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EET No 1 de Vicente Lpez

Instrumentos y Herramientas Digitales II

Prof. Giovindi

MEMORIAS
Qu es una memoria?
Es un dispositivo que sirve para almacenar informacin.
Para qu se emplea?
Para almacenar programas y datos.
Qu es una palabra?
Es un grupo de bits a los que se accede de manera simultnea.
Qu es una direccin?
Es la posicin de identificacin de una palabra en memoria.
Qu es la longitud de palabra?
Es la cantidad de bits que puede almacenar cada posicin.
Bits de bus de datos = longitud de palabra
Qu es la capacidad?
Es la cantidad de informacin que puede almacenar una memoria.
La unidad bsica de informacin es el bit, pero como en la prctica es muy pequea, empleamos
las siguientes unidades:
Byte
KiloByte
MegaByte
GigaByte

8 bits
210 bytes
220 bytes
230 bytes

1024 bytes
1.048.576 bytes
1.073.741.824 bytes

Generalmente la capacidad de una memoria se


expresa as:
Capacidad = N de posiciones x longitud de palabra
Ejemplos:
8K x 4 : indica que tiene 8192 posiciones de 4 bits c/u
2K x 8 : indica que tiene 2048 posiciones
de 8 bits c/u

Qu relacin hay entre el nmero de bits del bus de direcciones y la cantidad de posiciones de memoria
que puede direccionar?
Posiciones de memoria = 2 bits de direcciones
despejando:
Bits de direcciones = log (posiciones de memoria) / log 2
Qu es la velocidad de acceso?
Es la rapidez con que puede ser leda o escrita una memoria.
Se mide por el tiempo que se necesita en dichas operaciones (para las memorias integradas
estn en el orden de los nanosegundos [ns]).

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Qu es la densidad de integracin?
Es el nmero de componentes electrnicos por unidad de superficie en un C.I.
Una memoria de elevada densidad de integracin tiene gran capacidad en muy poco espacio.

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CLASIFICACIN DE LAS MEMORIAS
Existen varias formas de clasificar a las memorias:
Por el Acceso
Acceso Aleatorio: el tiempo de acceso a una direccin es independiente de su posicin fsica.
Se especifica la direccin y se accede al contenido (todas las memorias integradas son de
acceso aleatorio).
Acceso Secuencial: para acceder a una posicin se debe pasar por todas las que le preceden
fsicamente (memorias de cinta).
Por las Operaciones
de Lectura/Escritura: las operaciones de lectura y de escritura son rpidas y habituales en el
funcionamiento del sistema.
de Slo Lectura; la informacin es leda de manera rpida pero la escritura es ms lenta y no es
habitual en el funcionamiento del sistema.
Por lo Permanente de la informacin
No voltiles: la informacin se retiene aunque se interrumpa la alimentacin del circuito.
Voltiles: se pierde la informacin sin tensin de alimentacin.
Por la Tecnologa de Semiconductores
Bipolares: hechas con transistores bipolares, tambin llamadas TTL.
MOS: hechas con transistores MOSFET
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------PINES DE UN CHIP DE MEMORIA RAM

Entradas de Direccin (A0 -An): Son


unidireccionales. Indican la posicin de
memoria a acceder.
E/S de Datos (D0 -Dm): Son bidireccionales
(entrada en escritura y salida en lectura).
Llevan un buffer bidireccional triestado para
permanecer en alta impedancia (HZ) si el chip
no es seleccionado.
Seleccin de Lectura/Escritura (R/W)
Seleccin de Chip (CS): Desactiva el estado
de HZ de los terminales para que el chip est
habilitado.

Bipolares
MOS

Positivo
VCC
VDD

Alimentacin:
2 terminales:
Masa
GND
VSS

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Memorias RAM (Random Access Memory o Memoria de Acceso Aleatorio)
Uso: Almacenan datos que cambian con frecuencia
Caractersticas:
voltiles
de lectura y escritura
Tienen una estructura matricial:
m Lneas de Direcciones (Ai) 2m posiciones
n Lneas de Datos (Di) datos de n bits
Tiene las siguientes lneas de control:
/CE (Chip Enable): habilitacin de chip
/OE (Output Enable): habilitacin de las salidas
/WE (Write Enable): habilitacin de escritura
Por el bus de direcciones llega el cdigo binario de la direccin donde se quiere leer o escribir. El
decodificador de direcciones tiene como misin seleccionar la posicin de memoria correspondiente a
dicho cdigo.
La informacin entrar (operacin de escritura) o saldr (operacin de lectura) por el bus de datos.

