rea Tecnolgica de Automao Industrial

ELETRNICA
BSICA

rea Tecnolgica de Automao Industrial

ELETRNICA
BSICA

SALVADOR
2003

Copyright

2003 por SENAI CIMATEC. Todos os direitos reservados.

rea Tecnolgica Automao Industrial

Elaborao: Waldeck Gomes de Oliveira
Marcos Antonio da Silva
Tahiana Vieira da Fonseca
Reviso Tcnica: Milton Bastos de Souza
Reviso Pedaggica: Maria Clia Calmon Santos
Normalizao: Maria do Carmo Oliveira Ribeiro

Catalogao na fonte (Ncleo de Informao Tecnolgica NIT)

_______________________________________________
SENAI CIMATEC Centro Integrado de Manufatura
e Tecnologia. Eletrnica bsica. Salvador, 2003.
144p. il. (Rev.01)

1. Eletrnica

I. Ttulo

CDD 621.3
________________________________________________

SENAI CIMATEC
Av. Orlando Gomes, 1845 - Piat
Salvador Bahia Brasil
CEP 41650-010
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MENSAGEM DO SENAI CIMATEC

O SENAI CIMATEC visa desenvolver um programa avanado de suporte

tecnolgico para suprir as necessidades de formao de recursos humanos
qualificados, prestao de servios especializados e promoo de pesquisa
aplicada nas tecnologias computacionais integradas da manufatura.
Com uma moderna estrutura laboratorial e um corpo tcnico especializado, o
CIMATEC desenvolve programas de intercmbio tecnolgico com instituies
de ensino e pesquisa, locais e internacionais.
Tudo isso sem desviar a ateno das necessidades da comunidade, atendendo
suas expectativas de formao profissional, suporte tecnolgico e
desenvolvimento, contribuindo para uma constante atualizao da indstria
baiana de manufatura e para a alavancagem do potencial das empresas
existentes ou emergentes no estado.

APRESENTAO

O curso de Eletrnica Bsica objetiva fornecer ao aluno um curso bsico de

eletrnica para alunos dos cursos tcnicos de nvel mdio e superior, no
sendo exigido conhecimento especfico prvio de eletrnica para sua
compreenso.
Essa apostila enfoca os principais assuntos da eletrnica analgica, tais como:
semicondutores, diodos, transistores, amplificadores e fonte de alimentao
que so os elementos bsicos dos circuitos analgicos e outros tipos de
circuitos analgicos.
Portanto, o curso proporciona ao aluno as informaes necessrias para a
compreenso do funcionamento de circuitos e dispositivos eletrnicos, tendo
utilidade a todos aqueles que tm interesse no estudo de eletrnica, visando
sua aplicao prtica nos mais variados ramos da tecnologia.

SUMRIO

Introduo

Semicondutores

12

Diodos

20

Circuitos Estabilizadores de Tenso

40

Circuitos Integrados

41

Componentes Optoeletrnicos

45

Transistores

62

Amplificadores Lineares

90

Circuitos Osciladores

97

10 Circuitos Temporizadores

103

11 Simbologia Geral

105

12 Anexos (Prticas)

106

Referncia Bibliogrfica

1. Introduo
Como j de nosso conhecimento, podemos dividir um material em pores
cada vez menores, at que chegamos a menor das pores, que recebe o
nome de molcula. Podemos ento intitular pr molcula a menor poro que
um material pode ser dividido sem que com isso venha sofrer alteraes em
suas propriedades.
Se da molcula partimos a uma nova diviso, chegaremos ao tomo que pr
sua vez no, mas conservara as propriedades do material subdividido. Isso
mais ou menos bvio, pois, se uma molcula de uma dada substncia for
composta de uma srie de elementos qumicos, em sua diviso iremos separlos, mudando as caractersticas do todo.
Ex. : H2O - Molcula de gua
H

Definimos tomo como sendo a menor partcula que compe a molcula, e este
pr sua vez tambm composto de outras partculas que so eltrons, prtons
e nutrons. Os prtons e nutrons constituem o ncleo, tendo os primeiros
carga positiva e os nutrons no possuindo carga alguma.
Os eltrons possuem carga eltrica negativa, e giram ao redor do ncleo do
tomo em rbitas concntricas, como na figura abaixo, que podemos notar a
presena de 7 rbitas na ordem: K, L, M, M, O, P, Q, que tambm so
chamadas de camadas. Cada camada possui uma distncia bem determinada
em relao ao ncleo e um nvel prprio de energia. Em funo disto, cada
camada aceita um nmero mximo de eltrons:
CAMADA
K
L
M
N
O
P
Q

N DE ELETRONS
2
8
18
32
32
18
8

A ltima camada (tambm denominada camada de valncia) apresenta quando

completa um total de 8 eltrons, que recebem a denominao de eltrons de
valncia. Os eltrons de valncia so os nicos em condio de participarem
de fenmenos qumicos, ou mesmo eltricos, pois eles esto mais afastados
do ncleo, sofrendo uma menor atrao deste, ou seja, possui um maior nvel
energtico (grau de liberdade). Os nicos elementos existentes na natureza
que apresentam a ultima camada completa so os gases nobres.
A camada de valncia permite que o tomo altere as suas caractersticas
eltricas por meio da ionizao: perdendo eltrons, o tomo torna-se um on
positivo ou ction; ganhando eltrons, o tomo torna-se um on negativo ou
nion.
Quanto s camadas inferiores, uma vez completas, no cedem nem recebem
eltrons ou pelo menos, necessita de uma quantidade de energia muito grande
para romper esta estabilidade, pois esto fortemente atradas pelo ncleo.
O tomo tende a se unir com tomos do mesmo ou de outros elementos,
visando a estabilidade (8 eltrons na camada de valncia) e formando as
molculas dos diversos materiais existentes na natureza. Essa unio pode
ocorrer por meio de ligaes eletrovalentes que so doaes definitivas de
eltrons de um tomo para outro, ou ligaes covalentes que so
compartilhamento de eltrons por mais de um tomo.

OBSERVAO:
O tomo est eletricamente neutro quando o nmero de eltrons presentes em
suas rbitas igual ao nmero de prtons presentes em seu ncleo.
Um eltron pode girar em torno de dois ncleos quando encontra os tomos
simetricamente dispostos.
Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos
de tomos, diferenciados entre si pelos seus nmeros de prtons, eltrons e
nutrons. Cada material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma
especial em eletrnica o comportamento passagem de correntes eltricas,
por isso dividimos os materiais em 3 categorias: condutores, isolantes e
semicondutores.

10

Compare os materiais classificados quanto condutividade:

Compare os materiais classificados quanto ao nvel energtico:

Materiais Condutores e Isolantes

Os materiais condutores so compostos por tomos com poucos eltrons na
rbita de valncia, porm possuem grande quantidade de eltrons livres. Nos
melhores condutores, os tomos possuem apenas um eltron de valncia. A
alta condutividade devido fraca ligao entre esse nico eltron e o ncleo
do tomo, de forma que, temperatura ambiente, a energia trmica
suficiente para arranc-lo da rbita de valncia e torn-lo um eltron livre.
Nos metais, o nmero de eltrons livres quantitativamente elevado, fazendo
com que eles se comportem como condutores eltricos excelentes.
Caso um material condutor seja submetido a uma diferena de potencial, seus
eltrons livres passam a se locomover de forma ordenada. Estes eltrons livres
sero atrados pelo plo positivo da bateria, e quando um eltron muda de
posio deixa um vazio que poder ser ocupado por outro eltron,
estabelecendo desta maneira a corrente eltrica.
Quanto maior for o fluxo de corrente pelo material condutor, quando submetido
a uma diferena de potencial, maior ser sua condutividade. A ao da
temperatura sobre a condutividade inversamente proporcional, ou seja,
quanto maior for a temperatura aplicada ao condutor, mais energia estar

11

sendo fornecida ao mesmo, resultando em maiores quantidades de choques e

um movimento desordenado no interior do condutor dificultando, por
conseguinte, o movimento dos mesmos. Exemplos de materiais condutores
so: ouro, prata, cobre, platina, dentre outros.
J os materiais isolantes so compostos por tomos com muitos eltrons na
rbita de valncia. Os eltrons nos materiais isolantes acham-se fortemente
presos em suas ligaes, e mesmo quando esses materiais so aquecidos, os
eltrons se desprendem em quantidade muito pequena, no ocorrendo, dessa
maneira, uma grande circulao de eltrons. Exemplos de materiais isolantes
so: borracha, mica, porcelana, etc.
Alm dos materiais condutores e isolantes, existe outro tipo de material que
no pode ser incluso em nenhuma das duas categorias, pois apresenta
comportamento de um pssimo condutor e tambm um pssimo isolante, so
os chamados semicondutores.

2. Semicondutores
O material semicondutor, como o prprio nome j diz, no considerado nem
um condutor nem um isolante. formado por tomos tetravalentes, ou seja,
possuem 4 eltrons na camada de valncia, que se agrupam entre si, formando
uma estrutura cristalina, ou seja, so substncias cujos tomos se posicionam
no espao formando uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada tomo
une-se a 4 outros tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um
dos 4 eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um tomo
vizinho.
Os semicondutores foram os principais causadores da revoluo da eletrnica.
Os principais semicondutores utilizados so o germnio (Ge) e o silcio (Si),
que em estado puro apresentam-se sob a forma cristalina, significando que
seus tomos acham-se dispostos uniformemente em uma configurao
peridica.
Inicialmente, o germnio era mais utilizado para a fabricao de dispositivos
semicondutores, porm com o avano da microeletrnica, o silcio passou a ser
mais utilizado, principalmente por sua abundncia e fcil extrao.

12

Os tomos de silcio se distribuem no slido formando

uma estrutura cbica, onde os tomos ocupam os
vrtices do cubo. Esta estrutura cbica normalmente
chamada cristal. por isso que ns dizemos que o
slido de silcio um cristal de silcio.
Nos semicondutores, se um eltron da camada de
valncia receber energia externa, como luz e calor, e
esta for maior que a fora de atrao exercida pelo
ncleo, o eltron pode subir para uma rbita acima da camada de valncia,
chamada de banda de conduo. Uma vez na banda de conduo, o eltron
est livre para se deslocar pelo cristal, sendo o mesmo chamado de eltron
livre. Ao ir para a banda de conduo, o eltron deixa um vazio que chamamos
de lacuna. Este fenmeno chamado de quebra de ligao covalente. Esta
quebra produz um par eltron-lacuna. Do mesmo modo, um eltron livre
vagando pelo cristal pode passar perto de uma lacuna e ser atrado pela
mesma, neste caso houve uma recombinao.
Quanto ao movimento dos eltrons e lacunas, haver sempre a possibilidade
de ambos se recombinarem eliminando dessa maneira dois portadores mveis,
um eltron e uma lacuna. Desta forma, nem as lacunas e nem os eltrons
conservar-se-o livres indefinidamente.
As propriedades eltricas dos semicondutores so afetadas por variao de
temperatura, exposio luz e acrscimos de impurezas. A temperatura exerce
influncia direta sobre o comportamento dos materiais semicondutores no que
diz respeito condutibilidade eltrica. medida que a temperatura do
semicondutor aumenta, sua resistividade diminui ao contrrio da resistividade
de um condutor normal que obedece a 2 Lei de Ohm (R=L/A).
O silcio um isolante perfeito a uma temperatura de -273C, porque a esta
temperatura no existe nenhum eltron livre. medida que a temperatura vai
aumentando, vai ocorrendo a quebra de ligaes covalentes, assim como
recombinaes. temperatura ambiente de 25C, um cristal de silcio puro
possui uma quantidade de pares eltron-lacuna mais ou menos estvel, devido
as constantes quebras de ligaes covalentes produzidas termicamente, assim
como recombinaes.
Se submetermos um cristal de silcio puro a uma DDP, observamos que
existem dois trajetos para os eltrons se movimentarem dentro do cristal, ou
seja, teremos duas correntes eltricas, uma de eltrons livres e a outra de
eltrons de valncia. Os eltrons livres iro se deslocar de um lado para outro
do cristal atravs da banda de conduo, os eltrons de valncia se deslocaro
de um lado para outro do cristal atravs das lacunas, pulando de uma para a
outra.

