corriente Ic que puede soportar se encuentran en el rango de 10A. al cual se denomina diodo “damper” y sirve para proteger al transistor cuando trabaja con cargas inductivas.36 Figura 2. Obviamente todos los encapsulados están fabricados en material de aluminio y una resina epóxica aislante.3 Electrónica Industrial TIPOS DE ENCAPSULADOS Se presentan a continuación tres tipos de encapsulados normalmente usados por los transistores.

431 Ejm: 0.425 Tabla 2.2 Observamos que el valor medido BE es ligeramente mayor que BC. Los MOSFET son de dos tipos: (1) de agotamiento y (2) de enriquecimiento.6 OL OL Ejm: 0. Los transistores MOSFET emplean un campo eléctrico para controlar la intensidad de corriente en sus terminales de potencia. Si el transistor tuviera diodo damper la medida sería la siguiente: Cable Rojo Multímetro C E C E B B Cable Negro Multímetro E C B B E C Valor Medido (V) OL Ejm: 0.Electrónica Industrial TECSUP rojo negro GND Figura 2. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los tiempos del orden de los nanosegundos. Cada uno de los tipos de MOSFET mencionados también puede ser de canal n o de canal p .3 6. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE OXIDO METALICO DE SILICIO (MOSFET) Un transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente. que requiere de corriente de base para controlar el flujo de corriente del colector. Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje.425 Tabla 2. que requiere sólo de una pequeña corriente de entrada.431 Ejm: 0. 30 .38 Cable Rojo Multímetro C E C E B B Cable Negro Multímetro E C B B E C Valor Medido (V) OL OL OL OL Ejm: 0.

el terminal de control G debe recibir permanentemente una señal de voltaje. se dice que se encuentra en el estado de Corte (Bloqueo). el terminal de control se denomina Gate (G). Para que el transistor trabaje en dicho estado. Para que el transistor trabaje en dicho estado.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO En potencia el tipo de transistor MOSFET mas usado es el “MOSFET de enriquecimiento canal n”. el terminal de control G no debe recibir señal de voltaje.39 Los MOSFET de enriquecimiento ofrecen normalmente alta resistencia entre sus terminales principales D y S. En potencia el transistor debe trabajar como interruptor electrónico. A continuación presentamos la analogía del trabajo del transistor MOSFET con un circuito hidráulico: (Recordemos que la presión de agua es 31 . MOSFET de enriquecimiento MOSFET de agotamiento D D G G D D G G S S S S canal n canal p canal n canal p Figura 2. Los MOSFET de agotamiento es el caso contrario y podría relacionarse con un contacto de relé NC. • Cuando los terminales principales D y S permiten el paso máximo de corriente limitado por la carga.TECSUP Electrónica Industrial Los terminales de potencia se denominan Drenador (D) y Surtidor (S). En tal estado dichos terminales soportan el máximo voltaje proporcionado por la fuente de alimentación. En tal estado los terminales D y S tienen una caída de voltaje de 3V aproximadamente. su analogía eléctrica podría corresponder al contacto de un relé NA. 6. se dice que el transistor se encuentra en estado de Saturación. por lo tanto tiene dos estados de operación: • Cuando los terminales principales D y S no permiten el paso de corriente. A continuación se muestran los símbolos empleados para representar a cada uno de los tipos de transistores MOSFET.

40 Estado de Saturación (Conducción) mayor presión de agua menor presión de agua - + DRENADOR SURTIDOR GATE (señal de voltaje) Figura 2. BVGS: Máximo voltaje que puede soportar el terminal de control G y su retorno por S. En estado de Saturación: ID: Máxima corriente continua que pueden soportar los terminales de potencia D y S. y el fluido de líquido es equivalente a la corriente eléctrica).Electrónica Industrial TECSUP equivalente al voltaje en un circuito eléctrico.41 6. Estado de Corte (Bloqueo) mayor presión de agua menor presión de agua - + DRENADO R SURTIDO R GAT E (sin señal de voltaje) Figura 2.2 PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS En estado de Corte: BVDSS: Máximo voltaje que pueden soportar los terminales de potencia D y S. 32 .

por ejemplo: t ON = 4 µs en el transistor BJT y 40ηs en el transistor MOSFET. es la amplificación de corriente respecto del voltaje de control aplicado.42 Los tiempos de conmutación del transistor MOSFET son mucho menores que de los transistores BJT. gfs: Transconductancia (gfs=ID/VGS). Figura 2. Por tal razón se recomienda poner a tierra al personal que trabaje con dichos dispositivos. las cuales podrían dañar el terminal G. En la actualidad los fabricantes ofrecen sus productos protegidos contra las cargas estáticas. los MOSFET son dispositivos muy sensibles a las cargas estáticas que puedan recibir durante su manipulación. PD= IDxVDS. Por lo tanto los transistores MOSFET pueden trabajar con altas frecuencias de conmutación. (1 µs =1000 ηs ) t OFF = 11 µs en el transistor BJT y 70ηs en el transistor MOSFET. se muestra la curva característica del transistor MOSFET. En la figura 2. Sus unidades son µmhos . 33 .TECSUP Electrónica Industrial VGS(th): Voltaje umbral máximo en G y S necesario para hacer conducir al MOSFET.42. PD: Máxima potencia de disipación del dispositivo. Debido a la alta impedancia del terminal de control.

