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TRANSISTORES DE UNION

BIPOLAR (BJT)

CONTENIDO

Introduccin
El transistor de unin bipolar (BJT)
Configuraciones del transistor BJT.
Definicin de los estados del transistor BJT.
Configuracin del BJT en Emisor Comn.
Circuitos de polarizacin. Rectas de carga esttica.
El BJT en conmutacin.

TRANSISTORES (Panormica)

BIPOLARES
(BJT)

NPN
PNP
CANAL N (JFET-N)

TRANSISTORES

UNIN
EFECTO DE
CAMPO
(FET)

CANAL P (JFET-P)

METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

INTRODUCCION
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de
tres terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en
electrnica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de
manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe
desgaste por partes mviles).
Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no
lineales.

Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna


puede variar en funcin de la seal de entrada. Esta variacin de
resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por
el circuito al que est conectado. (Transfer Resistor).

TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)


Base
(B)
Colector
(C)

N P N
C

SMBOLO
B
C

Para que sea un transistor y no dos diodos deben


de cumplirse dos condiciones.
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
(Fundamental para que sea transistor).
2.- El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector est muy poco dopado
y es mucho mayor.

IMPORTANTE !!!
No es un dispositivo simtrico

NP

Emisor
(E)

En principio un transistor bipolar est formado


por dos uniones PN.

N+
E

ASPECTO MAS REAL DE UN


TRANSISTOR BIPOLAR

Descubiertos por
Shockley, Brattain
y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)

CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT

Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en


sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector)
En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
La unin correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la BaseColector en inversa. As, por la unin Base-Colector circula una corriente
inversa.
En npn, la regin de emisor tiene mayor
dopaje que la base. Al polarizar la unin
Base-Emisor en directa, y la BaseColector en inversa, los electrones libres
que proceden del emisor llegan a la
base, con mucho menor nmero de
huecos, por lo que son atrados por el
colector (con alta concentracin de
impurezas).

TRANSISTOR BIPOLAR npn

Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n,
contenidas en un mismo cristal semiconductor de
germanio o silicio, presentando las tres zonas
mencionadas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la
base.
En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores que no puede
acaparar la base.
Unin emisor: es la unin pn entre la base y el emisor.
Unin colector: es la unin pn entre la base y colector.
Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces
menos que el colector o emisor.
La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.

TRANSISTOR BIPOLAR pnp


El BJT pnp est formado
tambin
por
un
cristal
semiconductor
con
tres
regiones definidas por el tipo
de impurezas.
Las
tensiones
de continua
aplicadas son opuestas a las del
npn.
Las corrientes fluyen en
sentido contrario al del npn.
Por lo dems, este dispositivo
es similar al npn.
El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la
base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la
base van a parar al colector.

CONFIGURACIONES DEL BJT


Aunque
el
transistor
posea
nicamente tres terminales, se puede
realizar
su
estudio
como
un
cuadripolo (dos terminales de
entrada y dos de salida) si uno de sus
terminales es comn a la entrada y
salida:
Base Comn.
Emisor Comn.
Colector Comn

Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea; Rs muy grande.


Colector comn (CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy
pequea.
Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea; Rs grande.
El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal.
El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que
ataca a una carga de alta resistencia.
El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a
9
una carga de bajo valor.

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN


C
IC [mA]

B
E
ZONA DE
SATURACIN:
Comportamiento como
interruptor cerrado.

IB [mA] =
30

3000

= 100
2000

20

1000

10

ZONA ACTIVA:
Comportamiento
como Fuente de
Corriente.

0
VCE

ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:


Emisor y colector intercambias papeles.
Podemos tener una INVERSA, que en el
dispositivo ideal consideraremos cero

ZONA DE CORTE:
Comportamiento
como interruptor
abierto.

FUNCIONAMIENTO BASICO BJT npn


En el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unin Base- Emisor;
e inversamente la unin Base-Colector.
Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6 voltios (polarizacin directa), y
Vce>Vbe (unin base-colector en inversa).
La corriente de emisor es aquella que pasa por la unin base-emisor
polarizada en directa y depende de Vbe al igual que en un diodo pn.

