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TRABAJO COLABORATIVO DOS

-FÍSICA ELECTRÓNICA-

Realizado por:

Grupo
100414 - 47

Tutor:
PABLO ANDRES HERNANDEZ

Fecha:
24/10/2011
Cartagena-Bolívar

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS TECNOLOGIA E INGENEIRIAS
PROGRAMA DE INGENIERIA DE SISTEMAS

 Demostrar mediante laboratorios la funcionalidad rectificadora de los diodos de acuerdo a su polarización.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A OBJETIVOS Objetivos Generales:  Dar a conocer algunas de las herramientas de desarrollo para la electrónica mediante el empleo de laboratorios virtuales. . sus características y funciones  Crear e interpretar planos de fuentes de voltaje directo sencillas conociendo sus diferentes componentes.  Diferenciar algunos elementos activos de circuitos básicos. Objetivos Específicos:  Identificar las funciones de algunos elementos básicos en electrónica.

FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A FASE 1 SOLUCIONE DE CUESTIONARIO SEMICONDUCTORES .

se requiere un mayor potencial para separar algunos electrones del átomo. El caucho. de tal manera que al formarse los enlaces covalentes queda sobrando un electrón. Los átomos que se usan como impurezas son los de arsénico. a lo que se llama corriente eléctrica. de tal manera que vamos a tener ausencias de electrones o lo que podemos llamar huecos. Los elementos que más frecuentemente se usan para producir el material tipo P son el indio. la resina. R NDUCTO SEMICO AISLANTE TOR CONDUC DEFINICION MATERIAL UTILIZADO TIPO Poseen la propiedad de que algunos de sus electrones pueden pasar libremente de un átomo a otro cuando se aplica una diferencia de potencial (o tensión eléctrica) entre los extremos del conductor. el papel. De algunos ejemplos de cada grupo. Estos materiales tienen la facilidad de transmitir carga de un objeto a otro. compartiendo sus electrones. y evitar el paso de ella en otras. tienen un gran número de electrones libres que pueden moverse a través del material. principalmente los metales. Algunos materiales. Enuncie las principales características y diferencias existentes entre un material aislante. Los semiconductores tipo N se construyen con Si o Ge. Un semiconductor es un elemento que no es directamente conductor ni aislante. antimonio y fósforo. 2. y a diferencia de los conductores. para formar cristales estables. Germanio y el silicio. Su principal característica es la de conducir la corriente sólo en determinadas circunstancias. pero se les adicionan átomos de impurezas que tienen 5 electrones de valencia. la plata y el cobre Uno o dos electrones de valencia Tienen la propiedad de evitar el flujo de electrones ya que su estructura atómica está fuertemente unida y se requiere una diferencia de potencial muy elevada para romperla. la cerámica y el vidrio 8 electrones de valencia o más de cuatro Entre más electrones se tengan en la capa de valencia mejor aislante será el material. un conductor y un semiconductor. boro y galio. se emplea sobre las diferentes partes conductoras para proteger a las personas frente a las tensiones eléctricas (aislamiento protector). Oro. Cómo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qué cualidades o características adquiere este material con respecto al semiconductor puro? . Esto se conoce como enlace covalente Los materiales semiconductores puros se denominan intrínsecos y cuando se les agregan impurezas se les denomina extrínsecos Los materiales tipo P son aquellos que se forman agregando al material semiconductor puro impurezas que contienen 3 electrones de valencia. son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A 1. Los semiconductores tienen cuatro electrones de valencia y sus átomos pueden enlazarse entre ellos. los Plásticos.

con los que tenía el semiconductor puro. 3. solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio. no sólo aumenta el número de electrones sino que también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro. En un semiconductor del tipo n. sin una posible unión. Para finalizar y resumir lo anterior se puede decir que a los semiconductores puros que le sean agregadas ya sea impurezas donadoras o aceptadoras se les llama respectivamente de tipo n o p. y los electrones portadores minoritarios. Consulte sobre otros tipos de diodos. La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. los huecos son portadores mayoritarios. y por tanto se convertirá en un portador de corriente. los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n. ya que crean huecos que pueden aceptar electrones. y el quinto quedará inicialmente libre. En un semiconductor con impurezas del tipo n. Al contrario de lo que sucede en el tipo n en este tipo de semiconductor los portadores que disminuyen son los electrones en comparación.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A Como se explico en la tabla anterior existen dos tipos de semiconductores los cuales son: Semiconductores Tipo N (silicio y arsénico) Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes electrones de los cuatro átomos de silicio vecinos. . el zéner y el fotodiodo. por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores. o impurezas del tipo p. el LED. y la unión incompleta dará lugar a un hueco. diferentes al rectificador. Semiconductores Tipo P Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres electrones externos. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos. En un material de tipo p.

