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Transistor de unin bipolar

que tambin en algunas aplicaciones de electrnica


digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan for- madas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por
estar fuertemente dopada, comportndose como
un me- tal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el
emisor del colector.

Transistor de unin bipolar.

Colector, de extensin mucho mayor.

Ic

B
IB

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin


epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin baseemisor est polarizada en directa, mientras que la basecolector en inversa. Los portadores de carga emitidos
por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la
mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados
de operacin: es- tado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.

IE

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar


Jun- ction Transistor, o sus siglas BJT ) es un dispositivo
elec- trnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite
controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gra- cias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen cier- tos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.

Estructura

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones


semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin
de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y
tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada
regin del semiconductor est conectada a un terminal,
denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn
corresponda.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y
el colector y est compuesta de material semiconductor
li- geramente dopado y de alta resistividad. El colector
ro- dea la regin del emisor, haciendo casi imposible
para los electrones inyectados en la regin de la base
escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por
eso, otorgarle al transistor un gran .

El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros


tran- sistores, no es usualmente un dispositivo
simtrico. Esto signica que intercambiando el colector
y el emisor ha- cen que el transistor deje de funcionar
Los transistores bipolares son los transistores ms en modo activo y comience a funcionar en modo
conoci- dos y se usan generalmente en electrnica inverso. Debido a que
analgica aun-

2
FUNCIONAMIENTO
El bajo desempeo de los transistores bipolares
laterales
muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido
a que son diseados simtricamente, lo que signica que
no hay diferencia alguna entre la operacin en modo
activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los
termi- nales base-emisor genera que la corriente que
circula en- tre el emisor y el colector cambie
signicativamente. Este efecto puede ser utilizado para
amplicar la tensin o co- rriente de entrada. Los BJT
pueden ser pensados como fuentes de corriente
controladas por tensin, pero son ca- racterizados ms
simplemente como fuentes de corrien- te controladas
por corriente, o por amplicadores de co- rriente,
debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de
germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn
compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte
de stos (los transistores bipolares de heterojuntura)
estn hechos de arseniuro de galio, especialmente
utilizados en aplicacio- nes de alta velocidad.

Funcionamiento
Ib5

Ic

Ib4
pendiente 1/

Ib3

pendiente
Ib2
Ib1
Corte transversal simplicado de un transistor de unin
bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin basecolector es mucho ms amplia que la base-emisor.

la estructura interna del transistor est usualmente


optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el
colector con el emisor hacen que los valores de y
en modo inverso sean mucho ms pequeos que los
que se podran obtener en modo activo; muchas veces
el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta
de sime- tra es principalmente debido a las tasas de
dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est
altamente dopado, mientras que el colector est
ligeramente dopado, permi- tiendo que pueda ser
aplicada una gran tensin de reversa en la unin
colector-base antes de que esta colapse. La unin
colector-base est polarizada en inversa durante la
operacin normal. La razn por la cual el emisor est
alta- mente dopado es para aumentar la eciencia de
inyeccin de portadores del emisor: la tasa de
portadores inyectados por el emisor en relacin con
aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia
de corriente, la mayora de los portadores inyectados
en la unin base-emisor deben provenir del emisor.

Ib
Vce

pendiente rbe
Vbe
Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una conguracin normal, la unin base-emisor se


po- lariza en directa y la unin base-colector en
inversa.[1] Debido a la agitacin trmica los portadores
de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor- base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el cam- po elctrico que existe entre la
base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos
dio- dos con la regin del nodo compartida. En una
operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada
en directa y la unin base-colector est polarizada en
inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una
tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados trmicamente
y el campo elctrico

3
repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse
en la regin de la base. Estos electrones vagan a
travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados
portadores minoritarios debido a que la base est dopada
con material P, los cuales generan huecos como
portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difun- dirse a travs de esta en mucho menos tiempo
que la vida til del portador minoritario del
semiconductor, para mi- nimizar el porcentaje de
portadores que se recombinan antes de alcanzar la
unin base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electro- nes.

2.1 Control de tensin, carga y corriente


La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de
corrien- te), o por la tensin base-emisor (control de
voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente
de la unin base- emisor, la cual es la curva tensincorriente exponencial usual de una unin PN (es decir,
un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de
corrien- te es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto signica que la corriente
de colector es aproxima- damente veces la corriente
de la base. Algunos circui- tos pueden ser diseados
asumiendo que la tensin base- emisor es
aproximadamente constante, y que la corriente de
colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin
y conabilidad, se requiere el uso de modelos
matemticos del transistor como el modelo EbersMoll.