Los valores máximos de corriente ID se encuentra en el rango de 32A. se tiene un transistor de encapsulado TO-220J. Los valores máximos de corriente ID se encuentra en el rango de 18A.45 En la figura 2.Electrónica Industrial 6. Las medidas obtenidas deben tener aproximadamente los valores de la tabla. En la figura 2.46 34 .44 Figura 2. se tiene un transistor de encapsulado TO-220. usamos el multímetro digital en escala de diodo.45. En la figura 2.43.43 Figura 2.4 PRUEBAS CON “MULTÍMETRO EN ESCALA DE DIODO” Para comprobar el perfecto estado del transistor MOSFET. MOSFET de enriquecimiento canal n rojo GND negro Figura 2. se tiene un transistor de encapsulado TO-3. 6.44.3 TECSUP TIPOS DE ENCAPSULADOS Tenemos algunos tipos de encapsulados: Figura 2. donde el terminal D normalmente se encuentra internamente unido a su placa de aluminio. y los valores máximos de voltaje BVDSS es alrededor de 600V. donde el terminal D normalmente se encuentra internamente unido a su placa de aluminio. y los valores máximos de voltaje BVDSS es alrededor de 800V. y los valores máximos de voltaje BVDSS es alrededor de 1000V. Los valores máximos de corriente ID se encuentra en el rango de 32A.

Para remediar tal situación y verificar que el dispositivo se encuentra en buen estado. Acabamos de ver que los MOSFET si son dispositivos conmutadores de alta frecuencia pero tienen prestaciones moderadas en potencia controlada. no ofrecen la velocidad de conmutación adecuada para determinados convertidores con onda de salida cercana a la senoidal. Su acrónimo IGBT se deriva de su designación en inglés Insulated Gate Bipolar Transistor. Lo que ha sucedido es que hemos activado el MOSFET al tocar el terminal de control G con nuestras manos. en el caso de tensión e intensidad importantes. Cable Rojo Multímetro D S D G G S Cable Negro Multímetro S D G D S G Valor Medido (V) OL Ejm: 0.6 OL OL OL OL Tabla 2. Los terminales de potencia se denominan Colector y Emisor. 35 . se recomienda tocar nuevamente los terminales del MOSFET para desactivarlo. Si el MOSFET tuviese un diodo damper.4 Existen casos en los cuales las medidas D y S presentan valores muy pequeños (como si estuvieran en cortocircuito). ante lo cual las medidas serían las mostradas en la tabla superior.TECSUP Electrónica Industrial Cable Rojo Multímetro D S D G G S Cable Negro Multímetro S D G D S G Valor Medido (V) OL OL OL OL OL OL Tabla 2. Los semiconductores que juntan en un compromiso técnico la velocidad de conmutación con control de potencias altas son los transistores de puerta aislada. El IGBT es también un dispositivo controlado por señal de voltaje aplicado a su terminal de control denominado Gate.5 7. las medidas correctas serían como se muestra en la tabla siguiente. TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA (IGBT) Los transistores de potencia.

A continuación presentamos la analogía del trabajo del transistor IGBT con un circuito hidráulico: (Recordemos que la presión de agua es equivalente al voltaje en un circuito eléctrico. el terminal de control G no debe recibir señal de voltaje.47 Observamos que el nombre de los terminales es una mezcla de los usados en los transistores BJT y MOSFET. se dice que el transistor se encuentra en estado de Saturación. y el fluido de líquido es equivalente a la corriente eléctrica). Actualmente se ofrecen transistores IGBT de “Quinta Generación”. Los transistores IGBT están en continuo desarrollo por los fabricantes de dispositivos. El terminal de control es G. • Cuando los terminales principales C y E permiten el paso máximo de corriente limitado por la carga. se dice que se encuentra en el estado de Corte (Bloqueo). se presentan el símbolo del IGBT. Los terminales de potencia son C y E.47.1V aproximadamente.Electrónica Industrial TECSUP En la figura 2. 36 . el cual debe cerrar circuito por E. En tal estado los terminales C y E tienen una caída de voltaje de 0.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO EL transistor IGBT esta diseñado para trabajar como interruptor electrónico de alta frecuencia. el terminal de control G debe recibir permanentemente una señal de voltaje. Para que el transistor trabaje en dicho estado. 7. En tal estado dichos terminales soportan el máximo voltaje proporcionado por la fuente de alimentación. indicando que pueden trabajar a frecuencias de hasta 100kHz. C G E Figura 2. Con tales velocidades de trabajo los equipos de potencia se irán cada vez reduciendo de tamaño. los que ofrecen al mercado cada día nuevos dispositivos con características de trabajo de mayores tensiones y corriente. Por lo tanto tiene dos únicos estados de operación: • Cuando los terminales principales C y E no permiten el paso de corriente. Para que el transistor trabaje en dicho estado.

