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AVANSYS

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

GUÍA Nº 03
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
DE POTENCIA: PARTE I
Existen numerosas operaciones industriales que requieren la entrega de una
cantidad variable y controlada de energía eléctrica cuatro de las más comunes
de estas operaciones son:

1.
2.
3.
4.

Alumbrado.
Control de Velocidad de Motores.
Soldadura Eléctrica.
Calentamiento Eléctrico.

Estas pueden lograrse usando transformadores variables y reóstatos para
controlar la cantidad de corriente entregada a la carga, sin embargo estos
elementos presentan ciertos inconvenientes que los hacen muy difícil de usar
para ciertas aplicaciones. Por ejemplo:
1. Son voluminosos y caros.
2. Requieren Mantenimiento.
3. Desperdician Grandes Cantidades de Energía.
Para eliminar estas fallas han surgido dispositivos electrónicos modernos para
el control de energía suministrada entre ellos están los diodos y transistores
de potencia (BJT y MOSFET) y los llamados tiristores, de estos últimos,
podemos mencionar los siguientes:


SCR.
TRIACS
DIACS

Entre las principales ventajas de estos dispositivos se encuentran:
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

1

la siguiente limitación: son dispositivos unidireccionales. Diodos y transistores de potencia 1. Otros tipos de dispositivos para el control de la potencia entregada a la carga los conforman los dispositivos opto electrónicos de los cuales se hablara en su momento. ELECTRÓNICA DE POTENCIA 2 . 1. los que los hace muy importantes en el control industrial moderno. aunque tienen. 2. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. Algunos de estos dispositivos como el SCR y el TRIACS pueden manejar cientos de amperios en circuitos que operan a voltajes mayores de los 1000 V. No Requieren de Mantenimiento. Pequeños y Relativamente Baratos.1 El diodo de potencia Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos. No Desperdician Energía.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 1. entre otras. 3. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.

5 y 1. Los diodos de recuperación rápida son esenciales para la interrupción de los convertidores de potencia a altas frecuencias. siendo la caída de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación muy pequeño. típicamente 0. Un diodo conduce cuando el voltaje de su ánodo es más alto que el de su cátodo. 300 A. Bajo condiciones de polarización inversa fluye una pequeña corriente de fuga o de pérdida en el orden de micro o de miliamperios. El tiempo de recuperación inversa varía entre 0. Como cualquier dispositivo semiconductor de unión PN. Cuando el diodo se encuentra en polarización directa el voltaje através de el es relativamente pequeña. el diodo de potencia tiene dos terminales: A y K.1 y 5 µ s. con un tiempo de recuperación inversa de 25 µ s y la especificación de los diodos de recuperación rápida puede llegar hasta 6000 V. 4500 A. Si el voltaje de cátodo es más alto que el voltaje de ánodo. 1100 A. la magnitud de esta caída de tensión depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unión. Un diodo tiene dos terminales: un cátodo y un ánodo.2 V. se dice que el diodo está en modo de bloqueo.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general. Los diodos de uso general están disponibles hasta 6000 V. ELECTRÓNICA DE POTENCIA 3 . de alta velocidad (o de recuperación rápida) y Schottky. típicamente en nanosegundos.

AVANSYS ELECTRÓNICA DE POTENCIA ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 4 .

deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. Según grafica 1 Curva Característica de un diodo ELECTRÓNICA DE POTENCIA 5 . En sentido inverso.

Conmutacion a alta frecuencia (> a 20 Khz) - Inversores UPS Accionamiento de motores CA  DIODOS SCHOTKKY Aplicaciones: .  DIODOS PARA APLICACIONES ESPECIALES (ALTA TENSIÓN): Aplicaciones: .Aplicaciones de alta tensión.Fuentes conmutadas. Tipos de diodos de potencia  DIODOS RECTIFICADORES PARA BAJA FRECUENCIA Aplicaciones: .  DIODOS PARA APLICACIONES ESPECIALES (ALTA CORRIENTE): Aplicaciones: .AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Grafica 1 Donde: VRRM: tensión inversa máxima VD: tensión de codo. ELECTRÓNICA DE POTENCIA 6 .Convertidores. .Cargadores de baterías.Aplicaciones de alta corriente. .Rectificadores de red - Baja frecuencia 50 hz  DIODOS RAPIDOS (FAST) Y ULTRARAPIDOS (ULTRAFAST) Aplicaciones: .Diodos de libre circulación. .

