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Tecniche di caratterizzazione

Monitoraggio in situ
Processi
Monitoraggio ex situ
Morfologia
Materiali

Strutture

Composizione
Struttura
Propriet ottiche, elettriche,
Termiche, meccaniche, biologiche,
Interazione con i gas e fluidi,

Componenti o dispositivi finali

Verifica di funzionamento

Tecniche di caratterizzazione.

I principi:

Microscopie Elettroniche

MICROSCOPIA OTTICA
Le lenti
Una lente costituita dallinsieme di due superfici rifrangenti.
Ad esempio nel caso di due superfici rifrangenti sferiche in aria,
costituite da un mezzo di indice di rifrazione n, in cui la distanza tra i
vertici O1 e O2 molto piccola abbiamo un lente sottile.

p, oggetto
q, immagine

Un raggio luminoso proveniente da P incontra dapprima la superficie


sferica convessa 1 e si rifrange, il raggio rifratto incontra poi la
superficie sferica concava 2 e si rifrange nuovamente.
Mettendo insieme le due rifrazioni con O1O2=0 otteniamo:
1 1
1 1
n 1
p q
r2 r1

Formula di Descartes per una lente sottile


Convenzioni di segno:
tutti i segmenti a destra di O sono positivi, quelli a
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sinistra negativi.

Punti focali o fuochi

1 1
1 1
n 1
p q
r2 r1

Fuoco oggetto

Fuoco immagine

1 1
1
n 1
Fo
r2 r1
p
q Fi

p, oggetto
q, immagine

p Fo
Fo 0 lente convergente

Se
Fo 0 lente divergente

Fi Fo

1 1
1 1
n 1
p q
r2 r1

1 1
1
n 1
Fo
r2 r1

1 1 1

p q F0

Equazione dei costruttori


di lenti

Centro ottico
Il punto O detto centro ottico.
Si pu dimostrare che i raggi luminosi passanti per O non vengono
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deviati.

Costruzione delle immagini per lenti sottili


Nellapprossimazione parassiale
(i) limmagine di un punto un punto,
(ii) limmagine di un segmento AB perpendicolare allasse
principale un segmento ab anchesso perpendicolare allasse
principale.

lente biconvessa (convergente)

lente biconcava (divergente)

Aberrazioni
Aberrazione sferica: dovuta alla non perfetta validit
dellapprossimazione parassiale.
Aberrazione cromatica: dovuta al fatto che lindice di rifrazione
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funzione della lunghezza donda della luce.

Aberrazioni
Aberrazione sferica: dovuta alla non perfetta validit dellapprossimazione
parassiale [secondo la quale per un raggio avente raggio di inclinazione a
rispetto allasse ottico a=sina=tga, vale quindi leq. delle lenti, limmagine di
un punto un punto, limmagine di un segmento AB perpendicolare allasse
principale un segmento ab anchesso perpendicolare allasse principale].

fortemente dipendente dalla forma delle lenti utilizzate e dalla distanza


delloggetto

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Aberrazioni
Aberrazione cromatica: dovuta al fatto che lindice di rifrazione funzione della
lunghezza donda della luce.

fortemente dipendente dalla forma e dalla dispersione n(l) delle lenti utilizzate
Possibile soluzione:
doppietto acromatico

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SISTEMI OTTICI
Il microscopio composto
consiste in due lenti convergenti: una detta obiettivo, laltra detta oculare.

La distanza focale f
dellobiettivo molto
pi piccola della
distanza focale f
delloculare: f<<f
La distanza OO tra le due lenti maggiore delle distanze focali
OO > f+f
Loggetto AB posto poco al di sopra di f.
Esso forma una immagine ab (capovolta) poco sotto il fuoco f.
ab loggetto per loculare che forma una immagine ab virtuale,
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capovolta e molto grande delloggetto.

SISTEMI OTTICI
Il microscopio composto
ab si deve formare ad una
distanza dalloculare pari
alla distanza minima della
visione distinta.
Per far ci si muove lintero
microscopio rispetto
alloggetto (messa a fuoco).
Lingrandimento vale:
M
M ob

ab
ab a' b'

M oc M ob
AB a' b' AB
L

f
L
M
ff '

M oc

f'

Nei microscopi reali L circa la distanza tra


obiettivo ed oculare
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SISTEMI OTTICI
Il microscopio composto
La capacit di ingrandimento di un microscopio non aumentabile a piacere
a causa del fenomeno della diffrazione.
La diffrazione dellobiettivo limita la distanza minima tra due oggetti che si
possono vedere ancora distinti in una immagine e quindi limita
lingrandimento.

Ricordiamo il fenomeno di diffrazione ..

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SISTEMI OTTICI
Il microscopio composto
La capacit di ingrandimento di un microscopio non aumentabile a piacere
a causa del fenomeno della diffrazione.
La diffrazione dellobiettivo limita la distanza minima tra due oggetti che si
possono vedere ancora distinti in una immagine e quindi limita
lingrandimento.

Ricordiamo il fenomeno di diffrazione per una fenditura rettangolare

I media

sin
bsin

I02
bsin
l

I media 0

bsin m
l
m 1,2,...

I punti di annullamento si trovano imponendo

sin m

l
b

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Potere risolutore di una fenditura rettangolare

Il potere risolutore definito come il minimo angolo di separazione tra due


onde piane le cui figure di diffrazione sono ancora visivamente separabili
su uno schermo.
Il criterio ideato da Rayleigh dice che:
due figure di diffrazione sono risolvibili se come situazione limite il
massimo centrale di una delle due cade sul primo zero dellaltra.
Cio se langolo di incidenza delle due onde piane
l
differisce al minimo di:

se l b

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Se la fenditura circolare..
Dischi di Airy

I punti di annullamento della figura di


diffrazione si trovano imponendo

sin 1.22

l
D

Usando lo stesso criterio (quello di


Rayleigh)utilizzato per la fenditura
rettangolare otteniamo che langolo
minimo tra le direzioni di due onde
piane le cui figure di diffrazione sono
ancora separabili su uno schermo posto ad
una grande distanza dalla fenditura vale:

1.22

l
D

se l D

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Potere risolutore di un microscopio.

Limmagine di un microscopio che si forma alla distanza minima


della visione distinta deve essere al minimo ab=10-2 cm.
Le dimensioni AB delloggetto sono limitate dalla diffrazione
dellobiettivo. Infatti, i punti A e B hanno una immagine che
la figura di diffrazione dei fronti donda che passano attraverso il
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foro costituito dallobiettivo.

Potere risolutore di un microscopio.


Lente obiettivo

Nel caso del microscopio

AO p f

quindi

AB f tga min fa min

AB 1.22

lvetro
D

f 1.22

con a min 1.22

lvetro

2 f tgb

lvetro
D

AB

lvuoto
nvetro

1
2 sin b

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Apertura numerica e risoluzione


Apertura numerica e dimensione dischi di Airy

NA = n sin (m)
n: indice di rifrazione

Aumento Apertura Numerica NA


Aumento risoluzione

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Elettroni:
40-200 keV
(standard)
200 keV 3 MeV
(high voltage)

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Electron Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS)


Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS)

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MICROSCOPIA A SCANSIONE
(SEM)
Elettroni: 0,5 40 keV

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