MARCO TEORICO

El diodo de potencia
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no
pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único
procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces
de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben
ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de
fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:
VRRM: tensión inversa máxima
VD: tensión de codo.
A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales
podemos agrupar de la siguiente forma:

Características estáticas:
o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
Potencias:

o
o
o
o


Potencia máxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
Características térmicas.
Protección contra sobreintensidades.

Características estáticas

Parámetros en bloqueo




Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo
de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola
vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo
puede destruirse o degradar las características del mismo.
Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo.

Parámetros en conducción


Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con
una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente
25º).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable,
una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el
estado de conducción.

Modelos estáticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en
la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos
escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más
complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser
proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del
programa.
Volver

Características dinámicas

Tiempo de recuperación inverso El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. o o o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. . Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF. tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt. resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento. trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste. en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo : De donde : Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: o o Para ta = tb trr = 2ta Para ta = trr tb = 0 En el primer caso obtenemos: Y en el segundo caso: Volver Influencia del trr en la conmutación . y representa el área negativa de la característica de recuperación inversa del diodo. Irr: es el pico negativo de la intensidad.o o o Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada. di/dt: es el pico negativo de la intensidad.

Volver Disipación de potencia Potencia máxima disipable (Pmáx) Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar. pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento. Para altas frecuencias. por tanto. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad almacenada. Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de potencia apreciables. Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa. llamada ésta potencia de trabajo. y por tanto mayor será trr. debemos usar diodos de recuperación rápida.Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable : o o Se limita la frecuencia de funcionamiento. . Volver Tiempo de recuperación directo tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF. Factores de los que depende trr : o o A mayor IRRM menor trr.

resulta : y como : es la intensidad media nominal es la intensidad eficaz al cuadrado Nos queda finalmente : Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).Volver Potencia media disipada (PAV) Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conducción. Volver Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) . como : Si incluimos en esta expresión el modelo estático. si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

etc). que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores. Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora).Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. En ocasiones. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula: Rjc = (Tjmáx . uno mínimo y otro máximo. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.Tc) / Pmáx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable. Volver Características térmicas Temperatura de la unión (Tjmáx) Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. Volver . Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM) Similar a la anterior. en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante. Volver Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. pero dada para un pulso único.

pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores. Organos de protección Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles. pasando de forma casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica). del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los casos. actúan por la fusión del metal de que están compuestos y tienen sus caracterísitcas indicadas en función de la potencia que pueden manejar. Los fusibles. que es incapaz de evacuar las calorias generadas. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo. carga de condesadores. etc.Protección contra sobreintensidades Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es. naturalmente. De todos modos. Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión. por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente. . ya que así será el fusible el que se destruya y no el diodo. el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. utilización en régimen de soldadura. como su nombre indica. sino incluso con su I2t y su tensión. debido a cualquier causa. Volver Parámetro I2t La I2t de un fusible es la caracterísitca de fusión del cartucho. la presencia de un cortocircuito en la carga.

se utilizan unos dispositivos llamados rectificadores. sabremos que en cada ciclo de funcionamiento se habrá producido una semionda positiva y otra negativa. Imagen 9: Onda senoidal completa. nos bastaría con colocar un diodo en serie con nuestra fuente alterna. la producción y transporte de la corriente eléctrica. RECTIFICADOR MONOFASICO DE MEDIA ONDA Si recordamos el funcionamiento de un generador. sin embargo. Fuente: Elaboración propia. Para conseguir que una corriente alterna se convierta en continua. tal como indica la imagen 9. . Básicamente existen dos tipos de rectificadores: de media onda y de onda completa. es de tipo alterna por cuestiones de eficiencia energética.Rectificadores monofásicos Es sabido que. Si quisiéramos que a una carga se le aplicara solamente la parte positiva de la corriente. la corriente va tomando valores positivos y negativos a intervalos regulares. es decir. existen innumerables dispositivos o sistemas electrónicos que necesitan ser alimentados con un valor de tensión uniforme y continua. tal y como muestra la imagen 10.

Imagen 10: Onda senoidal rectificada. Recuerda que las ondas senoidales se representan por la función seno: Y que teníamos los valores medio (Xm) y eficaz (X) en función del valor máximo am . es decir. y en ese caso habremos conseguido una corriente pulsante tal y como se indicó en la imagen 10. Imagen 11: Rectificador de media onda. Fuente: Elaboración propia. Lo indicado más arriba queda mucho más claro con el esquema de la imagen 11. cuando al ánodo del diodo se le aplique una polaridad positiva. Cuando el generador alterno comience a producir la onda senoidal. por lo que la carga no será alimentada. el diodo sólo permitirá que pase corriente a la carga R mientras éste sea polarizado directamente. Fuente: Elaboración propia. Durante el semiperiodo negativo el diodo no conducirá.

casi despreciable. pueden despreciarse. en rigor. Fuente: Elaboración propia. independientemente de la resistencia de la carga. Imagen 13: Gráfica de un diodo real ampliada. para que un diodo conduzca en polarización directa. que aplicados al presente caso nos dará: Como observarás. Partimos de la premisa de que un diodo es. Puesto que. pues la resistencia del diodo suele ser muy pequeña frente a la de la carga y la tensión de base igualmente suele ser insignificante frente a la tensión de pico de la onda senoidal. Imagen 12: Gráfica de un diodo ideal. Todas estas consideraciones. Esto.7 V.7 V. existe una corriente inversa que permanece constante durante el semiperiodo negativo. Así mismo. En el tema de Ondas senoidales hablamos de los valores medios y eficaces de una onda. que atraviesa el diodo.Antes de continuar hablando de los rectificadores. a pesar de ser interesantes. pues cerca del origen de coordenadas en un diagrama V-I el diodo no muestra esa linealidad de la que antes hablábamos y en polarización inversa hay una pequeña corriente. Fuente: Elaboración propia. teóricamente. dividimos por dos el valor medio porque sólo estamos rectificando media onda. un elemento lineal y que su resistencia en polarización inversa es infinita. tal y como refleja la gráfica real. no es exacto. De igual manera podemos escribir los valores medios para la tensión: . se necesitan en torno a 0. esa tensión deberá ser restada a la carga y además el tiempo de alimentación de la carga será inferior al de un semiperiodo. pues debe alcanzarse la tensión de base de 0. puede ser interesante analizar con detalle el funcionamiento de un diodo.

con el rectificador anterior (media onda) la tensión de alimentación valdrá 0 V durante la mitad del tiempo. en el que se rectifique por un lado el semiperiodo positivo y por otro el semiperiodo negativo. Para solucionar este problema podemos disponer de un puente de diodos.Del mismo modo. Para entender su funcionamiento. Fuente: Elaboración propia. consideremos en primer lugar que se está produciendo el semiperiodo positivo. podemos calcular los valores eficaces. siempre que se presente el semiperiodo negativo. es decir. en ese caso. de forma que la carga siempre esté alimentada. La imagen inferior te muestra el circuito rectificador: Imagen 14: Puente rectificador. recordando las expresiones: Que al sustituirlas en los valores rectificados nos quedará: Rectificador monofásico de onda completa Como habrás observado. el flujo de corriente será el que muestra el sentido de las flechas: . Pulsa sobre la imagen para ampliarla.

