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MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN

SONDEOS DIPOLARES

SONDEOS DIPOLARES
En
los
Sondeos
Eléctricos Dipolares (SED) las
separaciones entre electrodos
M
de corriente (AB) y de
potencial (MN) son pequeños
en comparación con la paralelo
distancia R que los separa. Su
posición mutua puede ser
θ
x
cualquiera, aunque, en la
A
práctica se emplean las
configuraciones básicas de la
fig. 103
N

perpendicular

x
A

M

B
x

x
B

x
A

M

M

M

θ

x
B

θ

x
A

x
B

azimutal

x
A

θ

x
B

Fig. 103 Dispositivos dipolares

No obstante, el dispositivo preferido
es el azimutal, particularmente el caso en el
que θ = 90º que se conoce con el nombre
especial de Sondeo Dipolar Ecuatorial
(SDE).
Lo mismo puede decirse del
dispositivo radial con θ = 0º que recibe el
nombre de sondeo Dipolar Axil (SDO),
mostrados ambos en la fig. 104.

N

axil
(radial y paralelo)

x
B

N

N

radial

M

A
x

N

N

ecuatorial
(azimutal y paralelo)

Fig. 104 Dispositivos dipolares especiales

Definición
Se tiene un Sondeo Eléctrico Dipolar (SED) cuando se obtienen valores de la
resistividadad aparente del subsuelo, utilizando cualesquiera de los dispositivos mostrados en
los gráficos anteriores, en función de la separación creciente entre dipolos, El procedimiento
que se emplea es similar al aplicado en el método SEV. El método SED se desarrolló con el
propósito de reemplazar las dificultosas mediciones de SEV profundos en los que las líneas de
corriente son demasiado largas. Como el campo dipolar decrece con R3 (Ec. 138 y siguientes),
sus requerimientos de energización son mayores.
El potencial de un dipolo

P(x,y)

y

Ubicando un dipolo de corriente AB en un
sistema de coordenadas cartesianas y siendo: b =
AB << R; y P(x,y) un punto cualquiera (fig. 105),
será:
UP =

y

R2

R

2


b
R1 =  x −  + y 2 
2



R1

x
B

Q

A

Iρ  1
1 



2π  R 1 R 2 

(

≈ x 2 + y 2 − bx

)

12

12

12


b2 
=  x 2 + y 2 − bx + 
4

(

= R 2 − bx

x

Fig. 105 Un punto en el campo de un dipolo

(135)

2


b
R 2 =  x +  + y 2 
2



12

)

12


12

 bx 
= R1 − 2 
 R 
12

bx 

≈ R1 + 2 
 R 

85

.MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES De modo que reemplazando los valores de R1 y R2 en la ecuación (135) obtendremos el valor de U en función de R y θ: −1 2 −1 2 Iρ  bx  bx    U= 1 − − 1 +     = 2πR  R 2   R 2   = Iρ 2 πR =  1 bx 1 bx  1 + 2 R 2 + .   =   Iρ bx bIρ x M = = 2 cos θ 2 2 2πR R 2πR R R (136) donde M se denomina momento del dipolo: M= bIρ Iρ = AB 2π 2π (137) El campo dipolar: sus componentes Por derivación de la ecuación (136).y): δU δ  M  2M =−  2 cos θ  = 3 cos θ δR δR  R  R (138) 1 δU 1 δ M  M =−  2 cos θ  = 3 sen θ R δθ R δθ  R  R (139) ER = − Eθ = − E Ey y β Eθ ER θ Ex P R θ B Q x A Ex = − Ey = − Fig.. − 1 + 2 R 2 + . 106 Componentes del campo dipolar 2 2  x δ  M  = M 2x − y δx  x 2 + y 2 (x 2 + y 2 )1 2  (x 2 + y 2 )5 2 (140)  x 3xy δ  M =M 2 2 1 2 δy  x + y (x 2 + y 2 )  (x 2 + y 2 )5 2 (141) 86 . se obtienen las componentes del campo eléctrico en el punto P(x.. según convenga..