ECUACIONES DEL DISPOSITIVO


Aplicando la 1 Ley de Kirchhoff al BJT:

iE
El parmetro
emisor:

= iC + iB

del BJT es el cociente corriente colector y corriente de


i

Ci
E

oscila entre 0,9 y 0,999. As pues, es el colector quien proporciona


la mayor parte de corriente del emisor.
La unin pn base emisor cumple la ecuacin (Shockley):
=

Sustituyendo la corriente de emisor:


=

1
12

ECUACIONES DEL DISPOSITIVO


Para una tensin base emisor superior a unas dcimas de voltio, la
exponencial hace despreciable la unidad del interior del parntesis.
Sustituyendo la intensidad de colector utilizando las dos primeras
ecuaciones:
= (1 )
Definiendo

como:

La relacin entre

es:

i
C
1 iB

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CONFIGURACION DEL BJT EN EMISOR COMUN CURVAS


CARACTERISTICAS BASICAS

El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs. Ib) y
de salidad (Ic vs. Vce) del BJT en EC.
Se observa que la caracterstica de entrada, es similar a la del diodo.
As, tambin disminuir Vbe con la temperatura a razn de 2mV/K.
Las curvas caractersticas de salida muestran la corriente de colector
independiente de la Vce, si es mayor de 0,2 v.

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MODOS DE TRABAJO DEL BJT


Segn la polarizacin de cada unin, se obtendr un modo de trabajo
diferente, segn la tabla.
En la regin Activa - directa, el BJT se comporta como una fuente
controlada. (Amplificacin)
En el modo Corte nicamente circulan las corrientes inversas de
saturacin de las uniones. Es casi un interruptor abierto.
En Saturacin, la tensin a travs de la unin de colector es pequea, y se
puede asemejar a un interruptor cerrado.
Activo inverso, no tiene utilidad en amplificacin.
MODO

POLARIZACION DE LA UNION
EMISOR - BASE

COLECTOR BASE

Activo - Directo

Directa

Inversa

Corte

Inversa

Inversa

Saturacin

Directa

Directa

Activo - Inverso

Inversa

Directa
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MODOS DE TRABAJO DEL BJT

El transistor BJT se
puede
sustituir por estos modelos
simplificados que facilitan su
anlisis, segn el modo de
trabajo en el que se encuentre.

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RECTA DE CARGA
Al aplicar la 2 Ley de Kirchhoff a la malla formada por la tensin
de alimentacin, resistencia de colector, colector y emisor, se
obtiene la relacin entre la corriente de colector y la tensin
colector emisor, dependiendo de la resistencia de carga (Rc).
Refleja todos los puntos posibles de funcionamiento que
pueden darse cumpliendo la ecuacin de malla del colector.
Para definir la recta de
VBB VRB vBE iB R B vBE
VCC VRC vCE iC R C vCE
carga, se hallan
VBB
VCC

los
Si
v

0
i

Si
v

0
i

BE
B
CE
C

RB
RC

dos puntos de
Si i 0 v V

B
BE
BB
Si iC 0 vCE VCC
interseccin de
la recta con los
ejes.

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ANALISIS DE LA RECTA DE CARGA. EJEMPLO

Determinacin grfica del punto Q, en un circuito en


emisor comn, donde Vcc=10v, Vbb=1,6v, Rb=40k,
Rc=2k. Analizar la variacin del punto Q, si Vbb
vara en 0,4v.
Al variar el valor de la tensin de entrada,
cambiar el punto Q en su caracterstica de
entrada, adems de su posicin en la recta de
carga de salida.

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REPRESENTRACION DE LOS MODOS DE TRABAJO DE UN BJT npn


EN EMISOR COMUN
La seal de salida puede no ser
exactamente igual a la seal de
entrada (senoidal), debido a la no
linealidad del transistor. La seal
es pues distorsionada.
Si el punto de trabajo se desplaza
hacia ic=0, el transistor se ha
llevado al corte.
Cuando el punto de trabajo se
desplaza hacia Vce=0, el
transistor se ha llevado a
saturacin.
La amplificacin ser
razonablemente lineal si la
oscilacin de la seal se limita a la
zona activa (no habr distorsin).
Sin embargo, en conmutacin
se trabaja de corte a saturacin.
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CIRCUITOS DE POLARIZACION. RECTA DE CARGA

Punto de trabajo o de reposo (Q) de un transistor es el punto de la recta


de carga que determina el valor de la tensin de colector emisor y de las
corrientes de colector y base.
Consiste en situar el punto de trabajo en la regin caracterstica donde
responde con mayor linealidad, de manera que cualquier cambio en la
entrada tenga una respuesta proporcional a la salida. Se sita en un
determinado lugar en la recta de carga.
El comportamiento del transistor puede verse afectado por la temperatura
(modifica la corriente inversa en la unin pn polarizada inversamente). El
valor de no se mantiene constante, pues puede no coincidir entre
transistores del mismo tipo, adems de modificarse segn el punto de
trabajo (margen dado por los fabricantes).
Los circuitos de polarizacin insensibilizan al transistor frente a
variaciones de .
La polarizacin con doble fuente no se suele utilizar por ser caro y
complicado de utilizar.