2.2 El Alfa y Beta del transistor


Una forma de medir la eciencia del BJT es a travs de
la proporcin de electrones capaces de cruzar la base y
al- canzar el colector. El alto dopaje de la regin del
emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden
causar que muchos ms electrones sean inyectados
desde el emisor hacia la base que huecos desde la base
hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor
comn est representa- da por F o por h. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de
colector a la corriente continua de la base en la regin
activa directa y es tpicamente ma- yor a 100. Otro
parmetro importante es la ganancia de corriente base
comn, F . La ganancia de corriente ba- se comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde
emisor a colector en la regin activa directa. Esta tasa
usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que

un transistor NPN):
F =

C
E

C
II
F = IB

F =

F =

F + 1

oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms


preci- samente determinados por las siguientes
relaciones (para

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

3.1 NPN

El smbolo de un transistor
NPN.

C
B

E
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares,
en los cuales las letras N y P se reeren a los
portado- res de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regio- nes del transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy en da son NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que
la movilidad de los huecos en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la base) entre dos capas de
material dopado N. Una pequea corriente ingresando
a la base en conguracin emisor-comn es amplicada
en la salida del colector.
La echa en el smbolo del transistor NPN est en la
ter- minal del emisor y apunta en la direccin en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

3.2 Ejemplo Prctico de NPN

4 REGIONES OPERATIVAS DEL


TRANSISTOR

3.3 PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP
con las letras P y N rerindose a las cargas
mayorita- rias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeo en la mayora de las circunstancias.

E
B
Transistor NPN

En la imagen, se tiene un transistor de NPN cuyo punto


Q de funcionamiento en continua es desconocido. Se
debe calcular dicho punto Q y calcularlo en la RCE.
1 Paso:

Ib = (Vbb - 0,7)/Rb
Reemplazando los datos:
Ib = (5V - 0,7)/500 = 0,0086 mA
2 Paso:
Ic = .Ib = 100 * 0,0086 = 0,8 mA
3 Paso:
Vce = Vcc - Rc.Ic = 12 - 0,8 * 2 = 10,4
V

El smbolo de un transistor PNP.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son
comnmente opera- dos con el colector a masa y el
emisor conectado al termi- nal positivo de la fuente de
alimentacin a travs de una carga elctrica externa.
Una pequea corriente circulan- do desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde
el emisor hacia el colector.
La echa en el transistor PNP est en el terminal del
emi- sor y apunta en la direccin en la que la corriente
conven- cional circula cuando el dispositivo est en
funcionamien- to activo.

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes


regio- nes operativas, denidas principalmente por la
forma en que son polarizados:
Regin activa en cuanto a la polaridad:
En este grco se muestra el resultado obtenido, con Vcc/Rc
in- dicando el 6 mA en la recta de la Intensidad, y Vce corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector=
indicando la Tensin necesaria para polarizar al transistor
Ib

5
Cuando un transistor no est ni en su regin
de saturacin ni en la regin de corte entonces est
en una regin intermedia, la regin acti- va. En
esta regin la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que se encuen- tren conectadas
en el colector y emisor. Esta regin es la ms
importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplicador de seal.

Regin inversa:

De forma simplicada, se puede decir que la


unin CE se comporta como un cable, ya que
la diferencia de potencial entre C y E es muy
prxima a cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica
analgica
(especialmente
til
para
amplicacin de seal) y las regiones de corte y
saturacin, para la elec- trnica digital, representando el
estado lgico alto y bajo, respectivamente.

Historia

Al invertir las condiciones de polaridad del


funcionamiento en modo activo, el
transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del
colector y emisor intercambian roles. Debido
a que la mayora de los BJT son diseados
para maxi- mizar la ganancia de corriente en
modo activo, el parmetro beta en modo
inverso es drstica- mente menor al presente
en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte
cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie
=
0)
En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente
circulando, no hay cada de voltaje, ver
Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib
=0)
De forma simplicada, se puede decir que el
la unin CE se comporta como un circuito
abier- to, ya que la corriente que lo atraviesa
es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est
saturado cuando:

Replica del primer transistor.

El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de


1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y
Wal- ter Brattain bajo la direccin de William
Shockley. La versin de unin, inventada por
Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el
dispositivo favorito en diseo de circuitos discretos e
integrados. Hoy en da, el uso de BJT ha declinado en
favor de la tecnologa CMOS para el di- seo de
circuitos digitales integrados.

Teora y Modelos Matemticos

6.1 Anlisis en continua


corriente de colector corriente de emisor = corriente
ma- xima, (Ic Ie = Imax)
En este caso la magnitud de la corriente
depen- de del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver Ley de
Ohm. Se pre- senta cuando la diferencia de
potencial entre el colector y el emisor
desciende por debajo del
valor umbral VCE,. Cuando el transistor
esta en saturacin, la relacin lineal de
amplica- cin I=I (y por ende, la
relacin I=(+1)I
) no se cumple.