136: M R2 cos θ ) β β E decrece con R3 (Ec. 141: Ey = M y θ = 0 en la Ec. 142) E = M R 3 (1 + 3 cos 2 θ)1 2 B θ A Q x Fig. 136. 144) d) En el eje x (y = 0.MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES Resultando para el módulo del campo: E = (E 2R + E θ2 )1 2 = En coordenadas polares: En coordenadas cartesianas: E = (E 2x + E 2y )1 2 = M (1 + 3 cos 2 θ)1 2 3 R (142) M[(2x 2 + y 2 ) 2 + x 2 y 2 ]1 2 (143) (x 2 + y 2 )5 2 Y siendo β el ángulo entre el campo E y la dirección QP. 108 Máximo valor de E (θ = 0) E y Ey = Eθ = 0 E (hacer y = 0 en la Ec. R Ey = ER = 0 (hacer x = 0 en la Ec. θ = π/2) 2 . tendremos que: tg β = tg(θ + β) = Ey Ex Eθ M sen θ R 3 1 = = tg θ 3 E R 2M cos θ R 2 = (144) tg θ + tgβ 3 tg θ 3xy = = 2 2 2 1 − tg θ tgβ 2 − tg θ 2x − y (145) Propiedades del campo dipolar a) Sobre un mismo radio vector (θ = CTE) E 2 U decrece con R y U= (Ec. haciendo: θ = 0 (cosθ =1) y θ = π/2 (cosθ = 0) c) β es independiente de R: B tg β = 1/2tgθ (Ec. 141 y θ = π/2 en la Ec 138: 2M E R = 3 cos θ R x B A Fig. 139: 3xy (x + y 2 )5 2 M E θ = 3 sen θ R e) En el eje y (x = 0. 107 Variación de E con (θ = Cte) b) Si R = CTE y U es máximo sobre el eje x y nulo sobre el eje y. (en Ec. 87 . θ = 0) R x A Fig. 109 Valor de E en x = 0. θ = π/2.

¿cual es? Para saberlo. el sentido de (Ex)y=0 es opuesto al de (Ex)x=0. el signo de Ex cambia en el primer cuadrante. puede explorarse con un dipolo de potencial MN (con centro en O=P(x. entonces. hay en él un punto en el que Ex = 0.MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES Por lo tanto. 2πR 3 K= (2 cos γ cos θ + sen γ sen θ) −1 ABMN dando a γ los valores que corresponde en cada caso. Denominando γ al ángulo entre el radio vector QP y el dipolo MN. 88 .y)). tendremos: N γ O E γ = E R cos γ + E θ sen γ θ Eγ = M (2 cos γ cos θ + sen γ sen θ) R3 Eγ = IρAB (2 cos γ cos θ + sen γ sen θ) 2πR 3 ρa = 2πR 3 ∆V (2 cos γ cos θ + sen γ sen θ) −1 I ABMN M θ B Q A Fig. Pero. ρR. 140: Ex = M 2x 2 − y 2 (x + y ) 2 2 52 = 0 ⇒ 2x 2 − y 2 = 0 de donde resulta que: y = 2 x ⇒ tg θ = 2 ⇒ θ = 54 o 44 ' 08 '' Resistividad aparente en los dispositivos dipolares El campo creado por un dipolo de corriente. para cuyo cálculo necesitamos conocer los respectivos valores de la constante geométrica. ρx y ρy que dan lugar a los tipos básicos de Sondeo Dipolar. 110 MN dipolo cualquiera (146) (147) Girando el dipolo MN alrededor de O se obtienen diferentes resistividades aparentes. conformando un circuito de potencial similar al empleado en el método SEV. Es decir. entre ellas: ρθ. en el caso d) como en e) resulta que: E =Ex y si en ambos casos el valor de R es el mismo: E x =0 = 1 E 2 y =0 que se deduce reemplazando los correspondientes valores de θ en la Ec 142. igualamos a 0 la Ec. conectado a un voltímetro.

113: SDR N d) dispositivo azimutal (γ = π/2) (fig. M θ =π π/2 B Q B θ =0 0 Q A γ =0 0 M O N (153) Fig. 115). 116: SDO 89 . 113) O M KR = πR 3 1 ABMN cos θ (150) θ B A Q Fig. 116) πR 3 K0 = ABMN A e) dispositivo ecuatorial (γ = θ = π/2) (fig. 112) M K⊥ = θ πR 3 4 ABMN 3 sen 2θ (149) Fig. 114: SDA 2πR 3 KE = ABMN (152) Fig. 114) Kθ = 2πR 3 1 ABMN sen θ γ O M (151) θ B γ = π/2 N O Q A Fig. 112: SD⊥ A Q Fig.MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES Coeficientes geométricos en los dispositivos dipolares a) dispositivo paralelo (γ = -θ) (fig. 111) K II = = γ=-θ O M N 2πR (2 cos 2 θ − sen 2 θ) −1 = ABMN 3 2πR 3 (3 cos 2 θ − 1) −1 ABMN N θ (148) B b) dispositivo perpendicular (γ = π/2-θ) (fig. 111: SDII γ O B A Q N c) dispositivo radial (γ = 0) (fig. 115: SDE f) dispositivo axil (γ = θ = 0) (fig.

