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FSICA MODERNA

INFORME FASE 3

GRUPO No

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD


ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA
Abril 30 del 2015

CONTENIDO
Pgina
INTRODUCCIN.......................................................................................................3
2. MARCO TERICO................................................................................................4
3. RESULTADOS.......................................................................................................5
3.1 Resultados Actividad 1.....................................................................................5
3.2 Actividad 2........................................................................................................6
4. ANLISIS DE LOS RESULTADOS........................................................................7
4.1 Actividad 1........................................................................................................7
5. CONCLUSIONES..................................................................................................8
6. BIBLIOGRAFA......................................................................................................9

INTRODUCCIN

Un mayor conocimiento del mundo ha implicado su


exploracin a nivel nanoscpico, pues a esta escala se
permite la comprensin de un sin nmero de situaciones que
a travs de los sentidos ha sido imposible. Las percepciones
del mundo macroscpico permiten estudiar un objeto
nicamente mediante el uso de los sentidos, pero a una
escala nanoscpica como es el caso del sistema de
tunelamiento microscpico se requiere el empleo de
artefactos que actan como sondas para la exploracin de
propiedades como la corriente, la fuerza o el campo
magntico.
El STM, Sistema de Tunelamiento Microscpico describe el
efecto tnel o tunelamiento de electrones, que hace
referencia al fenmeno de conduccin de corriente a travs de
un material en el cual no se espera conduccin. Este
comportamiento se ha comparado con lo que puede suceder
si se acercan dos alambres metlicos para pasar corriente de
uno al otro, si entran en contacto la corriente completa su
trayectoria; sin embargo, a escalas nanoscpicas el contacto
entre los alambres no es obligatorio porque a unas pocas
dcimas de nanmetros se puede observar una pequea
corriente. Los electrones tunelean a travs del aire que se
constituye en una barrera
El efecto de tunelamiento se ha comparado en el mundo
macroscpico con lo que ocurrira si se lanzar una pelota
contra una pared y la pelota la atravesara.
El comportamiento que se menciona de los electrones se
conoci gracias a la invencin del microscopio de barrido por
tunelamiento de electrones, construido por Gerg Binnig y
Heinrich Rohr en 1981 y que los hizo merecedores del premio
4

Nobel en 1986. El microscopio ha permitido ver lo que durante


mucho tiempo fue imposible, pues permite ver en un objeto la
posicin de tomos o molculas y si es el caso cambiar la
ubicacin de ellos. La modificacin con lleva a la creacin de
nuevos materiales o productos tiles en la diferentes aspectos
de la vida.
Las barreras de potencial son funciones de energa potencial
con un mximo; desde la mecnica cuntica es posible
comprender cmo una partcula que se encuentre con este
tipo de barreras no necesariamente regresa, pues existe la
posibilidad de que atraviese el otro lado. El nombre de
tunelamiento se relaciona con la capacidad de las partculas
de cavar un tnel sin necesidad de alcanzar una cima y llegar
al otro lado. Sin embargo desde la mecnica cuntico no se
atraviesa la barrera cavando ni se pierde energa.
En una barrera de energa potencial, segn la mecnica
newtoniana, donde la energa total E es menor que la
estipulada en la barrera de potencia, no permite que la
partcula pase la barrera y est destinada a quedarse en el
lado que inicialmente se encuentre.
OBJETIVOS

Describir el efecto tnel de una barrera de potencial de


altura Vo y la importancia que ha tenido ese efecto dentro
de la tecnologa actual

