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Disposi&vos  semiconductores  

Bandas  de  energía  y  portadores  de  carga  en  
semiconductores  

Bandas de energía y portadores de carga...
Capítulo  3  –  Bandas  de  energía  y  portadores  de  
carga  en  semiconductores  
El  comportamiento  de  disposi&vos  de  estado  sólido  -­‐>  teoría  
atómica,  mecánica  cuán&ca.  
 
Vamos  a  inves&gar:  
 
-­‐  La  estructura  atómica  de  los  átomos  
-­‐  Interacción  de  átomos  y  electrones  bajo  excitación  externa,  
como  la  absorción  y  emisión  de  luz.  
 
Estos  estudios  permi&rán  la  comprensión  del  efecto  de  la  red  
cristalina  en  los  electrones  fluyendo  a  través  del  cristal  (corriente  
eléctrica).  
 
 

Átomos y electrones
Bandas  de  energía  (3.1)  
 
Los  átomos  individuales  &enen  niveles  de  energía  discretos,  pero  
que  pasa  en  un  sólido?  
 
 
 
 
 
 
 
 
 Dos  átomos  
 
 
 
 
 
 
 aislados  
 
 

                      .Átomos y electrones Cuándo  los  átomos  son  aproximados  las  funciones  de  onda   se  sobreponen  en  amplitud  y  fase.

Átomos y electrones Las  dos  combinaciones  lineales  de  orbitales  atómicos  son   denominados:   ψσ : unión  simétrica   ψσ* : unión  an&  simétrica En  analogía  a  las  funciones  de  onda  del  pozo  de  potencial.                       .  la  unión   an&  simétrica  &ene  un  valor  más  grande  de  energía  (un  nodo).

                .  luego  He  existe                          sólo  en  la  naturaleza.Átomos y electrones                                            La  energía  potencial  es  menor                                para  H2  que  para  los  dos  átomos                                H  separados           En  un  análisis  similar  para  He  donde  el  orbital  1s  está  lleno  con  ↑↓                          La  energía  del  sistema  He-­‐He  es                            más  grande  que  la  de  los  átomos                          individuales.

Átomos y electrones Haciendo  el  mismo  análisis  para  tres  átomos  de  hidrógeno  A.  ψb  y     ψc:   ψ a = ψ1s ( A) + ψ1s ( B) + ψ1s (C )     ψ b = ψ1s ( A) − ψ1s (C )   ψc = ψ1s ( A) − ψ1s ( B) + ψ1s (C )                -­‐  energé&co                      +  energé&co         .  ψa.   tendremos  tres  estados  orbitales  moleculares  diferentes.  B  y  C.

Átomos y electrones Sistema  con  N  átomos  de  Li                                                 .

 tenemos  la  formación  de  una  “banda”  con&nua  de   energía  para  N  grande                           Hay  una  faja  con&nua  de  niveles  de  energía  arriba  de  los  niveles   llenos.Átomos y electrones Efec&vamente.     .

they merge into a single band composed of a mixture of energy levels. 3s. these energy levels split into bands. Each atom has available two Is states. respectively. 2N. If we consider N atoms. two 2s states. As the "35" and "3/?" bands grow. 6N. This band of "35-3/?" levels contains 8N available states. two 35 states.2) in Si are completely . 2N. The core levels (n = 1. and 6N states of type Is.in the ground state. and higher states (see Tables 2-1 and 2-2). six 2p states. 2p. As the interatomic spacing decreases. there will be 2N. As the Átomos y electrones Repi&endo  el  análisis  para  Si  (semiconductor)     Relative spacing of atoms   s m| 1 | n •> •j i(+)   *<*) ±0) 0   ±tt) ±fl) -2)   ±(l) 0 VI 3   I -1     *(« 0 n       *(f)   ±0) 0 u o_     1 ±m     Figure 3-3 1-2 +1 I2 -1 +1 * « • ) Outer shell * < • » 1 i i Middle shell 0 0 0 Inner shell Energy levels in Si as a function of interatomic spacing. beginning with the outer (n = 3) shell. six 3p states. and 3p. 2s.

 semiconductores  y  aislantes  (3.3)     Para  que  una  corriente  eléctrica  pueda  fluir  a  través  de  un  sólido.     En  el  sólido  de  Li.   los  electrones  deben  ser  capaces  de  pasar  de  un  átomo  a  otro   dentro  del  sólido  -­‐>  directamente  conectado  a  la  conduc&vidad   eléctrica  de  los  sólidos.               .       Metales.Átomos y electrones El  “band  gap”  o  gap  de  energía  (gap=espacio)  es  una  región  donde   no  hay  estados  posibles  para  que  los  electrones  se  ubiquen.  mientras  en  el     Si  no.1.  los  electrones  pueden  moverse.