13

O eltron livre mostrado dentro do cristal ser atrado pelo terminal positivo da
fonte, se deslocando dentro do cristal pela banda de conduo, como indica a
seta. Esta corrente de eltrons livres de mesma natureza que a corrente que
se estabelece nos materiais condutores. Observe agora a lacuna mostrada na
figura acima. O eltron do ponto 1 pode ser atrado pela lacuna, se isso ocorrer,
a lacuna na extremidade deixar de existir e onde estava o eltron no ponto 1,
agora ter uma lacuna. A lacuna no ponto 1 agora pode atrair o eltron do
ponto 2, onde passar a estar a lacuna. Se continuarmos este raciocnio, como
mostram as setas, veremos que os eltrons esto se deslocando em direo
ao terminal positivo e a lacuna em direo ao terminal negativo. Ao sarem pela
extremidade do cristal, tanto eltron livre como eltron de valncia, se tornam
eltrons livres, seguem em direo ao terminal positivo da fonte.
O movimento de eltrons de valncia dentro do cristal pode ser visto como o
movimento de lacunas em sentido contrrio.

Este movimento de eltrons de valncia (ou de lacunas), o que diferencia os

semicondutores dos condutores. Num condutor s existe corrente de eltrons
livres. A corrente de lacunas nos semicondutores apenas uma analogia,
porque quem se movimenta na verdade so os eltrons de valncia, tenha isso
sempre em mente.
Na prtica, no tem como medir a corrente de eltrons livres e de lacunas de
forma independente dentro do cristal, mas saiba que elas existem e que o uso
dos semicondutores na construo de dispositivos eletrnicos se deu, em
grande parte, por esta caracterstica.
O nome dado a todo semicondutor puro semicondutores intrnsecos. Um
cristal de silcio intrnseco se todos os tomos do slido forem de silcio. A
condutividade do silcio a temperatura ambiente de 25C to baixa que no

14

existe aplicao prtica para o mesmo. Uma maneira de aumentar a

condutividade de um cristal de silcio introduzindo tomos de impureza.
A adio de certos tomos estranhos (impurezas) aos tomos de silcio ou
germnio pode alterar a estrutura de camadas (bandas) de energia de forma
suficiente mudar as propriedades eltricas dos materiais intrnsecos. A esse
processo qumico damos o nome de dopagem.
O objetivo da dopagem aumentar a condutividade do cristal. Um
semicondutor dopado com tomos de impurezas um semicondutor extrnseco
e um material semicondutor que tenha sido submetido a um processo de
dopagem por impurezas chamado de material extrnseco. H 2 materiais
extrnsecos de muita importncia para a fabricao de dispositivos
semicondutores. Esses materiais so chamados de: tipo N e tipo P.
Semicondutor Tipo N
um semicondutor que recebeu tomos pentavalentes, ou seja, tomos que
possuem cinco eltrons na camada de valncia. Como exemplos de
substncias pentavalentes podemos citar o arsnio, antimnio e fsforo.
Se em uma pequena barra de Ge ou Si, elementos tetravalentes, adicionarmos
uma pequena quantidade de um elemento pentavalente (impureza), seus
tomos iro se associar com os tomos de germnio ou silcio, fazendo com
que um dos eltrons da camada de valncia, suba para a banda de conduo,
porque ele s precisa de 4 eltrons na camada de valncia para estabelecer a
ligao covalente.
Para cada tomo de impureza introduzido no cristal, aparecer um eltron livre.

Num semicondutor tipo N, os eltrons livres so chamados de portadores

majoritrios porque existe em maior quantidade, enquanto que as lacunas so
chamadas de portadores minoritrios por se encontraram em menor
quantidade.
OBSERVAES:
Embora cada tomo pentavalente introduzido no cristal tenha um eltron que
foi empurrado para banda de conduo, este eltron continua a pertencer ao
tomo, ou seja, eletricamente falando, o tomo continua neutro.
Os elementos que atravs do processo da dopagem fornecerem eltrons
excedentes ao Si ou Ge, sero denominados de doadores.

15

 Semicondutor Tipo P
Um semicondutor tipo P obtido atravs da injeo de tomos trivalentes no
cristal puro. Como exemplos de impurezas trivalentes podemos citar o
alumnio, boro e glio.
Como um tomo trivalente possui trs eltrons na camada de valncia, uma
lacuna ser criada quando o mesmo for se associar com os tomos vizinhos
atravs da ligao covalente.
Para cada tomo de impureza, aparecer uma lacuna.

Um cristal dopado com tomos trivalentes um semicondutor tipo P. Ele possui

uma grande quantidade de lacunas e alguns eltrons livres produzidos
termicamente, devido quebra de ligaes covalentes. Neste caso, as lacunas
so os portadores majoritrios e os eltrons livres so os portadores
minoritrios.
Da mesma forma que os eltrons livres no semicondutor tipo N aumenta a
condutividade do cristal, o aumento do nmero de lacunas no semicondutor
tipo P tambm aumenta a condutividade do cristal. A diferena que no
semicondutor tipo N, a condutividade aumenta na banda de conduo e no tipo
P, a condutividade aumenta na camada de valncia.
OBSERVAO:
Eletricamente falando, cada tomo de impureza no semicondutor tipo P, no
ganhou nem perdeu eltrons, portanto continua eletricamente neutro.
Os elementos que atravs do processo da dopagem derem origem formao
de lacunas, sero denominados de receptores.
Os materiais P e N isoladamente so utilizados na fabricao de resistncias
em circuitos integrados, porm para a fabricao de dispositivos eletrnicos
necessitamos da juno PN, que obtida a partir da unio de um material tipo
P com um material tipo N.

16

 Juno PN
As junes PN, como foi dito anteriormente, so a unio de um semicondutor
tipo P com um tipo N, de modo que a interseo entre eles forme uma juno
de mudana gradativa de caracterstica de conduo. Componentes que usam
este tipo de juno so os diodos.

No semicondutor tipo P tem-se como portadores majoritrios lacunas e

minoritrios eltrons. No semicondutor tipo N ocorre o inverso. Assim sendo, h
uma alta concentrao de eltrons de um lado e de lacunas do outro. Os
eltrons livres so representados juntos a ons positivos, indicando a situao
de doador de eltrons. Ocorre o mesmo com a lacuna que est representada
junto com um tomo aceitador de eltrons. Sabendo que as partculas (eltrons
e lacunas) esto em constante movimento randmico (sem direo
determinada), movimento este causado pela energia trmica fornecida pela
temperatura ambiente, torn-se, portanto razoavelmente lgico que, estando as
lacunas submetidas a um movimento randmico e havendo um nmero maior
de lacunas no lado esquerdo, mais lacunas devero atravessar a superfcie do
lado esquerdo para o direito (e inversamente para os eltrons), trata-se,
portanto de um processo de difuso de lacunas, do lado de maior concentrao
para o de menor concentrao. Do mesmo modo, existe o fenmeno da difuso
de eltrons de uma regio de alta concentrao para uma regio de baixa
concentrao. Isso levar a uma recombinao que formar ons positivos e
negativos. Esta recombinao ir ocorrer com todos os eltrons e lacunas que
estiverem prximos da juno. As colunas de ons que se formaram prximas
juno, devido recombinao de eltrons e lacunas, chamada de camada
de depleo. Existe entre as duas colunas de ons uma DDP, que chamada
de barreira de potencial. Esta DDP nos diodos de germnio de 0,3V e nos de
silcio de 0,7V.

17

Quando a regio prxima juno ficar esgotada de eltrons livres e lacunas, a

coluna de ons negativos do lado P ir repelir qualquer eltron que tentar
atravessar a juno em busca de alguma lacuna, estabelecendo-se assim um
equilbrio.
Para que haja uma passagem de corrente eltrica pela juno preciso que
seja inserida uma diferena de potencial eltrico nas extremidades atravs de
uma fonte de tenso externa. Mas para isso preciso que o terminal + da fonte
esteja conectado na regio P, para que as lacunas sejam "expulsas" para a
regio N, e o terminal - na regio N para que os eltrons migrem para a regio
P. Este tipo de conexo se chama polarizao direta.
OBSERVAO:
No confunda on com eltron livre ou lacuna. Um on um tomo que adquiriu
carga eltrica, ou seja, ganhou ou perdeu eltrons. O on negativo
representado por um sinal de menos com um crculo em volta e o on positivo,
por um sinal de mais com um crculo em volta.
Polarizao direta da juno PN
Uma bateria externa conectada aos terminais de uma juno PN, de modo
que, o terminal negativo da bateria conectado ao lado N e o terminal positivo
ao lado P. Quando isso ocorre, o terminal positivo da fonte ir repelir as lacunas
do lado P e o terminal negativo ir repelir os eltrons livres do lado N. Esta
repulso provocar a compresso da camada de depleo e quando a tenso
entre os terminais do diodo atingir o valor da barreira de potencial (0,7 para o
silcio), ou seja, VT > 0,7, a camada de depleo estar to comprimida que
permitir que os eltrons livres da regio N atravessem a mesma e entrem na
regio P. Uma vez dentro da regio P, os eltrons livres descem da banda de
conduo para a camada de valncia e atravessam a regio P como eltrons
de valncia, pulando de lacuna em lacuna, at sarem pelo terminal do anodo,
quando seguem para o terminal positivo da fonte, entram na fonte, saem pelo
terminal negativo, entram na regio N pelo terminal do catodo, atravessam a
regio N como eltrons livres, cruzam a juno e assim sucessivamente. O que
ns acabamos de descrever na verdade um fluxo de eltron, ou uma corrente
eltrica.
Em outras palavras, para se conseguir um movimento dos portadores de carga
na juno necessrio anular a oposio da barreira de potencial interna e
impulsionar as cargas para que estas atravessem a juno.

18

 Polarizao inversa da juno PN

Ligando-se o terminal positivo da bateria no lado N e o terminal negativo da
bateria no lado P obteremos uma polarizao inversa da juno PN. Assim
sendo, os eltrons do material N sero atrados pelo potencial positivo da
bateria, afastando-se da juno. O mesmo ocorrer com as lacunas, sendo
atradas pelo potencial negativo. Como as cargas se afastam da juno, novas
cargas descobertas aparecero nesta regio aumentando o potencial da
barreira e em conseqncia aumentando gradativamente a resistncia interna
do dispositivo. Podemos, ento dizer que a bateria aumentou a barreira de
potencial da juno. de se esperar que nenhum dos portadores atravesse a
juno e, portanto no haja corrente no circuito. Entretanto, o que constatamos
que devido energia cedida pela temperatura ambiente, algumas ligaes
covalentes so rompidas a todo instante, dando origem a portadores
minoritrios, ou pares de eltron lacuna, gerados por agitao trmica. Assim,
os portadores minoritrios formaro uma pequena corrente na polarizao
inversa. A corrente inversa em uma juno PN na maioria dos casos
considerada desprezvel se comparada com a corrente direta, e recebe
tambm os nomes de corrente de fuga ou de saturao.

OBSERVAO:
Um dos motivos do uso em grande escala do silcio na confeco de
componentes eletrnicos, que a corrente reversa nos componentes
fabricados com silcio menor do que nos fabricados com germnio, pois o
silcio menos sensvel temperatura.