2. MARCO TERICO

Aproximadamente, en 1928, George Gamow resolvi la teora


de la desintegracin Alfa de los ncleos atmicos a travs de
las propiedades del efecto tnel. Clsicamente, la partcula se
encuentra confinada al ncleo debido a la ingente cantidad de
energa requerida para escapar a su potencial. Anlogamente,
es necesario un aporte enorme de energa para desgajar el
ncleo de las mismas. En mecnica cuntica, sin embargo,
existe una probabilidad razonable de que la partcula
atraviese el potencial enrgico descrito por el ncleo y logre
escapar de la influencia del mismo. Gamow resolvi un
modelo potencial para los ncleos atmicos y deriv una
relacin entre la vida media de la partcula y la energa de
emisin.
La descomposicin alpha tambin fue resuelta al mismo
tiempo por Ronald Gurney y Edward Condon. A partir de
entonces, se consider que las partculas pueden introducirse
en un tnel energtico que incluso atraviese el mismo ncleo
atmico, dotando de validez completa al modelo energtico
para cualquier aplicacin del "efecto tnel".
Despus de la asistencia de Max Born al seminario de Gamow,
el primero reconoci las generalidades o bsicas de la
mecnica del efecto. Se dio cuenta de que el "efecto tnel" no
se restringa nicamente a la fsica nuclear, sino que provea
un resultado general que se aplica a un conjunto muy
heterogneo de sistemas que se rigen por las leyes de la
mecnica cuntica. Hoy en da, la teora de los tneles
energticos o "efecto tnel" est siendo aplicada a la fsica de
lacosmologa del universo. Sus usos estn, asimismo,
derivndose a otras reas del progreso tecnolgico, como la
transmisin en fro de electrones, y quiz, de forma ms
importante
y
reconocida
a
la
fsica
de semiconductores ysuperconductores. Fenmenos como la
emisin de campo, vital para las memorias flash son
dilucidados cunticamente a travs de las consecuencias del
efecto tnel. Este efecto tambin es un recurso para ampliar
6

el escape en la electrnica de Integracin a Muy Altas Escalas


o VLSI y resulta en el substancial poder de drenado y efecto
de calentamiento que mina latecnologa mvil de alta
velocidad.
Otras
aplicaciones
son
el microscopio
de
efecto
tnel (electrn-tnel) que puede presentar y resolver objetos
que son muy pequeos para ser visualizados a travs de
microscopios convencionales. Estos artificios superan las
limitaciones de los microscopios pticos; aberracin visual,
lmites de longitud de onda realizando un barrido de superficie
sobre el objeto con electrones "tuneladores".
Es notable comprobar que ha demostrado tratarse de un
efecto
que
se
lleva
a
cabo
naturalmente
por
las enzimas paracatalizar reacciones qumicas, y se ha
demostrado que, stas mismas, son avezadas a su uso a la
hora de transferir sendos electrones y tomos nucleares,
como el hidrgeno y el deuterio. Tambin se ha observado en
la enzima (GOx) (EC 1.1.3.4) que los ncleos de oxgeno
pueden atravesar tneles energticos bajo condicionantes
fisiolgicos.

El diagrama compara el efecto de tnel con el movimiento


clsico de un objeto. Por analoga con la gravedad, el objeto
tiende a desplazarse en direccin al centro de la tierra.

Clsicamente, para alcanzar el estado mnimo, debe proveerle


con energa adicional. Bajo la ley de la mecnica cuntica, sin
embargo, el objeto puede ocasionalmente "atravesar" el
estado energtico representado por las dos pendientes y la
cresta hasta lograr un estado de mnimo de potencial
energtico. Considerando un mvil que circula a lo largo de la
trayectoria que describe una vaguada (Para los propsitos de
la dilucidacin, discriminar fuerzas adicionales a la gravedad).
Se dice que el mismo, se encuentra a 500 metros sobre el
nivel del mar, la cima de la montaa, simbolizada por una
cresta energtica, alcanza los 1000 metros, y el plano ms
all de la misma, se encuentra a la altura del mar. Toda
instancia o entidad material que conocemos tiende a su nivel
mnimo energtico (esto es, mayor entropa, por lo que el
objeto tratar de descender tanto como sea posible). En la
mecnica clsica, mientras una posicin del plano sea
energticamente menor que aquella que ocupa el mvil, sin
compromiso ulterior con las fuerzas aadidas al sistema, ste
no tendr la capacidad de por s para alcanzar esa posicin.
Sin embargo si existiera un tnel comunicante entre ambos
flancos de la montaa, el vehculo se desplazara a travs de
8

ella sin la necesidad de una energa suplementaria a la misma


gravedad. En aplicacin a una partcula que se rige bajo los
preceptos de la mecnica clsica, esto es considerado
"tunelado cuntico". Ntese que se trata de un efecto vlido
en escalas fenomenolgicas extremadamente mnimas,
generalmente, slo puede ser observado cuando existe un
intercambio energtico entre partculas de tamao atmico o
ms reducidas, en las cuales el potencial del intercambio o
trasvase con las fuerzas que ello involucra, lo transforma en
un fenmeno notablemente ms complejo, y en el que no
existen vasos comunicantes entre tneles de recorrido
creciente. Este fenmeno, como se ha expuesto antes, slo
permite graduar la energa del espacio que recorre la partcula
de forma decreciente y de acuerdo con la segunda ley de la
termodinmica.
Consideremos la forma atemporal de la ecuacin de
Schrdinger para una partcula unidimensional, bajo la
influencia de una "colina" potencial.
.