. whereas an 68 Chapter 3 2.Átomos y electrones Estructuras  de  banda  ]picas  a  0  K     Figure 3-4   Typical band structures at 0 K. For example. . . . . Insulator Semiconductor Metal . at room temperature a semicon-.1 eV compared with 5 eV for diamond.  Aislante                Sthe emiconductor          a  M etal   For example. .   as  btoandas   de  (conduction) conducción   electrones   lower (valence)lband the upper band & byenen   reasonable amounts libres   thermal or optical energy. iii*   ::::::::. t ' l i i e q . .                        than        in      insulators. .:::::: ..                    Superposición   Empty   Empty   •   Partially   filled ::::::::!iii:ii. semiconductor Si  has band gap of about 1. .   ductor with a 1-eV band gap will have a significant number of electrons ex   cited thermally across the energy gap into the conduction band. para  of e l   m ovimiento. . .:::::£:::•: !:::•:: Riled. The relatively small band gaps of   semiconductors (Appendix III) allow for excitation of electrons from the En  los   metales.

    -­‐  Como  la  banda  de  valencia  está  llena  y  la  de  conducción  vacía.Átomos y electrones -­‐  La  principal  diferencia  entre  los  aislantes  y  los  semiconductores   es  en  el  valor  del  band  gap.1  eV.  Esto  es     exponencialmente  más  probable  en  semiconductores  que  en     aislantes  debido  a  la  diferencia  en  Eg.     .     -­‐  En  los  metales  tenemos  la  situación  inversa.        Diamante-­‐>  Eg  =  5  eV.        Si-­‐>  Eg  =  1.   no  es  posible  tener  un  flujo  de  electrones  bajo  un  campo  eléctrico   externo  aplicado.  Ej.     A  temperaturas  dis&ntas  de  0  K  existe  la  probabilidad  que     excitaciones  térmicas  hagan  que  algunos  electrones  salgan  de  la   banda  de  valencia  hasta  la  de  conducción.       P.

also called a wave vector.1.  k                   x Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors Figure 3-5 Direct and indirect electron transitions in semiconductors: (a) direct transition with accompanying photon emission. E hv = £•> (a) Direct 69 (b) Indirect with propagation constant k. (b) indirect transition via a defect level.   Los  valores  posibles  para  la  energía  pueden  ser  graficados  vs.    x    )    modula  la  función  de  onda  siguiendo  la     periodicidad  de  la  red.4)     La  función  de  onda  de  un  electrón  moviéndose    en  la  dirección  x   a  través  de  una  red  cristalina  periódica  es  dada  por:     ψ k ( x ) = U ( kx .Átomos y electrones Semiconductores  directos  e  indirectos  (3. x ) e jk x   La  función    U      (    k    x  . The space-dependent .

    Cambio  de  bandas  de  energía  en  función  de  la  composición  de   aleación  (3.5)           .1.Átomos y electrones En  los  semiconductores  de  gap  directo  el  mínimo  de  la  banda  de   conducción  es  alineado  con  el  máximo  de  la  banda  de  valencia.     Una  transición  directa  con  la  emisión  de  un  fotón  es  posible.       En  los  semiconductores  indirectos  el  mínimo  de  la  BC  no  coincide   con  el  mínimo  de  la  BV  en  el  espacio-­‐k.  Así.  una  transición  es     posible  sólo  acompañada  de  un  cambio  en  momento  (p=ħk)   haciendo  que  la  transición  sea  menos  probable.     Semiconductores  directos  -­‐>  emisión  de  luz.

1.Átomos y electrones Cambio  de  bandas  de  energía  en  función  de  la  composición  de   aleación  (3.5)   72 Chapter 3   AlxGa1-­‐xAs                 2.16 eV       +• k +~ k       .

k) .8 1.6 0.               §2      •ac       0.2.0   Aluminum fraction. x   (c) Figure 3-6   PQ Variation of direct and indirect conduction bands in AIGaAs as a function of composition: (a) the (£.16 eV Átomos y electrones GaAs  é  un  semiconductor  +~ de  kgap  directo.  mientras  AlAs  es  +•dke  gap   indirecto.4 0.