Convertidor rectificador monofásico ELECTRÓNICA DE POTENCIA 7 . El voltaje de entrada al rectificador puede ser monofásico o trifásico. El flujo de energía únicamente es hacia la derecha.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Figura 1 Aplicaciones Diodos rectificadores empleados como convertidores AC-DC Un circuito rectificador por diodos (Figura 2) convierte voltaje de CA en un voltaje fijo de CD.

Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos. Tipos de transistores de potencia Entre los más comunes podemos mencionar:  Transistores bipolares. por tanto. teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Figura 2 1. ELECTRÓNICA DE POTENCIA 8 .2 El transistor de potencia Se le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande lo que corresponde a una potencia mayor de 0.5 W. que son substancialmente distintas. La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de control. las altas potencias a disipar.  Transistores unipolares o FET (Transistor de Efecto de Campo). mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector. El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales.

 En ambos casos. con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor. el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Es una característica común. que eleva la temperatura de la unión (TJ). La potencia disipada se convierte en calor. El fabricante de un transistor de potencia suele especificar.  En un FET. la máxima disipación de potencia a una temperatura ambiente TA (que por lo general es de 25ºC) e intenta disminuir la potencia disipada mediante el diseño del encapsulado. Dicha temperatura no debe superar un máximo especificado que para el silicio es de 150ºC a 200ºC. Ejemplo: Encapsulado tipo TO3 Figura 3 ELECTRÓNICA DE POTENCIA 9 . la tensión VGS controla la corriente ID. Transistores BJT Los transistores de potencia disipan grandes cantidades de potencia en sus uniones entre colector y base. destacamos tres cosas fundamentales:  En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. En resumen. sin embargo.

base.base y a una polarización directa de la unión colector . Esta región es usada raramente.base. Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. Modos de trabajo Existen cuatro condiciones de polarización posibles. ELECTRÓNICA DE POTENCIA 10 . pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE 0).base y a una polarización inversa de la unión colector . Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. Esta es la región de operación normal del transistor para amplificación. pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC 0). La operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido. Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor .AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL También se puede reducir considerablemente el calor generado al aire libre mediante el uso de disipadores de calor (superficies metálicas extendidas) y aletas (Figura 3). Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser : Grafico 2 Grafico 2 Modos de trabajo Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor . La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo apagado.

AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Un transistor funciona como un interruptor si se hace pasar rápidamente de corte a saturación y viceversa. Grafico 3 A algunos ejemplos son: Grafico 3 Funcionamiento de un transistor La principal aplicación de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados lógicos. en otro campo por ejemplo en la industria se aplican para activar y desactivar relés. ELECTRÓNICA DE POTENCIA 11 . En corte es un interruptor abierto y en saturación es un interruptor cerrado. en este caso como la carga es inductiva (bobina del relé) al pasar el transistor de saturación a corte se presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una protección con un diodo en una aplicación llamada diodo volante o Damper. allí se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturación.

En estas aplicaciones.3 Características Eléctricas y Físicas ELECTRÓNICA DE POTENCIA 12 . Transistores MOSFET (Metal – Oxide Semiconductor FET) 2. 2. Canal p El símbolo grafico para estos MOSFET se muestra a continuación (Figura 4).AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 2. impresoras. fuentes de alimentación. el MOSFET se denomina FET de Potencia. para aplicaciones de alta potencia esto se encuentran ampliamente utilizados en aplicaciones que controlan motores. disqueteras. con el nombre de cada una de sus terminales.1 Teoría y operación del MOSFET Se puede encontrar MOSFET de baja potencia en algunos circuitos discretos pero su uso principal es en circuitos integrados. Figura 4 2.2 Tipos de MOSFET Existen básicamente dos tipos de dispositivos MOSFET: 1. Canal n 2. lámparas. etc.