6.1.1 El modelo Ebers-Moll


Las corrientes continuas en el emisor y el colector en
ope- racin normal son determinadas por:

(e VT
1

IE = IES

VBE

(
IC = T IES e

VBE

VT

)
1

6 TEORA Y MODELOS
MATEMTICOS
emisor-colector. est relacionada con a travs de las
siguientes relaciones:

T =

IC
IE

F =

IC
IB

T
Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

F =

T = F + 1

Eciencia del emisor: =


(B ase)

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

Jp

JE

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del transistor estn
expresa- das ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas
en el mo- delo de transporte de un transistor de unin
bipolar.
( VBE
( VBC
)
VBC )
iC = IS e VT e VT ISR e VT 1
( VBE
)
( VBC
)
I
iB = IS e VT 1 + S e VT 1
F
R
( VBE
( VBE
)
VBC )
I
iE = IS e VT e VT + S e VT 1
F

La corriente interna de base es principalmente por


difu- sin y
q Dp pbo VVETB
[
Jp (Base) =
e
W

Dnde:
IE es la corriente de emisor.
IC es la corriente de colector.
T es la ganancia de corriente directa en
congura- cin base comn. (de 0.98 a 0.998)
IES es la corriente de saturacin inversa del
diodo base-emisor (en el orden de 1015 a 1012
amperios)
VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente
26 mV a temperatura ambiente 300 K).

Dnde:
iC es la corriente de colector.
iB es la corriente de base.

iE es la corriente de emisor.
F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a
500)
R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a
20)
IS es la corriente de saturacin inversa (en el
orden de 1015 a 1012 amperios)
VT es el voltaje trmico kT /q (aproximadamente
26 mV a temperatura ambiente 300 K).
VBE es la tensin base-emisor.

VBC es la tensin base-colector.

VBE es la tensin base emisor.


W es el ancho de la base.
La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de T es muy
cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una
peque- a variacin de la corriente base-emisor genera
un gran cambio en la corriente colector-emisor. La
relacin entre la corriente colector-emisor con la baseemisor es llama- da ganancia, o hFE. Un valor de
de 100 es tpico pa- ra pequeos transistores bipolares.
En una conguracin tpica, una seal de corriente
muy dbil circula a travs de la unin base-emisor para
controlar la corriente entre

6.2 Modelo en pequea seal


6.2.1 Parmetros h
Otro modelo comnmente usado para analizar los
circui- tos BJT es el modelo de parmetro h. Este
modelo es un circuito equivalente a un transistor de
unin bipolar y per- mite un fcil anlisis del
comportamiento del circuito, y puede ser usado para
desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el
trmino x en el modelo represen- ta el terminal del
BJT dependiendo de la topologa usa- da. Para el modo

6
emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman
los valores especcos de:

6 TEORA Y MODELOS
MATEMTICOS

7
de seales de altas frecuencias este modelo no es
utiliza- do debido a que ignora las capacitancias entre
electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

Referencias

[1] Transistor de unin bipolar en Google Libros.


Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN.
Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC
respectivamente.

Vase tambin

Wikilibros
x = 'e' debido a que es una
conguracin emisor comn.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
i = Corriente de Base (i)
i = Corriente de Colector (i)
V = Tensin Base-Emisor (V BE)
V = Tensin Colector-Emisor (V

h = h - Representa la dependencia
de la curva I BV BE del transistor en
el va- lor de V CE. Es usualmente un
valor muy pequeo y es generalmente
despreciado (se considera cero).
h = h - La ganancia de corriente
del transistor. Este parmetro es
general- mente referido como hFE o
como la ga- nancia de corriente continua
(DC) en las hojas de datos.
h = h - La impedancia de salida del
transistor. Este trmino es usualmente
es- pecicado como una admitancia,
debien- do ser invertido para
convertirlo a impe- dancia.
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que las condiciones de
anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para
con- diciones de corriente continua estos subndices son
expre- sados en maysculas. Para la topologa emisor
comn, un aproximado del modelo de parmetro h es
comnmente utilizado ya que simplica el anlisis del
circuito. Por esto los parmetros h y h son ignorados
(son tomados como innito y cero, respectivamente).
Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h
es slo aplicable al anli- sis de seales dbiles de
bajas frecuencias. Para anlisis

Wikilibros alberga un libro o manual sobre


Electrnica.

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Commons

Transistor
Transistor Uniunin (UJT)
Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

CE) Y los parmetros h estn dados por:


h = h - La impedancia de entrada del transistor
(correspondiente a la resistencia del emisor
r).

Enlaces externos
Curvas caractersticas del transistor
Cmo funcionan los transistores? por William
Beaty (en ingls) (en espaol)
Lnea del tiempo histrica de los transistores (en
in- gls)

8
LICENSES

10

10 TEXT AND IMAGE SOURCES, CONTRIBUTORS, AND

Text and image sources, contributors, and licenses

10.1 Text
Transistor de unin bipolar Fuente: http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor%20de%20uni%C3%B3n%20bipolar?oldid=79078969 Colaboradores: Murphy era un optimista, Cinabrium, Digigalos, Petronas, RobotQuistnix, ALE!, GermanX, Matiasasb, Paintman, CEMbot, Davius, FrancoGG, Leandroidecba, Jcabfer, Isha, Tarantino, Gusgus, VanKleinen, Kved, Gsrdzl, Muimota, Humberto,
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