es un semiconductor diseñado especialmente para trabajar en tensión inversa. en lugar de la unión convencional semiconductor PN utilizada por los diodos normales. Cuando se aplica una pequeña tensión continua a través de una placa delgada de Arseniuro de Galio (GaAs). Si dicha placa es conectada a una cavidad resonante. El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky). Es una forma de diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. Este tipo de diodo es ampliamente utilizado como protección para evitar exceso de voltaje en circuitos electrónicos  El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky. es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns) y muy bajas tensiones de umbral (aproximadamente de 0. los electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía cinética.2 V a 0. mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.  Diodo Gunn. cavidades coaxiales y resonadores YIG y la sintonización .3 voltios/cm. Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz o aún más alta (hasta Terahertz). Existen en este dispositivo tres regiones. solamente tiene regiones del tipo N.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A  El diodo avalancha. es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo. se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. Su mayor limitación es la dificultad de conseguir altas resistencias inversas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad donde se necesitan grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía. En estos diodos. pero también puede ser ajustada exteriormente.4 V). cuando la tensión en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N. de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan. se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia liberándolos también. ésta presenta características de resistencia negativa. razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Este diodo se usa en combinación con circuitos resonantes construidos con guías de ondas. produciéndose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensión. Todo esto ocurre bajo la condición de que la tensión aplicada a la placa sea mayor a los 3. La frecuencia de la oscilación obtenida a partir de este efecto. éstos a su vez. poco dopados.

Se puede utilizar como: conmutador de RF. en la sintonía de TV. Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p. todavía más la corriente. foto detector. La aplicación de estos diodos se encuentra. hasta que alcanza el nuevo equilibrio  El diodo Varactor o Varicap es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varíe en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensión. se disminuye la corriente hasta la corriente de mantenimiento. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. la capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad o bien por una capa n de alta resistividad. de modo que refleja la potencia incidente. reduciendo. hasta alcanzar un nuevo equilibrio. mientras aumenta la tensión en sus terminales. Al aumentar dicha tensión. resistencia variable. se aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar la tensión de conmutación. Para volver al estado OFF. Por lo que es un tipo de tiristor. 4. Sin embargo. aumenta la anchura de esa barrera. dispuestas alternadamente. Cuáles son las principales características y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP. Para pasar del estado OFF al ON. siendo la intermedia un semiconductor intrínseco. etc.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A es realizada mediante ajustes mecánicos. Ahora el diodo aumenta su impedancia. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensión. En tecnología de microondas se pueden utilizar como limitadores: al aumentar la tensión en el diodo. . su capacidad varía. sobre todo.]  El diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). La tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V. protector de sobre tensiones. en la práctica. modulación de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje (oscilador controlado por tensión). modificando la impedancia que presenta y desadaptando el circuito.  Diodo PIN es una estructura de tres capas. excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son eléctricos. y las externas. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. disminuyendo así la capacidad del diodo. La impedancia del diodo desciende bruscamente.

permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. Cuál es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnológico? . Pocos transistores usados hoy en día son PNP. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. Ejemplo: Al colector de un NPN se le aplica un voltaje positivo (comparado con su emisor) mientras que a un PNP se le aplica una carga de voltaje negativo en su colector al compararse con su emisor.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A Transistores NPN Es uno de los dos tipos de transistores bipolares. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN. Transistores PNP Con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. DIFERENCIAS La principal diferencia radica en la impureza agregada al semiconductor la cual define que tipo de conducción poseerá el elemento (huecos o electrones) además de la polarización del diferencial de voltaje aplicado al circuito. 5. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N (base) entre dos capas de material dopado P.

