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Prctica 5 Grupo 02 21 de Octubre de 2013 periodo 2013/02.

Informe de la Prctica 5: El MOSFET en


pequea
Edy Catalina Snchez Lpez.
Laboratorio Electrnica Anloga II, Escuela de Mecatrnica, Facultad de Minas
Universidad Nacional de Colombia Sede Medelln
Resumen Con sta prctica se pretende estudiar el comportamiento del transistor MOSFET en pequea
seal (amplificacin), para esto se har un trazado de las curvas caractersticas del dispositivo lo que nos
permitir identificar las zonas de operacin y sus modelos circuitales asociados. Tambin se realizara un
anlisis terico y se proceder a compararlo con los datos experimentales.
Palabras Clave Dreno, Fuente, MOSFET, Puerta, Transistor.

Abstract This practice is intended to study of small signal


MOSFET behavior (amplification). To do that, will be drawn
characteristics curves of the device, which allow identify its
operation areas and its associated circuit models. Also will be
conducted a theoretical analysis and proceed to compare it with
experimental data.

II. DESARROLLO
A. ProcedimientoTerico
Inicialmente se solicita para el circuito de la figura 1 analizar
sus curvas caractersticas.

Index Terms Drain, Gate, MOSFET, Source, Transistor.


I.

INTRODUCIN

Los

MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide


Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy parecidos a
los JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los
MOS, la puerta est aislada del canal, consiguindose de esta
forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequea,
prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la
resistencia de entrada de este tipo de transistores es
elevadsima, del orden de 10.000 MW, lo que les convierte en
componentes ideales para amplificar seales muy dbiles.

Grfica 1. Configuracin para curvas del MOSFET.

Para poder graficar estas curvas debemos configurar en la


opcin DC-Sweep y paramtrica la fuente de voltaje de tipo
lineal.
Las curvas caractersticas del MOSFET son:

Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura


interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los
primeros tienen un gran campo de aplicacin como
amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radiofrecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los
segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y
sobre todo en la construccin de circuitos integrados, debido a
su pequeo consumo y al reducido espacio que ocupan.

Grfica 2. Curvas del MOSFET.

Prctica 5 Grupo 02 21 de Octubre de 2013 periodo 2013/02.

Luego de hallar estas curvas se comienza con el diseo del


circuito y sus ecuaciones. Se trabajar con el MOSFET en
configuracin fuente comn (ver grfica 3)

(3)
Despejando VGSQ en su forma cuadrtica se obtiene:
(

)
(4)

(5)

(6)
(7)

Grfica 3. MOSFET en fuente comn.

Se procede entonces con los clculos de la siguiente forma:


Los datos iniciales se obtienen del datasheet del MOSFET a
utilizar (IRF830):
Caracterstica

Smbolo

Mnimo

Mximo

Unidad

Gate Threshold Voltage


(VDS = VGS, ID = 0.25
mA)

VGS(th)

2.0

4.0

Vdc

Static DraintoSource
OnResistance
(VGS = 10 Vdc, ID = 2.5
Adc)

RDS(on)

1.5

Ohm

4.5

Adc

OnState Drain Current


(VGS = 10 V)
(VDS 6.75 Vdc)

ID(on)

valor
DrainSource Voltage

VDSS

500

Vdc

DrainGate Voltage
(RGS = 1.0 M)

VDGR

500

Vdc

GateSource Voltage

VGS

20

Vdc

Anlisis AC: se realiza la conversin de la siguiente forma:

Grfica 4. Modelo equivalente en pequea seal.

Luego de realizar el anlisis al circuito de la grfica anterior,


es posible encontrar numricamente los valores de cada uno
de los parmetros del circuito.
(8)
Donde R1 = 680 K y R2 = 180 K

Drain Current
4.5
Continuous, TC = 25C
ID
3.0
18
Continuous, TC = 100C
Peak, TC = 25C
Tabla 1: parmetros del transistor IRF830.

Adc

Se trabaja el transistor en regin de saturacin, para ello se


debe variar el VDS y hacer variaciones discretas del VGS.
Anlisis DC: Se sustituyen los capacitores por circuito
abierto y se retiran las fuentes de seal. Las ecuaciones que
nos permiten la solucin del circuito son:
(

)
(

(1)
)

(2)

(9)
Para Rs debe escogerse un valor muy pequeo, para este
anlisis Rs = 400
(

(10)
(11)

B. Simulacin
Para realizar la simulacin del circuito se tiene en cuenta
que el voltaje inicial ser de 0,100V, una frecuencia de
2000Hz.