Ten en cuenta que la distribución de los diodos en el esquema no es idéntica. pero el funcionamiento del circuito es exactamente igual. tal vez te ayude el siguiente vídeo. . Pulsa sobre la imagen para ampliarla.Imagen 15: Semiciclo positivo en puente rectificador. Si las flechas estáticas de las imágenes anteriores no te sirven para aclararte. Fuente: Elaboración propia. para comprobar que. sólo basta con comprobar el conexionado de las bobinas secundarias a los diodos y el conexionado de éstos a la resistencia. Esto significa que la tensión aplicada sobre la resistencia será como la indicada en la imagen: Imagen 17: Gráfica de rectificación de onda completa. Fuente: Elaboración propia. Pulsa sobre la imagen para ampliarla. Si ahora consideramos el semiperiodo negativo. independientemente de que sea el semiperiodo positivo o negativo el que se produce en la secuencia de funcionamiento. es el mismo circuito. Habrás observado que la carga siempre recibe positivo por el mismo sitio. tendremos: Imagen 16: Semiciclo negativo en puente rectificador. en efecto. Fuente: Elaboración propia.

La imagen aclara su constitución: Imagen 18: Rectificador de onda completa en transformador con toma intermedia.De forma similar a lo que ocurría con el rectificador de media onda. Fuente: Elaboración propia. se utiliza un transformador con toma intermedia. los valores de tensión y de intensidad que obtendremos serán: Y en función de los valores eficaces: En este caso ya no dividimos los valores de Im y Vm por dos. Existe una variante del rectificador de onda completa que puede conseguirse con la mitad de diodos. . en ese caso. ya que rectificamos la onda completa. Pulsa sobre la imagen para ampliarla.

pues la toma intermedia dificulta la construcción y los diodos. con corrientes elevadas el valor del condensador en paralelo con la carga seria enorme y debería conducir una gran corriente de ondulación. aunque en el circuito trifásico de onda completa pueda emplearse la conexión en triángulo. mientras que cuando se produce la semionda negativa es el diodo D2 el que se vuelve conductor. al igual que ocurría con el rectificador anterior. hexafásico de media onda y trifásico en doble. cuando se polarizan de forma inversa. hecho éste que debe ser tenido en cuenta para evitar el deterioro de los diodos. CIRCUITOS RECTIFICADORES POLIFASICOS Existen varias ventajas en el empleo de sistemas rectificadores polifásicos para la conversión de potencias elevadas:  Mayor tensión de salida para la misma tensión de entrada  Frecuencia fundamental de ondulación más elevada y menor tensión de ondulación con lo cual se reduce o elimina la necesidad de filtro  Mayor rendimiento de conversión.estrella. que se describe más adelante). Con la potencia que generalmente se exige a un circuito rectificador trifásico. las pérdidas introducidas por un filtro serían demasiado elevadas. En los circuitos que se describirán. Este montaje. En ambos casos. es en el mismo sentido. trifásico de onda completa. a través de los diodos respectivos D1 y D2. la corriente por la carga´. Cuando se reduzca el consumo necesario. se ven sometidos a una tensión doble que cuando lo son de forma directa. en apariencia más ventajoso por disponer de menos diodos. Cuando se produce la onda positiva. En los circuitos trifásicos los devanados primarios del transformador suelen conectarse en triángulo (salvo en el caso del circuito trifásico en doble estrella sin bobina de compensación. sin embargo. se podrá utilizar un filtro con entrada inductiva. mientras que la otra salida será la formada por la unión de cada extremo. el diodo D1 será conductor.La toma intermedia en el arrollamiento secundario es una de las salidas de alimentación. es en realidad menos utilizado. el secundario está siempre conectado en estrella. A continuación se estudiarán los circuitos rectificadores trifásico de media onda. . con objeto de suprimir los armónicos.

Este conducirá durante los 120º' siguientes. es la más positiva. y luego la corriente se transferirá al diodo D3. Supongamos que la tensión de la fase R. para s.t = /6 . El diodo D1 seguirá conduciendo hasta que la tensión de la fase Y sea más positiva que la de la fase R.t = /6. En este caso el diodo D1 conducirá si s.1) . y la corriente circulará por la carga y retornará al transformador a través del punto neutro. Su funcionamiento se comprende mejor analizando las formas de onda teóricas que muestra la figura 2. De ese modo cada diodo conduce sucesivamente durante 120º La frecuencia de ondulación es tres veces mayor que la de la red. En un rectificador de media onda. la corriente media del diodo por fase es: IFAV = Io / n (1. Entonces la corriente se transferirá del diodo D1 al diodo D2. el cual a su vez conducirá durante otros 120º. El devanado secundario está conectado en estrella y el punto central se usa como terminal común de la carga.Rectilicador trifásico de media onda El circuito trifásico de media onda (trifásico en estrella) se muestra en la figura 1.

No obstante. En el circuito trifásico de media onda el ángulo de conducción de los diodos vale 120º. puesto que ambos montajes son . Es uno de los más utilizados para la conversión de potencias elevadas mediante diodos semiconductores. La corriente eficaz que circula por el diodo vale: (1-2) en donde Iorms indica la corriente eficaz de salida. o en triángulo. IF rms = (1 / 3) Io rms El rendimiento de conversión de este circuito es elevado si lo comparamos con el de los circuitos monofásico. 3). el factor de utilización del transformador es bajo en comparación con el de un circuito trifásico de onda completa. mientras que la tensión de ondulación se reduce a algo más de un tercio de la obtenida con circuitos monofásicos de onda completa. el circuito que nos ocupa se utiliza únicamente cuando se debe realizar la conversión de bajas tensiones.en donde lo es la corriente continua de salida y n el número de fases. Rectilicador trifásico de onda completa En la figura 3 se muestra el circuito trifásico de onda completa. el devanado secundario del transformador puede conectarse en estrella (fig. IFAV = Io / 3 . En el circuito trifásico de onda completa.

IF rms = (1 / 3) Io rms Consideremos ahora el circuito junto con las formas de onda que muestra la figura 4. para obtener unos valores determinados de corriente y tensión continuas. la fase Y es la más negativa y la corriente retornará a través del diodo D5.a. Cada diodo conduce durante 120º por ciclo y la corriente se conmuta cada 60º. según que la fase más negativa sea la Y o la B. la fase B será la más negativa y la corriente de retorno circulará por D6. La tensión de ondulación es pequeña y su frecuencia es seis veces la frecuencia de la red. Si la fase R es la más positiva. por tanto. Cuand o s. Las fórmulas para las corrientes media y eficaz de cada diodo son idénticas a las del circuito trifásico de media onda. Los siguientes datos son comunes siempre que las tensiones de los secundarios sean idénticas: la tensión entre las fases del transformador conectado en triángulo debe ser 3 veces la del secundario conectado en estrella. requiere menor potencia de c.t = /6. respectivamente.t = /6. Cuando s. Este circuito presenta el mayor factor de utilización del transformador y. Con s.t = /6 La corriente circula a través de D1 hacia la carga y retorna al transformador a través del diodo D5 o D6. .t = 5/6 la fase Y se hace más positiva y la corriente se transfiere del diodo D1 al D2.idénticos en lo esencial. el diodo D1 empezará a conducir cuando s. es decir: IFAV = Io / 3 .

siempre que se necesite una conversión de gran potencia con rendimiento elevado. Si se conecta el punto central de la estrella al terminal común. aparatos electrolíticos (salvo los que funcionan con tensiones muy bajas) y. también conocido como circuito hexafásico en estrella. Las formas de onda de este circuito se muestran en la figura 6. se obtiene una alimentación hexafásica. Cada diodo conduce durante 60º y la frecuencia de ondulación es seis veces la frecuencia de la red. IFAV = Io / 6 . fuentes de alimentación industriales.Este circuito se emplea para la carga de baterías de alta tensión. Rectificador hexafásico de media onda En la figura 5 se muestra el circuito rectificador hexafásico de media onda. IF rms = (1 / 6) Io rms . en general.