Los sondeos dipolares De manera similar al método SEV. no debe descuidarse el que AB y MN puedan considerarse realmente dipolos. 118 SDE Bilateral Distancia representativa Los SD deben graficarse de manera similar a los SEV. En tal sentido.2 R. Son de gran utilidad para detectar buzamientos de sustratos resistivos. ¿Cuan pequeños deben ser AB y MN? De acuerdo con los geofísicos rusos AB depende del dispositivo según: AB ≤ 0. y 0.2 R SDA: SDE: SDO: Mientras que: 70º ≤ θ ≤ 110º MN ≤ 0.3 R AB ≤ 0. M1 N1 R B A R R M1 N1 R A B M 2 N2 Fig. que según el dispositivo será: SDO: R SDE: R= AO = OB SDA: pR La determinación de p en este último caso se efectúa con ayuda de un ábaco en función de la relación AB/R y del ángulo ϑ (figura 119). Fig.MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES En la práctica los dispositivos dipolares más utilizados son los tres últimos: el SD azimutal (SDA). 119 Abaco de VENDRITSEV para determinación de p 90 . se obtienen valores de la resistividad aparente para valores de R crecientes. lo que se hace habitualmente desplazando el dipolo de potencial y manteniendo fijo el de corriente por la mayor dificultad de su instalación en condiciones de que sean mínimas las resistencias de contacto. lo que suele conseguirse con un solo SD bilateral.6 R.6 R ≤ AB ≤ 1. lo que se consigue representando ρa en función de la "distancia representativa". en los tres casos Suelen medirse SD bilaterales. 117 SDO Bilateral M2 N2 Fig. el SD ecuatorial (SDE) y el SD axil (SDO). Por otra parte. de los que en las figuras 117 y 118 se dan ejemplos para SDO y SDE.

120). 121 Dirección de las resistividades principales Para aprovechar todo el desarrollo efectuado en el método SEV. 122 Polo-dipolo    ρI  1 1 = ∆V = − a a 2π    AO − cos θ AO + cos θ  2 2   = ρI 2π a cos θ ρI a cos θ ≈ 2 2 a 2π AO 2 AO − cos 2 θ 4 (154) De esta última. 122). 121) se obtienen girando MN alrededor de O (fig. es: E ' = E cos θ 2 E ρ a = 2πAO I 91 .MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES Clases de resistividad aparente en los sondeos dipolares Las distintas resistividades (fig. previamente se establece una convención de signos. se tendrá: a AM ≈ AO − cos θ M 2 θ a O AN ≈ AO + cos θ A 2 ρI  1 1  N ∆V = −   2π  AM AN  Fig. y un dipolo de potencial con cualquier orientación (fig. en cuyo caso y siendo MN =a <<AO. y haciendo ρ=ρa se deduce: ρ a = 2πAO 2 ' 2 E ∆V 1 1 = 2πAO a cos θ I cos θ I Siendo E el campo en dirección de AO y E’ el campo en dirección de MN. tanto para la corriente I como para los ángulos de los dispositivos. (+) N ρy γ ρR O M ρθ θ ρx O θ B(-) Q (+) A(+) Fig. Relación de U con la resistividad de Schlumberger (ρ ρS) Partamos de considerar un monoelectrodo de corriente A. por el que se introduce en el terreno (de resistividad ρ) una corriente I. 120 Convención de signos en los SD Fig. resulta conveniente partir de una expresión del potencial en función de la resistividad Schlumberger (ρS) y expresar en función de este parámetro las distintas clases de resistividad de los SED.

Por el principio de reciprocidad. o sea: U= ρa I a cos θ 2π OA 2 O. 150 y 151): I πR 3 1 ∆V π 3 1 = R ER bI cos θ ABMN cos θ I (159) 2πR 3 1 ∆V 2πR 3 1 ρθ = = Eθ bI sen θ ABMN sen θ I (160) ρR = y reemplazando en éstas ER y Eθ por las expresiones correspondientes (Ec. ER = − ∂U bI  2ρ S ∂ρ S  = −   cos θ ∂R 2πR 2  R ∂R  (157) Eθ = − 1 ∂U ρ S bI = sen θ R ∂θ 2πR 3 (158) (suponiendo homogeneidad lateral: ∂ρ S = 0 puesto que ρS depende de R. 123). un dipolo activo en MN producirá en A un potencial U igual al ∆V anterior. pero no de θ) ∂θ Las fórmulas para ρR y ρΘ En ρ a = K ∆V se reemplazan los valores de KR y Kθ (Ec.MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES Similar a la observada con un dispositivo trielectródico de Schlumberger (Ec. al de A’B’ en O. lo que es lo mismo. 123 Dispositivo girado alrededor de T Potencial de partida para calcular las componentes del campo dipolar y con base en ellas las resistividades dipolares. dispositivo que resulta de girar el anterior alrededor del centro T (fig. se obtiene finalmente: ρ R = ρS − R δρ S 2 δR ρ θ = ρS (161) Las fórmulas para ρx y ρy De modo análogo podemos calcular ρx y ρy reemplazando en ρ a = K ∆V los valores I de KII y K⊥ (Ec. en cuyo caso se puede poner: U= ρ aS I b cos θ 2π R 2 (155) B’ M θ A T O N (156) A’ Fig. 148 y 149): 2πR 3 2πR 3 2 −1 ∆V ρx = (3 cos θ − 1) = (3 cos 2 − 1) −1 E x I bI ABMN (162) 92 . 157 y 158). 47).