Ahora,
recuperemos
la
exponencial de una funcin.

funcin

de

onda

como

Separamos
en sendas partes reales e imaginarias,
empleando para ello las funciones de variable real A y B.

,
porque la parte imaginaria pura desaparece debido a la
evaluacin real del segundo miembro:
9

Lo siguiente es tomar la aproximacin semiclsica para


resolver la ecuacin. Esto significa que habremos de expandir
cada funcin como una superserie en . De las ecuaciones,
inferimos que las superseries deben comenzar, cuando menos
un orden de
para satisfacer la parte real de las mismas.
Pero, cuando el clculo requiere de un lmite clsico
razonablemente ms preciso, tambin necesitaremos
comenzar con un orden de magnitud superior a la constante
de Planck como sea posible.

Las limitaciones en los trminos de mnimo orden quedan:

Si la amplitud vara lentamente en comparacin con la fase,


especificamos
y obtenemos:

que es nicamente vlida cuando se dispone de ms energa


que potencial - movimiento clsico. Despus se aplica el
mismo procedimientos en el siguiente orden de la expansin y
obtenemos:

Por otra parte, si la fase vara lentamente en comparacin con


la amplitud, podemos ajustar
y obtener:

10

que es vlido slo si tiene mayor potencia que energa movimiento tunelado. Resolviendo la siguiente expansin con
un orden superior, obtenemos:

Es aparente por el denominador, que ambas soluciones


aproximadas se alejan del punto de curvatura clsico
. Lo que tenemos son las soluciones aproximadas ms all del
potencial de la "colina" y debajo de la misma. Ms all de
esta, la partcula se comporta como una onda libre - la fase es
oscilante. Debajo, la partcula sufre cambios exponenciales en
la amplitud.
En un problema especfico del "efecto tnel", deberamos
sospechar que la amplitud de la transicin es proporcional a

, por lo que, de esta manera, el efecto est exponencialmente


complicado por largas desviaciones provenientes de la
permisividad motriz clsica. Pero para completarlo, debemos
encontrar las soluciones aproximadas en algn sitio y
relacionar los coeficientes para lograr una aproximacin global
al problema. Empleamos para ello las soluciones que se
aproximen con fundamento a aquellas halladas antes de los
puntos de curvatura clsicos
.
Si
designa a un punto de cruvatura, y debido a que se
sitan
prximos
,
se
puede
expandir
en una serie de Taylor:

11

Aproximmonos

nicamente

al

orden

lineal

Esta
ecuacin
diferencial
parece
sospechosa
y
engaosamente simple. Sus soluciones son funciones de Airy:

Supuestamente, esta solucin debera conectar las soluciones


halladas para los puntos del espacio allende las crestas y
debajo del sistema. Dados dos coeficientes en un lado del
punto de curvatura, deberamos poder determinar otros dos
coeficientes, al otro lado de la misma empleando esta
solucin local que los conecte. Por esta ende, ahora hemos
encontrado una relacin entre
y
.
Afortunadamente, la funciones de Airy son asntticas para los
senos, cosenos y funciones exponenciales, dentro de los
propios lmites que las definen. La relacin pues, se determina
como siguen estas lneas:

Ahora, podemos construir soluciones globales y resolver


problemas de "tunelacin". El coeficiente de transmisin,

12

para una partcula "tuneladora" a travs de un potencial


enrgico o barrera, obtenemos que debe ser:

Donde,
no son sino los dos puntos de la curva
clsicos definidos por la barrera de potencial. Si
tomamos el lmite clsico de todos los dems
parmetros mayores que la constante de Planck,
abreviados como
, podemos observar que el
coeficiente de transmisin tiende a cero. Este lmite
clsico puede fallar virtualmente, pero es ms fcil de
resolver, como es el caso del potencial cuadrtico .