•   M. For every electron moving with a given velocity.^--. „ .__ .2. there is an equal and opposite electron moElectrones   y  huecos   (3. . the  Tnet is zero   the band.. £ BV       2 ln Fig.9 .y all available energy states are occupied.y  llegan  a  la  BC  que  &ene  muchos  estados  vacíos. I.of current in a valence band containing holes can be accounted for by simply keeping track of the holes themselves. electrones In aÁtomos filled band.  algunos  electrones  son  excitados  a  través   and in subsequent discussions.:. _— .. 3-7 A  temperaturas  >  0  K.1)   tion elsewhere in If we field.. we refer to the bottom of the conduction band as Ec and the del  bband and  as gap   lop of the valence fv.                        Eg       .     .*     ^   9 ^   .     apply   an electric      >  0current  K       BC         .—. i. .

      Cuándo  un  electrón  es  movido  de  la  BV  para  la  BC  un  hueco  es     siempre   creado   en   conjunto.       Los   pocos   electrones   que   se   ubican   en   la   BC   están   libres   para   moverse.  Tras   ser   echados   de   la   banda   de   valencia   “huecos”   quedan   en   su   lugar.   El   transporte   de   cargas   en   la   banda   de   valencia   es   un   poco  más  complejo:                banda  llena     No  hay  movimiento  neto  de  electrones  en  una  banda  llena  -­‐>       .Átomos y electrones Los  electrones  estaban  sujetos  a  un  potencial  de  un  átomo.   Es   formado   un   par   electrón-­‐hueco   (EHP).

Átomos y electrones corriente  cero.     Supongamos  que  ahora  hay  un  hueco:     Ē             Cuándo   hay   uno   o   más   huecos.   existe   un   movimiento   neto   de   electrones   en   la   BV.   Ambos   los   electrones   y   huecos   son   responsables   por   el   flujo   de   corriente  eléctrica  en  un  semiconductor.   Podemos   visualizar   como   si   lo   huecos   se   mueven   en   sen&do   opuesto   a   los   electrones   (misma   dirección   de   Ē).     .

For example.. hole ( . statesmomentos   /' and /'.       charge  carriers.is matched by an electron at /' with the opposite wave vector — k-. marked for electron&enen   with wave vector k. 3-8. However.Átomos y electrones Otra  forma  de  ver  la  banda  de  valencia  llena:   75   Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors                   Figure 3-8 Los   estados   y   j  including &enen   kjdiscussion. the motion of the electron at /' is no longerigual   compensated. We draw valence and conduction bands on an electron energy scale E.   -­‐>   current in the band unless an electron is removed. corriente   neta   a  cero. because the two carband. if the /th electron is removed. we should remember that in the valence   energy increases oppositely to electron energy.   y   –kj.  Theo  /th sea   A valence band with all statesj  filled. There is no net velocidades   de   igual   magnitud   pero   sen&dos   opuestos. as in Fig.

  La   energía   de   los   huecos   en   la   banda  de  valencia  aumenta  de  manera  inversa  a  los  electrones.            E+  electrones                        Espacio  E-­‐K                E+  huecos           .Átomos y electrones Huecos   &enen   carga   posi&va.

      .            BC        electrones                BV        huecos     Los   huecos   en   el   tope   de   la   BV   &enen   energía   ciné&ca   cero.  y  más  huecos  en  el  tope  de  la  BV.   Electrones  en  el  fondo  de  la  BC  también  poseen  EC  =  0.Átomos y electrones Luego   ubicamos   más   electrones   en   el   fondo   de   la   banda   de   conducción.