cos θ + sen γ. reemplazando en éstas ER y Eθ y éstas en las anteriores. lo que constituye una inestimable ventaja. 2.Trabajando en condiciones de homogeneidad lateral. ρR. Ello implica que para agrandar el dispositivo entre punto y punto deben necesariamente desplazarse M y N... cuando se cumple que: δρS/δθ =0.El hecho de que ρθ = ρS implica que en SDA (y en particular en los SDE) se pueden utilizar los métodos de interpretación de los SEV. ρθ y ρy son independientes de θ. SDA y SD⊥ son independientes de θ (son posibles los sondeos curvos) 3. sen θ) −1 E γ bI y siendo E γ = E R cos γ − E θ sen γ tendremos: ργ = ργ = 2 cos θ cos γ.ρ S δR 2 cos θ cos γ + sen θ sen γ cos θ cos γ (2ρ S − R (165) En resumen 1. lo que seguramente será causa de errores debido a las inevitables heterogeneidades laterales.Las diferentes resistividades que se pueden obtener en los SED: ρR. o sea. requieren mayor apoyo topográfico y el empleo de corrientes de emisión más intensas (decenas de amperes en los SD profundos).ρ θ 2 cos θ cos γ + sen θ sen γ δρ S ) + sen θ sen γ. En SDE (el mas utilizado) se comienza midiendo un SEV hasta AB = 1 a 2 km.MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES πR 3 4 ∆V πR 3 4 ρy = = Ey bI 3 cos 2θ ABMN 3 cos 2θ I (163) pero E x = E R cos θ − E θ sen θ E y = E R sen θ − E θ cos θ de donde. y si ello es factible. ρx y ρy pueden expresarse en función de la resistividad ρS obtenida con un dispositivo Schlumberger. 93 . Trabajo de campo Valen para los sondeos dipolares las mismas observaciones realizadas para el método SEV. se busca que tales puntos se movilicen lo menos posible. En atención a reducir en lo posible las resistencias de contacto en AB. se llega a: ρ x = ρS − R cos 2 θ δρ S 3 cos 2 θ − 1 δR ρ y = ρS − R δρ S 3 δR (164) En el caso general de un ángulo γ cualquiera y según la Ec 147 será: 2πR 3 ργ = (2 cos γ.ρ R + sen θ sen γ. que ni siquiera cambien de posición mientras dura toda la operación. debiendo tenerse presente además que los SD.. ρθ. Ello implica que los SDR.

∆V decrece con θ: es máximo para θ = 0. Características prácticas del SD❘ ❘ La forma de la curva depende de θ. Entre tales valores de θ su resolución es máxima. Cuando hay homogeneidad lateral sus curvas son iguales a las de los SEV. Mayores valores de ∆V sobre cortes H y mayor precisión para obtener S (y calcular la resistividad longitudinal. y nulo para θ = π/2 (en terreno lateralmente homogéneo). Es menos sensible a las heterogeneidades laterales que los demás tipos de SD. Cuando θ = 0 se tiene el dispositivo dipolar axil. Adecuado para determinar sustratos resistivos. Permite obtener directamente el buzamiento de sustratos resistivos si éste es menor que 12º. mayor poder resolvente pero menor penetración (comparable con la del SEV). ∆V crece con θ: es máximo para θ = π/2 y nulo para θ = 0 (en terreno lateralmente homogéneo). ∆V es máximo para θ = π/2 y θ = 0 y mínimo para valores entre 40º y 60º (en medio homogéneo se anula para θ = 54º44´08"). Cuando θ = 0 se tiene el dispositivo dipolar axil. Cuando θ = π/2 se tiene el dispositivo dipolar ecuatorial. pero al mismo tiempo es más sensible a las heterogeneidades superficiales. Características prácticas del SD⊥ De mayor poder resolvente que el SDE. ρl) sobre sustratos resistivos. Se presta para sondeos curvos.MÉTODOS ELÉCTRICOS DE PROSPECCIÓN SONDEOS DIPOLARES Características comparativas entre los distintos dispositivos Características prácticas del SDR Es el de más fácil ejecución (MN se mueve sobre una recta). 94 . No padece de efectos inductivos entre ambos dipolos. Cuando θ = π/2 se tiene el dispositivo dipolar ecuatorial. Características prácticas del SDA De penetración doble que la del SEV.