4. ANLISIS DE LOS RESULTADOS


1- El escaln de potencial es un caso de inters porque la solucin de la
ecuacin de Schrdinger contradice el comportamiento clsico de una partcula.
V(x)

E > Vo
Vo
E < Vo
V= 0

Regin I

Regin II
x=0

13

El escaln de potencial consiste en una regin I, x < 0, donde la energa


potencial es nula, seguida de una regin II donde la energa potencial es constante
de valor Vo. La funcin V(x) presenta una discontinuidad en x = 0.
a) Plantear el sistema, las condiciones de contorno y analizar las soluciones de los
dos casos que se pueden presentar:
energa de la partcula E < Vo
energa de la partcula E > Vo
En ambos casos indicar qu podra esperarse como solucin segn la mecnica
clsica.

2- Para un escaln de potencial como el de la figura anterior se suele definir la


distancia de penetracin d a la distancia que recorre la partcula desde x = 0 hasta
x= d = 1/ , de modo que el exponencial e -x = e 1, de donde resulta:
d

2 m (Vo - E)
De acuerdo con la definicin anterior calcular d y comparar

resultados para:

En mecnica cuntica este efecto se denomina penetracin de la barrera de


potencial o efecto tnel. El efecto tnel es un fenmeno importante en
dispositivos semiconductores porque adems de los dispositivos que basan su
funcionamiento en dicho efecto, como el diodo tnel, tambin lo hacen los
contactos hmicos que proporcionan la conexin entre un semiconductor y el
V(x)
mundo exterior, en los circuitos integrados.
Vo
Cuando la energa de las partculas que inciden sobre la barrera de potencial es
menor que la altura de la misma, las partculas que hayan atravesado la barrera,
una distancia mayor que a (ancho de la barrera), tendrn una energa cintica
igual a su energa total y se movern hacia la derecha con igual velocidad que las
partculas incidentes. Estas partculas transmitidas han atravesado
una regin
x
a
clsicamente prohibida.
V(x)
Vo
1

14

E < Vo se presenta un caso como el siguiente:


V(x)
Vo
E < Vo
incidentes
I

II transmitidas
III

reflejadas
x=0

x=a

Plantear el sistema, las condiciones de contorno y analizar las soluciones de la


ecuacin de Schoedinger dividiendo el sistema en tres regiones: I (x < 0), II (0 <x<
a) y III (x> a).

E - 2a
E
1 e
Vo
Vo

T 16

2 m (Vo - E)
h2

3- El coeficiente de transmisin T
para una barrera de potencial de altura Vo y ancho a puede ser evaluado por la
siguiente expresin, vlida para E << Vo.:
15

5. CONCLUSIONES
Como conclusiones veo las aplicaciones tan Inmesas que tiene este efecto Tunel
asi :

1) INTRODUCCIN Y ESQUEMA DE BANDAS

El diodo tnel es dispositivo diseado de manera que,


para un determinado rango de tensiones de polarizacin, la
caracterstica I(V) est determinada por el efecto tnel a
travs de la barrera de la zona de carga de espacio, lo que da
lugar a una zona de resistencia diferencial negativa.

16

ECP
eVB~Eg

EVP

EF
ECN

EVN

El diodo tnel es una unin p-n


en la que ambas partes de la unin son degeneradas, es
decir, en la que a ambos lados de la unin el nivel de Fermi
est dentro de las bandas.

En equilibrio trmico, existir una barrera cuya altura es


del orden del gap del semiconductor, tal como muestra la
figura. Los parmetros a tener en cuenta en el estudio del
diodo tnel son, por una parte, la anchura de la zona de carga
de espacio, que determinar la transmitancia cuntica de la
barrera y, por otra parte, el nivel de degeneracin de ambas
bandas.

