You are on page 1of 14

Instituto Tecnolgico De Quertaro

ndice
I.-Prologo.. 3
II.-Planos cristalogrficos 4
III.-ndices de Miller.. 5
IV.-Direcciones de celda 6
V.-Notacin de planos 8
VI.-Ley de Schmidt. 9
VII.-Difusin.10
VIII.-Primera ley de Fick 11
IX.-Segunda ley de Fick. 14
X.-Referencias......15

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Prlogo
La cristalografa es parte fundamental de la qumica.
Los cristales son solidos homogneos que presentan una estructura
interna y externa los cuales se representan en planos cristalogrficos
para la interpretacin de estos que tenemos los ndices de Miller.
La estructura de los cristales depende de la direccin de celdas las
cuales tambin estn basadas en los ndices las cuales tienen una
interpretacin y una notacin de planos.
La ley de Schmidt se pueden entender las diferencias en el
comportamiento de los metales que tienen diferentes estructuras,
examinando la fuerza requerida para iniciar e l proceso de
deslizamiento y como un metal es un cristal tambin tiene difusin la
cual es un proceso fsico irreversible, en el que partculas materiales
se introducen en un medio que inicialmente estaba ausente.
Normalmente los procesos de difusin estn sujetos a las Leyes de
Fick.
La primera ley de Fick nos dice, que la velocidad de transferencia de
materia de un componente en una mezcla de dos componentes 1 y 2,
estar determinada por la velocidad de difusin del componente 1 y el
comportamiento del componente
Y en la segunda nos dice, la difusin en rgimen no permanente se
aplica a muchos mtodos experimentales en donde se determina el
coeficiente de difusin. Y todo esto es parte de los estudios de los
cristales.

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Planos cristalogrficos
Los planos cristalogrficos se denotan por los ndices de Miller. Estos ndices
corresponden a los inversos de los puntos de corte del plano que queremos
caracterizar con cada uno de los ejes de coordenadas, y se representan entre
parntesis sin comas (hkl). Los ndices de Miller pueden representar a un plano o
a toda una familia de planos paralelos que tienen la misma orientacin. Para
calcular los ndices de Miller hemos de hacerlo siempre sobre un plano de la
familia que no pase por el origen.
Como ejemplo encontraremos los ndices del plano XY. Este plano no corta ni el
eje X ni el eje Y, los corta en el infinito, en cambio el eje Z lo corta, por ejemplo en
el 1. Entonces los ndices de Miller para el plano XY son (hkl) = (1/ 1/ 1/1) =
(001)

Instituto Tecnolgico De Quertaro

ndices de Miller
Los tomos en un slido estn empaquetados, con lo que existe un cierto grado
de orden:
- de corto alcance (slidos moleculares, con enlaces fuertes- covalentes- entre
tomos y ms dbiles van der Waals- entre molculas ).
- de largo alcance (slidos cristalinos)
En el interior de un slido cristalino existe una estructura cristalina formada por
una red espacial, en cada punto de la cual se sitan grupos de tomos idnticos
en composicin y orientacin (base).
La geometra de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de
tomos sin dejar huecos, caracterstica que hace que slo existan 14 tipos de
redes posibles (redes de Bravais), caracterizadas por una celda unitaria cada una,
que, a su vez viene definida por una serie de parmetros (a,b,c y , , ).
Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los ndices
de Miller (para planos (hkl), para direcciones [hkl]).
La orientacin de una superficie de un cristal plano se puede definir considerando
como el plano corta a los ejes cristalogrficos principales del slido. La aplicacin
de un conjunto de reglas conduce a la asignacin de los ndices de Miller (hkl); un
conjunto de nmeros que cuantifican los cortes y que slo puede usarse para
identificar un plano o una superficie.
El siguiente procedimiento que permite asignar ndices de Miller est simplificado y
slo sirve para el sistema cbico (con celda unitaria de dimensiones a x a x a ).

