UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto

FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALÓGICOS
Caracterización de transistores MOS y Diseño de un amplificador Fuente común
Brayan Fernando Buitrago Rincon Cod.2082092
Andrey Durian Plazas Rincon Cod. 2090486
Presentado al Ing. Andres Amaya

Resumen: Estudio y análisis de los transistores N-MOS y
P-MOS de los transistores en orcad proporcionados por
el profesor.
I.


II.

OBJETIVOS

Para caracterizar este transistor se tomó el modelo
proporcionado definiendo L=1u y w=20u.

Se simula manteniendo un valor contante de Vds=3,3V y
variamos Vgs de 0 a 3 haciendo regresión lineal el punto
de corte con el eje x será nuestro valor de Vt0 (Anexo1)

Caracterisisar los transistores y obtener las
curvas de los modelos proporcionados.
Estimar los parametros mas representativos
de los transistores Nmos y Pmos tales como:
Lambda, vth, W ,L ,K.
Diseñar y simular un amplificador fuente
comun basadon en un modelo existente.
PROCEDIMIENTO/ RESULTADOS

N-MOS

Grafica Vgs Vs Id con Vgs fijo Nmos

Usando esta expresión puedo calcular un valor de:
Vto= 0.63V

Posteriormente Se simulo el circuito con unos vgs fijos de
1, 1.2 y 1.5 V y variando el Vds en un rango de 0-3.3v
esto con el fin de hallar el parámetro característico lambda
del transistor.
Figura 1 transistor Nmos

Grafica simulacion anexo2

1

Parámetros de mi transistor Nmos Kn Vto λ 120 u 0. Va= 52.0.5V y se obtuvo un promedio entre todos estos valores de utilizando la expresión: Kn= 120u [A/ ] Grafica Vgs Vs Id con Vgs fijo Pmos y = 0. ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto De esta curva se tomaron los datos que nos permitían analizar el cambio de tríodo a saturación del transistor.UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA.63 0.019 Se realizaron las mismas simulaciones y pruebas que en el trasnsitor N-mos Primero se vario Vgs para un valor fijo de Vds(Anexo3) Para determinar Kn.0004 e la ecuacion de la recta obtengo que mi Vt0=0.0005x . se tomó una serie de valores de Id entre los Vgs de 1V y 1.019 __________________________________ P-MOS Grafica Vds Vs Id con Vgs fijo Nmos Se aplicó regresión lineal a cada una de las curvas obtenidas anteriormente en la zona en la cual el transistor se encuentra operando en saturación – puntos para los cuales la corriente se mantiene constante – para obtener el punto de corte con el eje x el cual corresponde al valor de VA y se promedió para obtener un solo valor obteniendo de esta forma el valor de λ: Para caracterizar este transistor se tomó el modelo proporcionado definiendo L=1u y w=20u.78 2 .7 λ= = 0.

(Anexo4) III. Kp= 52. se tomó una serie de valores de Id entre los Vgs de 1V y 1.8196[V] 3 .UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA.78 0. DISEÑO Para el diseño del amplificador se tuvieron en cuenta los siguientes parámetros o restricciones:       Amplificador fuente común con carga activa Av <= 30 dB Potencia total <= 1mW Drout <= 2v 1<= KW/L <= 50u L= 1E-6 Dela regresion lineal de la zona de saturacion obtengo mi va: λ= = 0.7 Para determinar Kp. ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto Se realiza la simulacion del trasnsitor Pmos con varios vds fijos y vgs variando.042 Va=23.042 Vov1 <= 0.5V y se obtuvo un promedio.76u [A/ Partiendo de las ecuaciones y utilizando los parámetros previamente hallados de los Transistores N-mos y P-mos Se obtuvo: ] Parámetros de mi transistor Pmos Kn Vto λ 52.76u 0.

6 [V] Vov2=0.38[V]. Ids <= 151.DRout= Vdd – Vov1 – Vov2. Ya teniendo los datos procedo ha hacer la simulación.71 12m 2. Vov1= 0.4v.1[uA]. ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto Se asume un valor de tensión Vov menor con el fin de aumentar la ganancia y a su vez dar un mayor rango dinámico a la salida.07 4 .4 [V Vov3=0.40.5 [V] Partiendo de estas suposiciones puedo hallar el valor de Vgs1= 1.03[V] y vgs2= 1. Asumiendo que los transistores del espejo de corriente tienen los mismos parámetros. También el rango de excursión de mi señal .UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA. Como en mi parámetro de diseño cuento con una restricción de potencia utilizo la siguiente expresión para tomar una acorde a mis especificaciones: Pt= Vdd*2Id. Para mi diseño tomo una corriente de 120[uA] y con esta hallo el parámetro W/L de mis transistores W/L del N-mos me da un valor aproximado de 12.82. DRout= 2. Ganancia (dB) Vin (V) Vout (V) 44. W/L del P-mos me da un valor aproximado de 17.

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA. ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto Diseño Simulacion 1 3.4ms 0.0V -10mV 0V >> -20mV 0s 1 0.8ms 1.2ms 2.6ms V(V4:-) 0.6ms 1.8ms 2.0V 0V 1.0ms 2.6ms 2.2ms V(M5:d) 2 0.8ms 3.4ms 2.2ms 1.4ms 1.0ms 1.0ms Time 5 .0V 2 20mV 10mV 2.

0V 1.0V ID(M1) V_V2 Vgs vs Id con dgs constante en 3.0mA 2.5V 3.0mA 4.0mA 0A 0V 0.5V ID(M1) V_V1 Vds vs Id con Vgs constante en 1.5V 2.5V 3.0V 3.5V 2. ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto ANEXO 1 6.5V 2.5V 1.3 v 6 .0V 2.0V 3.5V 1.UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA.0V 1.2 v ANEXO 2 600uA 400uA 200uA 0A 0V 0.

5V 1.0V 1.0mA 1.0V 2.0V IS(M3) V_V4 Vds vs Id con Vgs constante en 1.0mA 0A 0V 0.0V 3.5V 3.0V 1.5V 2. ELECTRÓNICA Y DE TELECOMUNICACIONES Perfecta Combinación entre Energía e Intelecto ANEXO 3 3.0V 3.5V 2.5V IS(M3) V_V3 Vgs vs Id con dgs constante en 3.5V 3.3 v ANEXO 4 300uA 200uA 100uA 0A 0V 0.UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA.0mA 2.5V 1.5V 2.2 v 7 .