Recordemos que la anchura de la barrera viene dada por:

2 ( N D N A )VB
eN D N A

17

Para que la transmitancia cuntica de una barrera se


significativa es necesario que su anchura de la barrera sea
del orden de unos 10 nm, lo que se alcanza con
concentraciones de impurezas entre 1019 y 1020 cm-3.
En cuanto al nivel de degeneracin de las zonas p y n,
que determinar la concentracin de electrones disponibles
para el efecto tnel, podemos definir dos parmetros:

eVn E F ECN

eV p EVP E F

Estos parmetros se relacionan con los niveles de dopado a


travs de las relaciones:

n =N D

1
3

(
2

2 m*e

3
2

3
2

) (eVn )

p =N A

1
3

(
2

2 m*h

3
2

) (eV p )2

18

2.- TRANSMITANCIA DE UNA UNIN TNEL

Eg

U(x)=(x/W)Eg

El efecto tnel se produce entre los


estados ocupados de una banda a un lado de la barrera y los
estados vacos del otro lado de la barrera, situados a la misma
energa. As, por ejemplo, los electrones de la vabda de
conduccin de la zona n podran pasar por efecto tnel a los
estados vacos de la banda de valencia de la zona P.

El modelo ms sencillo para calcular la transmitancia de


la barrera consiste en suponer que el campo elctrico en la
barrera es homogneo y que, por tanto, la barrera que han de
superar los electrones es triangular.

De acuerdo con el modelo WKB (Wentzel-KramersBrillouin), la transmitancia cuntica de una barrera viene dada
por
W

T e 0
2

k ( x ) dx

19

Esta expresin proviene de calcular la relacin entre las


amplitudes de la funcin de ondas en ambos lmites de la
barrera. Al ser la energa de los electrones menor que la altura
de la barrera, el vector de ondas es imaginario puro y la
funcin de ondas es una onda evanescente que decrece
exponencialmente:
( x) e

k ( x) x

k ( x)

2mU ( x)
2

Calculemos la integral que aparece en la transmitancia:

k ( x) dx
0

2m*U ( x)
dx
2

2 m* E g x
dx
2W

2m* E g 2 32
x
2W 3

*
2 2m E g
W
3
2

de manera que la transmitancia ser:

TT e

4
W
3

2 m* E g
2

Para el silicio (m*~0.23 m0, Eg=1 eV) el valor de la raz que


aparece en el exponente es del orden de 3.1 10 7 cm-1. Con
una barrera de 3 nm de anchura (3 10 -7 cm), la transmitancia
de la barrera sera del orden de 6 10 -6. Con valores tan bajos
de la transmitancia, se entiende por qu se necesita una
unin degenerada para que la corriente tnel sea significativa:

20

- Por otra parte, para alcanzar esos valores de la anchura


hacen falta niveles de dopado muy altos (entre 1019 y 1020 cm3
). Con valores del orden de 1017 cm-3 la transmitancia caera a
10-53.

- Por otra parte, solo con concentraciones de portadores muy


altas pueden conseguirse corrientes significativas.

3.- CARACTERSTICA I(V)

De manera general, la corriente tnel tendr dos


contribuciones: La corriente de electrones de la parte n a la
parte p:
EV

I n p cte T ( E ) f C (1 fV ) g C ( E )g C ( E ) dE
EC

y la corriente de electrones de la parte p a la parte n:


EV

I p n cte T ( E ) fV (1 f C ) g C ( E )g C ( E ) dE
EC

- Polarizacin inversa

Si aplicamos una tensin de polarizacin inversa V


(tensin negativa en N), la barrera de potencial aumenta (la
diferencia entre los cuasiniveles de Fermi a ambos lados de la
unin pasa a ser eV).
21

Los estados ocupados de la banda de valencia de la zona


P situados entre EFP y EFP-eV se encuentran enfrentados a
estados vacos de la banda de conduccin de la zona N
(situados entre EFN y EFN+eV).
En esa situacin la corriente tnel

I n p

ser despreciable

I pn

frente a
, que aumentar rpidamente con la tensin de
polarizacin debido al aumento de la banda de energa en la
que es posible el efecto tnel y debido al aumento de la
densidad de estados al profundizar en ambas bandas.