es el que tiene el menor factor de utilización del secundario del transformador de entre todos los circuitos rectificadores trifásicos. De esta manera se obtienen dos sistemas rectificadores trifásicos completos conectados en paralelo y mutuamente desfasados. unidos entre sí mediante una bobina de compensación. debido al bajo factor de utilización del secundario del transformador. por tanto. pueden montarse en un mismo radiador.. Por lo general se utiliza solamente para conversión de potencias reducidas. El rendimiento de conversión es elevado e igual al del circuito trifásico de onda completa. Rectificador trifásico en doble estrella El transformador para rectificador que se alimente de la red puede tener dos secundarios trifásicos independientes. No obstante. La bobina de compensación evita que un diodo conductor en un secundario bloquee a otro diodo en el otro secundario. La principal ventaja de este circuito consiste en que todos los diodos se hallan conectados a un terminal común y.Este sistema tiene mayor rendimiento de conversión que el circuito trifásico de media onda. .

para suministrar una salida hexafásica. Dichos puntos se hallan unidos por una bobina de compensación con derivación central. Las tensiones en los centros de las estrellas están desfasadas entre sí 180º. el ángulo de conducción de los diodos se aproxima a 120º. IFAV = Io / 6 IF rms = (½3) Io rms . . Un conjunto de tensiones trifásicas está desfasado 60º respecto del otro.La bobina de compensación actúa como divisor inductivo equilibrando las diferencias en los valores instantáneos de las tensiones de salida. No obstante. La figura 7 representa el circuito trifásico de media onda en doble estrella. respectivamente: IFAV = Io / 6 . IF rms = (½3) Io rms En la figura 7 se representa el circuito trifásico en doble estrella con bobina de compensación. Tiene dos secundarios conectados en estrella. debido a la presencia de la bobina de compensación. Este método puede aplicarse tanto en circuitos rectificadores de media onda como en los de onda completa. Las corrientes media y eficaz que circulan por cada diodo son.

En cualquier instante, la
corriente circula por dos
fases, una de cada
estrella, según muestra la
figura 8. La corriente de
retorno se divide entre los
dos secundarios con
ayuda de la bobina de
compensación. Por tanto,
el valor instantáneo de la
tensión de salida es el
promedio de los valores
instantáneos de las
tensiones de los
secundarios que en aquel
momento están
conduciendo. Una
variación de c.c. produce
una fem del tercer
armónico en un ánodo y
se resta de la del otro, con
lo que ambos se
mantienen a una tensión
común.
Para valores bajos de la c.c. se alcanza un punto de transición cuando la
corriente es demasiado pequeña para producir la fem del tercer armónico y el
circuito pasa a funcionar en forma de hexafásico de media onda, con lo que se
produce un repentino aumento de la tensión de salida.
Este circuito presenta una ondulación hexafásica, pero una relación de
tensiones trifásica. Con él se reduce la corriente secundaria de cada fase
aproximadamente a la mitad de la que corresponde a un circuito hexafásico de
media onda; por tanto, pueden utilizarse diodos con menores valores límite de
corriente de pico, aunque los valores de la tensión inversa de pico deben ser algo
mayores.
Este montaje se suele emplear cuando el coste de la bobina de compensación
se amortiza con la economía obtenida empleando diodos con valores límite de
corrientes relativamente bajos. Se utiliza a menudo para los baños electrolíticos
(baja tensión y gran corriente). El factor de utilización del primario y el del
secundario son elevados; sin embargo, este último factor es 2 veces menor que
el del circuito trifásico en puente.
La frecuencia será el triple de la de red.

Pérdidas
En las grandes instalaciones alimentadas por red trifásica las pérdidas son
importantes, tanto por lo que se refiere al mal aprovechamiento de potencia como
a la caída de tensión (regulación).
Regulación de tensión
La regulación de tensión depende de tres factores principales: pérdidas en el
cobre del transformador, caída de tensión en los diodos y caída de tensión en la
conmutación.
Pérdidas de potencia
Las principales pérdidas de potencia en una instalación se deberán al
transformador (pérdidas en el núcleo y en el cobre) y a los diodos. Las pérdidas
en el transformador se pueden determinar mediante dos pruebas que se describen
a continuación.
Para la prueba en circuito abierto se deja el secundario sin conectar y se miden
la corriente y la potencia de alimentación a tensión y frecuencia nominales. La
corriente I(oc) es la suma de la corriente de imanación y las componentes de
pérdidas en el núcleo. La potencia indicada W(oc) representa las pérdidas en el
cobre y en el núcleo. Las primeras son pequeñas, puesto que I(oc) es pequeña
comparada con la corriente, a plena carga, por lo cual pueden despreciarse.
En la prueba en cortocircuito, se cortocicuita el primario o el secundario y se
aumenta gradualmente la tensión hasta que por el devanado circula la corriente
especificada. Se mide la tensión de cortocircuito Vsc necesaria para que por el
devanado circule la corriente de plena carga. La potencia correspondiente W sc ,
representa las pérdidas en el cobre, I2R, y una pequeña pérdida del núcleo, que
puede despreciarse.
Mediante las pruebas anteriores puede estimarse el funcionamiento de un
transformador del modo siguiente:
Potencia nominal del transformador VAn (voltamp.)
Conexión del transformador

Estralla-triángulo

Tensión nominal del primario VPL (voltios)
Tensión nominal del secundario

VL

Prueba en circuito abierto en el lado en estrella para la tensión nominal VL
Pérdidas en el núcleo = W(oc)
Corriente sin carga = I(oc)
Prueba en cortocircuito en el lado en triángulo con secundario
cortocircuitado
Tensión de cortocircuito Vsc
Pérdidas en el cobre, PK = Wsc vatios a la corriente especificada
Corriente en el primario lPL = Van / 3.VPL
Corriente en el primario, por fase = lPL / 3
Pérdidas en el cobre, por fase = Wsc / 3 vatios

Rendimiento del circuito
% de rendimiento =

salida / (salida + pérdidas) x 100

en donde, las pérdidas son W(oc) + W sc + I0.VFAV x número de diodos en serie.

Comparación de resultados de los circuitos trifásicos
La tabla siguiente incluye los resultados de los circuitos rectificadores trifásicos
generalmente empleados. Los resultados representados en dicha tabla suponen
el empleo de diodos y transformador ideales. Sin embargo, la tabla da una buena
idea del rendimiento de cada circuito y puede utilizarse para comparar los
kilovatios por rectificador que se pueden obtener de cada circuito.
Ello se comprenderá mejor con un ejemplo. Supónganse que se dispone de
diodos con tensión de 400 V y una corriente de 20 A. La tabla compara los
circuitos monofásico y trifásico de onda completa.
De los resultados anteriores se observa que se aprovechan mejor los diodos en
el circuito trifásico en puente.
Monofásico de onda

Trifásico de onda

la tensión aplicada para hacer girar el motor es menor y en consecuencia la velocidad de giro del motor es menor Ver la siguiente fórmula: Vb = Vm – Ia x Ra Donde: Vb: tensión real utilizada hacer girar el motor.8 / 6 = 3. Ra: Resistencia del devanado de excitación (resistencia interna).2 kW 380 x 60 = 22. Cuando la carga de un motor cc aumenta.2 / 4 = 2. El resto de la tensión se utiliza para hacer girar el motor.Comparación de circuitos (Empleando diodos en los ue VRWM = 400V . Ia: corriente que circula por el motor.I0 255 x 40 = 10.8 kW kW de CC por diodo 10. Esta corriente causa una caída de tensión mayor en la resistencia interna del motor (resistencia del devanado excitación) Como la alimentación del motor CC permanece constante. también aumenta la corriente que consume este.55 kW 22. Vm: Tensión aplicada a todo el conjunto motor. En este tipo de motor parte de la tensión aplicada se pierde en la resistencia interna (resistencia del devanado de excitación).05 = 380V Corriente de salida I0 2 x 20 = 40A 3 x 20 = 60A Potencia disponible V0.completa puente completa 4 6 Tensión de salida V0 400/1. IFAV = 20A) Alimentacion de motores de c c En un motor CC.8 kW Número de diodos utilizados TABLA . .57 = 255V 400/1. Ia x Ra: es la tensión que se pierde en la resistencia interna del motor CC. Ver que depende directamente de Ia (corriente de alimentación del motor). la velocidad y la corriente que necesita el motor dependen de la carga que tenga aplicada.

