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Diodes lectroluminescentes
pour lclairage
par
Georges ZISSIS
Des diodes lectroluminescentes de plus en plus puissantes sont commercialises. Elles peuvent ainsi thoriquement remplacer les lampes incandescence pour lclairage. Mais il convient au pralable de dterminer la place
des LED dans le contexte conomique et nergtique de lclairage.
1. Contexte conomique et
nergtique de lclairage
De plus en plus prsent dans nos activits, lclairage
reprsente
un
march
considrable.
Aujourdhui, on estime 30 milliards le nombre de
lampes lectriques, tous types confondus, qui fonctionnent sur Terre. Ces lampes consomment plus de
2 000 TWh dnergie lectrique par an. Cette quantit reprsente approximativement un peu plus dun
dixime de la production globale dlectricit de notre
plante. Si dans un pays industrialis comme la
France, on utilise en moyenne 10 15 % de la production lectrique annuelle pour lclairage (plus de
20 % aux tats-Unis), dans un pays en voie de dveloppement cette proportion augmente rapidement
(37 % pour la Tunisie, 89 % pour la Tanzanie). Cet
important cart est essentiellement li au fait que,
dans un pays en voie de dveloppement, lclairage
est une ncessit premire. Mais il est galement li
lutilisation des lampes bon march (lampes
incandescence) ayant une moindre efficacit.
La production de lnergie lectrique pour satisfaire
les besoins en clairage de lhomme entrane, invitablement une pollution de lenvironnement. Ainsi,
on estime que chaque anne quelque mille millions
de tonnes de CO2 accompagnent cette production
dnergie, contribuant ainsi leffet de serre. Notons
que, selon lOCDE, les besoins de lhumanit en
lumire se verront multiplis par 2 ou 3 dici 2020.
Un premier dfi consiste donc augmenter lefficacit lumineuse des sources de lumire. Cette
augmentation, ne fut-ce que de quelques pour-cent,
constituerait un progrs important. Ainsi, 2 %
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Aperu historique
Le carborundum est
un cristal de carbure de
silicium (SiC).
OCDE : Organisation de
coopration et de dveloppement conomiques
LED : light-emitting
diode
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INNOVATION
200
150
100
Fluorescent
50
LED : rvolutionnaire
LED : volutionnaire
Halogne
0
1970
Classique
1980
1990
2000
2010
2020
Annes
Concevoir et produire en srie de nouvelles sources de lumire plus efficaces semble tre une solution durable. Cependant, malgr tous les progrs de
la science et de la technologie dans le domaine des
sources de lumire classiques (ampoules incandescence et lampes dcharge lectrique), lefficacit
maximale de ces systmes stagne, depuis les annes
1970, autour de 100 110 lm/W (figure 1).
La technologie LED peut srement faire avancer les
choses dans la bonne direction. La question est
comment.
Un champ de charge
espace est un champ
lectrique cr lintrieur dune accumulation
de
charges
lectriques,
souvent
dcrit
comme
un
nuage , lectriquement neutre dun point
de vue macroscopique.
Dans ce cas, les LED seraient susceptibles de remplacer les lampes fluorescentes et pourraient reprsenter plus de 50 % de parts du march des sources
de lumire dici 2025 2030. Lconomie dnergie
escompte serait de lordre de 1 000 TWh/an
IN 18 - 2
Techniques de lIngnieur
Ds lors, le dveloppement des diodes lectroluminescentes devient vital, non seulement, pour conomiser de lnergie, mais aussi pour revigorer la
croissance de lindustrie du semi-conducteur, freine
ces dernires annes par le secteur des tlcommunications.
Mais quel est le principe de fonctionnement des
diodes lectroluminescentes ? La rponse cette
question est essentielle pour la comprhension des
avantages et des dfauts des LED actuelles.
2. Principe de fonctionnement
et efficacit
Llment de base de toute diode lectroluminescente est un semi-conducteur ayant deux rgions
de conductivit diffrente (de type p et n) et une
rgion de recombinaison radiative des porteurs n
(lectrons) et p (trous). Dans son expression la plus
simple, le design dune LED se rduit la jonction
dun semi-conducteur dop de type p avec le mme
semi-conducteur dop n. Il sagit dune diode lectroluminescente dite homojonction. Les LED classiques
utilisent encore aujourdhui cette structure mais,
comme nous le verrons plus loin ( 2.2), les nouvelles diodes de forte intensit utilisent des jonctions
bien plus complexes.
INNOVATION
eVD eV
Type p
eVD
WD
EC EF
EF EV
EC
EF
EC
EFn
eV
EFp
Type n
EV
EV
Type p
Ln
EC
WD
EC
h
EF
Lp
Type n
EF
h
EV
EV
a l'quilibre
EC , EV!