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1.

Simulacin en pspice del circuito:

Grfica 5. Simulacin circuito con 5KHz de frecuencia.


Grfica 8. Montaje a 2KHz

Grfica 6. Simulacin Diagrama de Bode.

C. Montaje.
Al momento de realizar el montaje fue necesario tener en
cuenta la conexin de cada dispositivo, debido a que un error
en la conexin implica el mal funcionamiento del mismo.
Para la conexin del IRF830 el pin 1 es GATE, el 2 es
DRENO y el 3 es SOURCE.
Se procedi a realizar el montaje variando la frecuencia
entre su mximo y mnimo para determinar las frecuencias de
corte, las fotos a continuacin:

Grfica 9. Montaje a 5KHz.

Grfica 10. Montaje a 13 KHz.

Grfica 7. Montaje a 1Khz.

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Grfica 11. Montaje a 30 KHz.

Grfica 15. Montaje a 200KHz.

Grfica 12. Montaje a 70 KHz.

Grfica 16. Montaje a 250KHz.

Grfica 13. Montaje a 100 KHz.

Grfica 17. Montaje a 300KHz.

Grfica 14. Montaje a 150KHz.

Grfica 18. Montaje a 350KHz.

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voltaje RMS en mV
10000
1000
100

voltaje RMS
en mV

10
1
1

100

10000 1000000

Grfica 21. Barrido de frecuencias del circuito.


Grfica 19. Montaje a 400KHz.

Para realizar la medicin de la distorsin armnica con el


osciloscopio se debe utilizar la opcin MATH y seleccionar la
opcin FFT, all se ajusta la frecuencia deseada que para
nuestro caso sern los 5KHz, su forma se observa en los
grficos 22 y 23.

Grfica 20. Montaje a 450KHz.

En estas grficas tomadas del osciloscopio se puede observar


que desde una frecuencia de 5KHz y hasta 30KHz permanece
con una ganancia de 50, luego de estas frecuencias la ganancia
comienza a bajar hasta llegar a igualarse a la seal de entrada
en 450KHz.

frecuencia en Hz
1000
3000
5000
13000
30000
70000
100000
150000
200000
250000
300000
350000
400000
450000

voltaje RMS en mV
1310
1450
1500
1390
1100
624
453
309
235
189
162
137
121
107

Grfica 22. Montaje de distorsin armnica en ventana Hanning.

Grfica 23. Montaje de distorsin armnica en ventana Flattop.

La ventana Hanning posee una ptima resolucin en


frecuencia y la ventana Flattop ptima para medir la amplitud
todas dos en decibelios.

Tabla 2. Frecuencia vs Voltaje pico

Para poder realizar la medicin de la distorsin armnica


total utilizaremos la ventana Flattop en la cual en 0dB ya

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tenemos 1VRMS.
A0 = 24dB = 24 VRMS.
A1 = 66dB = 66 VRMS. A2 = 48dB = 48 VRMS.
A3 = 29dB = 29 VRMS. A4 = 12dB = 12 VRMS.
(12)

(13)

(14)

(15)

La distorsin armnica total se encuentra dada por la


ecuacin:
( )
(16)

exponencial, de esto nos pudimos dar cuenta en primera


instancia gracias a la simulacin.
Se observa que el osciloscopio nos permite realizar
mediciones de frecuencia conociendo bien su
funcionamiento, es importante leer el manual.
Se evidencia que la frecuencia es un parmetro que influye
en este tipo de circuitos y configuraciones, debido a que
como se muestra en la tabla 2. a medida que esta aumenta
el voltaje en la resistencia de carga vara, de hecho al ir
aumentando la frecuencia el voltaje creci hasta un valor
mximo de 1,5 V y luego se fue disminuye hasta a 0,107 V
Se logr comprender el uso del amplificador en fuente
comn usando el MOSFET IRF830 cumpliendo los
objetivos propuestos en el laboratorio.