Disipación mucho mayor (como los bipolares). teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y. IGBT. las altas potencias a disipar. El transistor de potencia El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales. Si Vb disminuye entonces la velocidad del motor también. Vb disminuye y como la velocidad de giro del motor es proporcional a Vb. Parámetros MOS Bipolar Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios) Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100) Resistencia ON (saturación) Media / alta Baja Resistencia OFF (corte) Alta Alta Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V) Máxima temperatura de operación Alta (200ºC) Media (150ºC) Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz) Coste Alto Medio El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS. por tanto. . Existen tres tipos de transistores de potencia:    bipolar. unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). más la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:    Trabaja con tensión.Si la corriente Ia aumenta. Tiempos de conmutación bajos.

con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor. Alta potencia. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos. Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares. Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima elevada). que son substancialmente distintas. En resumen. lo más posible. toff). Volver Tiempos de conmutación .Nos interesa que el transistor se parezca. Bajos tiempos de respuesta (ton . el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales. sino que siempre hay un retardo (ton . sin embargo. Volver Principios básicos de funcionamiento La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de control. a un elemento ideal:       Pequeñas fugas.base y base .emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores. En un FET. mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. En ambos casos. Es una característica común. la tensión VGS controla la corriente ID. Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector . es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace instantáneamente. toff). destacamos tres cosas fundamentales:    En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ). para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.

debido a que al aumentar ésta. tf): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final. al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada. cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos. Por tanto. tr): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final. Tiempo de retardo (Delay Time. Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo. td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador. ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable. Tiempo de subida (Rise time. por lo que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor. Tiempo de caída (Fall time. A su vez. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación. Tiempo de almacenamiento (Storage time.Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. también lo hace el número de veces que se produce el paso de un estado a otro. ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor final. se pueden definir las siguientes relaciones : . hasta que la señal de salida alcanza el 10% de su valor final.

Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima a la cual puede conmutar el transistor: Volver Otros parámetros importantes Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. ICAV. Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). Con este valor se determina la máxima disipación de potencia del dispositivo. . corriente media por el colector).Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que el tiempo de encendido (ton).

VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en circuito abierto. drenador y fuente en los FET).base. Relación corriente de salida . Esta región es usada raramente.control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia estática de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).  Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor . .base. Volver Modos de trabajo Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares. Este valor.base y a una polarización inversa de la unión colector . Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser :  Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor . junto con el de corriente máxima. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conducción RDSon en el FET. Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión prácticamente constante. VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto. determina la potencia máxima de disipación en saturación. Esta es la región de operación normal del transistor para amplificación.base y a una polarización directa de la unión colector .

con dicha polarización se crea un campo magnético transversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequeña zona del dispositivo (anillo circular). denominado avalancha primaria. pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC 0).La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarización de la base.emisor en directo. Sin embargo. y . a la corriente de colector y a la VCE. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido. Curvas SOA. Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. En efecto. pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE 0). la unión colector base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo. o la tensión máxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO). Si se sobrepasa la máxima tensión permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO). puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los límites anteriores debido a la aparición de puntos calientes (focalización de la intensidad de base). que se produce cuando tenemos polarizada la unión base . Volver Avalancha secundaria.  Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo apagado.

por lo que la avalancha puede producirse con niveles más bajos de energía. con efectos catastróficos en la mayor parte de los casos. Para ello el fabricante suministra unas curvas límites en la zona activa con los tiempos límites de trabajo. El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Protecciones.alcanzando cierto valor. A este fenómeno. Durante el toff. . se produce en los puntos calientes un fenómeno degenerativo con el consiguiente aumento de las pérdidas y de la temperatura. Volver Efecto producido por carga inductiva. conocidas como curvas FBSOA. en un área más pequeña que en polarización directa. Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente pulsante. Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o también segunda ruptura).emisor se produce la focalización de la corriente en el centro de la pastilla de Si. con polarización inversa de la unión base . El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvían la curva de la situación prevista (ver gráfica anterior). Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo más desfavorables dentro de la zona activa. Los límites de IC y VCE durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante. cada una de las cuales es para un ciclo concreto.

y de saturación a corte desde C a A. Para una carga resistiva. Para proteger al transistor y evitar su degradación se utilizan en la práctica varios circuitos. Sin embargo. el transistor pasará de corte a saturación.En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturación. . mientras que el paso a corte lo hace por el tramo CDA. Para una carga resistiva. con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc). b) Diodo en antiparalelo con la carga RL. Puede verse que este último paso lo hace después de una profunda incursión en la zona activa que podría fácilmente sobrepasar el límite de avalancha secundaria. con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturación recorriendo la curva ABC. el transistor pasará de corte a saturación por la recta que va desde A hasta C. que se muestran a continuación : a) Diodo Zéner en paralelo con el transistor (la tensión nominal zéner ha de ser superior a la tensión de la fuente Vcc).

el paso de saturación (punto A) a corte (punto B) se produce de forma más directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc. El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta. que la energía almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la intensidad de colector se anule. el cual tiende a cargarse a una tensión Vcc. Por tanto : de donde : Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo. al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y por el condensador CS. Diseñando adecuadamente la red RC se consigue que la tensión en el transistor durante la conmutación sea inferior a la de la fuente. donde vemos que con esta red. por lo que la constante de tiempo de RS y CS ha de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en saturación el transistor : . proporcionando a través de los diodos un camino para la circulación de la intensidad inductiva de la carga. Para el cálculo de CS podemos suponer.c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber). despreciando las pérdidas. Cuando el transistor pasa a saturación el condensador se descarga a través de RS. Las dos primeras limitan la tensión en el transistor durante el paso de saturación a corte. En la tercera protección. alejándose su funcionamiento de los límites por disipación y por avalancha secundaria.

Volver Cálculo de potencias disipadas en conmutación con carga resistiva La gráfica superior muestra las señales idealizadas de los tiempos de conmutación (ton y toff) para el caso de una carga resistiva. Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo de subida (tr) de la corriente de colector.emisor viene dada como : . En estas condiciones (0 t tr) tendremos : donde IC más vale : También tenemos que la tensión colector .

Así. tendremos que : Nosotros asumiremos que la VCE en saturación es despreciable en comparación con Vcc. con el resultado: De forma similar.Sustituyendo. tras sustituir. disipada en el transistor durante el tiempo de subida está dada por la integral de la potencia durante el intervalo del tiempo de caída. la energía (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de caída. viene dado como: La potencia media resultante dependerá de la frecuencia con que se efectúe la conmutación: Un último paso es considerar tr despreciable frente a tf. como: . la potencia instantánea por el transistor durante este intervalo viene dada por : La energía. con lo que no cometeríamos un error apreciable si finalmente dejamos la potencia media. Wr.

puesto que VCE es de un valor ínfimo durante este tramo. Durante el toff. VCE(t) y p(t) para carga inductiva. la energía de pérdidas en el transistor vendrá dada por la ecuación: La potencia media de pérdidas durante la conmutación será por tanto: Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de pérdidas a lo largo del periodo (conmutación + conducción). La energía perdida durante en ton viene dada por la ecuación: Durante el tiempo de conducción (t5) la energía perdida es despreciable. La energía de pérdidas en conducción viene como: .Volver Cálculo de potencias disipadas en conmutación con carga inductiva Arriba podemos ver la gráfica de la iC(t).

