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FUENTE REGULADA DISCRETA COMPLETA

DOCUMENTO DE PREDISEO.

Hanier Vallejo Caicedo


Dania Marcela Angarita

Presentado a:
Ing. Edgar Mario Gustn

UNIVERSIDAD DEL CAUCA


FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES
Popayn, 31 de Marzo de 2014

TABLA DE CONTENIDO

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Requerimientos.
Objetivos.
Especificaciones.
Diseo y justificacin del circuito seleccionado.
Caractersticas de elementos.
Caculos tericos.
Bibliografa.

1. REQUERIMIENTOS
La fuente regulada discreta debe tener las siguientes especificaciones:

Voltaje de salida de 9V constantes.


Corriente en la carga de 400mA.
Proteccin contra cortocircuito, que incluye piloto de aviso de cortocircuito.
Piloto de aviso de funcionamiento general.

2. OBJETIVOS

Disear una fuente regulada, que cumpla con las especificaciones dadas por el
usuario.

Afianzar la metodologa de trabajo en el diseo de proyectos de pequea


complejidad, permitiendo reforzar el aprendizaje terico recibido en materias
tales como: Electrnica Bsica, Circuitos Analgicos I.

Analizar las condiciones y diversos parmetros que permiten la mejor regin de


operacin para un dispositivo, y por consiguiente, la mayor estabilidad a los
cambios que pueda sufrir el diseo.

Adquirir habilidad y destreza para solucionar los problemas que se presentan a


travs de todas las fases de un diseo, para as formular soluciones que
conlleven
Al xito del funcionamiento del circuito.

Aplicar metodologas de trabajo en grupo que permitan un mejor y ms


eficiente desarrollo del proyecto.

Corroborar el comportamiento de dispositivos tales como: Diodo Zner,


transformador, transistor.

3. ESPECIFICACIONES
El usuario solicita una fuente de corriente regulada discreta completa, cuyos
valores de salida deben ser un voltaje equivalente a 9 voltios constantes y una
corriente de 400 miliamperios, a parte de ellos, el diseador debe tener en cuenta
las demandas de Proteccin contra corto circuito que incluye piloto de aviso de
corto-circuito y un piloto de aviso de Funcionamiento general.
Para poder satisfacer las necesidades de usuario es necesario en primera
instancia reducir los valores de voltaje de la seal de entrada a la fuente de poder
regulada para convertirla en una seal pulsante y convertirla en una seal
unipolar. Luego es necesario regular ese voltaje para que la seal de salida
presente la menor variacin posible (eliminacin o disminucin del rizado).

Figura 1. Fuente de poder regulada.

4. DISEO Y JUSTIFICACIN DEL DISEO SELECCIONADO


Para cumplir con las especificaciones la fuente regulada discreta consta de los
siguientes 6 bloques:

Bloque Pre-regulador
Est constituido por R5, R3, Q1 y Vz1 que a su vez conforman la fuente de
corriente I0:
I0=

Vz 1VBE 1
R3

(1)

I0 es la fuente de corriente constante que hace las veces del circuito Preregulador.

Figura 2. Bloque Pre-regulador.

Bloque comparador.
Conformado por Q2 conocido como el elemento comparador, el cual travs
de la juntura emisora compara el voltaje muestreado V M con el voltaje de
referencia VR. Cualquier desbalance existente entre dos voltajes se aplica a
la juntura emisora de Q2, haciendo conducir en mayor o menor grado,
segn sea el caso, controlando as la inyeccin de corriente en la base del
transistor Q3 y por ende el voltaje de salida V0.

Figura 3. Bloque comparador.

Bloque de paso y de proteccin contra sobrecarga.

Est constituido por Q4, el cual es el elemento de paso, R, D1, D2 y D3. La


intencin es que los diodos D1, D2 y D3 no estn en conduccin.
Q4
TIP31

R7
0R1

D1

D2

D3

10A02

10A02

10A02

Figura 4. Bloque de paso.

Bloque amplificador.
Conformado por Q3, el cual se encarga de amplificar el error o diferencia de
corriente entregado por el comparador (I 0-IE2) controlndose de esta forma
la inyeccin de corriente en el elemento de paso (Q4).

Figura 5. Bloque amplificador.

Bloque de muestreo y referencia.

Conformado por R1, R2 y Rp, donde Rp es una resistencia variable


constituyen la red de muestreo, encargada de generar el voltaje V M. R4 es
la resistencia de polarizacin del diodo zner V R, su escogencia se basa
en las caractersticas de funcionamiento del diodo. R6 da camino a tierra a
las corrientes inversas que se presentan en la base de Q4 cuando la
corriente de carga es mnima. Un valor apropiado para R6 es tomarlo del
orden de 27K, R6 no es mostrada en el diagrama siguiente ya que est
conectada a la base de Q4.

Figura 6. Muestreo y referencia.

Bloque de proteccin contra cortocircuito.

El funcionamiento de este bloque se presenta a continuacin:


Al existir un corto a la salida la corriente va hacia el corto y desactiva D1,
D2 y D3, al desactivarse llevan a Q5 al estado de corte (I c5=0), como esta
corriente se hizo cero la corriente en el diodo zner del bloque de corriente
constante se hace cero; como el zener deja de regular no garantiza la
operacin de Q1 en activa y por lo tanto I 0=0, por lo tanto IB3 y Ic2 son cero
tambin y se desactiva todo el circuito.