4 El transistor MOSFET como interruptor Una característica importante de los MOSFET es que pueden desconectar una corriente más rápidamente esto es entre 10 a 100 veces más rápido que un BJT. 2. ejemplo: ELECTRÓNICA DE POTENCIA 13 . La única forma de obtener corriente es mediante una tensión de puerta simbolizada en la mayoría de los casos como V GS(on). la corriente entre el drenador y la fuente es nula.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Cuando la tensión de puerta es nula. Si se desea usar la salida de un CI para excitar una carga que necesita una gran corriente. esta capa se destruirá. cuando VGS es menor que VGS(on) la corriente de compuerta es nula. De cualquiera de estas dos maneras se destruirá el MOSFET. Aparte de la aplicación excesiva de este voltaje. Pero cuando V GS es mayor que VGS(on) se conecta la fuente al drenador y la corriente de drenador es grande. Los circuitos integrados digitales son dispositivos de baja potencia porque pueden proporcionar solo pequeñas corrientes de carga. Los MOSFET tienen un aislante que impide la corriente de puerta para tensiones tanto positivas como negativas.20V. por esta razón el MOSFET está en normalmente en corte cuando el VGS = 0V. esta capa se puede destruir si se retira o se inserta un MOSFET en un circuito mientras la alimentación esta conectada. se puede emplear un FET de potencia como interfase (Figura 5a). Esta capa debe ser capas de proporcionar más control sobre la corriente de drenaje pero puede destruirse si se aplica una tensión puerta – fuente excesiva Por ejemplo: Un 2n7000 tiene una VGS(max) de +/. Si la tensión puerta – fuente es más positiva que 20V o más negativa que -20V.

cuando la salida digital es baja el FET está abierto y el motor para de girar (Figura 5b).5 Comprobación del MOSFET canal N y canal P Igual que el transistor podemos numerar las patillas: poniendo al MOSFET en una posición determinada Grafico 4: ELECTRÓNICA DE POTENCIA 14 .a Cuando la salida digital es alta. en el caso del motor este tiene una tensión de 12V a través de el.b 2.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Figura 5. lo cual lo hace girar. Figura 5. el FET de potencia actúa como un interruptor cerrado.

AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Grafico 4 Representación de un MOSFET Sin embargo no hay que tratar de comparar las terminales del MOSFET con la de un transistor ya que ellas cumplen con diferentes funciones y lo mejor para ver los nombres de las terminales es un libro de reemplazo para estar seguro. Una vez realizado este paso se observara en el multímetro que la resistencia baja cambia a un estado demasiado alto como para representar una medición es decir que el ELECTRÓNICA DE POTENCIA 15 . Una vez realizado este paso se observara en el multímetro una medición de baja resistencia entre la terminal de drenaje y la terminal de fuente. toque la terminal de compuerta con la yema del dedo. 4. Una vez encontrada esta información las mediciones se pueden hacer siguiendo estos pasos: MOSFET de canal N 1. Coloque el borne negativo del multímetro en la terminal de fuente. Cortocircuite por medio de una de las puntas del multímetro todas las terminales. Sin quitar el borne negativo de la terminal de fuente 3. 2. Coloque (después de haber realizado el paso 2) el borne positivo del multímetro en la terminal de drenaje. esto se hace para eliminar cualquier rastro de medición echa anteriormente. y con el borne positivo del multímetro tocar la terminal de compuerta. Sin quitar el borne positivo del multímetro de la terminal de drenaje y el borne negativo de la terminal de fuente.

ELECTRÓNICA DE POTENCIA 16 . Las mediciones para un MOSFET de canal p son similares solo que se intercambian los papeles de la polarizaciones aplicadas con el multímetro Si no sucede así puede darse el caso que el MOSFET no haga la conmutación del cambio de estado o este en cortocircuito en todas sus terminales por lo cual estaremos en presencia de un MOSFET dañado y habrá que sustituirlo por otro de igual características.AVANSYS ELECTRÓNICA INDUSTRIAL MOSFET tiene resistencia alta entre la terminal de drenaje y la terminal de fuente Si estas mediciones son correctas de acuerdo a los pasos seguidos anteriormente estaremos en presencia de un MOSFET en buen estado.