. En consecuencia. si queremos que un transistor que actúa en conmutación lo haga lo más rápidamente posible y con menores pérdidas. los tiempos de conmutación limitan el funcionamiento del transistor. se hace cero para evitar pérdidas de potencia. lo ideal sería atacar la base del dispositivo con una señal como el de la figura anterior. por lo que nos interesaría reducir su efecto en la medida de lo posible. y una vez que el transistor está en corte. Puede verse como el semiciclo positivo está formado por un tramo de mayor amplitud que ayude al transistor a pasar a saturación (y por tanto reduce el ton) y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no será excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentará).Volver Ataque y protección del transistor de potencia Como hemos visto anteriormente. El otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff. tal y como se muestra en la figura anterior. Para esto se puede emplear el circuito de la figura siguiente. Los tiempos de conmutación pueden ser reducidos mediante una modificación en la señal de base.

la tensión de entrada (Ve) se mantiene a un valor Ve (máx). de tiempo con que se cargará el condensador será aproximadamente de: Con el condensador ya cargado a VC. En estas condiciones la VBE es de unos 0. la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale: .7 v y el condensador C se carga a una tensión VC de valor: debido a que las resistencias R1 y R2 actúan como un divisor de tensión.En estas condiciones. la intensidad de base aplicada tendrá la forma indicada a continuación: Durante el semiperiodo t1. La cte.

debe cumplirse que: con esto nos aseguramos que el condensador está cargado cuando apliquemos la señal negativa. Para que todo lo anterior sea realmente efectivo. tenemos el condensador cargado a VC. y la VBE=0.7 v. Ambos valores se suman a la tensión de entrada.En el instante en que la tensión de entrada pasa a valer -Ve(min). lo que produce el pico negativo de intensidad IB (mín): A partir de ese instante el condensador se descarga a través de R2 con una constante de tiempo de valor R2C. Así. obtendremos finalmente una frecuencia máxima de funcionamiento : Un circuito más serio es el de Control Antisaturación: .

. Veamos.El tiempo de saturación (tS)será proporcional a la intensidad de base. y mediante una suave saturación lograremos reducir tS : Inicialmente tenemos que: En estas condiciones conduce D2. obtendremos que IC sea mayor que IL: En lo que respecta a la protección por red snubber. ya se ha visto anteriormente. Tipos de transistores bipolares ¿Transistores NPN y PNP? Según su constitución interna los transistores bipolares se clasifican en transistores NPN y PNP. con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor: Si imponemos como condición que la tensión de codo del diodo D1 se mayor que la del diodo D2.. .

dónde Están formados por una doble unión. de propósito general y de potencia. . Identificación de sus terminales Observando su empaque o encapsulado es imposible determinar si un transistor es NPN o PNP pero si intuir si se trata de transistores de baja señal.El transistor NPN El transistor PNP Están formados por una doble unión. dónde la la central es de material P y está unido a la central es de material N y está unido a la base base En el NPN la flecha SALE En el transistor PNP la flecha ENTRA La flecha siempre será el emisor.

memorias. DIAGRAMAS DE BANDAS DE LOS DISPOSITIVOS MOS Las estructuras metal / óxido /semiconductor (MOS) o metal / aislante / semiconductor (MIS) son la base de una gran variedad de dispositivos tanto analógicos como digitales. . procesadores. etc).La banda prohibida semiconductor. . S EFS  M = S S-n M S M S EFS EFM ei del . Metal La figura muestra las magnitudes básicas a tener en cuenta en el esquema de bandas de dichos dispositivos. de gran importancia tecnológica (transistores FET-MOS.DISPOSITIVOS METAL/ÓXIDO/SEMICONDUCTOR (MOS / MIS) 1) INTRODUCCIÓN. que será próximo a su afinidad electrónica se es de tipo n o a la afinidad electrónica M O S-n . mucho más grande que la del semiconductor (10-12 eV en el caso del SiO2).El trabajo de extracción o E FM potencial de ionización del metal del metal (M): diferencia de energía MOS IDEAL (Banda Plana) entre el nivel del vacío y el nivel de Fermi del metal.La banda prohibida del óxido. Óxido Semiconductor S M .La afinidad electrónica del semiconductor (M) : diferencia de energía entre el nivel del vacío y el mínimo de la banda de conducción del semicon-ductor. .El trabajo de extracción del semiconductor.

diferencia entre el nivel de Fermi en la interfaz y en la zona neutra del semiconductor. en el semiconductor habrá una distribución homogénea de portadores. en las que suponemos que los niveles de Fermi del metal y el semiconductor coinciden. óxido/semiconductor. Debido a la distribución M inhomogénea de carga. En una estrecha zona del semiconductor próxima a dicha interfaz se forma una zona de acumulación. La diferencia entre los niveles de Fermi EFS del metal y el semiconductor es igual eV EFM a la diferencia de potencial aplicada.más la banda prohibida. en el semiconductor habrá un potencial de superficie (VS). BANDA PLANA La siguiente figura muestra el esquema de bandas de un MOS ideal en condiciones de banda plana. y no habrá carga en ninguna de las interfaces (o "interficies"): metal/óxido . en la que el nivel de S-n O Fermi penetra en la banda de conducción. multiplicada por la carga del electrón. En ausencia de polarización externa. . que atrae electrones hacia la interfaz óxido / semiconductor. si es de tipo p. MOS -n IDEAL EN ACUMULACIÓN V>0 ACUMULACIÓN DE PORTADORES V>0 ---- La siguiente figura muestra el esquema de bandas del MOS cuando aplicamos una tensión positiva al metal.

que repele los electrones de la interfaz óxido / semiconductor. En la zona del semicon-ductor próxima a dicha interfaz se forma una zona de agotamiento (carga de espacio). con EFS M O S-n . Al ir aumentando el valor absoluto de la tensión aplicada.CARGA DE ESPACIO MOS -n IDEAL EN AGOTAMIENTO V<0 La siguiente figura muestra el esquema de bandas del MOS cuando aplicamos una tensión negativa al metal. se mantendrá esta situación de carga de espacio mientras el potencial de superficie sea inferior a (aproximadamente) el potencial i . El nivel de Fermi se desplaza hacia el centro de la banda prohibida. |Vs|<2i ++ ++ ++ V<0 MOS -n IDEAL EN INVERSIÓN V<0 |V|>2 EFM i eV + ++ + ++ + + ++ + V<0 EFS M O S-n EFM eV INVERSIÓN DE PORTADORES La siguiente figura muestra el esquema de bandas del MOS cuando aplicamos una tensión negativa al metal. diferencia entre el nivel de Fermi y el centro de la banda prohibida. El nivel de Fermi se desplaza hacia el centro de la banda prohibida. con una densidad de carga igual a la concentración de impurezas ionizadas. que repele los electrones de la interfaz óxido / semiconductor. En la zona del semicon-ductor próxima a dicha interfaz se forma una zona de agotamiento (carga de espacio).