R5
0R1

R8
0R1

Q5

2N2222

D4

D5

Figura 7. Bloque de proteccin contra corto circuito.

Figura 8. Diagrama elctrico total.

Figura 9. Diagrama elctrico en corto circuito.

5. CLCULO DE COMPONENTES

PARA VR:
Vo: -Vbe4-Vbe3+Vce2+VR
Vbe4=Vbe3=Vbe= 0.7v
Vr=Vo+2Vbe-Vce2
Vr= 9v+ 2(0.7)v- Vce2
Vr= 10.4- Vce2

Vce(sat) < Vce2 < Pot(max)Q2


-----------------Io
Vce2= 9/2v+0.7v= 4.5v+ 0.7v= 5.2v

Para el diodo Z1
Vin= Vz1- Vbe1+ Vec1+ Vbe3+ Vbe4+ Vo
Vin= Vz1+ Vec1+ Vo+ 0.7v
Vinmax= 20v
Vinmin= 16.5v

Vec1=16.5v- (0.7v+ 9v+ 0.5v)


Vz1= 16.5v- (10.21v)= 6.3v

Io= Ib3max+ Ie2


Ie2min= Io- Ib2max
Ie2max= Io, dado que Ib3=0, Il= 0, Rl=infinito

Io= 4(Ilmax)/hfe3hfe4 = 4(400mA)/80*140 = 1/2mA = 0.5mA

R3= (6.3V-0.7V)/0.5mA = 5.6v/0.5mA = 11.2K

Iz1=(Vin-6.3v)/R5
(Vin-Vz1)/R >= Iz1
Supongamos Iz1= 12mA
R5<= (16.5v-6.3v)/12mA = 10.2v/12mA = 0.85K
Iz1*Vz1< Pz1(max)
Iz1< (1/6.3v)

(16.5v-6.3v)(6.3v)< Rz1 <= (16.5v-6.3v)/12mA


64.3 (ohm) <= Rz1 <= 0.85K
Rz1 0.3K

Para Vm (Red de muestreo)

Vm= ((R2+Rp2)/(R1+R2+Rp))Vo
Si llamamos a :
Rp: Rp1+ Rp2
R= R1+Rp1

R= R2+ Rp2
Vm= Vbe2+Vr= 0.7v+5.2v= 5.9v
R+R= Vo/Im
Im= 0,01(Ilmax)
Im=0.01(400mA)= 4mA
R+R= 9/4Ma = 2.25k
R=2.25k-R
R= (Vo/(Vbe2+Vr)-1)R
2.25k-R = (9V/(0.7V+5.2V)-1)R
R= 1.5k
R=2.25k-1.5k
R= 0.75k

R1+R2+Rp = R+R
R= R1+Rp1
R=R2+Rp2

2.25k= R1+R2+Rp
0.75k=R1+Rp1
1.5k= R2+Rp2

R1=0.2k
R2=1.2k
Rp1=0.55k

Rp2=0.3k
Rp= 0.85k

R4=(Vo-Vr)/I4 (optima)
Suponemos I4(optima)= 10mA
R4=(9v-5.2v)/10mA = 3.8v/10mA = 0.38k

Seleccin de transistores

Transistor Q1:

PQ1=Vcemax*Io
PQ1=(18.5v-(6.3v+9+0.7v))*0.5mA
PQ1=1.25watts

Transistor Q2:

PQ2= Vce2*Ie2max
Vce2= cte = Vo+2Vbe-Vr
PQ2= (Vo+2Vbe-Vr)*Io
=(9v+1.4v-5.2v)*0.5mA
=2.6watts

Transistor Q3:

PQ3=Vinmax-(Vo+Vbe)*Ilmax/hfe4
=18.5v-(9v+0.7v)400mA/4
=0.37watts

Para red de proteccin contra corto circuito


Rf=(18.5v-8.2v)/6mA = (Vinmax-Vze)/6mA = 1.72k
Rc= 9-1.44=7.6
Suponemos I de corto = 4mA
Rc=7.6v/4mA = 1.9k

Para red de proteccin contra sobre carga

Vk=0.7v
Ik= 410mA
Rk= Vr/Ir = 0-7v/410mA = 1.7k

6. CARACTERISTICAS DE LOS ELEMENTOS

TRANSFORMADOR: dispositivo elctrico que permite aumentar o disminuir


la tensin en un circuito elctrico de corriente alterna, manteniendo la potencia. Se
cuenta con un transformador perteneciente a la facultad, el cual ofrece valores de
voltaje como lo son: 6v, 9v, 12v, 15v y 18v.
TRANSISTOR: dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una
seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. En el caso de nuestro diseo
de regulador de voltaje, su funcin depender de la etapa del circuito en la que se
encuentre.
DIODO ZENER: es un diodo de cromo que se ha construido para que funcione en
las zonas de rupturas. Es la parte esencial de los reguladores de tensin.
DIODO: Son diodos comnmente de Silicio cuyo voltaje de umbral es 0.7 V, la
participacin de estos depender de la etapa y estado por el que est pasando el
circuito.

7. Bibliografa
BOYLESTAD, Robert y NASHELSKY, Louis. Electrnica: Teora de circuitos

sexta edicin. Editorial Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Mxico 1997.


Ingeniero Edgar Gustn: documento de prediseo.

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