Átomos y electrones  Vamos  ocupar  también  los  diagramas  de  banda  simplificados:                    -­‐>                        en  función  de  la  posición                  en  el  disposi&vo             campo   eléctrico   aplicado   inclina   las   bandas   de   energía   en   Un     función   de  la  posición:           .

while hole energies increase going down.Átomos y electrones 76 Chapter 3 Figure 3-9 Superimposition ofrhe(E. Similarly. Electron energies increase going up. as shown.k) band structure on the Eversus-position simplified band diagram for a semiconductor in an electric field. electron and hole wave vectors point in opposite directions and these charge carriers move opposite to each other.                       i k Electron   energy        Ē                              The electron then loses kinetic energy to heat by scattering mechanisms (dis- .

  pero   ahora   &ene   energía   ciné&ca   (momento   kB).       .  volviendo  a  k=0.       En  la  prác&ca  los  eventos  de  dispersión  son  múl&plos  y  la  energía   ciné&ca  no  es  perdida  en  un  sólo  choque.2.2)     Los   electrones   en   un   cristal   no   son   completamente   libres   pero   están   sujetados   al   potencial   periódico   de   la   red.   en   un   evento   de   dispersion.  en  la  posición  B.   y   se   mueve   hasta   el   punto   B.   Eventualmente   se   choquea   con   otro   átomo   y   pierde   su   energía   ciné&ca   como   calor.Átomos y electrones El   electrón   se   ubica   en   A   (k=0)   cuándo   el   campo   es   aplicado.       Masa  efecIva  (3.   Entonces   el   movimiento  “onda-­‐par]cula”  no  es  lo  mismo  que  para  par]culas   en  el  espacio  libre.

  Haciendo  la  segunda  derivada  (curvatura)  de  E  con  relación  a  k:         .Átomos y electrones En  los  cálculos  de  movimiento  una  “masa  efec&va”  que  toma  en   cuenta  el  efecto  de  la  red  en  los  electrones  debe  ser  usada.  Los   cálculos  de  la  masa  efec&va  deben  considerar  la  relación  E-­‐k.       2 p 2 2 2 2   p = mv = !k p = m v → mv = m       1 2 1 p2 !2 2 E = mv = = k   2 2 m 2m   El  cálculo  de  la  masa  efec&va  debe  llevar  en  cuenta  la  forma  de   las  bandas  de  energía  en  el  espacio-­‐k.  La  energía  del  electrón  es   parabólica  con  el  vector  de  onda  k.

    La  curvatura  de  E-­‐k  es  posi&va  en  los  minimos  de  la  BC  y  nega&va   en   el   máximo   de   la   BV.Átomos y electrones       2  2      d E2 = !          -­‐>  La  masa  del  electrón  es  relacionada  con  la     m                  curvatura  de  la  relación  E-­‐k.  la  masa  efec&va  es  menos  en  el  fondo  de   la  banda  Γ  que  en  las  bandas  L  o  X.      dk !2 m = 2     d E dk 2 *  Masa  efec&va         Por  ejemplo  em  GaAs.         .   Electrones   en   el   tope   de   la   BV   &enen   masa  efec&va  nega&va.

Átomos y electrones Para  una  banda  cuyo  centro  es  en  k=0.       Varias  BV  en  varios  semiconductores  son  duplas             .  la  relación  E-­‐k  próxima  al   fondo  es  parabólica.   tendremos   que   ella   es   constante   en   una   banda   parabólica.   Este   hecho  puede  ser  ocupado  cerca  de  los  mínimos  y  máximos  en  las   bandas  de  varios  semiconductores.       2 !   E= k 2 + Ec 2m     Aplicando   esta   ecuación   en   la   expresión   de   la   masa   efec&va.

effective mass is a tensor quantity.The energies are plotted along the high symmetry [111] and [100] directions in the crystal.The k = 0 point is denoted as r. However. near the 6 conduction band .When we go along Varias  BV  en  varios  semiconductores   son  duplas   Átomos y electrones     5 "Si \\/f\ ~GaAs\j/   4 Conduction band   Upper /\ \ 3 " valley 1 / \ \   >   T TT\ Lower 1 * Eg 1 valley   3 1 ? 1 !   0   -1   -2   -3   L [111] T [100] X L [111] T [100] X   Wave vector (a) huecos   livianos   y   una   (b) Así.   tenemos   una   banda   de   de   huecos   pesados. there are significant non-parabolicities at higher energies. we can use appropriate averages over such bands in most calculations.     Figure 3 . Figure 3-10a shows the band structures for Si and GaAs viewed along two major directions. (b) ellipsoidal constant energy surface for Si. While the shape is parabolic near the band edges (as indicated in Figure 3-5 and Example 3-2).1 0 Realistic band structures in semiconductors: (a) Conduction and valence bands in Si and GaAs   -N B 2 y ' fk along [111] and [ 1 0 0 ] .