M O S-p EFS eV EFM .una densidad de carga. 2) CAPACIDAD DE UN DISPOSITIVO MOS La figura muestra el esquema de bandas de un dispositivo MOS ideal a cierta tensión de polarización V.

y dado que la caída de potencial en el dispositivo está distribuida entre el óxido y el semiconductor. al tratarse de un aislante será (por unidad de superficie): Cox=ox/dox. de manera que la carga QM en superficie del metal en contacto con el óxido debe ser igual a la carga en la zona de agotamiento del semiconductor. Para calcular la capacidad asociada a la carga en el semiconductor es necesario resolver la ecuación de Poisson: . El campo y el potencial eléctricos en el dispositivo varía según la siguientes figuras. El potencial total aplicado se distribuye entre el óxido y el semiconductor: V  Vox  VS VS  C MOS  dox W QS=-eNAW E E=QS/S eN aW 2 2 s Por tanto. las capacidades correspondientes están asociadas en serie: 1 QM V VS 1 1  Cox C S La capacidad del óxido.Las cargas a ambos lados del aislante están distribuidas según muestran la siguiente figura.

d 2V  ( x) e     N A  n( x)  p( x) dx 2 s s En cada punto la concentración de electrones y huecos dependerá del potencial V(x) y si suponemos que no hay degeneración: eV eV   d 2V e  kT kT    N  n e  p e   A p0 p0 2 dx s   Esta ecuación diferencial puede integrarse multiplicando por dV: eV eV   d 2V e  kT dV    N A  n p 0 e  p p 0 e kT dV 2 dx s   Obteniéndose la siguiente ecuación: 2 1  dV  e    2  dx  s eV eV  kT kT kT  kT   N V  n e  p e    Cte A p0 p0 e e   Para determinar la constante de integración. imponemos la de que en el límite de la zona de E 0 V  0 ): agotamiento o acumulación el campo y el potencial son nulos ( x  W 0 e  kT kT   n p0  p p0  Cte  s  e e  lo que nos permite obtener el valor del campo eléctrico: .

. obtenemos: 1  QS  2   S eV eV    e  kT  kTs kT   kTS  e  1  p p 0 e     N AVs  n p 0  1    s  e  e     2 y la carga total por unidad de superficie en el semiconductor en función del potencial de superficie: QS   s eV eV   2e  kT  kTs kT   kTS     N V  n e  1  p e  1  A s p0 p 0     s  e  e    A partir de esta ecuación resulta inmediato obtener la capacidad por unidad de superficie de la zona de carga en el semiconductor: s  S 2e   N A  n p 0 e kT  p p 0 e kT  s  eV CS  dQS  s dVS 2 eV     eV eV   2e  kT  kTs kT   kTS  e  1  p p 0 e  1  N AVs  n p 0     s  e  e    Podemos ahora particularizar a cada una de las situaciones anteriormente descritas. E (0)  QS S .Acumulación (VS < 0) .2 1  dV  1 e 2    E ( x )    2  dx  2 s eV eV    kT  kT kT   kT      N V  n e  1  p e  1  A p0 p 0    e  e     Si tomamos el valor del campo en la interfase y aplicamos el teorema de Gauss.

QS  2 s p p 0 kT e  eVS 2 kT CS  e 2 s p p 0 2kT e  eVS 2 kT La capacidad crece exponencialmente con la tensión. .Agotamiento (2i >VS > 0) QS   s 2e s CS   s N AVS 2e s NA 1 e s N A  2VS 2 VS La capacidad disminuye al aumentar VS.Inversión (VS>2i) QS  2 s n p 0kT e eVS 2 kT CS  e2 s n p 0 2kT eVS e 2 kT . .Banda plana (VS=0) La sustitución directa daría un valor indeterminado por lo que aplicamos la ecuación para un potencial VS<<kT: CS   s eV eV  2e   N A  n p 0 (1  s )  p p 0 (1  s )  s  kT kT  2e  kT  eV s 1  eV s  2    N AVs  n p 0   s  e  kT 2  kT  2   eV s 1  eV s  2  kT   p p0      kT 2  kT   e    Aplicando la ecuación de neutralidad del semiconductor en equilibrio térmico (NA=pp0-np0) y recordando la expresión de la longitud de Debye: .

podemos calcular la capacidad del dispositivo MOS: 1 CMOS  1 1  Cox CS . el campo solo penetra en el semiconductor hasta una distancia de la superficie del orden de la longitud de Debye.Acumulación e inversión (CS >> COX) CMOS  Cox   ox d ox La capacidad del MOS es constante e igual a la del óxido. .Banda plana (CS ~ COX) 1 CMOS  dox  ox  LD S CMOS  . en condiciones de banda plana.2e s CS   s 2 2e s p p0 p p0 eV s kT kT 1  eV s    e 2  kT  2  s p p 0 kT  s LD e s 2 Como era de esperar. Conocida la contribución del semiconductor.Agotamiento (CS < COX) CMOS  CS  ox S  S dox   ox LD .

En acumulación.Con estos cálculos previos la dependencia de la capacidad del MOS con la tensión sería la que muestra la curva BF en la siguiente figura: El hecho de que tengamos que distinguir entre BF (baja frecuencia) y HF (alta frecuencia) está relacionado con la respuesta de los portadores mayoritarios y minoritarios. A alta frecuencia no hay tiempo para atraer los portadores minoritarios a la superficie y la capacidad del MOS queda bloqueada en la capacidad de la zona de carga de espacio. La situación es muy diferente en inversión. los portadores minoritarios pueden ser atraídos a la superficie desde la zona neutra o desde la zona de carga de espacio mediante mecanismos de generación térmica y la capacidad del MOS coincide con la del óxido. A baja frecuencia. la carga superficial es de portadores mayoritarios por lo que la carga acumulada varía rápidamente con las variaciones del campo. ya que básicamente la carga se acumula al retirarse o acercarse los portadores mayoritarios. tal como muestra la siguiente figura: . ya que la zona de inversión está separada de la zona neutra por una zona de agotamiento. Igual sucede en agotamiento.

por lo que la zona de agotamiento se mantiene.Toda la tensión continua aplicada cae en la zona de inversión. a una tensión constante y la capacidad no varía. a partir de VS=2i. En agotamiento e inversión débil el MOS se comporta como una unión p-n abrupta y el potencial sigue una ley cuadrática: x  V ( x)  VS 1    W 2 VS  eN AW 2 2 s La anchura máxima corresponde pues al valor de VS al que empieza la inversión (VS=2i): WMAX  2 sVS  eN A 4 s  i eN A El valor de VS puede estimarse a partir de las ecuaciones de la estadística de electrones y huecos: .

y la del MOS: 1  C MOS d ox  ox  WMAX C MOS  S  ox d ox  ( ox /  s )WMAX 3. La VG2 conductancia será: VG1 G  da da  en l l VD . En el espacio entre ambas se deposita una capa de óxido y . con ID VG4 una conductancia proporcional a la tensión de puerta. entre S y G la resistencia es muy alta por tratarse de dos uniones p-n en oposición. esquematizado en las figuras..CONDUCTANCIA DE UN CANAL DE INVERSIÓN: TRANSISTOR FET-MOS Uno de los dispositivos más importantes derivados de la estructura MOS es el transistor de efecto de campo FET-MOS. Cuando G se polariza con una tensión positiva se genera una capa de inversión en la interfase que pone en contacto eléctrico la fuente y el sumidero. VG3 Supongamos que la zona de inversión tiene una longitud l una anchura a y un grosor d. Sobre un sustrato de tipo p se generan dos zonas de tipo n (la fuente S y el sumidero D). VG=0 VG>0 VD G D ID=0 G S n n VD D ID S n Canal de inversión n n p p En ausencia de polarización de la puerta. sobre ella.VSMAX  2 i  2( Ei  E F )  2 kT N A ln e ni WMAX  4 s kT ln( N A / ni ) e2 N A El valor mínimo de la capacidad del semiconductor será C s   s / WMAX . un contacto metálico (la puerta G). Podemos calcular dicha conductancia.

se tarda cierto tiempo en alcanzar el equilibrio (b en la figura). es también la base de los circuitos biestables usados en electrónica digital. Cuando un MOS se pone en condiciones de inversión extrema (a en la figura).. Para calcular . usado en régimen de saturación o corte. I SD  GVD  e El transistor FET-MOS. 4. La base consiste en hacer trabajar un MOS en condiciones de inversión extrema fuera de equilibrio como depósito de cargas.TIEMPO DE ALMACENAMIENTO: DISPOSITIVOS CCD Una de las más importantes aplicaciones de las estructuras MOS son los dispositivos CCD (dispositivos de acoplamiento por carga o de cargas acopladas). expresamos la conductancia en función de dichas densidad ns como lim n0 (nd ) : G  e nd d 0 a a a  ox  enS   VS l l l d ox La corriente fuente sumidero ISD. útiles en su aplicación como amplificador de alta impedancia de entrada (debido al aislamiento eléctrico entre la puerta y los otros terminales). en memorias y procesadores.Como lo que conocemos es la densidad de electrones por unidad de superficie. será a  ox VSVD l ed ox La figura muestra la representación habitual de las características IDS(VSD) para diferentes tensiones de puerta.