19

3. Diodos
Quando dopamos a metade de um material semicondutor com impurezas
trivalentes e a outra metade com impurezas pentavalentes, produziremos um
diodo de juno ou diodo semicondutor.
Um diodo ideal uma chave acionada por tenso. Deve se comportar da
seguinte maneira: Quando se aplica aos terminais desta chave uma tenso
reversa ela atua como circuito aberto, quando se aplica uma tenso com
polaridade contrria, ou seja, uma tenso direta ela atua como um curtocircuito. A caracterstica Volt-Ampre de um diodo ideal :
I

A caracterstica Volt-Ampre do diodo ideal altamente no-linear; ela consiste

em 2 segmentos de linha reta formando 90 um em relao ao outro. Uma
curva no-linear que consiste em segmentos de linha reta dita linear por
partes. Se um dispositivo, tendo uma caracterstica linear por partes, for usado
em uma aplicao particular de modo que sinal em seus terminais no
ultrapasse os limites de apenas um dos segmentos lineares, ento o dispositivo
poder ser considerado como um elemento linear de circuito, enquanto durar
tal situao.
Comparando esta curva com a caracterstica Volt-Ampre de uma juno PN,
chegamos concluso que possvel implementar fisicamente um diodo, ou
seja, uma chave acionada por tenso.
Para analisar o diodo como elemento de circuito, podemos fazer uma
simplificao, substituindo-o por um modelo equivalente linear. Isto
corresponde a linearizar a caracterstica do diodo fsico por partes.

Conforme este modelo o diodo se comporta como uma resistncia altssima R r

(resistncia reversa) quando polarizado reversamente, ou seja, com uma
V
tenso menor que, aproximadamente Vo valor V j. Quando Vjpolarizado
diretamente o diodo se comporta como uma resistncia bem baixa R b
(resistncia direta) em serie com uma fonte de tenso V j.

20

Uma simplificao deste modelo, mais utilizada, a que considera o diodo

como um circuito aberto para tenses inferiores a V j (Rr tendendo a infinita).
Para tenses menores que Vj, que chamada tenso de limiar, o diodo no
conduz. Para tenses maiores que Vj, o diodo conduz e, em seus terminais,
medimos a tenso Vj somada queda de tenso na resistncia direta R b. A
idia da tenso de limiar Vj tem muito a ver com o
I
potencial da barreira Vo, embora estes valores no
coincidam necessariamente.
A tenso Vj corresponde ao joelho da caracterstica
linearizada.
A tenso Vo o valor de tenso aplicada
Vo
acima do qual o campo eltrico da juno se anula e o
diodo passa a se comportar aproximadamente como uma resistncia
equivalente srie dos contatos hmicos dos terminais e do cristal semicondutor.
A partir deste valor, a caracterstica do diodo tende para uma reta.
Barreira de Potencial

Vo
V- Vo

Circuito Aberto

0 < V < Vo

V= Vo

Os valores Vj e Vo costumam ser prximos.

Para o silcio Vj situa-se entre 0,6 a 0,7 Volts. Para o germnio, V j situa-se
entre 0,2 e 0,3 Volts.
O diodo de grande utilizao dentro da eletrnica e sua principal
caracterstica a de conduzir a corrente eltrica em um s sentido. O terminal
ligado ao lado P o anodo (A) e o terminal ligado ao lado N, o catodo (k). A
faixa cinza prxima juno a camada de depleo, que ir se comprimir ou
se expandir quando o diodo for submetido a uma diferena de potencial.

Resistncia direta: Vf = 0
If
Resistncia inversa: Vr =
Ir

Circuitos equivalentes:

21

O sentido convencional da corrente indicado pela ponta da flecha no smbolo.

Um diodo est polarizado diretamente quando o terminal positivo da fonte est

mais prximo do anodo e o terminal negativo mais prximo do catodo. Quando
isso ocorre, o terminal positivo da fonte ir repelir as lacunas do lado P e o
terminal negativo ir repelir os eltrons livres do lado N. Como foi explicado
anteriormente, esta repulso provocar a compresso da camada de depleo,
favorecendo a movimentao dos portadores majoritrios, e quando a tenso
entre os terminais do diodo atingir o valor da barreira de potencial (0,7 para o
silcio), ou seja, VT > 0,7, a camada de depleo estar to comprimida que
permitir que os eltrons livres da regio N atravessem a mesma e entrem na
regio P, permitindo o fluxo de eltrons (corrente eltrica).
Resumindo, quando o diodo polarizado diretamente, e a tenso em seus
terminais atinge o valor da barreira de potencial, o diodo comea a conduzir
corrente, ou seja, permite que os eltrons cruzem a juno, comportando-se
como se fosse uma chave fechada (diodo ideal).

Como o diodo se comporta como uma chave fechada, necessria a presena

de um resistor em srie com o mesmo para limitar a corrente, caso contrrio
fonte entra em curto.
Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no
conduz intensamente at que se ultrapasse a
barreira de potencial. medida que a bateria se
aproxima do potencial da barreira, os eltrons
livres e as lacunas comeam a atravessar a
juno em grandes quantidades. A tenso para a
qual a corrente comea a aumentar rapidamente
chamada de tenso de joelho (no SI aprox.
0,7V).
Um diodo est polarizado reversamente quando o terminal positivo da fonte
estiver mais prximo do catodo e o terminal negativo mais prximo do anodo.
Quando isso ocorre, o terminal positivo da fonte ir atrair os eltrons livres da
regio N e o terminal negativo ir atrair as lacunas da regio P. Isto provocar a
expanso da camada de depleo, dificultando ainda mais a difuso de
eltrons livres atravs da juno, ou seja, o diodo se comportar como uma
chave aberta, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Como o diodo se
comporta como uma chave aberta, no tem corrente circulando no circuito.

22

OBSERVAES:
Na prtica circular pelo diodo uma pequena corrente reversa, devido aos
portadores minoritrios produzidos termicamente. A intensidade desta corrente
reversa depende da temperatura e no da tenso aplicada.
Existe uma outra componente que contribui para a corrente reversa, que a
corrente de fuga superficial. devido as impurezas localizadas na superfcie do
cristal, um trajeto hmico pode ser criado, viabilizando a circulao desta
corrente reversa pela superfcie do mesmo. Esta componente depende da
tenso reversa aplicada ao diodo.
Resumindo, duas componentes contribuem para a corrente reversa, a dos
portadores minoritrios, que depende da temperatura e a corrente de fuga
superficial, que depende da tenso reversa aplicada aos terminais do diodo.
Entretanto na maioria dos casos essa corrente desprezada.
Temos que ter cuidado quando vamos polarizar um diodo reversamente, pois
existe um valor de tenso mxima que cada diodo
suporta estando polarizado desta forma, que a
tenso de ruptura. Se a tenso reversa nos
terminais do diodo ultrapassa o valor de ruptura, o
mesmo conduz intensamente, danificando-se por
excesso de dissipao de calor.
O motivo desta conduo destrutiva na ruptura
um efeito conhecido como avalanche. Quando o
diodo est polarizado reversamente, circula pelo
mesmo uma pequena corrente reversa causada
pelos portadores minoritrios. Um aumento na tenso reversa pode acelerar
estes portadores minoritrios, causando choque destes com os tomos do
cristal. Estes choques podem desalojar eltrons de valncia, enviando-os para
a banda de conduo, somando-se aos portadores minoritrios, aumentando
ainda mais o nmero de eltrons livres e conseqentemente de choques. O
processo continua at ocorrer uma avalanche de eltrons (alta corrente
eltrica), que causar a destruio do diodo.
A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da
tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo. O
grfico completo representado abaixo:

23

 EXERCCIOS:
1) Dado os circuitos abaixo, calcule tenso em cada diodo e em cada resistor e
a corrente em cada ramo?
a)

b)

c)

Uma aplicao fundamental do

diodo, que faz uso intenso da curva
no-linear Volt-Ampre, o circuito retificador que consiste em um diodo e um
resistor conectados em srie.

24

Suponha uma tenso de entrada senoidal V1 e um diodo ideal. Durante os

semiciclos positivos da entrada senoidal, a tenso positiva V1 faz com que a
corrente circule pelo diodo no sentido direto. Segue que a tenso no diodo VD
ser muito pequena (idealmente zero), resultando que a tenso na sada Vo
permanea igual a tenso na entrada (Vo = V1). Entretanto durante os
semiciclos negativos de V1, o diodo no
conduzir (Vp = 0), produzindo um circuito
que retifica o sinal (retificador).
O sinal na sada ter a seguinte curva:

Esse circuito pode ser usado para gerar corrente contnua a partir da corrente
alternada.
Os circuitos que utilizam dispositivos semicondutores necessitam ser
alimentados com tenses contnuas para a devida polarizao. Para podermos
aproveitar a rede eltrica, por se tratar de tenso alternada, necessitamos
convert-la em tenso contnua.
Os artifcios utilizados na eletrnica para transformar a corrente alternada em
corrente contnua so denominados de retificadores, que so circuitos com
diodos. Os circuitos retificadores juntamente com os filtros possibilitam obter
nas sadas, tenses com caractersticas de contnua pura. Isso pode se dar de
diversas maneiras. Seja atravs de retificadores de meia onda ou de onda
completa. Esquematizando em blocos, um circuito retificador com filtro:

O primeiro estgio constitudo por um transformador para normalmente

reduzir a tenso de entrada. No segundo estgio, atravs de circuitos com
diodos, feita a retificao do sinal alternado. No terceiro estgio, o circuito de
filtro, normalmente capacitivo, transforma a tenso contnua pulsante em
contnua pura.
Transformador
As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores
que 30 Vcc enquanto a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de
127 VRMS ou 220VRMS. Logo preciso um componente para abaixar o valor
desta tenso alternada. O componente utilizado o transformador. Sua

25

principal funo aumentar ou abaixar uma tenso aplicada em seu

enrolamento primrio.
O transformador basicamente constitudo por 2 bobinas, chamadas de
enrolamentos. A energia passa de uma bobina para outra atravs do fluxo
magntico baseado num fenmeno conhecido como induo eletromagntica.

Quando movimentamos um condutor dentro de um campo magntico, aparece

em seus extremos uma DDP, que chamada de tenso induzida. O mesmo ir
acontecer se o condutor se mantiver em repouso e movimentarmos o campo
magntico. necessrio, portanto, que haja um movimento relativo entre o
campo magntico e o condutor, para que aparea nos extremos do mesmo
uma tenso induzida.
Sabe-se que, quando a corrente eltrica passa por um condutor se estabelece
em torno do mesmo um campo magntico, cuja intensidade depende da
quantidade de eltrons que estejam passando por segundo no condutor
(intensidade de corrente eltrica).
Se a intensidade da corrente que percorre o condutor varia, a intensidade do
campo tambm varia. Como o condutor est submetido ao campo, aparecer
em seus terminais uma tenso induzida. Este o princpio de funcionamento
do transformador. Uma tenso alternada aplicada ao enrolamento primrio, o
que far circular pelo mesmo, uma corrente alternada. A corrente alternada que
circula pelo enrolamento primrio dar origem a um campo magntico varivel,
que se estabelecer no ncleo do transformador. Como o enrolamento
secundrio est enrolado em torno do ncleo, uma tenso induzida aparecer
em seus extremos, devido ao campo magntico varivel ao qual est
submetido. Observe que no existe contato eltrico entre os enrolamentos
primrio e secundrio, a ligao entre os dois enrolamentos apenas
magntica.