A demás a raíz de esto se ha logrando la implementación de la nanotecnología que en otras palabras se puede decir llegar al límite del mínimo grosor necesario para conducir un átomo a través de un conductor. pues a través de estos elementos que se ha logrado una integración de circuitos electrónicos (circuitos integrados) sin precedentes en la historia del hombre. como es el caso del micro-procesador de un computador o los integrados presentes en un televisor actual (casi todo se realiza en un único chip). .FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A Los elementos semiconductores poseen un importante puesto en el nivel de tecnología actual.

Construya los siguientes circuitos y realice su simulación por medio del software Workbench. Explique lo sucedido. .FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A FASE 2 SIMULACIÓN DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 1. Polarización del Diodo Común.

Se produce una caída de 0. mientras que el polo positivo recibe electrones del lado P creándose así una corriente eléctrica. Por lo que los electrones y los huecos pueden pasar libremente a través de la frontera.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A Al polarizar directamente una unión P-N el polo negativo de la batería está inyectando electrones al material N. Logrando vencer el obstáculo que se había creado por barrera de potencial existente entre ambos materiales.7 voltios necesarios para lograr la superar de la barrera del diodo (ver la imagen siguiente). Al polarizar inversamente una unión P-N no hay circulación de corriente alguna. .

Existe un voltaje el cual producido por los portadores minoritarios. y los electrones libres del tipo N son absorbidos por ésta.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A Esto es porque los huecos libres del tipo P se recombinan con los electrones que proceden del polo negativo de la fuente de energía. alejándose tanto huecos como electrones de la unión. . haciendo la barrera más grande y no existe un flujo de corriente apreciable. pero es demasiado pequeña e inapreciable (ver la imagen siguiente).

se produce la conducción a través de los diodos. Construya los siguientes circuitos y realice su simulación por medio del software Workbench. Anexe al informe las gráficas obtenidas en el osciloscopio. pero en este caso se rectifican ambos hemiciclos por lo que la salida a los diodos es mucho más estable (aunque aún sigue siendo pulsante).2 para diodos de germanio). Explique lo sucedido. a) Rectificador de Media Onda Al utilizar una fuente de voltaje alterna de forma directa en un diodo. . b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz Al utilizar una fuente de voltaje alterna de forma directa en un puente de diodos. Durante un semiciclo conduce un par de diodos y durante el otro semiciclo conduce el otro par de diodos por lo que solo se produce el “hueco” durante el tiempo en que el paso de un semiciclo a otro es inferior a 0. El resultado de este tipo de rectificación (sin condensador electrolítico) se le conoce como de voltaje pulsante dado que solo se presenta pulsos del voltaje escogido en la polarización (positivo para este caso).7 para diodos de silicio y 0. se produce la conducción a través del diodo del semiciclo positivo la cual se puede apreciar en la siguiente imagen.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A 2. Aplicación del Diodo como Rectificador. Compare la señal de entrada con la señal de salida.7 voltios que son requeridos para vencer la barrera de potencial en los diodos (se tiene en cuenta 0.

. Anexe al informe las gráficas obtenidas en el osciloscopio. Aplicación del Transistor como Amplificador. Explique lo sucedido.FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A 3. Tal como se puede apreciar en la imagen (del osciloscopio) el circuito creado amplifica la señal recibida gracias a la polarización que tiene el transistor la cual es de emisor común lo que indica que la señal además de amplificada tiene una desfase de 180 grados Nota: se tiene en cuenta que la señal del Generador de funciones es una onda seno. de 2 mV de amplitud y 60 Hz. Construya el siguiente circuito y realice su simulación por medio del software Workbench. Compare la señal de entrada con la señal de salida.

FISICA ELECTRONIC LALLABORATORIO SIMULADO A CONCLUSIONES. La actividad realizada ha permitido concretar conocimientos teóricos que se han visto reforzados en la práctica de los laboratorios. La realización de los laboratorios nos provee de una experiencia adicional.monografias. como es el ver en función la teoría aprendida. BIBLIOGRAFIA http://www.com/trabajos_global/electronica_electricidad_sonido/ http://es.rincondelvago.htm http://es.org/wiki/Diodo_Varicap .com/pnavar2/semicon/index.geocities.wikipedia.com/ http://apuntes.