Para el silicio puro ese tiempo puede llegar a ser de varios minutos por lo que. La siguiente figura ilustra una aplicación típica de un CCD en la que cierta carga se transfiere de un pozo de potencial a otro. todos los tiempos han de ser inferiores al tiempo de almacenamiento antes definido. b) Para t<t1. Esta es la base de los dispositivos CCD (c en la figura). Si suponenos que el tiempo de captura para electrones y huecos por la trampa es el mismo.ese tiempo es necesarioconsiderar como se generan los portadores que van a formar la zona de inversión a partir de una trampa situada en el centro de la banda prohibida. a) Esta parte de la figura muestra la variación temporal de las tensiones que hay que aplicar a los electrodos A y B dos CCDs contiguas para transferir cierta carga electrónica del CCD A al CCD B. es un pozo de potencial para electrones (tal como muestra c) . durante ese tiempo (tiempo de almacenamiento) el MOS polarizado se comporta como un pozo de potencial en el que pueden almacenarse cantidades determinadas de carga generadas por inyección o por iluminación. Obviamente. al estar en inversión. la carga está acumulada en el CCD A que. la velocidad de recombinación será: pn  ni2  C 2 ni  n  p Cuando el MOS se polariza a cierta tensión de inversión los portadores son arrastrados fuera de la zona de carga de espacio por lo que p y n serán mucho menores que ni y quedará r  ni / 2 C . lo que significa que la zona de inversión tardará en crearse un r 1 tiempo del orden de  S  N A / r  2 N A C / ni .

d) Para t1< t<t1+ 1. se aplica una tensión V1 a b. f) Para t>t1+  la carga se ha transferido completanmente de A a B. 5. se va despolarizando el CCD A para terminar la transferencia.TRANSISTORES MNOS (Metal/Nitruro/Óxido/Semiconductor) La figura muestra el esquema de una estructura MNOS (metal/nitruro/ óxido/semiconductor) que puede funcionar como memoria no volátil.. Se basa en la posibilidad de almacenar cargas en la interfase entre dos capas aislantes (nitruro de . por lo que t 1+ 1 < t<t1+  . Inicialmente el pozo B es más profundo y la carga empieza a ser transferida de A a B. e) El potencial en B empieza a subir al ir llenándose de electrones.

silicio/óxido de silicio). c) Proceso de borrado: Una tensión negativa aplicada al metal hace que los electrones de las trampas sean transferidos al semiconductor. Ese almacenamiento es posible porque en los aislantes el tiempo de relajación de Maxwell es muy largo. b) Memoria activada: los electrones fijos en la interfase N-O repelen a los electrones y atraen a los huecos del semiconductor. los electrones vuelven a formar una zona de acumulación en la interfase O-S. a) Proceso de escritura en una memoria MNOS: al aplicar una tensión positiva al metal. con dos contactos eléctricos suplementarios (fuente y sumidero) tal como muestran las siguiente figuras. incluso). d) Memoria desactivada: al desaparecer la carga negativa en la interfase N-O. electrones del semiconductor pasan (por efecto túnel) de la zona de acumulación en la interfase O-S a las trampas de electrones en la interfase N-S donde pueden permanecer durante tiempso muy largos (años. dando lugar a una zona de inversión. Para convertir este dispositivo en un transitor es necesario dotar de dos zonas p al dispositivo a ambos lados del canal conducto. En la primera figura la memoria está desactivada y entre la fuente y el sumidero no pasa corriente (hay dos uniones p-n en oposición). .

debido al canal de inversión. en el primer caso la tensión VD será la de alimentación (el transistor está en corte: no circula corriente). la memoria está activada y. VG=0 VD=0 R VCC G D S p+ Canal de inversión ID=VCC/R p+ n Si se conecta una resistencia mucho más grande que la del canal de inversión entre la alimentación y el sumidero. Estas situaciones corresponderían a los valores 1 y 0 si ese transistor se utiliza como bit de memoria.VG=0 VD=VCC R VCC G D ID=0 S p+ Acumulación e- p+ n En la segunda. El transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) . la resistencia entre la fuente y el sumidero es muy pequeña. Por el contrario en lal segunda la tensión será prácticamente cero (el transitor está en saturación : circula corriente entre la fuente y el sumidero).

La tensión de control de puerta es de unos 15V. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada.El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del BJT y del MOSFET. Generalmente se aplica a circuitos de potencia. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Características de funcionamiento: Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: • • • Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensión (>1000 V) . Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta. Al igual que el MOSFET de potencia. el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el BJT.

• Alta potencia (>5 kW) CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS. CURVA CARACTERISTICA Y SIMBOLOS. FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT . TRANSISTOR IGBT.

CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN El encendido es análogo al del MOS. en el apagado destaca la corriente de “cola”: .

Tiene el inconveniente de producir más pérdidas en conducción.Formas de Onda Características de la Tensión y Corriente en el Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva (no comienza a bajar Id hasta que no sube completamente Vd) La corriente de cola se debe a la conmutación más lenta del BJT. • La corriente de cola. debido a la carga almacenada en su base (huecos en la región n-). • Provoca pérdidas importantes (corriente relativamente alta y tensión muy elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento. es la causa del “latch up” dinámico. .con una vida media larga. • En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la n. disminuyendo más rápido la corriente. al estar compuesta por huecos que circulan por la resistencia de dispersión. así el exceso de huecos en n. • Se puede acelerar la conmutación del BJT disminuyendo la vida media de los huecos en dicha capa (creando centros de recombinación).se difunde hacia la capa n+ dónde se recombinan (efecto sumidero).

es la tensión de ruptura de la unión B-C del transistor bipolar. a) SOA directamente Polarizada (FBSOA) (RBSOA) b) SOA Inversamente Polarizada • IDmax . . es la máxima corriente que no provoca latch up. • VDSmax .Área de Operación Segura (SOA) de un Transistor IGBT.

CARACTERÍSTICAS Y VALORES LÍMITE DEL IGBT. • IDmax Limitada por efecto Latch-up.• Limitado térmicamente para corriente continua y pulsos duraderos. . • VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio. • La RBSOA se limita por la ∂VDS/∂t en el momento del corte para evitar el latch-up dinámico.

5 kV). • Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. • La tensión VDS apenas varía con la temperatura. 1. • La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC.200 o 1. Como α es muy baja. 2. Se pueden conectar en paralelo fácilmente. • VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. (Anunciados de 6. ⇒ Uso de VGS max (normalmente=15V). 1.300 voltios.200.• Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 μs. . trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz. a) Efecto de VGS y la corriente de drenador sobre la caída en conducción (Pérdidas en conducción).600 Amperios). y pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta. Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW.700.(1. b) Efecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la caída en conducción respecto a la temperatura.100 y 3. sera VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600.