OBSERVAES:
A principal razo que faz o transformador ser elevador ou abaixador de tenso,
a relao existente entre o nmero de espiras nos enrolamentos primrio e
secundrio. Se o nmero de espiras do enrolamento secundrio for maior que

26

o nmero de espiras do enrolamento primrio, o transformador ser elevador

de tenso, se for menor ser abaixador de tenso.
Se for aplicada uma tenso contnua no enrolamento primrio, no aparecer
tenso alguma no secundrio do transformador. Isso acontece porque uma
fonte de tenso contnua produzir uma corrente constante no enrolamento
primrio, que por sua vez produzir um campo magntico constante no ncleo.
Isso significa que no haver movimento relativo entre o campo e o condutor,
no havendo, ento, tenso induzida.
O transformador no altera a forma da onda nem a freqncia da tenso
aplicada no enrolamento primrio. O transformador altera apenas o nvel de
tenso, elevando ou abaixando a tenso aplicada no enrolamento primrio.
Filtro
A tenso de sada de um retificador sobre um resistor de carga pulsante.
Durante um ciclo completo na sada, a tenso no resistor aumenta a partir de 0
at um valor de pico e depois diminui de volta a zero. No entanto a tenso de
uma bateria deve ser estvel. Para obter esse tipo de tenso retificada na
carga, torna-se necessrio o uso de filtro. O tipo mais comum de filtro para
circuitos retificadores o filtro com capacitor. O capacitor colocado em
paralelo ao resistor de carga.
Para o entendimento do funcionamento do filtro, suponha o diodo ideal e que,
antes de ligar o circuito, o capacitor esteja descarregado, logo a tenso de
carga zero. Ao ligar, durante o primeiro quarto de ciclo da tenso no
secundrio, o diodo est diretamente polarizado. Como idealmente o diodo se
comporta como uma chave fechada e ele conecta o enrolamento secundrio
diretamente ao capacitor, ele carrega at o valor da tenso de pico Vp.
Logo aps o pico positivo, o diodo pra de conduzir (chave aberta), pois ao
capacitor atingir Vp, a tenso no secundrio ser ligeiramente menor que Vp,
determinando a polarizao reversa no diodo. Com o diodo aberto, o
capacitor descarrega por meio da resistncia de carga. Quando a tenso da
fonte atingir novamente seu valor de pico, o diodo conduzir brevemente e
recarregar o capacitor at o valor da tenso de pico.
Retificador de meia onda
O nome meia onda deriva do fato de que apenas um dos semiciclos da tenso
de entrada aproveitado. Pode ser o semiciclo positivo ou o negativo,
dependendo da posio do diodo.
Durante o semiciclo positivo da tenso de entrada, o diodo estar diretamente
polarizado e conduzir, fazendo a corrente circular pela carga. Na sada,
aparecer, neste caso, o prprio semiciclo. No semiciclo negativo da tenso de
entrada, o diodo estar reversamente polarizado, no conduzindo, fazendo
com a tenso de sada seja nula. No diodo, temos a tenso (VD), que durante a
sua conduo praticamente nula e na sua no conduo igual da entrada,
ou seja, negativa.

27

Podemos esboar as formas de onda do circuito retificador de meia onda.

A tenso contnua de sada ter um valor DC igual a: VDC

Vmax

Para aumentar o nvel de tenso contnua na sada, colocamos um filtro

capacitivo. A atuao do capacitor consiste em se carregar com a tenso de
entrada durante o intervalo do semiciclo positivo, at esta atingir Vmx. A partir
da, como o potencial do capacitor maior que o da entrada, o diodo corta e o

28

capacitor inicia um processo de descarga atravs da carga, at que um novo

semiciclo positivo faa com que a tenso no anodo do diodo seja maior,
reiniciando o processo de carga. A tenso de sada do retificador de meia onda
com a atuao do filtro.

Notamos que o filtro faz com que se eleve DC da tenso de sada, que,
dependendo do valor do capacitor e da carga pode ser maior ou menor. A
ondulao remanescente denominada tenso de ripple, cujo valor pode
avaliar a eficcia do circuito, na converso da tenso alternada em contnua,
para uma carga especfica.

Retificador de Onda Completa

Os retificadores de onda completa dividem-se em dois tipos: Os que precisam

de tomada central no transformador e os que no a necessitam.
Os retificadores que precisam de tomada central no transformador trata-se de
um retificador com derivao central no enrolamento do secundrio e dois
diodos que funcionam como dois retificadores de meia onda - um de costas
para o outro. Um diodo controla um semiciclo da sada e o outro diodo, o outro
semiciclo, ou seja, basta colocar um diodo em cada um dos terminais e
reservar o terminal central para o negativo. A sada uma tenso retificada de
onda completa.

D1

D2

O transformador utilizado nesse circuito possui uma derivao central que

defasa a tenso VE1 em relao VE2 de 180. Durante o semiciclo positivo do
VE1 e o semiciclo negativo de VE2 o diodo D1 estar conduzindo e o diodo D2
estar cortado. Por D1 circular uma corrente que passando pela carga, faz
com que aparea na sada, o prprio semiciclo positivo de VE1.

29

Durante o semiciclo positivo de VE2 e o negativo de VE1, o diodo D2 estar

conduzindo e o diodo D1 estar cortado. Por D2 circular uma corrente que,
passando pela carga faz com que aparea na sada, o prprio semiciclo
positivo de VE2.
Podemos esboar as formas de onda do circuito retificador de onda completa
com tomada central.

Os diodos D1 e D2 na conduo, apresentam uma tenso praticamente nula

entre seus terminais e na no conduo, uma tenso de -2 Vmx, pois quando
um deles estiver cortado, o outro estar conduzindo, fazendo com que a tenso
total do secundrio do transformador seja aplicada sobre o cortado.
Os retificadores que no precisam de tomada central no transformador so os
retificadores de onda completa com ponte de diodos. Com o uso de 4 diodos
no lugar de 2, elimina-se o uso da tomada central do transformador. Durante o
semiciclo positivo da tenso VE, o diodo D1 recebe um potencial positivo em
seu anodo e o D3 um potencial um potencial negativo no catodo. Dessa forma,
D3 e D1 conduzem, fazendo circular uma corrente que passando pela carga,
faz com que aparea na sada, o prprio semiciclo e os diodos D4 e D2 ficam
reversamente polarizado.
Durante o semiciclo negativo da tenso VE, o diodo D2 recebe um potencial
positivo em seu anodo, e o diodo D3 um potencial negativo no catodo, devido
inverso de polaridade de VE. Os diodos D4 e D2 conduzem fazendo circular
uma corrente, atravs da carga, com o mesmo sentido que no outro caso,
surgindo na sada uma tenso igualmente positiva e os diodos D3 e D1 ficam
reversamente polarizado.

30

Podemos esboar as formas de onda do circuito retificador de onda completa

com ponte de diodos.

31

Os diodos, na sua conduo, apresentam uma tenso praticamente nula entre

seus terminais e, na no conduo uma tenso -Vmx, pois, quando estiverem
cortados, estaro em paralelo com o secundrio do transformador.
Nos retificadores de onda completa, como em todos os semiciclos da tenso de
entrada, temos uma tenso de sada, o nvel DC ser o dobro em relao ao de
meia onda, e ser dado por:
VDC

2.Vmax

Para aumentarmos esse nvel, que dependendo das circunstncias poder

tornar-se prximo a Vmx, colocaremos um filtro capacitivo.

Retificador de Onda Completa com Tomada Central e filtro

Retificador de Onda Completa com Ponte de Diodos e filtro

O capacitor de filtro, ir se carregar com a tenso de entrada at atingir Vmx.

A partir da, como seu potencial maior que o da entrada, iniciar um processo
de descarga, atravs da carga, at que um novo semiciclo reinicie um processo
de carga. A tenso de sada dos retificadores de onda completa, com a atuao
do filtro :

Nota-se um aumento do nvel DC e diminuio da tenso de ripple, em relao

ao retificador de meia onda, com filtro, isso logicamente depende dos valores
do capacitor e de carga.

32

Dimensione um retificador de onda completa, para alimentar uma carga com 12

VDC e corrente mxima 1A, segundo o esquema abaixo:

Comentrios:

Escolha do transformador

Para obtermos 12 VDC, vamos utilizar um transformador de 110V/ 9 + 9V - 1A

(ou 220V/9+9V-1A), pois o valor DC de sada em uma retificao de onda
completa com boa filtragem , praticamente, igual a Vmx:

Vmx vef . 2

logo: Vmx 9. 2 12,7V

Escolha dos diodos

O diodo deve suportar a corrente mxima de sada, no caso, 1A e tenso

inversa maior que 2.Vmx, ou seja, 25,4V. Comercialmente, encontramos as
sries comerciais de diodos retificadores, que atendem a essas especificaes.

Tabela Comercial de Diodos Retificadores

SRIE 1N4000 DE DIODOS RETIFICADORES

CDIGO

TENSO NOMINAL

CORRENTE NOMINAL

1 N 4001

50 V

1A

1 N 4002

100 V

1A

1 N 4003

200 V

1A

1 N 4004

400 V

1A

1 N 4005

600 V

1A

1 N 4006

800 V

1A

1 N 4007

1000 V

1A

1 N 914

100 V

100 mA

1 N 4148

100 V

100 mA

BY 127

1200 V

1A

33

 Diodo Zener, Reguladores de Tenso e Fonte

O diodo zener tem a finalidade de manter constante a tenso numa carga. Ele
especialmente fabricado para trabalhar em polarizao reversa, pois, nestas
circunstncias apresenta uma caracterstica de tenso constante para uma
faixa de corrente. Como vimos; esta propriedade denominada Efeito Zener
que ocorre pelo fato do diodo estar trabalhando em situao de avalanche,
porm, neste caso, controlada. Sua principal vantagem manter a tenso nos
seus terminais aproximadamente constante.
O diodo zener equivalente a uma fonte de tenso CC, quando operando na
regio de ruptura, isto , podemos consider-lo como uma fonte CC com uma
pequena resistncia interna.
A figura abaixo mostra a curva caracterstica de um diodo zener (grfico I -V),
onde na regio de polarizao direta, comea a conduzir por volta de 0,7V,
como se fosse um diodo comum.

Nota-se que trabalhando na regio reversa, com corrente maior que I Z min at o
limite IZ mx, a tenso sobre o diodo V Z ir permanecer praticamente constante.
Esta caracterstica tem aplicao em estabilizao de tenso, onde, para
qualquer variao da tenso de entrada, a tenso de sada permanece
constante, mesmo que haja variao na carga.
O smbolo do diodo Zener e indicaes do sentido de tenso e corrente de
trabalho so representados abaixo:

34

Comercialmente, os diodos Zener so especificados pelo valor da tenso Zener

(Vz) e pela potncia mxima de trabalho, dada por: Pz mx = Vz Iz mx. Como
podemos notar com os parmetros Pz mx e VZ, conseguimos determinar o
valor de Iz mx, porm para determinarmos Iz min, se faz necessrio a
utilizao da caracterstica dada pelo fabricante.
Para fins de projetos, na prtica utiliza-se:
IZmin

IZmax
10

Que representa a aproximao do parmetro real, extrado da caracterstica.

Para exemplificar, vamos calcular os parmetros para um Zener com VZ = 6,2V
e Pz mx = 400mw.
1 - Clculo de Iz mx:
IZmax

Pzmax 400x10 3

64 ,5mA
Vz
6,2

Izmin

Izmax
64 ,5x103

6,45mA
10
10

2 - Clculo de Iz min:

Estabilizao

Toda fonte de tenso apresenta variaes na tenso de sada, em funo do

consumo de corrente imposto pela carga e das mudanas da tenso de
entrada. Para solucionar este problema utiliza-se a fonte de tenso
estabilizada, que dentro de uma faixa de corrente possui caractersticas tpicas
de um gerador ideal, ou seja, mantm a tenso constante. Alm disso, se a
tenso de entrada variar dentro de limites estabelecidos no projeto, a tenso de
sada da mesma forma no se alterar.
Podemos obter uma fonte estabilizada a partir de um circuito retificador,
utilizando na sada um estgio regulador de tenso com diodo Zener. Este
circuito representado abaixo:

35

Considerando o estgio de entrada composto pelo retificador como uma tenso

VE ligada a uma carga, com a finalidade de facilitar o desenvolvimento, temos:

Referncia

freqentemente necessrio que se tenha uma tenso fixada de referncia em

um circuito para fins de polarizao e comparao. Isto pode ser obtido
usando-se um diodo Zener.
A variao na fonte DC de tenso devido a qualquer razo foi includa como um
pequeno sinal senoidal. Como vi sempre maior do que 10 V, o diodo Zener
estar sempre no estado "ligado", sendo esta uma condio definida pela
subida vertical da curva.
Nossas anlises aqui empregaro apenas o circuito equivalente reduzido da
figura abaixo. A tenso de sada de vi, entretanto, permanecer fixada no
potencial Zener de 10 V, nosso potencial de referncia.
Portanto, a tenso que aparece nos terminais do resistor de 5k a diferena
entre as duas, como definido pela lei de tenso de Kirchoff:
vR = vi - vo vR = (12+1sent) 10 vR = 2 + 1sent

36

Podem-se estabelecer dois nveis de referncia com o circuito abaixo.