La RAM es el tipo ms comn de memoria en las computadoras y en otros dispositivos como


impresoras. Hay dos tipos bsicos: SRAM y DRAM.
SRAM (Static RAM o RAM esttica)
Las celdas de almacenamiento estn formadas por flip-flops.
Son de alta velocidad: tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 ns.
Es muy usada como memoria cach en las computadoras.
DRAM (Dynamic RAM o RAM dinmica)
Las celdas de almacenamiento estn formadas por un capacitor y un transistor.
Como los capacitores se descargan, esta memoria necesita ser constantemente refrescada (reenergizada) o perdera su contenido. Para ello precisa de circuitos de refresco.
Los tiempos de acceso estn por encima de 30 nS.
Es la ms comn. Generalmente se utiliza como memoria principal, en encapsulados DIMM.
Comparacin con la SRAM: tiene mayor densidad, consume menos potencia pero es ms lenta.

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Memorias ROM (Read Only Memory o Memoria de Slo Lectura)
Uso: Almacenan programas y datos permanentes o que no cambian con frecuencia
Caractersticas:
no voltiles
de slo lectura

Tipos:
ROM de mscara: Se graba durante el proceso de fabricacin y no puede modificarse ni borrarse su
contenido.
La mayora de las PC contienen una pequea cantidad de ROM (algunos KBytes) que almacena
programas crticos como aquellos que permiten arrancar la mquina (BIOS CMOS). Adems, las ROM
son usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos perifricos tales como impresoras lser,
cuyas 'fonts' estn almacenadas en ROM.
PROM (Programmable ROM o ROM Programable)
Puede programarse una sola vez. Una vez que esto se realiza, los datos no se pueden modificar ni
borrar. El fabricante suministra el chip en estado virgen. Para grabarlo se necesita un dispositivo llamado
programador de PROM.
EPROM (Erasable PROM o PROM Borrable)
Puede ser borrada exponindola a rayos ultravioleta. Una vez que ha sido borrada, puede
reprogramarse, utilizando un programador de EPROM.
(Tienen una ventana en el encapsulado para permitir el borrado).
OTP (One Time Programmable o programables una vez) Son EPROM sin ventana, no se pueden
borrar. Al fabricante le salen ms baratas. Tienen un uso similar a la PROM.
EEPROM (Electrically Erasable PROM o PROM Borrable Elctricamente)
Son reprogramables y borrables elctricamente. Permiten un.
FLASH: Similares a las EEPROM, pero son ms veloces, tienen mayor densidad y menor consumo, pero
soportan menos ciclos de escritura / borrado. No permite borrado selectivo por posiciones.
Utilizadas en pen drives, cmaras digitales, mviles, etc.
Al ser la EEPROM y la Flash grabables elctricamente, pueden ser escritas y borradas en la misma
plaqueta de aplicacin, sin sacarlas del zcalo.

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OPERACIN DE LECTURA DE UNA MEMORIA

Se indica la direccin (posicin a leer) en el bus de direcciones


Se activa la memoria poniendo CS = 0
Se indica operacin de lectura poniendo R/W = 1
La memoria entrega el dato por el bus de datos
Se desactivan las seales anteriores para poder realizar una nueva operacin

Tiempo de Lectura (tRC): Tiempo necesario para establecer las seales a la entrada del chip, obtener el
dato, y desactivar las seales.

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OPERACIN DE ESCRITURA DE UNA MEMORIA
Se manda la direccin (posicin a escribir) al bus de direcciones
Se activa la memoria poniendo CS = 0
Se indica operacin de escritura poniendo R/W = 0
La CPU pone el dato a escribir en el bus de datos
La escritura se produce cuando CS y R/W estn simultneamente a nivel bajo. Cuando se
desactiva CS o R/W finaliza la captura del dato.
Se desactiva el resto de seales dando por terminada la operacin
Al igual que en el ciclo de lectura, se deben cumplir unas temporizaciones entre las variaciones de las
seales para que la operacin se realice correctamente.

Tiempo de Escritura (tWC): Tiempo necesario para establecer las seales a la entrada del chip, escribir
el dato, y desactivar las seales.

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EJERCICIOS.
1. Cuntos bits son 68 Bytes?
2. Cuntos Bytes son 512 bits?
3. Cuntos MB son 3 GB?
4. Cuntos KB son 2 GB?
5. Cuntos GB son 4096 MB?
6. Cuntos bits puede almacenar una memoria de 2Kx16?
7. Cuntos Bytes puede almacenar una memoria de 4Kx8?
8. Cuntas posiciones de memoria puedo direccionar si tengo ... ?
8.1.

11 bits de bus de direcciones

8.2.

12 bits de bus de direcciones.

8.3.

13 bits de bus de direcciones

9. Si aumenta en un bit el bus de direcciones en cunto se incrementa la cantidad de posiciones de


memoria que puedo manejar?
10. Determinar, para los siguientes casos:
9.1.

8Kx16

9.2.

4Kx8

9.3.

2Kx4

9.4.

1Kx14
a) Cantidad de posiciones de memoria.
b) Longitud de palabra.
c) No de lneas del bus de direcciones.
d) No de lneas del bus de datos.