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1988] una superficie en el espacio de estado de un sistema dinámico representa una relación entre las variables de estado que describen el comportamiento del sistema. Aplicaciones de IGBT en control por modos deslizantes: El control en modo deslizante (VSC) aplicado a sistemas de estructura variable (VSS) fue introducido en los años 50 en la antigua Unión Soviética por Emelyanov y otros colaboradores. en maquinaria. Otro ejemplo curioso de aplicación de esta tecnología es su utilización para activar o desactivar los píxeles en las pantallas táctiles de nueva generación. no sólo por su capacidad de potencia sino también porque son tan rápidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el oído humano. robots industriales. lo que resulta en la presencia de oscilaciones de alta frecuencia. unidades de control de motores en automóviles y vehículos eléctricos híbridos. las relaciones estáticas de la dinámica resultante quedan determinadas por los parámetros y ecuaciones que definen la superficie. equipos de fabricación de semiconductores. Esta teoría consiste en el empleo de acciones de control conmutadas o discontinuas sobre una o varias superficies de conmutación. sistemas de iluminación de edificios o centrales de conmutación telefónica. equipos de soldadura. Según la definición de Sira-Ramírez [Sira-Ramirez.Aplicaciones Generales IGBT: Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensión. compresores de equipos de aire acondicionado. La teoría de sistemas de Control por Modo Deslizante (CMD) representa una parte fundamental de la teoría de sistemas no lineales. Caso particular: Señales de referencia periódicas con valor medio nulo . Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores CC/CA. Si éste es forzado a evolucionar sobre esta superficie. Uno de los principales inconvenientes asociados a la técnica de CMD es la intensa actividad que debe ejercer la señal de control.

que en el convertidor Boost el dominio de existencia de régimen deslizante imponía v>E. lo que implica que no podrá lograrse seguimiento de señal con valor medio nulo mediante control en modo de deslizamiento en este convertidor. la tensión de salida deberá adquirir polaridad positiva y negativa en régimen deslizante. por lo que al invertir la polaridad de la tensión de entrada se conseguirán dos zonas de existencia de régimen deslizante sin intersección entre ellas. Recuérdese. denominada de dos estados.9. Una solución. para garantizar el deslizamiento cuando la tensión adquiere polaridad opuesta a la tensión de entrada. que permite abordar esta problemática consiste en variar la polaridad de la fuente de entrada adecuadamente mediante la utilización de un puente completo de interruptores. por otra parte. determinados por las inecuaciones que ofrecen la existencia de régimen deslizante. En el apartado anterior se mostró que cuando únicamente se utiliza un interruptor bidireccional en corriente existen inconvenientes. de este modo cuando e=l la fuente de entrada tiene polaridad positiva y cuando e= -l la fuente de entrada adquiere polaridad negativa. Aplicación del IGBT en PWM: La Modulación por Ancho de Pulso (PWM) es un sistema de control para los inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables características y elevada . Para ello. viene dada según la tabla 2. La figura 2. se define la variable s que indicará la polaridad de dicha fuente.En el caso de poseer una señal de referencia con valor medio nulo.4 muestra un esquema circuital de un puente completo implementado con interruptores IGBT. ampliamente utilizada. mientras que la ley de conmutación.

pero como una tercera posible alternativa los IGBT han emergido recientemente. Además el ruido puede ser reducido a una frecuencia del orden de los 20Khz. con reducido contenido armónico y según sea la aplicación se puede optar por una salida de parámetros fijos o variables: • Variación de la tensión de salida. en PWM se lo utiliza entre 1KHz y 40 KHz y de hecho los elementos operan en conmutación. Las altas frecuencias de conmutación son deseables para motores de corriente alterna. en este caso monofásico. debido a que en general trabaja con una frecuencia de conmutación del orden de los 15 KHz. EL INVERSOR PUENTE TRIFÁSICO . Según la aplicación. • Variación de la frecuencia. ya que permiten la operación del equipo con una corriente en el estator prácticamente senoidoal y un rápido control de corriente para un alto rendimiento dinámico. El circuito de potencia es el puente. IBGT ofrece baja resistencia y requiere poca energía para la activación. normalmente implementado con transistores MOS o IGBT. Recientemente los BJT y los MOSFETs han sido cómodamente usados para esto.prestación. • Variación a relación constante Tensión – Frecuencia.

con el objetivo de disponer de una barra de voltaje DC lo más continua posible (bornes +DC/-DC). V. La alimentación de entrada es VAC monofásico o trifásico dependiendo de la potencia del motor AC a controlar. VOLTAJE SENO-PWM . Por lo tanto el motor AC puede ser controlado a velocidades diferentes a su valor nominal y aún conservar las características nominales de su torque. que cumple con el requisito de mantener la relación V/f a proporción constante. Dicha barra DC es la entrada al circuito inversor.La figura 3-8 nos muestra el circuito que puede cumplir con los requisitos solicitados por la ecuación (3-4). es por medio de un circuito Inversor. Dicho voltaje AC es rectificado por medio de un puente de diodos. En la figura 3-8 se muestran las partes que conforman la etapa de potencia de todo tipo de variador de velocidad de motor AC en la actualidad. W) denominada “Seno-PWM”. el cual por medio del trabajo conmutado de los IGBT la convierte en un voltaje de salida (bornes U. La única forma de poder conseguir una onda de voltaje que cumpla con el requisito de cambiar proporcionalmente su voltaje y frecuencia al mismo tiempo. Luego tenemos la etapa de filtrado compuesta de filtro de corriente (bobina) y filtro de voltaje (capacitor).

W y la filtra obteniendo corrientes (IU. La amplitud (Vd) de dicha onda es igual a la barra de voltaje DC (bornes +DC/-DC de entrada al circuito inversor). IW) casi senoidales. La velocidad de conmutación de los transistores IGBT es 1/t denominada “frecuencia portadora”.V. El promedio de voltaje eficaz “V” depende del ancho de los pulsos y la frecuencia efectiva “f” vista por el motor es 1/T. IV. . El motor recibe dicha onda de voltaje por los bornes de salida U. El resultado es que el motor recibe la relación “V/f” proporcional a sus valores nominales. consiguiendo que desarrolle su trabajo aún a velocidades menores que lo normal y sin pérdida de torque.La figura 3-9 muestra en forma detallada la onda “Seno-PWM” de salida del inversor trifásico en puente.

html#1 https://sites.cGU .com.es/marinjl/electro/transistores.d.google.html#1 http://educativa.catedu.cGU http://www.com/site/399electronicatransistores/tipos-de-transistores-bipolares http://www.uv.doc&ei=QAYLVeD7LMH6oQSp74L4DQ&usg=AFQjCNGZrXugIH5fxMqGg3mDJQQq8fcOoQ&bv m=bv.88528373.Bibliografía: http://www.es/marinjl/electro/diodo.uv.weebly.html http://www.doc&ei=uAULVZTaOYW4o gTmxoLACg&usg=AFQjCNEtkMjWDtj7rjEgPRUcAp3H---Rnw&bvm=bv.mx/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=5&cad=rja&uact=8&ved =0CDQQFjAE&url=http%3A%2F%2Fenlau.d.uv.mx/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=9&cad=rja&uact=8&ved =0CEcQFjAI&url=http%3A%2F%2Fwww.es/44700165/aula/archivos/repositorio//3000/3079/html/421_rectificador_mon ofsico_de_media_onda.google.com.google.com%2Fuploads%2F6%2F0%2F8%2F0%2F60803 4%2Figbtcon.es%2Felecfis%2Fef%2FLecc9.88528373.