ECP
eVB~Eg

EVP
EFp
eV

EFn
ECN

EVN

3.- CARACTERSTICA I(V)

De manera general, la corriente tnel tendr dos


contribuciones: La corriente de electrones de la parte n a la
parte p:
22

EV

I n p cte TT ( E ) f C (1 f V ) g C ( E )g C ( E )dE
EC

y la corriente de electrones de la parte p a la parte n:


EV

I p n cte TT ( E ) f V (1 f C ) g C ( E )g C ( E )dE
EC

- Polarizacin inversa

Si aplicamos una tensin de polarizacin inversa V


(tensin negativa en P), la barrera de potencial aumenta (la
diferencia entre los cuasiniveles de Fermi a ambos lados de la
unin pasa a ser eV).
Los estados ocupados de la banda de valencia de la zona
P situados entre EFP y EFP-eV se encuentran enfrentados a
estados vacos de la banda de conduccin de la zona N
(situados entre EFN y EFN+eV).

23

EFn
ECN

EVN

eV

EVP
EFp

I n p

En esa situacin la corriente


I p n

tnel
ser despreciable frente a
, que aumentar
rpidamente con la tensin de polarizacin debido al aumento
de la banda de energa en la que es posible el efecto tnel y
debido al aumento de la densidad de estados al profundizar
en ambas bandas.

- Polarizacin directa
Si aplicamos una tensin de polarizacin directa V
(tensin positiva en P), la barrera de potencial disminuye (la
diferencia entre los cuasiniveles de Fermi a ambos lados de la
unin sigue siendo eV). En esa situacin la corriente tnel
ser predominante

I n p

24

EFn
ECN

EVN

eV

EVP
EFp

Si la tensin de polarizacin
es pequea, cada vez ms estados ocupados de la banda de
conduccin de la zona N se encuentrarn enfrentados a
estados vacos de la banda de valencia de la zona P. Por tanto,
la corriente tnel aumentar con la tensin de polarizacin
directa para valores pequeos de dicha tensin de
polarizacin. La corriente alcanzar un mximo cuando el
intervalo de mayor densidad de estados ocupados en la
banda de conduccin de la zona N se enfrente al intervalo de
mayor densidad de estados vacos en la banda de valencia de
la zona P, a partir de ah ir disminuyendo y tender a cero.

25

I
2

3
4
V

V=VN+VP

En efecto, si la tensin de
polarizacin es mayor que V N+VP, el mnimo de la banda de
conduccin de la zona N sobrepasar el mximo de la banda
de valencia de la zona P y todos los estados ocupados de la
banda de conduccin de la zona N estarn enfrentados a la
banda prohibida de la zona P. Para esa situacin la corriente
tnel es nula.
La siguiente figura muestra la caracterstica I(V) de un
diodo tnel, para las tensiones en las que predomina la
corriente tnel:
Punto 1: situacin de polarizacin inversa en la que la
corriente aumenta indefinidamente con
la tensin de
polarizacin.
Punto 2: situacin de polarizacin directa para valores
pequeos de V. La corriente tnel aumenta al aumentar V.
Punto 3: valor mximo de la corriente tnel en
polarizacin directa.
Punto 4: la tensin de polarizacin alcanza el valor
V=VN+VP, valor a partir del cual se anula la corriente tnel.

26

Entre los puntos 3 y 4 el diodo tnel tiene resistencia


diferencial negativa. Situado en una cavidad resonante, y
polarizado en esa zona, la resistencia diferencial negativa da
lugar a una inestabilidad lo que convierte el dispositivo en un
generador de microondas.

4) MODELO PARA LA CARACTERSTICA I(V) EN POLARIZACIN


DIRECTA

Con alguna aproximaciones es posible obtener una


expresin analtica de la caracterstica I(V) de un diodo tnel
en polarizacin directa. Tal como hemos indicado
anteriormente, la caracterstica I(V) viene dada por:
EV

I I n p I p n Cte TT ( E ) f C (1 f V ) g C ( E )g V ( E )dE
EC

EV

EV

EC

EC

Cte TT ( E ) f V (1 f C ) g C ( E )g V ( E )dE CteTT ( f C f V ) g C ( E )g V ( E )dE

En la ltima expresin hemos considerado que la


transmitancia tnel de la la barrera es independiente de la
energa de los electrones.

