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MOSFET de potencia

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado


por voltaje, y slo requiere una pequea corriente de
entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta, y
los tiempos de conmutacin son del orden de
nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn
encontrando aplicaciones cada vez ms numerosas en
convertidores de baja potencia y alta frecuencia. Los
MOSFET no tienen los problemas de fenmenos de
segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, tienen
los problemas de descarga electrosttica y requieren
cuidados especiales en su manejo. Adems, es
relativamente difcil protegerlos en condiciones de falla
por cortocircuito. La resistencia de entrada es muy alta,
de 109 a 1011 . Sin embargo, la desventaja de los
MOSFET es su alta resistencia en sentido directo en estado
activo.

Simbologa:

Curvas caractersticas

IGBT
Estos dispositivos relativamente nuevos estn diseados para aplicaciones de potencia, son muy similares en su
estructura fsica a los MOSFETs de potencia, pero se asemejan ms a los transistores bipolares en su operacin
elctrica. Pueden manejar corrientes y tensiones mucho ms elevadas que cualquiera tipo de transistor
convencional. Es por ello que son muy utilizados en amplificadores de audio de alta potencia, controles de
velocidad de grandes motores y otras aplicaciones similares. En un IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de
los MOSFET. Un IGBT tiene alta impedancia de entrada como los MOSFET, y pocas prdidas por conduccin en
estado activo, como los BJT. Sin embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como los BJT. Por el diseo
y la estructura del microcircuito, se controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, Rvs, para que se
comporte como la de un BJT.
Sin embargo, el rendimiento de un IGBT se parece ms al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al
substrato p+, causante de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin n.

Simbologa

Curvas caractersticas

SIT
El SIT es un dispositivo portador minoritario en el que el
flujo de electrones de la fuente al drenaje es controlado por
un potencial de barrera en el semiconductor de dos
dimensiones con forma de silla de montar entre las
compuertas metlicas. En consecuencia, el SIT tiene una
baja resistencia en estado activo as como una baja cada
de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de
voltaje y de corriente muy altas. En la siguiente figura se
puede observar la seccin trasversal de un SIT donde los
electrones fluyen de la fuente al drenaje a travs de un
punto ensillado de potencia electrosttica entre los
electrodos de compuerta.
Las caractersticas de un SIT son similares a las de un MOSFET. Por lo general, un SIT es activado al aplicarse un
voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y se desactiva al aplicarse un voltaje negativo a su
compuerta. El SIT tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de
conmutacin es del orden de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente
est limitada a 500 A.
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