:! nergies de la bande de conduction et de valence
EF , EFn , EFp! :! nergie de Fermi l'quilibre et pendant la polarisation dans les zones n et p
!!
du semi-conducteur
Lp , Ln!
!!
:! longueur de pntration des porteurs dans les zones opposes sous l'effet de
la polarisation directe
p , n!
h!
Figure 2 tat de la jonction et distribution des porteurs dune diode lectroluminescente homojonction
In + Ip
inj = ---------------I
(1)
Pour des raisons technologiques, le centre luminescent est limit une seule zone (typiquement la
zone p), ainsi linjection dans lautre zone est limite
(Ip << In). Cela se ralise en imposant un profil de
dopage. Dans cette configuration, lefficacit dinjection, inj In/I, prend des valeurs entre 0,3 et 0,8.
Pour faire mieux, il faut augmenter le niveau de
dopage (ND) du semi-conducteur.
Cependant, la technologie dhomojonction atteint
vite ses limites, car en augmentant le niveau de
dopage pour amliorer lefficacit dinjection, on
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augmente simultanment les impurets qui constituent leur tour des centres additionnels de recombinaison non radiative. Par ailleurs, nous verrons plus
loin ( 3) que, dans une diode, les photons gnrs
par le centre luminescent peuvent tre rabsorbs
dans la zone de conduction. Ce pigeage du rayonnement augmente rapidement avec le niveau du
dopage. Obtenir des diodes produisant plusieurs centaines de lumens ncessite la mise en place dune
autre technologie, celle dhtrojonction.
IN 18 - 3
INNOVATION
Dme en poxy
EC
p
Eg2
c
EV
Eg1
a simple
EC
Substrat absorbant
EC
p
p
Eg1
Eg1
Eg2
EV
EV
Semi-conducteur
b double
Figure 3 Schma nergtique dhtrostructures
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Techniques de lIngnieur
Zone active
avec
(2)
ext
INNOVATION
b
c
jonction sous forme de pyramide tronque, 2000, efficacit de LJ multiplie par 1,5
50
T = 298 K
40
Meilleure LED
du laboratoire
30
Meilleure LED
produite en srie
20
10
0
450
470
490
510
530
550
570
590
610
630
650
Longueur d'onde (nm)
Aujourd'hui, les LED peuvent produire presque toutes les couleurs. Cependant, l'efficacit n'est pas la mme
pour chacune de ces diodes. Par ailleurs, une relle disparit existe entre les performances des LED du
laboratoire et celles des composants produits en srie.
Figure 6 Efficacit de conversion en fonction de la longueur donde dmission
est ensuite plac dans une bote (dme) transparente en poxy. Si lindice de rfraction moyen du
semi-conducteur est ns et celui du dme en poxy ne,
la loi de Snell donne directement langle critique
dchappement de la lumire par la structure :
c ( n e ,n s ) = arcsin n
-----e-
ns
(3)
fallait tout prix augmenter cette efficacit dextraction. Une solution consiste augmenter le nombre de
cnes dchappement ou optimiser la gomtrie de
la diode.
La figure 5 montre quelques tapes dans la qute
de la diode avec une efficacit dextraction parfaite.
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INNOVATION
h2k 2
E = EC +
2m*
e
nergie
EC
Eg
EV
h2
h1
E = EV +
h2k 2
(2m*
t)
Vecteur d'onde k
FWMH : full width at
middle height, largeur
mi-hauteur
Figure 7 Structure nergtique dun semiconducteur gap direct dans lespace des phases
(4)
Intensit lumineuse
E
kB T
c
max = ------g + ---------- = ------------h
2h
max
Densit de niveaux
(E Eg)1/2
Eg
Eg + kBT/2
nergie
(5)
40
T = 300 K
GalnN
20
AlGalnP/GaAs
10
8
6
GalnN
AlGaAs/AlGaAs
AlGaAs/GaAs
GaPiN/GaP
2
1
0,8
0,6
GaAsPiN/GaP
GaP/GaP
0,4
0,2
460
480
500
520
540
560
580
600
620
640
660
680
Longueur d'onde d'mission (nm)
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Techniques de lIngnieur
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INNOVATION
Arriver une efficacit de 200 lm/W pour la production de la lumire blanche avec cette technologie
couple des luminophores existants ncessiterait
une diode avec une efficacit totale de conversion de
60 %. Aujourdhui, la meilleure efficacit rapporte
est de 45 % une longueur donde de 610 nm.
La deuxime mthode (figure 10b) consiste utiliser une diode produisant une longueur donde
courte (dans lultraviolet proche ou dans le violet)
couple un ou plusieurs luminophores qui transforment la lumire UV en visible.
Nota : les photons ultraviolets sont absorbs et rmis dans le visible. De tels luminophores prsentent une efficacit quantique proche
de 1.
