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Transistores

Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande


mediante una seal muy pequea. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se
explicarn los bipolares. Los smbolos que corresponden a este tipo de transistor son los
siguientes:

Transistor NPN

Estructura de un transistor NPN

Transistor PNP

Estructura de un transistor PNP

FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 est abierto no circula intensidad por la Base del transistor por
lo que la lmpara no se encender, ya que, toda la tensin se encuentra entre Colector y
Emisor. (Figura 1).

Figura 1

Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequea circular por la Base. As
el transistor disminuir su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasar una
intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lmpara. (Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE

Trabajo de: Erik Liger R.

Funcionamiento desde la Parte Qumica del Transistor


En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin basecolector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que
existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la
juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base.
Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana
al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la
base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P,
los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de sta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser menor
al ancho de difusin de los electrones.
Tipos de Transistor Bipolar de Juntura
NPN:

El smbolo de un transistor NPN


NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
Trabajo de: Erik Liger R.

que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en


los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en
la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

PNP :
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias.

El smbolo de un transistor PNP


Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de
una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que
una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Conclusin
Se

puede

tener

por

tanto transistores PNP

NPN

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas
tres regiones:
Trabajo de: Erik Liger R.

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial.
En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que
la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la
base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al
colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin
y estado de actividad.

Trabajo de: Erik Liger R.