Dois diodos Zener, em posies contrrias, podem ser usados como regulador
AC conforme mostrado na figura abaixo.

Em relao ao sinal senoidal vi, o circuito fica como na figura (b), no instante
em que vi = 10 V. A regio de operao de cada diodo est indicada na figura
(b).
Note que a impedncia associada a Z1 muito pequena, ou essencialmente um
curto, pois est em srie com 5k, enquanto que a impedncia Z2 muito
grande, correspondendo representao de circuito aberto.
Como Z2 um circuito aberto, V0 = V1 = 10 V. Esta situao permanecer at
que Vi seja levemente maior do que 20 V. Ento Z2 entrar na regio de baixa

37

resistncia (regio Zener), Z1, para todos os fins prticas, ser um curto-circuito
e Z2 ser substitudo por Vz = 20 V. A forma de onda resultante est indicada na
mesma figura.
Note que a forma de onda no puramente senoidal, mas o seu valor rms
(efetivo) est mais prximo dos 20 V de pico, da forma de onda senoidal,
desejados, do que a entrada senoidal cujo valor de pico 22 V (o valor rms de
uma onda quadrada o seu valor de pico, enquanto que o valor rms de uma
funo senoidal 0,707 vezes seu valor de pico).
zero circuito da figura acima (a) pode ser estendido a um simples gerador de
onda quadrada, devido a sua ao ceifadora, se o sinal vi for aumentado para
talvez 50 V de pico com diodos Zener de 10 V. A forma de onda resultante est
indicada na figura abaixo.

Segurana Intrnseca

Na figura abaixo temos um circuito usado para Limitao de Energia onde

utilizamos limitadores resistivos (Barreira Zener) ou dispositivos eletrnicos de
corrente (semicondutores) e o seu equivalente de Thevenin com o grfico de
transferncia de potncia.

38

 Tabela de Diodos Zener - Sries Comerciais

DIODO ZENER SRIE 1N
Cdigo

Tenso
Nominal

Potncia
Nominal Mxima

Tolerncia
(%)

1N751

5,1V

500mW

10

1N758

10,0V

500mW

10

1N759A

12,0V

500mW

1N963

12,0V

500mW

20

1N4733

5,1 V

1W

10

1N4740

10,0V

1W

10

1N4742A

12,0V

1W

DIAC
Os diacs so diodos de disparo bidirecional, composto por trs camadas (PNP)
com a simples funo de disparar tiristores.
Sua construo assemelha-se a de um transistor bipolar, porm difere na
dopagem do cristal N.
Seu funcionamento simples: Para passar do estado de bloqueio para o
estado de conduo, preciso ultrapassar a tenso de ruptura (VR), rompendo
assim, a juno polarizada inversamente, podendo a corrente fluir em ambos
sentidos. Para voltar ao estado de bloqueio, basta remover a tenso por alguns
instantes.
Os diacs servem para controlar o disparo de triacs quando uma tenso de
referncia chegar a certo valor.

39

4. Circuitos Estabilizadores de Tenso

Para que ocorra o efeito regulador de tenso necessrio que o diodo zener
opere dentro da regio de ruptura, respeitando-se as especificaes da
corrente mxima. Considere o circuito abaixo:

A corrente que circula por RS que a prpria corrente que circula pelo diodo
zener dada pela frmula:
IRS = (VE - VZ) / RS
Para entender como funciona a regulao de tenso, suponha que a tenso V E
varie para 9V e 12V respectivamente.
Devemos ento obter o ponto de saturao (interseo vertical), fazendo com
que VZ = 0.
a) obteno de q1 (VZ = 0), temos: I = 9/500 = 18mA
b) obteno de q2 (VZ = 0), temos: I = 12/500 = 24mA
Para obter o ponto de ruptura (interseo horizontal), fazemos I Z = 0.
a) obteno de q1 (IZ = 0), temos: VZ = 9V
b) obteno de q2 (IZ = 0), temos: VZ = 12V
O grfico ento fica com o aspecto a seguir:

Analisando o grfico acima, observa-se que embora a tenso V E varie para 9V

e 12V respectivamente, haver mais corrente no diodo zener implicando nas
intersees q1 e q2. Portanto embora a tenso V E tenha variado de 9 a 12V, a
tenso zener ainda aproximadamente igual a 6V. Basta para isso comparar a
diferena entre q1 e q2, onde se observa que a tenso de sada permaneceu
praticamente constante mesmo que a tenso de entrada tenha variado. Essa
a idia de regulao de tenso.

40

5. Circuitos Integrados (CI)

O circuito integrado simplesmente uma lmina de silcio no estado slido, na
qual foram montados ou gravados um grande nmero de componentes
individuais. Todas as conexes entre os componentes do circuito so feitas
automaticamente durante a fabricao do circuito integrado, portanto no
necessrio realizar conexes internas com soldas. Esta um das razes de um
circuito integrado ser mais confivel comparado com um circuito feito com
componentes individuais com ligaes feitas manualmente.
Os circuitos integrados so freqentemente identificados de acordo com o
nmero de componentes ativos montados numa nica lmina. Componentes
ativos so usados para gerar ou amplificar sinais, como por exemplo, um
transistor.
Os circuitos integrados so classificados em MSI (Middle Scale Integrated) que
significa circuito integrado de escala mdia, no qual possui menos que 50
componentes ativos e o LSI (Large Scale Integrated) que significa circuito
integrado de larga escala, no qual deve existir mais que 50 componentes
ativos.
Os circuitos integrados so chamados de monolticos se o circuito completo for
construdo em uma nica lmina de silcio. E chamados de hbridos se o
circuito consiste em um circuito integrado com alguns minsculos componentes
individuais fixados no mesmo.
Os CIs so tambm classificados em circuitos integrados lineares e circuitos
integrados digitais. Um CI linear usado em lugares onde se deseja amplificar
os sinais sem distores dos mesmos, por exemplo, um amplificador de udio
ou um amplificador de rdio-frequencia. Com um CI linear ter sempre um sinal
de sada que uma rplica ou tem relao direta com o sinal de entrada. Eles,
s vezes, so chamados de sinais analgicos, porm prefervel o termos
linear. Um dos melhores exemplos de CI linear o amplificador operacional.
J os CI digitais so usados em circuitos de impulsos e circuitos lgicos. A
amplitude do sinal de sada para um CI digital pode no ter relao direta com
o sinal de entrada.
Os Reguladores de Tenso da Linha de CI 78 e 79
A famlia 78XX formada por circuitos integrados (CI) de trs terminais que
exercem a funo de reguladores de TENSO FIXA POSITIVA.
A famlia 79XX formada por circuitos integrados (CI) de trs terminais que
exercem a funo de reguladores de TENSO FIXA NEGATIVA.
Estes circuitos integrados possuem um terminal de entrada, um terminal de
ajuste ou referncia, que normalmente ligado a terra e um terminal de sada,
o que torna sua utilizao extremamente simples.

41

O diagrama de blocos de uma fonte de alimentao completa com CI regulador

de tenso representado abaixo:

A tenso obtida na sada de um integrado desta famlia fixa e depende de seu

tipo. Na prpria designao do componente temos esta indicao. Assim, o XX
do 78XX indica os Volts que obtemos na sada do regulador. O 7805, por
exemplo, um regulador que fornece em sua sada uma tenso de 5V
enquanto 7812 um regulador que fornece em sua sada uma tenso de 12V.
Os fabricantes dos circuitos integrados desta famlia oferecem uma gama
bastante grande de valores de tenses de sada, conforme podemos observar
pela tabela abaixo, que corresponde a srie uA7800 (ou uA78XX)
REGULADORES DE TENSO FIXA POSITIVA (Texas Instrumentos)
TIPO

Tenso Mnima
de Entrada (V)

Tenso Mxima
de Entrada (V)

Tenso de
sada (V)

Corrente de
Sada (A)

uA7805C

25

1,5

uA7806C

25

1,5

uA7808C

10,5

25

1,5

uA7810C

12,5

28

10

1,5

uA7812C

14,5

30

12

1,5

uA7815C

17,5

30

15

1,5

uA7818C

21

33

18

1,5

uA7824C

27

38

24

1,5

Obs: Valores de tenso e corrente so os mesmos para regulador negativo 79XX

42

A letra C no final dos tipos refere-se corrente mxima que eles podem
fornecer em sua sada: 1,5 A. Os tipos comuns desta srie, sem a letra C no
final, so especificados para uma corrente de 1 A.
Estes componentes que operam com estas correntes algo elevadas, da ordem
de 1 A a 1,5 A normalmente so obtidos em invlucros TO-220 para montagem
em dissipador de calor.
Em alguns casos, entretanto, tais integrados tambm podem ser encontrados
em invlucros de metal. Sries de menores correntes tambm so disponveis,
se bem que basta no usar o dissipador de calor num integrado 7812 de 1A, se
formos usar apenas 100 mA ou menos e tudo estar bem. No entanto, o custo
diferencial de um tipo de maior corrente para um de menor corrente numa
aplicao industrial que use milhares deles pode ser importante.
Para este caso, o montador pode usar um 78XX de menor corrente. Temos
ento a srie MC78M00 para 500 mA e a srie 78L00 de 100 mA, ambas da
Motorola.
A Texas tem a srie 78M00 para 500 mA e a srie uA78L00 de 100 mA, ambas
com os invlucros foram mostrados acima.
As caractersticas principais de todos os integrados desta famlia so as
seguintes:
Possuem trs terminais
A corrente de sada varia entre 100 mA e 1,5 A conforme a srie
No necessitam de nenhum componente externo
Possuem proteo trmica interna em caso de sobrecarga
Possuem limitao interna de corrente em caso de curto-circuito
Podem ser associados em paralelo para fornecer maiores correntes
Um circuito tpico de utilizao de um circuito integrado deste tipo numa fonte
de alimentao :

Entretanto, para que o regulador seja utilizado de forma correta, preciso que
alguns requisitos sejam satisfeitos no que se refere tenso de entrada e
alguns outros parmetros importantes.

43

Comeamos pela tenso de entrada: Para que o regulador funcione

satisfatoriamente preciso haver uma diferena de tenso entre a entrada e a
sada de pelo menos 2V.
No entanto, a gerao de calor no circuito depende da diferena entre a tenso
de entrada e a de sada, multiplicada pela corrente. Assim, quanto maior for a
diferena entre a tenso de entrada e de sada e maior a corrente, mais o
circuito tende a aquecer.
O ideal, numa aplicao prtica, trabalhar com uma tenso pouco acima do
mnimo necessrio a uma operao satisfatria de modo a no exigir muito em
termos de dissipao.
Fonte Simtrica
Fonte de alimentao simtrica o tipo fonte que fornece tenso de sada
(Vcc) positiva e negativa, em relao ao potencial terra.
Os Reguladores de Tenso Positiva e Negativa so exemplos simples de
esquemas de fonte simtrica.
Utilizando-se dois CI reguladores fixos e de valores opostos, podemos construir
uma fonte simtrica que pode ser usada em vrias aplicaes.

EXERCCIO:
1) Desenhar o esquema de uma fonte simtrica que possa fornecer na sada
tenso de +15V e -15V / 2A, usando CI da srie 78XX e 79XX.