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INNOVATION
Signaltique
10 000
clairage
Applications
flux fort
1 000
Applications
flux moyen
(2002)
clairage
gnral
clairage
spcialis
Automobile (1990)
10
crans TV extrieurs (1990)
1
crans extrieurs (1980)
0,1
Indicateurs (1970)
0,01
Rouge
Jaune
Vert
Bleu
Blanc
Couleur
Figure 12 Domaines dapplication des diodes lectroluminescentes en fonction de leur flux lumineux
et de leur couleur
Cette mthode prsente plusieurs avantages : viter lutilisation des luminophores, avoir un bon
contrle de la qualit de la lumire (indice de rendu
de couleur, temprature de couleur de la source).
Cependant, cette technologie a un dfaut majeur :
il faut contrler individuellement chaque diode
lmentaire parmi plusieurs dizaines, voire dans certains cas des centaines, de LED qui constituent la
source composite. Il faut aussi prendre en compte le
fait que les diodes de chaque couleur lmentaire
ncessitent une tension dalimentation diffrente.
Une consquence directe de ces dfauts est laugmentation du prix de la source de lumire. Enfin,
compare une lampe classique de mme flux lumineux, la surface de la source composite est
considrable.
Appliquer cette solution pour atteindre lobjectif de
200 lm/W implique lutilisation de diodes lectroluminescentes avec une efficacit de 50 % pour toutes
les couleurs... Dans ces conditions, il nous semble
bien difficile de prvoir si des sources blanches
composites seront un jour comptitives.
4. Applications actuelles
et futures
Aujourdhui, les diodes lectroluminescentes peinent dmontrer leur efficacit dans le domaine de
lclairage gnral. Toutefois, elles ont fait leurs
preuves dans la signaltique et commencent pntrer le march de lclairage spcialis. La figure 12
rsume les domaines dapplication des LED en fonc-
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Techniques de lIngnieur
INNOVATION
5. Perspectives
Figure 13 cran de tlvision extrieur de Nasdaq
Times Square (New York)
OIDA
http://www.oida.org
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INNOVATION
IN 18 - 10
INNOVATION
100
Jaune
AllnGaP/GaP
(rouge, jaune)
20
10
AlGaAs/AlGaAs
(rouge)
AllnGaP/GaAs
(rouge, jaune)
lnGaN
(vert)
2
1
Premire ampoule de
Thomas Edison
Lampe incandescence
filtre verte
GaAsP:N
AlGaAs/GaAs
(rouge)
lnGaN
(bleu)
GaP:Zn, O (rouge)
0,2
1960
SiC
(bleu)
GaAs0,6P0,4 (rouge)
1970
1975
1980
1985
1990
1995
2000
Annes
Les
quantum-splitting phosphors sont
des luminophores capables de produire deux,
voire trois, photons
visibles pour un photon
ultraviolet absorb.
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INNOVATION
Ouvrage
120
ZUKAUSKAS (A.), SHUR (M.S.) et GASKA (R.). Introduction to Solid State Lighting. John Wiley & Sons (2002).
100
80
Articles
60
RUPPRECHT (H.), WOODALL (J.M.) et PETIT (G.D.). Efficient visible electroluminescence at 300 K from GaAlAs pn junctions grown by liquid-phase epitaxy. Appl. Phys.
Lett., 11, pp. 81-83 (1967).
40
20
0
0
2 000
4 000
6 000
8 000
Temps (h)
KUO (C.P.), FLETCHER (R.M.), OSENTOWSKI (T.D.), LARDIZABAL (M.C.), CRAFORD (M.G.) et ROBBINS (V.M.).
High performance AlInGaP visible light-emitting diodes.
Appl. Phys. Lett., 57, pp. 2937-2939 (1990).
Bibliographie
Rfrences
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Conf. Nitride Semiconductors, Denver, CO (juill. 2001).
MARTIN (P.S.) et coll. High Power White LED Technology
for Solid State Lighting. Proc. SPIE, San Diego, CA (juill.
2001).
CHUI (H.), GARDNER (N.F.), GRILLOT (P.N.), HUANG (J.W.),
KRAMES (M.R.) et MARANOWSKI (S.A.). High efficiency AlInGaP light-emitting diodes . Dans Semiconductors and Semimetals, Stringfellow (G.B.) et Craford
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MUTHU (S.), SCHUURMANS (F.J.P.) et PASHLEY (M.D.).
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MUELLER-MACH (R.), MUELLER (G.O.), KRAMES (M.R.) et
TROTTIER (T.). High-Power Phosphor-Converted LightEmitting Diodes Based on III-Nitrides. IEEE J. Select.
Topics Quantum Electron., 8, pp. 339-345 (mars-avril
2002).
[1]
[2]
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[3]
Site Internet
Lumileds Corporate
http://www.lumileds.com
[4]
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Techniques de lIngnieur
5 - 2004