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POLARIZACION POR RESISTENCIA DE BASE

Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff a las dos mallas existentes,


se obtiene: VCC RC I C VCE (VCE , I C )
VCC RB I B VBE RB

IC

VBE (I C )

Dado el punto Q deseado, se determina el valor de las resistencias


polarizacin
de
(V VBE )
Se puede comprobar que
RB CC
IC
.
este circuito no estabiliza
(VCC VCE )
RC
variaciones
de la del BJT. As el
frente a
IC
punto de trabajo depende del
valor de .

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POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION EN LA BASE

La base se polariza por medio de un divisor de tensin.


Experimentalmente se recomienda que la corriente que circula por
Rb1 sea 10 veces la intensidad de base, de manera que por Rb2
circula 9 veces la Ib. As, la determinacin de Rb2 es inmediata, y
sustitucin,
tambin el valor de
RB 2
por
VBE VCC
cte
(RB1 R B 2 )
Rb1.
RB 2

VBE
9I B

RB1

(VCC VBE )
10I B

Se observa con el equivalente


Thevenin, que en la malla de
colector la Ic depende del valor
de Ib y de .
Se mantiene constante la
potencia, al reducirse Vce.

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POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION EN LA BASE CON


RESISTENCIA DE EMISOR

Consiste en colocar una resistencia de emisor. La unin de colector se polariza


en inversa por medio de Vcc y Rc. La unin de emisor se polariza en directa por
el divisor de tensin y Re.
VTH VCC
RTH

VTH VRth VBE VRE


VTH I B RTH VBE I E RE

RB 2
(RB1 R B2 )

RB1 x RB 2
RB1 RB 2

VTH I B RTH VBE I B RE


IB

(VTH VBE )
RTH RE );

IC I B

VCC I C RC VCE I E RE VCC I C (RC


RE ) VCE VCE VCC I C (RC RE )

Se demuestra que al aumentar la , la Ib se


hace ms pequea, compensando el aumento
de Ic. Si la se reduce ocurrir el efecto inverso.
Esta realimentacin del sistema se debe a Re.

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POTENCIA DISIPADA POR UN BJT

En un BJT se disipa potencia como consecuencia de un paso de


corriente existiendo una cada de potencial.
Los puntos donde se disipa potencia son las dos uniones (de emisor
y de colector).
P V I (unin emisor)
BE

BE E

PCE VCE I C (unin colector)

Al ser la tensin base-emisor mucho menor que la colector-emisor, se


puede simplificar la potencia disipada como:
P VCE I C

La temperatura a la que trabaja el transistor se ve afectada por el calor


que se genera en l cuando circula una determinada intensidad. Esto
influye de manera significativa en los transistores, ya que la corriente
inversa de saturacin aumenta con la temperatura, aumentando as la
corriente de colector para la misma intensidad de base (aumenta ).
Existen pues sistemas para compensar las variaciones debidas
a la temperatura.

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EL BJT EN CONMUTACION

Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de bloqueo a


saturacin se considera inmediato, es decir, el transistor no permanece en la
zona activa.
Los circuitos tpicos del transistor en conmutacin son los
multivibradores y la bscula de Schmitt.
Los multivibradores se aplican en los sistemas electrnicos de
temporizacin, generacin de seales cuadradas, intermitencias, etc.
Las bsculas de Schmitt tienen su principal aplicacin en sistemas de
deteccin que utilizan sensores, de forma que se comporta como un
interruptor activado por las variaciones de algn parmetro fsico detectado
por el sensor.
El transistor BJT en CORTE.
El transistor BJT en SATURACION.

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EL BJT EN CORTE Y SATURACION

CORTE:
El BJT en corte tiene su Ib a cero amperios.
La Ic es igual a la de fugas: Iceo (del orden de nA a T=300K)
La tensin Vce es Vcc si se desprecia la cada producida por la
corriente de fugas.
El BJT se comporta como un interruptor abierto.
SATURACION:
En esta zona la Vce es aproximadamente de 0,2 voltios.
La Ic es aproximadamente igual a Vcc dividido por la suma de
resistencias en la malla de colector
emisor.
Se comporta como un interruptor cerrado.
El tiempo de conmutacin de un estado a otro limita la frecuencia
mxima de trabajo.
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USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V

3A

12 V
36 W

3A

12 V

12 V
36 W

= 100
40 mA
IC

Sustituimos el interruptor principal por un


transistor.
La corriente de base debe ser suficiente para
asegurar la zona de saturacin.
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite
control desde sistema lgico.
Electrnica de Potencia y Electrnica digital

IB = 40 mA

4A
ON

PF (ON) 3 A
OFF

VCE
12 V
PF (OFF)

USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor

12 V

3A

12 V
36 W

40 mA
I

12 V

= 100
3A

12 V
36 W
IC

Al igual que antes, sustituimos el


interruptor principal por un transistor.
La corriente de base (ahora circula al
reves) debe ser suficiente para asegurar
la zona de saturacin.