44

6. Componentes Optoeletrnicos
Os semicondutores optoeletrnicos ou fotoeltricos constituem a tecnologia
que associa a ptica com a eletrnica, tem a propriedade de converter a
energia luminosa (ou ftons) incidente em energia eltrica (joules) e vice-versa.
Este campo excitante inclui vrios componentes baseados na ao de uma
juno PN. So exemplos de componentes optoeletrnicos: os diodos
emissores de luz (LED), os fotodiodos, os optoacopladores, baterias solares,
display de cristal lquido (LCD), display de 7 segmentos, diodos de
infravermelho, fontes de infravermelho (raio laser), fototransistor,
fotocondutores ou fotoresistores (ou LDR), etc. Estes tipos de componentes
so largamente usados em todas reas da eletrnica.

Diodo Emissor de Luz (LED)

Num diodo com polarizao direta, os eltrons livres atravessam a

juno e combinam-se com as lacunas. medida que esses
eltrons caem de um nvel mais alto de energia para um mais
baixo, eles irradiam energia. Nos diodos comuns essa energia
dissipada na forma de calor. Mas no diodo emissor de luz (LED), a
energia a irradiada na forma de luz visvel (amarela, verde,
vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao contrrio dos
diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e
sim, de elemento como glio, arsnico e fsforo. amplamente
usada em equipamentos devido a sua longa vida, baixa tenso de
acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento.
A polarizao do LED similar ao um diodo comum, ou seja, acoplado em
srie com um resistor limitador de corrente. O LED representado como um
diodo comum com seta apontando para fora como smbolo de luz irradiada. Os
LEDs substituram as lmpadas de incandescncia em vrias aplicaes
devido a sua baixa tenso, vida longa, e rpido chaveamento liga-desliga.
O funcionamento do LED bem simples: quando polarizado diretamente dentro
das caractersticas tcnicas de tenso e corrente estabelecidos pelo fabricante,
o mesmo emitir uma luz, quanto maior for esta tenso e corrente maior ser
seu brilho.
Os LEDs tm uma queda de teso tpica de 1,5 a 2,5 V para correntes entre 10
e 50mA. A queda de tenso exata depende da corrente, da cor, da tolerncia
do LED. A menos que seja feita alguma recomendao em contrrio, use uma
queda nominal de 2 V quando estiver verificando defeitos ou analisando os
circuitos com LEDs. Se voc tiver que fazer algum projeto, precisa consultar as
folhas de dados, porque as tenses do LED tm uma grande tolerncia.
Tipicamente, a corrente do LED est entre 10 e 50 mA porque essa faixa
produz luz suficiente para a maioria das aplicaes.

45

O brilho de um LED depende da corrente. Idealmente, a melhor forma de se

controlar o brilho vincular o LED a uma fonte de corrente. A melhor forma
para se obter uma fonte de corrente uma grande tenso de alimentao
seguida de uma grande resistncia em srie. Neste caso, a corrente no LED
dada por:

Vs VLED
RS

Quanto maior a tenso da fonte, menor o efeito de V LED produz. Em outras

palavras, um alto valor de VS encobre a variao na tenso do LED.
Por exemplo, um TIL222 um LED verde com uma queda mnima de 1,8 V e
uma queda mxima de 3 V para uma corrente de aproximadamente 25 mA. Se
voc ligar um TIL222 a uma fonte de 20 V e a um resistor de 750 , a corrente
varia de 22,7 a 24,3 mA.
Isto implica em um brilho que essencialmente o mesmo para todos os
TIL222. Por outro lado, suponha que o seu circuito utilize uma fonte de 5 V e
um resistor de 120 . A corrente varia ento de cerca de 16,7 a 26,7 mA; isto
causa uma variao sensvel no brilho. Portanto, para se obter um brilho
aproximadamente constante com LEDS, utilize tanto uma fonte de tenso como
uma resistncia em srie o maior possvel.

Indicador de Sete-Segmentos (Display a LED)

A figura abaixo mostra um indicador de sete segmentos (DISPLAY). Ele contm

sete LEDs retangulares (de A a G). Cada LED chamado de um segmento
porque ele faz parte do dgito que est sendo exibido. Temos tambm o
diagrama esquemtico de um indicador de sete segmentos so includos
resistores externos em srie para limitar as correntes a nveis seguros.
Aterrando-se um ou mais resistores, podemos formar qualquer dgito de 0 a 9.
Por exemplo, aterrando A, B e C, obtemos o 7. Aterrando A, B, C, D e G
produzimos um 3.

Anodo comum

Um indicador de sete segmentos tambm pode exibir as letras maisculas A,

C, E e F, mais as letras minsculas b e d. Os instrutores de

46

microprocessadores freqentemente usam um indicador de sete segmentos

para mostrar todos os dgitos de 0 a 9, mais A, B, C, d, E e F. Estes so
chamados displays hexadecimais.
Mostras das vistas de frente, de fundo e o esquema catodo comum de um
display:

Displays de Cristal Liquido (LCD)

O display de cristal liquido (LCD) tem a vantagem evidente de requerer uma

potncia muito baixa. Em geral e da ordem de microwatts, em comparao com
miliwatts para os LEDs. Porem, precisa de uma fonte de luz interna ou externa
e limitado a uma faixa de temperatura em torno de 0 oC a 600C. Atualmente os
LCDs que tem sido objeto de maior interesse so as unidades de efeito de
campo ou as de disperso dinmica. Cada uma delas ser tratada com algum
detalhe nesta seo.
Um cristal lquido um material (normalmente orgnico para os LCDs) com
caractersticas de liquido, mas cuja estrutura molecular tem propriedades
normalmente associadas aos slidos. Para as unidades de disperso de luz, o
maior interesse est no cristal lquido nemtico, com a estrutura do cristal
mostrada abaixo.
As molculas, individualmente, tem o aspecto de um basto, conforme
mostrado na figura. A superfcie condutora de xido de ndio transparente e,
nas condies mostradas na figura, a luz incidente simplesmente a atravessar
e a estrutura de cristal lquido no oferecer qualquer resistncia.

47

Se for aplicada uma tenso (para unidades comerciais o nvel-limite

normalmente entre 6 e 20V) aos terminais das superfcies condutoras,
conforme mostrado abaixo, o arranjo molecular ser perturbado, resultando em
regies com ndices de refrao diferentes.
Portanto a luz incidente ser refletida em direes diferentes na interface entre
regies de ndices de refrao diferentes (fenmeno denominado
espalhamento dinmico estudado pela primeira vez pela RCA em 1968) com
o resultado de que a luz espalhada produz o efeito de um vidro opaco.

Porm, note na figura acima que o aspecto opaco ocorre apenas onde as
superfcies condutoras se opem, sendo que as reas restantes permanecem
translcidas.
Um dgito em um display LCD pode ser:

48

A rea escura na realidade uma superfcie condutora transparente conectada

aos terminais abaixo para controle externo.
So colocadas duas mscaras semelhantes em lados opostos de uma camada
fina selada de cristal liquido. Deseja-se o nmero 2, os terminais 8,7,3,4 e 5
devem ser energizados, sendo que apenas as regies correspondentes
resultaro opacas, enquanto que as outras reas permanecero transparentes.
Conforme indicado anteriormente, o LCD no gera sua prpria luz, mas
depende de uma fonte interna ou externa. Em condies escuras necessrio
que a unidade possua sua prpria fonte de luz interna, atrs ou ao lado do
LCD. Durante o dia, ou em locais iluminados, pode-se colocar um refletor atrs
do LCD, para refletir a luz atravs do display, para se obter a mxima
intensidade.
Os fabricantes de relgios comuns esto usando uma combinao dos modos
transmissivo (fonte de luz prpria) e refletivo, denominado modo transfletivo,
para operao tima.
O LCD de efeito de campo ou nemtico tranado possui o mesmo aspecto de
segmento e a mesma camada fina de cristal liquido encapsulado, mas seu
modo de operao muito diferente.
Da mesma forma que o LCD de espalhamento dinmico, o de efeito de campo
pode ser operado nos modos refletivo ou transmissivo, com uma fonte interna.
O display de Efeito de Campo Transmissvel na Ausncia de Polarizao est
mostrado abaixo. A fonte de luz interna est direita e o observador
esquerda. Esta figura notavelmente diferente da figura do cristal
lquido nemtico na ausncia de polarizao, pois h um polarizador
de luz a mais. Apenas a componente vertical da luz que entra pela
direita pode atravessar o polarizador de luz vertical da direita.

49

No LCD de efeito de campo, ou a superfcie transparente a direita tratada

quimicamente, ou aplica-se um filme orgnico para orientar as molculas no
cristal lquido. A superfcie condutora oposta tambm tratada para garantir
que as molculas sejam defasadas de 90 o na direo mostrada (horizontal),
mas ainda paralela s clulas da parede. Entre as duas paredes do cristal
lquido h uma tendncia geral de uma polarizao para outra, conforme
mostrado na figura. O polarizador de luz da esquerda tambm tal que permite
a passagem apenas da luz incidente polarizada verticalmente. Se no houver
tenso aplicada s superfcies condutoras, a luz polarizada verticalmente entra
na regio de cristal lquido e acompanha a rotao de 90 o da estrutura
molecular. Sua polarizao horizontal no permite atravessar o polarizador de
luz vertical do lado esquerdo , e para o observador resulta um escuro uniforme
em todo o display.
Quando se aplica uma tenso mnima (para unidades comerciais de 2 a 8
volts), as molculas se alinham com o campo (perpendicular a parede) e a luz
atravessa diretamente sem a rotao de 90 A luz incidente vertical pode ento
atravessar diretamente a segunda tela polarizada verticalmente e, para o
observador resultar uma rea iluminada.
Atravs de excitao adequada dos segmentos de cada dgito resulta algo do
tipo:

O efeito de campo tipo refletivo :

50

Neste caso a luz polarizada horizontalmente mais a esquerda encontra um filtro

polarizado horizontalmente e atravessa para o refletor, onde refletida para o
cristal lquido, havendo nova polarizao vertical, e voltando para o observador.
Se no houver tenso aplicada, o display resultar uniformemente iluminado. A
aplicao de uma tenso resulta em uma luz incidente verticalmente polarizada
encontrando um filtro polarizado horizontalmente, o qual no poder ser
atravessado, portanto a luz ser refletida.
Resultar uma rea escura no cristal:

Os LCDs de efeito de campo so usados normalmente quando a fonte de

energia um fator importante (por exemplo, em relgios, instrumentao
porttil, etc.), pois eles absorvem consideravelmente menos energia do que os
tipos de espalhamento de luz na faixa de microwatts em comparao com
alguns miliwatts. O custo tipicamente mais alto para unidades de efeito de
campo, e seu tamanho limitado em torno de 2 polegadas, enquanto que as
unidades de espalhamento de luz so disponveis com at 8 polegadas de
altura.
Uma outra considerao sobre displays sobre o tempo para ligar e desligar.
Os LCDs so muito mais lentos do que os LEDs. Os LCDs possuem tempos de
resposta tipicamente na faixa de 100 a 300 ms, enquanto que h LEDs com
tempo de resposta inferior a 100 ns. Porm, h numerosas aplicaes, tal
como em um relgio onde a diferena entre 100 ns e 100 ms (1/10 de um
segundo) tem poucas implicaes. Para tais aplicaes a demanda mais baixa
de energia dos LCDs uma caracterstica muito atrativa. O tempo de vida das
unidade LCD tem aumentado cada vez mais, ultrapassando o limite de 10.000
ou mais horas. Como a cor gerada pelas unidades LCD depende da fonte de
iluminao, h uma grande variedade de escolha de cores.