Para las probabilidades de ocupacin, y dado que se


trata
de valores de la energa prximos al nivel de Fermi,
podemos utilizar un desarrollo lineal, de manera que:

27

f C (E)

1
1 e

E E FN
kT

df C

dE

f C ( E FN )

fV ( E )

E E FN

( E E FN )

1
1

( E E FN )
2 4kT

1
1

( E E FV )
2 4kT

por tanto
f C ( E ) fV ( E )

1
eV
( E FC E FV )
4kT
4kT

Por otra parte, consideraremos densidades de estados de


bandas parablicas, de manera que:
eV
I (V ) CteTT
4kT

EV

1
1
eV V
2 E E 2 dE

g
(
E
)
g
(
E
)
dE

CteT
E

E
T
C
V
C V
4kT EC
EC

Como las posiciones relativas de EC y EV cambian en funcin


de la tensin de polarizacin, el valor de la integral cambia en
funcin de V. Para calcular la integrar hacemos :

EV E EV E E C EC E C E E C EV
EC EV E C E Fn E Fn EV E Fp E Fp

E Fn E Fp E C E Fn EV E Fp eV Vn V p eV Vdd

28

donde Vdd=Vn+Vp. Si hacemos el cambio de variable u=E-E C,


y definimos a=e(Vdd -V), la integral queda:

EV

1
2

E E E
C

EC

1
2

E dE
0

Con un nuevo cambio de variable:


EV

E E
C

EC

1
2

a
2u
u a u du 1
1
20
a

2u
1 cos
a

du

a
du sen d
2

a2
a 2
2
EV E dE sin d
4
4
1
2

Con este resultado, la caracterstica I(V) del diodo tnel en


polarizacin directa (para V<Vdd) queda:

I (V ) CteTT

e
V (V Vdd ) 2
16kT

Esta ecuacin describe correctamente el comportamiento del


diodo tnel: la corriente se anula para V=0 y V=V dd y tiene un
mximo. Podemos calcular la conductancia diferencial del
diodo tnel:

29

g (V )

dI (V )
e
e
CteTT
(V Vdd ) 2 2V (V Vdd ) CteTT
(Vdd V )(Vdd 3V )
dV
16kT
16kT

El mximo de corriente se produce para V=V dd/3


y la
conductancia diferencial es negativa para Vdd/3 <V< Vdd.

Las expresiones deducidas en el tratamiento anterior


solo se refieren a la corriente tnel. Se ha despreciado la
corriente de difusin.
Obviamente, para
tensiones de
polarizacin positivas mayores que V dd empezar a ser
significativo el trmino de difusin.
CONCLUSIONES FINALES

Interpretacin del efecto tnel y sus aplicaciones prcticas.

El efecto tnel puede ser explicado a


partir del concepto de ondas de probabilidad. Consideremos el
balanceo de una bola en una colina con subidas y bajadas
sin friccin, segn lo mostrado en la figura, suponga que la
bola esta sostenida momentneamente y se suelta de
la posicin A,esta rodara cuesta abajo y subira la colina hacia
la posicion C, nunca podr llegar a una altura mas alta que el
nivel del punto A, podr llegar a la posicion B, que esta en la
misma altura que A,la bola ira hacia arriba y hacia
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abajo,oscilando entre los puntos A y B, para siempre. No hay


forma por la cual la bola pueda pasar a la posicin D dentro
del dominio de la mecanica Newtoniana,pero esto es
exactamente lo que ocurre en el dominio de la mecanica
cuantica. La bola puede rodar cuesta abajo en la otra cara de
la colina,despues de subir hasta la posicion B, esta se
materializa en la otra cara,esto se denomina efecto tunel en la
mecanica cuantica.

Si un hombre tira una pelota contra una


pared,la bola rebota devuelta,de acuerdo a las leyes de la
fisica cuntica,la bola puede penetrar a traves de un tnel por
la pared,pero debido que la bola es un objeto
macroscopico,las posibilidades de que esto ocurra, es
infinitamente pequena.
Dos metales separados por un vacio,se aproximan a esta
situacion,los
electrones
en
el
metal
son
bolas y
el vaci representa la pared.Los electrones no tienen
suficiente energia para escapar a traves del vaci,pero,los dos
metales pueden intercambiar electrones por efecto tunel,si
estos estan suficientemente prximos,la probabilidad de que
esto
suceda
es
grande,porque
los
electrones
son partculas microscpicas.
A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento
ondular; en la teora cuntica, un cuanto movindose en
direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser
descrito por su funcin de onda, que representa la amplitud
probable que tiene la partcula de ser encontrada en la
posicin allende la estructura de la curva. Si esta funcin
describe la posicin de la partcula perteneciente al flanco
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adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta


probabilidad de que se haya desplazado "a travs" de la
estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que
atraviesa la cima energtica relativa. A esto se conoce como
efecto tnel.
El tunelaje a travs de una barrera es un fenmeno muy
interesante y peculiar ya que cuando una partcula incide en
una
barrera
de
altura
y
ancho
finitos,
se interpreta, clsicamente la partcula rebota debido a que
no tiene suficiente energa para cruzar e incluso penetrar la
barrera. Sin embargo, de acuerdo con la mecnica cuntica,
todas la regiones son accesibles a la partcula, sin que importe
su energa debido a que la amplitud de la onda de la materia
asociada a la partcula es diferente de cero en todos lados
(excepto en ciertos puntos). Debido a la probabilidad de
localizar a la partcula es proporcional a *2, se concluye que
la posibilidad de de localizar a la partcula ms all de la
barrera. esta penetracin de la barrera esta en completo de
acuerdo con la mecnica clsica. la posibilidad de que
la partcula penetra la barrera se denomina tunelaje
o penetracin de barrera. cualquier intento para observar
la partcula dentro de la barrera y confirmar el valor de
su energa es frustrado por el principio de incertidumbre. Si
ocurre el tunelaje, la barrera debe ser suficientemente
estrecha y baja, para permitir una medicin de la posicin y
momento de la partcula consiste en las expectativa.Este
resultado sorprendente surge de nuestra visin clsica de la
barrera como si fuera continua. en la practica, las barreras por
lo comn estan formadas por particulas de posicin incierta,
de modo muy similar al de centinelas errantes fuera del
campamento. En ocasiones los intrusos pueden penetrar las
barreras de centinelas y entrar al campo.
la probabilidad de tunaje puede describirse con un coeficiente
de transmisin, T, y un coeficiente de reflexin, R. el
coeficiente de transmisin mide la probabilidad de que
la partcula penetre la barrera, y el coeficiente de reflexin es
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la probabilidad de que la partcula sea reflejada por la


barrera.
Algunas aplicaciones de tunelaje
como hemos visto, el tunelaje es un fenmeno cuntico,
una manifestacin de la naturaleza ondulatoria de la materia,
hay
muchos
ejemplos
en
la
naturaleza
en
las
escalas atmica y nuclear que pueden comprenderse solo con
base en el tunelaje.

Diodo tnel. Es un dispositivo semiconductor que se


compone de dos regiones cargadas opuestamente y
separadas por una regin neutra muy estrecha. La corriente
elctrica, o tasa de tunelaje, puede controlarse sobre un
amplio intervalo variando el voltaje de polarizacin, lo cual
cambia la energia de los electrones de tunelaje.

Unin Josephson. Consta


de
dos
superconductores
separados por una capa de oxido aislante delgada, de 1 a 2
nm de espesor. En condiciones apropiadas, los electrones en
los superconductores viajan como un par y efectan tunelaje
de un superconductor a otro a travs de una capa de oxido. se
han observado varios efectos en este tipo de unin. Un
ejemplo de ello es la corriente directa se observa a travs de
la unin en ausencia de campos elctricos o magnticos.

Decaimiento alfa. Una forma de decaimiento radiactivo


es la emisin de la partcula alfa (los ncleos de los tomos de
helio) por medio de ncleos pesados e inestables. Para
escapar del nucleo, una partcula debe penetrar una barrera
varias veces mayor que su energa. La barrera se debe a
una combinacin de la fuerza nuclear atractiva y de
la repulsin de Coulomb entre la partcula alfa y el resto de
los ncleos. Ocasionalmente,
una partcula alfa
realiza
tunelaje a travs de la barrera, lo cual explica el
mecanismo bsico de este tipo de decaimiento y las grandes
variaciones en los tiempos de la vida media de
diversos ncleos radiactivos.

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6. BIBLIOGRAFA
(En formato APA. Puede utilizar la Administracin de Fuentes Bibliogrficas que
trae incorporado Word, en Referencias)
Utilice el siguiente enlace para crear las referencias:
http://www.cva.itesm.mx/biblioteca/pagina_con_formato_version_oct/apa.htm

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