IB = 40 mA

4A
ON

PF (ON) 3 A
OFF

VEC
12 V
PF (OFF)

CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP


Avalancha
Secundaria

Activa
IC

IB

IB6

I
VCE = 0

CMax

VCE1 VCE2

IB5

Saturacin

PMax = VCEIC

IB4
IB3

Avalancha
Primaria

IB2
IB1

VBE

Caracterstica
de Entrada

IB= 0

VCEMax

1V
Corte

Caracterstica
de Salida

VCE

TRANSISTOR BIPOLAR:
PARMETROS SUMINISTRADOS POR LOS FABRICANTES
IC
IC-MAX

Corriente mxima de colector

VCE-MAX

Tensin mxima CE

PMAX

Potencia mxima

VCE-SAT

Tensin C.E. de saturacin

HFE

Ganancia

C
ICMAX

B
E
PMAX

SOAR

VCE-MAX

rea de operacin segura


(Safety Operation Area)

VCE

TRANSISTOR BIPOLARES

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20

TOSHIBA

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field

UNIN

Effect Transistor)

CANAL N (JFET-N)
CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect


Transistor".
20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.

TRANSISTORES MOSFET
(MOS - Metal Oxide Semiconductor + FET - Field Effect Transistor )
CANAL N (JFET-N)
UNIN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

Dr Martn Atalla y Dr Dawon Kahng desarrollaron el primer


MOSFET en los laboratorios Bell en 1960

Aislante (Si O2)

TRANSISTOR MOSFET - canal N


Drenador
(Drain)

Puerta
(Gate)

Fuente
(Source)

N
P

Substrato
(Substrate)

SECCIN

Canal
(Channel)

VISTA SUPERIOR

TRANSISTOR MOSFET - canal N


G

Substrato

NOTAR QUE EN
PRINCIPIO ES UN
DISPOSITIVO
SIMTRICO

P
NOTAR:

METAL
OXIDO
SEMICONDUCTOR

Substrato

G
SMBOLO

De momento, vamos a olvidarnos del


substrato.
Posteriormente veremos que hacer
con este terminal "inevitable" para
que no afecte a la operacin del
dispositivo.
Que no moleste!!

MOSFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)


ZONA COMPORTAMIENTO
FUENTE DE CORRIENTE

Substrato
G

ID

UGS[V]
+15

+10
+5
0

VDS

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO


COMO ANTES, LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?)


D

G
canal

Substrato

P
D
Canal.
Aparece entre D y S
en paralelo a los
diodos iniciales

Se observa que los diodos juegan un papel secundario en


la operacin del dispositivo.

Substrato
S

Debemos asegurar que nunca entren en operacin.


EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del
circuito.
Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S).
En los circuitos integrados se conectar el SUBSTRATO a
la alimentacin negativa

MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?)


D

G
canal

Se une con S
Substrato

P
D
D

G
S

AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMTRICO !!!

MOSFET DE CANAL N ( Que pasa con el substrato?)


D

Aunque a veces se dibuje el smbolo


con un diodo, tener en cuenta que NO
ES UN COMPONENTE APARTE.

ID

G
S

COMENTARIO:

UGS[V]
=+15 V

S
Diodo parsito
(Substrato - Drenador)

=+10 V
=+5 V
=0V

VDS

MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)


D

La puerta (G) es muy sensible.


Puede perforarse con tensiones
bastante pequeas (valores
tpicos de 30 V).
No debe dejarse nunca al aire y
debe protegerse adecuadamente.

ID

- 30 V

+ 30 V

VGS

G
S

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor

12 V

3A

12 V
36 W

3A

12 V

12 V
36 W

I
La puerta no puede
quedar al aire
(debe protegerse)

ID
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor.
LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA
(MUY PEQUEA) !!!

UGS= 12 V

4A
ON

PF (ON) 3 A
OFF

VDS
12 V
PF (OFF)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)


C
G
E
Combinacin de MOSFET y transistor
Bipolar que ana las ventajas de los
dos:
La facilidad de gobierno del
MOSFET
El buen comportamiento como
interruptor de BIPOLAR
Dispositivo reciente muy importante
en Electrnica de Potencia

Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982

COMENTARIO:
Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se
produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de dimensiones
(Seccin) suficiente para manejar la corriente elevada.

Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para manejar


corrientes elevadas, est formado por muchos transistores integrados
colocados en paralelo

C
NP

N+

B
E
BIPOLAR DE POTENCIA

Cada punto
representa
un MOSFET

MOSFET DE
POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET
en paralelo, realmente es un
"Circuito Integrado")