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Direccin de celda

Celdas Cbicas.
Los ndices de Miller de un plano cristalino estn definidos como los recprocos de
las intersecciones que el plano determina con los ejes x, y, z de los tres lados no
paralelos del cubo unitario. Las aristas de una celda cbica unitaria representan
longitudes unitarias y las intersecciones de los planos de una red se miden en
base a estas longitudes.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller para un plano de un cristal
cbico es el siguiente:
Escoger un plano que no pase por el origen en (0,0,0)
Determinar las intersecciones del plano en base a los ejes x, y, z cristalogrficos
para un cubo unitario. Estas intersecciones pueden ser fraccionarias.
Construir los recprocos de las intersecciones.
Despejar fracciones y determinar el conjunto ms pequeo de nmeros enteros
que estn en la misma razn de las intersecciones. Estos nmeros enteros son los
ndices de Miller de un plano cristalogrfico y se encierran entre parntesis sin
usar comas. La notacin (hkl) se emplea para indicar los ndices de Miller en
sentido general, donde h, k, y l son los ndices de Miller para un plano de un cristal
cbico de ejes x, y, y z respectivamente.

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Ejemplos

Las intersecciones del primer plano son 1, 1, y los recprocos de estos nmeros
son 1, 1, 0 no involucran fracciones, siendo los ndices de Miller (1 1 0).
Para la segunda figura, las intersecciones son: 1, , a los ejes x, y, z
respectivamente, por lo tanto los recprocos son: 1, 0, 0. Los ndices de Miller para
este plano son: (1 0 0 ).
Finalmente, el tercer plano, tiene las intersecciones 1, 1, 1 que nos dan un ndice
de Miller (1 1 1).
Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que uno
ms cortes se hacen cero, el plano ha de ser desplazado a una posicin
equivalente en la misma celda unitaria de modo que el plano permanezca paralelo
al original. Esto es posible porque todos los planos paralelos equidistantes son
indicados con los mismos ndices de Miller.

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Si grupos de planos de redes equivalentes estn relacionados por la simetra del


sistema cristalino, se llaman familia de planos, y los ndices de una familia de
planos son encerrados entre llaves.
Por ejemplo, los ndices de Miller de los planos de la superficie del cubo (100)
(010) y (001) se designan colectivamente como una familia con la notacin {100}.
Una importante relacin slo para el sistema cbico es que los ndices de una
direccin perpendicular a un plano de un cristal son los mismos que los ndices de
Miller para ese plano. Por ejemplo, la direccin [100] es perpendicular al plano
cristalino (100).

Notacin de planos
Planos en celda unitaria
Las superficies cristalinas en celdillas unidad HPC pueden ser identificadas
comnmente utilizando cuatro ndices en lugar de tres. Los ndices para planos
cristalinos HCP, llamados Miller- bravais, son designados por letras h, k, i, l
encerrados entre parntesis (hkil). Estos ndices hexagonales de 4 ndices estn
basados en un sistema coordenado de 4 ejes.
Existen 3 ejes bsicos, a1, a2, a3, que forman 1200 entre si. El cuarto eje c es el
eje vertical y est localizado en el centro de la celdilla unidad. L a unidad a de
medida a lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los tomos a lo largo
de estos ejes .la unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la
ce l d i l l a u n i d a d . Los recprocos de las intersecciones que un plano cristalino
determina con los ejes, a1, a2, a3, proporciona los ndices h, k e i mientras e l
recproco de la interseccin con el eje c da el ndice

Notacin para planos


Los planos basales de la celdilla unidad HCP s o n m u y i m p o r t a n t e s p a r a
esta celdilla unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es paralelo a los
e j e s , a 1 , a 2 , a3 las intersecciones de este plano con estos ejes sern todas de
valor infinito. As, a1 = , a2 = a3 = El eje c, sin embargo, es nico puesto que
el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad.

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Tomando los recprocos de estas intersecciones tenemos los ndices de


Miller-Bravais para el plano Basal HCP. As, H =0 K=0 I = 0 y L=1. El plano basal
es, por tanto un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001).

Ley de Schmidt
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen
diferentes estructuras, examinando la fuerza requerida para iniciar el proceso de
deslizamiento .Suponga que se aplica una fuerza unidireccional F a un
cilindro de metal que es un cristal. Simple o mono cristal. Es posible
ubicar el plano de deslizamiento y la direccin del desplazamiento al aplicar
la fuerza, definiendo los ngulos y . es e l ngulo entre la direccin del
desplazamiento y la fuerza aplicada, y e s e l ngulo entre la normal al plano
de desplazamiento y la fuerza aplicada. Para que la dislocacin se mueva en el
sistema de deslizamiento, se necesita que acte una fuerza de cizalladura en la
direccin del desplazamiento, producida por la fuerza aplicada. La resultante de
esta fuerza de cizalladura, Fr, est dada por:
Fr=F Cos