51

Fotodiodo

As fontes de energia luminosa possuem caractersticas no encontradas em

outros tipos de energia. Esta energia transmitida na forma discreta chamada
de ftons; diretamente relacionada com a freqncia da onda de luz emitida.
Como foi discutido anteriormente, um elemento de corrente reversa num diodo
o fluxo de portadores minoritrios. Estes portadores existem porque a energia
trmica mantm os eltrons de valncia desalojados de suas rbitas,
produzindo no processo eltrons livres e lacunas. A vida mdia dos portadores
minoritrios curta, mas enquanto dura eles podem contribuir para a corrente
reversa.
Quando incide energia luminosa sobre uma juno PN, ela tambm pode
desalojar eltrons de valncia. Colocando de outra forma, a quantidade de luz
que atinge a juno pode controlar a corrente reversa de um diodo. O fotodiodo
aquele que foi otimizado na sua sensibilidade para a luz. Nesse diodo, uma
janela permite que a luz passe atravs do invlucro e chegue at a juno. A
luz incidente produz eltrons livres e lacunas. Quanto mais intensa a luz, maior
o nmero de portadores minoritrios e maior a corrente reversa.
A figura mostra o smbolo esquemtico de um fotodiodo, devidamente
polarizado reversamente. As setas para dentro representam a luz incidente. De
suma importncia, a fonte e o resistor em srie revertem a polarizao do
fotodiodo. medida que a luz se torna mais brilhante, a corrente reversa
aumenta. Com fotodiodos tpicos, a corrente reversa situa-se na faixa de
dezenas de microampres.

O fotodiodo um exemplo de um FOTODETETOR, um componente

optoeletrnico que converte a luz incidente numa corrente eltrica
quando polarizado reversamente.
EXERCCIOS:
1) Marque V para as sentenas verdadeiras e F para as falsas. Justifique,
caso haja, aquelas que julgar Falsa.

52

a) ( ) Nos semicondutores, a corrente formada por dois tipos de cargas,

e o seu sentido convencional aquele dos portadores de cargas
majoritrios.
b) ( ) Nos condutores, o aumento da temperatura aumenta a sua
resistividade eltrica.
c) ( ) Um diodo estar polarizado diretamente quando um potencial
positivo for aplicado no lado P da juno e o potencial negativo no lado
N, conduzindo fortemente para quaisquer valores da tenso aplicada.
d) ( ) Num semicondutor tipo N, o nmero de lacunas menor que o dos
eltrons livres, os quais so portadores de carga majoritrios.
e) ( ) Num semicondutor tipo P, o processo de dopagem adiciona tomos
trivalentes de natureza aceitadora ao cristal semicondutor.

2) Dado o circuito abaixo, calcule a intensidade de corrente eltrica?

3) Considere o circuito abaixo. Os valores das resistncias e tenses esto

especificadas no circuito. A potncia nominal do zener (Pz =1W). Na moldura
apresentado o modelo de aproximao para o LED. Determine:
a) Para a chave na posio 1, qual o valor mnimo de Rv para que o
diodo zener funcione como um regulador de tenso?
b) Com a chave ainda na posio 1, qual a potncia dissipada por Rv, Rs
e pelo Zener se Rv for ajustada em 250 ? O zener foi especificado
corretamente?
c) Mudando a chave para a posio 2, dimensione um valor comercial
para R3 tal que o LED seja polarizado com uma corrente de 50mA.
Especifique tambm a potncia nominal para R3. (OBS.: consultar as
tabelas 1 e 2)

53

V=2.0V
Modelo para o LED

4) A figura abaixo mostra o circuito de uma fonte de alimentao DC. Vs

representa a tenso da rede de energia a qual a fonte foi ligada. A figura mostra
a medida feita com um osciloscpio diretamente na tomada da rede. As
especificaes dos componentes dada a seguir:
R1 = 100
R2 = 1 k
Rv = 1.5 k
C1 = 510 F
D1 = D2 = D3 = D4 = 1N4004 (V=0.6V)
Vz = 12V

54

(sinal Vs)

5) A respeito da fonte da questo anterior, deseja-se saber:

a) O valor de pico (Vp), RMS (Vrms), o perodo (T), a freqncia (f) e o valor
mdio (Vm) da tenso no ponto a.
b) Qual a tenso e a corrente na carga quando Rv ajustada em seus
valores mximo e mnimo respectivamente? Ocorre variao desses
parmetros (tenso e corrente)? Explique.
c) Suponha que a fonte no possua o estgio regulador (diodo zener e sua
respectiva resistncia de polarizao). Determine o valor da tenso
ripple (Vrpp) pico a pico e o valor contnuo (V dc) na sada quando Rv = 1,5
k. possvel variar o ripple variando Rv? Justifique.

55

d) Deseja-se conectar essa fonte a um circuito digital cuja alimentao

5V. Em que ponto voc conectaria a fonte ao circuito? Qual valor de Rv
voc ajustaria para isto?
e) Como o circuito digital no suporta flutuaes muito grandes de tenso,
o projetista da fonte props o circuito de proteo mostrado na figura
abaixo. O LED possui as mesmas caractersticas do LED da questo 4.
O diodo possui V=0.7V e a bateria de 2.5V. Pergunta-se: qual o valor
mximo de tenso que poder alimentar o circuito digital? Qual a funo
(es) do LED no circuito?

OBSERVAO:

10

12

15

18

22

27

33

39

47

56

68

82

91

Tabela 01: valores comerciais para resistores (5%)

Tabela 02: valores comerciais de potncia para resistores (5%) em W
1/8

1/3

1/5

10

6) Um aluno montou em laboratrio os dois circuitos mostrados nas figuras 1 e

2 a fim de estudar o comportamento do diodo em CC. Com o multiteste, ele
verificou que a queda de tenso no diodo polarizado diretamente e V = 0.7V.
O aluno utilizou um resistor R s=100 Complete a tabela abaixo com os valores
esperados para cada circuito.

56

figura 1

figura 2

Para o circuito da fig. 1

Vs
0.5 V
1V
3V
5V

VD

VRS

Is

VRS

Is

Para o circuito da fig. 2

Vs
0.5 V
1V
3V
5V

VD

Vs Tenso da fonte de alimentao

VD Tenso nos terminais do diodo
VRS Tenso nos terminais do resistor
Is Corrente no circuito.

7) O esquema abaixo de uma fonte de alimentao simples sem regulao. O

transformador foi conectado a rede de 220V / 60Hz e a tenso na sua sada
15 +15 Vrms. Considere os diodos ideais. Determine:
a) A freqncia na carga.
b) A tenso de pico na carga

57

c) A ondulao de ripple
d) O valor DC da tenso na carga.

D1

C1
R1
2200uF 10kohm

Vs

D2

8) Para o circuito, determine:

a) A corrente e a tenso na carga.
b) A corrente fornecida pela fonte.
c) A potencia dissipada pelo zener.
R2
500ohm
12V

D3
5V

R3
1kohm

PRTICAS:
Prtica 1:
1) Monte o circuito abaixo :

58

T1

D1
S2
S1

S3

C1

RL1

D2

2) Abra a chave S1 e S2 e feche a chave S3. Observe as formas de ondas no

diodo D1 e na carga RL1 com o osciloscpio.
OBS. : O canal 1 em D1 e o canal 2 na carga RL1.
3) Mea o valor da tenso mxima na carga com osciloscpio.
4) Calcule o valor da tenso contnua na carga RL1.
OBS. : Vdc = Vmx

5) Mea o valor da tenso contnua na carga RL1.

OBS. : O multmetro dever estar na funo de Voltmetro na escala DV,
pois voc realizar medidas de tenses continuas.
6) Compare o valor do item 4 com o 5.
7) Qual a sua concluso sobre estes resultados.
8) Feche a chave S1 e observe as formas de ondas no diodo D1 e na carga
RL1 com o osciloscpio.
OBS. O canal 1 em D1 e o canal 2 na carga RL1.
9) Mea o valor da tenso mxima na carga com osciloscpio.
10) Calcule o valor da tenso contnua na carga RL1.
OBS. : Vdc = 2Vmx

11) Mea o valor da tenso contnua na carga RL1.

OBS. : O multmetro dever estar na funo de Voltmetro na escala
DV, pois voc realizar medidas de tenses continuas.
12) Compare o valor do item 10 com o 11.
13) Qual a sua concluso sobre estes resultados.
14) Abra S1 e feche S2 e observe a forma de onda na carga RL1 com o
osciloscpio.
OBS. : O canal 2 na carga RL1.
15) Mea a tenso mxima e mnima na carga RL1 com o osciloscpio.
16) Calcule a tenso mdia contnua na carga RL1.

59

17) Quais os tempos de carga e descarga do capacitor C1.

18) Feche S1 e observe a forma de onda na carga RL1 com o osciloscpio.
OBS.: O canal 2 na carga RL1.
19) Repita os itens 15, 16 e 17 anteriores.
20) Explique o qu aconteceu.
21) Inserir em paralelo com o capacitor C1 outro capacitor C2 de mesma
capacitncia.
22) Observe a forma de onda na carga RL1 com o osciloscpio.
OBS. : O canal 2 na carga RL1.
23) Repita os itens 15, 16 e 17 anteriores.
24) Explique o qu aconteceu.
25) Inserir em paralelo com o resistor de carga RL1 outro resistor RL2 de
mesmo valor hmico.
26) Observe a forma de onda na carga RL1/RL2 com o osciloscpio.
OBS. : O canal 2 na carga RL1/RL2.
27) Repita os itens 15, 16 e 17 anteriores.
28) Explique o qu aconteceu.
29) Inserir em srie com o resistor de carga RL1 outro resistor RL2 de mesmo
valor hmico.
30) Observe a forma de onda na carga RL1+RL2 com o osciloscpio.
OBS. : O canal 2 na carga RL1+RL2.
31) Repita os itens 15, 16 e 17 anteriores.
32) Explique o qu aconteceu.

Prtica 2:
1) Monte o circuito da figura abaixo:

60

USO DO MULTMETRO : Registre na tabela os valores medidos

2 - Na escala de 250 VCA mea o valor da tenso da rede nos pontos 1 e 2 do
circuito.
3 - Mea a tenso na sada do trafo nos pontos 3 e 5 em relao ao ponto 4
(zero volt.)
4 - Mea a tenso em um dos diodos, na escala de VCA e depois na escala
VCC. Houve diferena de valor ?
5 - Na escala de 25 VCC mea os valores de tenso nos pontos 6 e 7, 7 e 8,
9 e 10, e 10 e 11.

USO DO MULTMETRO - MEDIO DE TENSO

PONTOS
1e2

3e4

4e5

6e7

7e8

9 e 10

10 e 11

Valor
VCA
valor
VCC

USO DO OSCILOSCPIO: Registre os valores de tenso, perodo, freqncia

e as formas de onda.

61

USO DO OSCILOSCPIO / GERADOR DE FUNES.

PONTOS
3e4

4e5

6e7

7e8

9e
10

10 e 11

Valor
VCA
valor
VCC
Valor do
perodo
Valor da
Freqncia
Forma da
Onda com
Filtro

Forma da
Onda sem
Filtro

7. Transistores

62

Transistores so um dos desenvolvimentos mais importante da fsica de estado

slido e da engenharia de dispositivos dos ltimos 50 anos. A integrao dos
transistores tem sido a base de todo o desenvolvimento da indstria de
informtica. Cada processador composto por uma infinidade de transistores.
O nome transistor vem do ingls, sendo composto por trans(fer+res)istor, ou
seja, apresenta caractersticas de uma resistncia associada com capacidade
de transferir a informao.
O transistor um dispositivo ativo, portanto ele capaz de amplificar a
potncia do sinal de entrada necessitando de uma fonte de alimentao.
O transistor uma conexo de duas junes PN (a mesma dos diodos),
capazes de controlar a passagem de uma corrente.

Nota-se que a juno J1 est diretamente polarizada, enquanto que J2 acha-se

reversamente polarizada. Isso determina que haver em J1 uma corrente (Id)
de portadores majoritrios (positivos por conveno) enquanto que em J2
existir apenas a corrente devido aos portadores minoritrios (tambm
positivos e localizados no lado N da juno), e representada por (Is).
Caso combinemos ambas as junes de acordo com a representao a seguir,
teremos como resultado dois tipos de transistores, um NPN e outro PNP.