En estado de Saturación: IC: Máxima corriente continua que pueden soportar los terminales de potencia C y E. VGE(th): Voltaje umbral máximo en G y E necesario para hacer conducir al IGBT.49 7. VGES: Máximo voltaje que puede soportar el terminal de control G y su retorno por E.48 Estado de Saturación (Conducción) mayor presión de agua menor presión de agua - + COLECTOR EMISOR GATE (señal de voltaje) Figura 2.2 PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS En estado de Corte: VCES: Máximo voltaje que pueden soportar los terminales de potencia C y E. VCE(on): Caída de voltaje en C y E durante la saturación del IGBT. 37 . PD= ICxVCE.TECSUP Electrónica Industrial Estado de Corte (Bloqueo) mayor presión de agua menor presión de agua + - COLECTOR EMISOR GAT E (sin señal de voltaje) Figura 2. PD: Máxima potencia de disipación del dispositivo.

el IGBT se encuentra en la región de Saturación. se muestra la curva característica del transistor IGBT.3 TIPOS DE ENCAPSULADOS Se tienen algunos de los tipos de encapsulados en que se pueden presentar los transistores IGBT. Figura 2. siendo por lo tanto en la actualidad los más usados en los convertidores DC/AC.Electrónica Industrial TECSUP En la figura 2. 7. 38 .50 Se observa que el IGBT se encuentra en la región de Corte para valores VGE menores a 5 voltios. En dicha región los terminales de potencia del dispositivo soportan el máximo voltaje proporcionado por la fuente de alimentación. Los transistores IGBT tienen lo mejor de los transistores BJT (gran capacidad de potencia) y los transistores MOSFET (gran velocidad de conmutación).50. soportando sus terminales de potencia la máxima corriente permitida por la carga. También observamos que para valores VGE superiores a 10 voltios pero menores que 20.

TECSUP Electrónica Industrial Figura 2. Los valores máximos de corriente IC se encuentra en el rango de 80A.51.53. En la figura 2. Donde el terminal C normalmente se encuentra internamente unido a su placa de aluminio Los valores máximos de corriente IC se encuentran en el rango de 25A. y los valores máximos de voltaje VCES es alrededor de 1200V.4 PRUEBAS CON "MULTÍMETRO EN ESCALA DE DIODO" Las medidas correctas del transistor IGBT mediante un multímetro digital en escala de diodos son: (Transistor IGBT con diodo damper) rojo GND negro Figura 2. se tiene un transistor de encapsulado TO-3PJ. se tiene un transistor de encapsulado TO-3PL.52 Figura 2.53 En la figura 2. Los valores máximos de corriente IC se encuentra en el rango de 15A.51 Figura 2.54 Cable Rojo Multímetro C E C G G E Cable Negro Multímetro E C G C E G Tabla 2. donde el terminal C normalmente se encuentra internamente unido a su placa de aluminio. y los valores máximos de voltaje VCES es alrededor de 600V. se tiene un transistor de encapsulado TO-220J. y los valores máximos de voltaje VCES es alrededor de 1200V. En la figura 2.52. 7.6 OL OL OL OL .6 39 Valor Medido (V) OL Ejm: 0.

.......................... ................................................................................................................................................ .................................................................................................................................................................................................................................................................................................... ............................................................................................................................................................................................... .............. ........................................................................... .... .................... .......................................................................................................................................................................... ................................................................................................................... .................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... .............................................................................................................. ..................................................................................................................................................................... .......................................................................................................................................................... .......................................................................................... ........................ ........................................................................................ ..................................................................................... .................................................................................................................................... .......................................................................................................................................................................................................................................................... 40 ..................................... ...................................................................................................................................................................................................... ........................................ .......................................................................................................................................................... ...............Electrónica Industrial TECSUP ANOTACIONES: ............