III. RESULTADOS EXPERIMENTALES


Al momento de realizar el diseo se tuvo en cuenta valores de
resistencias y capacitores reales del laboratorio, esto con el fn
que los valores de las resistencias y capacitores no influyeran
en medidas de error.
Para realizar las mediciones de impedancia de entrada se
utiliz un multmetro en su opcin de resistencia, colocando
una de sus puntas en tierra y la otra punta en GATE del
transistor, el valor obtenido fue de 178K, dando un valor de
error de 25,35%, para la de salida se mide colocando una de
sus puntas en tierra y la otra punta en DRENO del transistor,
el valor obtenido fue de 9,8K, dando un valor de error de
2%.
Se obtuvo una gran diferencia con respecto a la ganancia,
debido a que la terica nos da un valor de 965, simulada en
pspice de 50 y en el montaje de 20. Respecto a esto, las
seales de voltaje de entrada y de salida estn desfasadas
aproximadamente 1800.
En general el comportamiento de las seales de voltaje son
parecidas, teniendo en cuenta que se generan errores debido al
funcionamiento de los componentes del circuito especialmente
con los MOSFET, sumados a la incertidumbre generada por
los instrumentos de medida, ya sea multmetro o el
osciloscopio.

GRFICOS, TABLAS Y ECUACIONES


A. Grficas.

Grfica 1. Configuracin para curvas del MOSFET.


Grfica 2. Curvas del MOSFET.
Grfica 3. MOSFET en fuente comn.
Grfica 4. Modelo equivalente en pequea seal.
Grfica 5. Simulacin circuito con 5KHz de frecuencia.
Grfica 6. Simulacin Diagrama de Bode. .
Grfica 7. Montaje a 1Khz.
Grfica 8. Montaje a 2Khz.
Grfica 9. Montaje a 5Khz.
Grfica 10. Montaje a 13Khz.
Grfica 11. Montaje a 30Khz.
Grfica 12. Montaje a 70Khz.
Grfica 13. Montaje a 100Khz.
Grfica 14. Montaje a 150Khz.
Grfica 15. Montaje a 200Khz.
Grfica 16. Montaje a 250Khz.
Grfica 17. Montaje a 300Khz.
Grfica 18. Montaje a 350Khz.
Grfica 19. Montaje a 400Khz.
Grfica 20. Montaje a 450Khz.
Grfica 21.Barrido de frecuencias del circuito.
Grfica 22. Montaje de distorsin armnica en ventana
Hanning.
Grfica 23. Montaje de distorsin armnica en ventana
Flattop.

IV. CONCLUSIONES

Se puede conclur que en un Mosfet de tipo incremental, la


salida debe estar desfasada con respecto a la entrada 180,
debido a que es un transistor de efecto de campo que
funciona casi como conmutador.
Se puede observar que el transistor Mosfet IRF830,
funciona correctamente para voltajes de entrada muy
pequeos, del orden de 0.1, para voltajes muy grandes
tanto la salida como la entrada crecen de forma

B. Ecuaciones.
(1)
Ecuacin de
(2)
Ecuacin de
.
(3)
Ecuacin de
.
(4)
Ecuacin de .
(5)
Ecuacin de .
(6)
Ecuacin de .
(7)
Ecuacin de .
(8)
Ecuacin de .
(9)
Ecuacin de .

Prctica 5 Grupo 02 21 de Octubre de 2013 periodo 2013/02.


(10)
(11)

(12)
(13)

(14)
(15)
(16)

Ecuacin de .
Ecuacin de .
Ecuacin de .
Ecuacin de .
Ecuacin de .
Ecuacin de .
Ecuacin de Distorsin armnica total.

C. Tablas.
Tabla 1. Parmetros del transistor IRF830.
Tabla 2. Frecuencia vs Voltaje pico
REFERENCIAS
[1]

[2]

[3]
[4]

Transistores MOSFET, configuracin y polarizacin.


URL:
http://www.slideshare.net/JCCG_1/transistores-mosfetconfiguracion-y-polarizacion
El MOSFET.
URL:
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html.
Mosfets.
URL: http://www.nxp.com/products/mosfets/
Transistor NPN Mosfet, IRF830.
URL:
http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R/F/8/IRF830.shtml

Edy Catalina Snchez Lpez: 43272061, grupo 2, Ingeniera


de control.