Si esta ecuacin se divide por el rea del plano de deslizamiento

Se obtiene ley de Schmidt

Es la resultante del esfuerzo cortante en la direccin del deslizamiento

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Difusin
La difusin es un proceso fsico irreversible, en el que partculas materiales se
introducen en un medio que inicialmente estaba ausente, aumentando la entropa
del sistema conjunto formado por las partculas difundidas o soluto y el medio
donde se difunden o disolvente.
Cuando en un sistema termodinmico multicomponente hay un gradiente de
concentraciones, se origina un flujo irreversible de materia, desde las altas
concentraciones a las bajas.
La difusin aparece como consecuencia de la no-existencia de equilibrio
qumico; tiende a devolver al sistema a su estado de equilibrio, de concentracin
constante.
Normalmente los procesos de difusin estn sujetos a la Ley de Fick.
La membrana permeable puede permitir el paso de partculas y disolvente
siempre a favor del gradiente de concentracin. La difusin, proceso que no
requiere aporte energtico, es frecuente como forma de intercambio celular.
Difusin por vacancia
Tanto en la auto difusin como en la difusin de tomos sustitucionales, un tomo
puede abandonar un sitio en la red para llenar una vacancia cercana. Pero en el
mismo momento se crea una vacancia en el sitio antes ocupado por el.
Difusin interticial
Si al estructura cristalina esta presente en un tomo o ion pequeo, esta pasara
en un sitio interticial sin necesidad que existan vacancias. Este mecanismo ser
mucho mas rpido que el anterior, ya que el numero de sitios intersticiales es
mayor que el de vacancias.
Por ejemplo
La experiencia nos demuestra que cuando abrimos un frasco de perfume o de
cualquier otro lquido voltil, podemos olerlo rpidamente en un recinto cerrado.
Decimos que las molculas del lquido despus de evaporarse se difunden por el
aire, distribuyndose en todo el espacio circundante. Lo mismo ocurre si
colocamos un terrn de azcar en un vaso de agua, las molculas de sacarosa se
difunden por todo el agua. Estos y otros ejemplos nos muestran que para que

Instituto Tecnolgico De Quertaro

tenga lugar el fenmeno de la difusin, la distribucin espacial de molculas no


debe ser homognea, debe existir una diferencia, o gradiente de concentracin
entre dos puntos del medio.

Primera ley de Fick.


Deducida por Fick en 1855, por analoga con la ley de Fourier sobre la conduccin
de calor, pero con la importante diferencia de que la transferencia de materia,
contrariamente al calor, mantiene a todo el fluido en movimiento, excepto en
circunstancias especiales en las que los componentes se mueven por igual en
todas direcciones.
Segn Fick, la velocidad de transferencia de materia de un componente en una
mezcla de dos componentes 1 y 2, estar determinada por la velocidad de difusin
del componente 1 y el comportamiento del componente 2. La velocidad molar de
transferencia del componente 1 por unidad de rea debida al movimiento
molecular viene dada por:

siendo:
J1: velocidad molar de difusin por unidad de rea.
D12: difusividad del componente 1 en el componente 2.
C1: concentracin molar del componente 1.
Z: distancia en la direccin de la difusin.
De la misma manera, la velocidad de difusin en el componente 2 viene dada por:

10

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Si la presin total, y por tanto, la concentracin molar total es constante, los


trminos dC1/dz y dC2/dz, tienen que ser iguales y de signo contrario, por lo que
los componentes 1 y 2 se difunden en sentidos contrarios.
En muchos casos, el componente 2 no permanecer estacionario ni difundir con
una velocidad molar igual y de sentido contrario a la del componente 1, siendo el
clculo, en este caso, difcil.
En general, el flujo total N1 se diferencia del flujo difusional J1 a causa de la
superposicin por conveccin del flujo, y por estar directamente relacionado con el
movimiento de la estructura de referencia.
La eleccin de la estructura de referencia se hace en base a coordenadas
estacionarias o en volumen medio, masa media o velocidad media.
Estas velocidades se definen como sigue:
vr = a1v1 + a2v2
En donde ai es la correspondiente funcin de desplazamiento, definida por los
siguientes caminos:
Velocidad media de volumen ai = ci vi, donde ci es la concentracin del
componente i en masa o unidades molares, y vi es el correspondiente volumen
especfico parcial o volumen molar parcial.
-

Velocidad media de masa, ai = wi, funcin de masa.

Velocidad media molar, ai = xi, fraccin molar.

Las diversas velocidades de referencia son vectores cuantitativos que se


diferencian en direccin y magnitud en la mayora de los casos.
El flujo dimensional Ji del componente i est relacionado con estas velocidades
por la expresin:
Ji = ci (vi - vr)
donde vi es su velocidad, relativa a las coordenadas estacionarias, y Ji y Ci,
vienen expresadas en unidades molares o de masa. La definicin de flujo no es
completa, a menos que estn determinadas las unidades y la estructura de
referencia. La estructura de referencia ms comnmente usada para clculos
difusionales, actualmente no considera los caudales de volumen de lquido. Si se

11

Instituto Tecnolgico De Quertaro

da por supuesto que la densidad de la masa para sistemas lquidos es constante,


entonces:

tal que el volumen especifico parcial sea igual a:

Consecuentemente, la velocidad media de masa es igual a la velocidad media de


volumen, y se puede utilizar como base de referencia. Similarmente, la velocidad
molar media puede usarse si la densidad molar es constante.
En el caso unidimensional, los vectores cuantitativos de la ecuacin Ji = ci (vi - vr)
pueden sustituirse por escalares. Si la combinamos con la ecuacin

, dar, por tanto, para cada componente:

Las ecuaciones de continuidad para los componentes individuales, expresadas


con referencia a coordenadas estacionarias, quedan reducidas a:

Si integramos la expresin anterior nos dar:


N1 = constante.
N2 = constante.
La combinacin de estos resultados con las ecuaciones ltimas de J1 y J2, si ci vi
= Ni, y teniendo en cuenta la ecuacin de vr, ci vr = xi Ni. Finalmente nos dar:

12

Instituto Tecnolgico De Quertaro

donde ctx es la concentracin total, que es la masa o densidad molar.

Segunda ley de Fick.


La difusin en rgimen permanente es un caso especial de uno de los ms
generales de la difusin transitoria, en la cual los flujos y la concentracin varan
con el tiempo. La difusin en rgimen no permanente se aplica a muchos mtodos
experimentales en donde se determina el coeficiente de difusin, y en las teoras
de transferencia de masa, as como en la teora de penetracin.
La ecuacin diferencial de difusin transitoria se obtiene combinando la expresin
de la primera ley de Fick con la que ahora veremos.
Para un caso unidimensional, la segunda ley de Fick se obtiene igualando la
acumulacin del componente 1 en una porcin de lquido de espesor dz en una
direccin normal a la direccin de la difusin, al correspondiente cambio en el flujo,
dada por la expresin:

siendo la integral de N1 = constante.


Esta ecuacin, en combinacin con la relativa a la primera ley de Fick, expresada
por la ecuacin
por:

, nos da la segunda ley de Fick, que viene dada

La solucin de esta ecuacin para distintas formas geomtricas y condiciones


lmite son dadas por Crankc, y por Carslaw y Jaeger (1947), recientemente en
problemas relativos a conduccin de calor.

13

Instituto Tecnolgico De Quertaro

Referencias
Paginas web:
http://www.youtube.com/watch?v=qCmt-4dRYfU
http://webdelprofesor.ula.ve/nucleotrujillo/alperez/teoria/cap_03cproyeccion_de_planos/06-notacion_convenida_planos.htm
http://www.unedcervera.com/c3900038/ciencia_materiales/indices_miller.html
http://www.buenastareas.com/ensayos/Leyes-De-Fick/1078541.html
http://books.google.com.mx/books?id=jbNCBpVwE9AC&pg=PA436&dq=brown+qu
imica+cristalografia&hl=es&sa=X&ei=STVBT9q5EeKe2AXhm6SWCA&ved=0CC0
Q6AEwAA#v=onepage&q&f=false
http://www-fen.upc.es/wfib/virtualab/VivasLeon/Conceptos_fisicos.htm
http://www.angelfire.com/me3/mambuscay/Art5.h
SANDS, Donald. Introduccin a la Cristalografa. Ed. Revert S.A
http://www.mailxmail.com/curso-hidrometalurgia-extraccion-disolventes/leyesdifusion-molecular-leyes-fick-160
http://es.scribd.com/doc/15438385/LEY-DE-SCHMID-Y-LIMITES-DE-GRANO

Libros consultados:
Raymond Chang Qumica General 7Th Edicin
FISICOQUMICA (4 Edicin en castellano) Ira N. Levine(1996) McGrawHill.
Manual de mineraloga IV edicin basado en la obra de J. D DANA Editorial reverte s.a.

14