O transistor apresenta 3 entradas, uma para o sinal de entrada e as outras

duas associadas ao sinal de sada e alimentao. Estas sees so
chamadas de coletor, base e emissor. A corrente na base controla a
passagem de corrente no coletor, ou seja, em condies timas de operao, a
corrente no coletor proporcional corrente na base.
A base a parte que controla a passagem de corrente; quando a base esta
energizada, h passagem de corrente do emissor para o coletor, quando no

63

ha sinal na base, no existe essa conduo. A base esquematicamente o

centro do transistor.
O coletor uma das extremidades do transistor: nele que "entra" a corrente a
ser controlada. A relao existente entre o coletor e a base um parmetro ou
propriedade do transistor conhecido como e diferente para cada modelo do
mesmo.
O emissor outra extremidade, por onde sai a corrente que foi controlada.
Algumas caractersticas que devemos observar nos transistores so: A tenso
mxima entre base e coletor, potncia mxima dissipvel (no caso do seu uso
para controle de potncia) e freqncia mxima de trabalho.
As representaes anteriores nos do uma idia do que realmente ocorre,
porm h uma observao a fazer quanto a regio intermediria, que dever
ser a mais estreita possvel, de modo a evitar a recombinao dos pares
eltron-lacuna. Passamos ento a representao a seguir, que nos d os
elementos NPN e PNP j polarizados com os respectivos sentidos de tenso .

CONSIDERAES:
E = Emissor

VBE = Tenso Base-Emissor

B = Base

VCB = Tenso Coletor-Base

C = Coletor

VEB = Tenso Emissor-Base

IE = Corrente de Emissor

VBC = Tenso Base-Coletor

IB = Corrente de Base

VCE = Tenso Coletor-Emissor

IC = Corrente de Coletor

VEC = Tenso Emissor-Coletor

Os smbolos dos transistores so:

64

Na figura abaixo temos as representaes das tenses e correntes nos

smbolos dos transistores.

Para analisar o funcionamento dos transistores devemos observar que ao

colocar uma bateria entre o emissor e a base, para fazer uma polarizao
direta, ligamos o terminal negativo (fluxo de eltrons) da bateria ao emissor
(poro N - excesso de eltrons) e o terminal positivo (fluxo de lacunas) base
(poro P - excesso de lacunas). Desta forma, a regio N, com excesso de
eltrons, recebe ainda mais eltrons, e a poro P recebe ainda mais lacunas.
A juno Base-emissor ser, em ambos os casos de transistores, do tipo
polarizada diretamente e a juno Base-coletor ser reversamente polarizada.
Ao polarizarmos diretamente a juno PN, teremos uma conseqente reduo
da barreira de potencial e uma resistncia de pequeno valor devido
polarizao direta desta juno. Ao polarizarmos reversamente a juno PN,
teremos um aumento na barreira de potencial e uma resistncia de elevado
valor devido a tal polarizao.

65

Considerando os eltrons como portadores majoritrios e, portanto os

portadores positivos adotados pela conveno tero sentido contrrio ao dos
eltrons.
Os eltrons, que so os portadores majoritrios do material tipo N,
correspondente ao Emissor, so injetados na regio da Base, devido
polarizao direta da juno Base-Emissor. Como a juno Coletor-Emissor
possui polarizao inversa, os eltrons injetados na regio da Base
provenientes do Emissor so atrados para o Coletor, devido tenso elevada
presente nos terminais do Coletor. Esse mecanismo de conduo ficar melhor
compreendido pela representao a seguir:
OBSERVAES:
P1 - Placa Polarizada Positivamente
P2 - Placa Polarizada Negativamente
- Eltron
- Campo eltrico formado no interior
das placas.

Nota-se que um campo eltrico (E) formado no interior de duas placas

polarizadas, separadas por uma distncia d, e que esse campo dirige-se do
maior potencial para o menor potencial. Uma carga negativa (um eltron)
colocada no interior desse campo dirigir-se- ao ponto de maior potencial.
Se voltarmos agora ao transistor NPN, facilmente compreenderemos o fluxo de
corrente pelo mesmo.
Quanto regio da Base, comentamos que essa deveria ser a mais estreita
possvel para evitar a recombinao dos pares eltrons-lacuna. As lacunas que
se recombinarem com os eltrons, sero fornecidas por IB.
Resumindo temos que a juno Base-Emissor sendo diretamente polarizada,
possui uma pequena barreira de potencial, conseqentemente pequena
resistncia, acelerando os eltrons em relao regio da Base, que por sua
vez suficientemente estreita de modo a evitar as recombinaes dos pares
eltrons-lacunas. As lacunas que possivelmente se recombinarem, sero
fornecidas por IB. O coletor sendo positivo em relao Base, atrair os
eltrons nela injetados, estabelecendo-se assim trs fluxos de corrente: IE, IB e
IC, de onde podemos tirar as seguintes relaes:
IE = IC + IB

VCE = VCB + VBE

Interpretao das expresses acima:

Aplicando a Lei de Kirchoff ao n F, teremos que a corrente que entra num n
igual a corrente que sai. Logo, se entra IE e sai IB + IC, podemos concluir que
IE = IC + IB.
Como as baterias que determinam a polarizao nas junes esto em srie,
podemos som-las, de modo que entre o Coletor e Emissor, teremos uma

66

tenso correspondente a soma das duas tenses VBE + VCB, obtendo a

relao: VCE + VCB + VBE.
A mesma anlise pode ser feita para os transistores PNP.
Polarizao de um Transistor NPN com Emissor Aberto
O esquema abaixo representa um transistor NPN com emissor aberto:

Nota-se que temos uma juno PN reversamente polarizada, de modo que

circular pela mesma uma corrente devido aos portadores minoritrios, como j
visto anteriormente, e denominada por ICO ou ICBO. Comumente designada
apenas por corrente de fuga. O valor mximo da corrente ICO, para a
temperatura ambiente especificada pelo fabricante do transistor. Para que
tenhamos uma idia do valor da mesma, embora seja esta funo da
temperatura e do tipo de transistor, daremos um exemplo abaixo:
Para transistores de baixa potncia, por exemplo, de silcio, ela assume valores
em torno de 0,01uA, enquanto que para elementos de germnio, assume
valores da ordem de 10uA temperatura ambiente (25C). Podemos atravs
de uma relao aproximada, uma vez que ICO aumenta com a temperatura,
afirmar o seguinte:
A corrente ICBO, dobra de valor para cada 10C de aumento da temperatura.
EXEMPLO:
Um transistor apresentava uma corrente ICO de 10uA na temperatura de 40C,
qual ser o valor de ICO se o mesmo atingir 50C?

Soluo
Se para cada 10C aumento na temperatura, ICO dobra de valor, passando de
T1= 40C para T2= 50C, tivemos uma variao T = T2 - T1 de 10C, logo a
corrente resultante ser 2 x 10uA = 20uA. Conclumos, ento, que a variao
da temperatura um fator importante, e deve ser controlada atravs do uso de
dissipadores, assunto que trataremos mais adiante.

67

 Configurao dos Transistores

A figura abaixo representa, como vimos anteriormente, a simbologia dos
transistores com os sentidos das correntes, entretanto isto se deve apenas
para melhor interpretarmo-os.

Como regra prtica para identificarmos qual elemento NPN e qual PNP,
lanaremos mo do seguinte artifcio:
Transistor NPN (Emissor Base Coletor)
Como adotamos por conveno que a corrente que circula a de portadores
positivos (do elemento P para o elemento N), logo ela entrar pelo Emissor,
indo para a Base (elemento N).
Podemos notar pelos smbolos apresentados acima, que no Emissor existe
uma flecha que indica o sentido em que circula a corrente.

68

Circuitos com transistores:

Como podemos verificar pelas montagens apresentadas pelas figuras, temos

trs circuitos bsicos, que na ordem so:
Configurao Emissor Comum, Base Comum e Coletor Comum.
Representaremos as trs configuraes para os transistores NPN e PNP. O
tipo de configurao est relacionado com o terminal de entrada e sada, e o
termo Comum deve-se ao fato de que em cada configurao possumos um
elemento Comum Entrada e sada.
Cada configurao, como podemos notar na tabela abaixo, apresenta
caractersticas diferentes com relao s outras, resultando com isso diversas
oportunidades de escolha relativas a uma dada situao.

69

A tabela ser utilizada quando tratarmos da parte relativa a casamento de

impedncia dos diversos estgios amplificadores, por enquanto exemplifica a
diferenciao dos trs tipos de montagens.

CARACTERSTICAS
CONFIGURAO
Gi
E. C

Gv

elevado elevado

Rin

Rout

mdia

alta

B. C

elevado

baixa

alta

C. C

elevado

muito
elevada

muito baixa

E.C - Emissor Comum

Gv - Ganho de Tenso

B.C - Base Comum

Rin - Resistncia de Entrada

C.C - Coletor Comum

Rout - Resistncia de Sada

Gi - Ganho de Corrente
Corrente de Fuga do Transistor

Como podemos notar, teremos 3 situaes distintas para o transistor. Coletor

Aberto, Base Aberta e Emissor Aberto. Verificamos tambm, que nos trs casos
temos uma juno PN inversamente polarizada. Logo teremos portadores
minoritrios circulando pela juno, assunto j abordado na parte referente a
junes PN.
Analisaremos rapidamente cada uma das trs situaes:
a) EBO - Corrente entre emissor e base com coletor em aberto: No normal
termos tal situao, uma vez que a juno Base-Emissor de um transistor
sempre polarizada diretamente.

70

b) CEO - Este componente ao contrrio do anterior de elevado significado, e

para tanto expressa em termos de e ICBO ICEO = ( 1 + ) ICBO. Embora
no tenhamos definido o parmetro, rapidamente podemos dizer que o mesmo
determina a amplificao de um circuito, e que ser detalhado completamente
nas partes seguintes.
c) CBO - Este componente varia com a temperatura, apresentando valores
maiores para transistores de germnio e valores menores para transistores de
silcio. Considera-se de um modo geral, que este componente dobra de valor
para cada 10C de aumento na temperatura, assunto j abordado
anteriormente.
Tenso de Ruptura de um Transistor

BVCBO -Tenso de ruptura entre Coletor e Base quando o Emissor est

aberto.
BVCEO -Tenso de ruptura entre Coletor e Emissor quando a Base est
aberta.
BVCES - Tenso de ruptura entre Coletor e Emissor quando a Base est ligada
ao Emissor.
Num transistor, quando aplicarmos uma tenso inversa na juno ColetorBase, a condio de ruptura corresponde ruptura de um diodo sob
polarizao inversa, assunto j detalhado na parte referente polarizao
inversa de uma juno PN. De um modo geral, a tenso de ruptura depende do
circuito e, por segurana, nunca devemos ultrapass-la.
Os fabricantes de semicondutores, geralmente, fornecem todas as informaes
possveis sobre os mesmos, incluindo uma srie de outras ainda no citadas,
como teremos oportunidade de verificar mais adiante.
Os transistores podem ter aparncia externa completamente diferentes,
dependendo da aplicao que se far dele, por exemplo, um transistor de sinal
no possui a mesma aparncia externa de um transistor de potncia, que
controle grandes cargas.

71

Abaixo temos os aspectos visuais (reais) de alguns tipos de transistores,

encontrados no comrcio

Transistor como Chave

Conforme a polarizao, um transistor pode operar em trs regies distintas, a
de corte, a ativa e a de saturao. Na regio ativa, o transistor utilizado, com
a devida polarizao, como amplificador. Nas regies de corte e saturao,
utilizado como chave, ou seja, serve apenas para comutao, conduzindo ou
no. Nesta situao, o transistor utilizado, principalmente, no campo da
eletrnica digital, em sistemas de alarme, e no acionamento de cargas, sendo
clula bsica de uma srie de dispositivos, normalmente agrupados dentro de
circuitos integrados.
Na figura 1, temos a curva da corrente de coletor em funo da corrente de
base, mostrando o corte, a saturao e a regio ativa.

Notamos que, se trabalharmos com uma corrente de base menor ou igual a

zero, o transistor operar na regio de corte, ou seja, a corrente de coletor ser
nula. Se trabalharmos com uma corrente de base entre zero e um valor limite
(Ibsat), operar na regio ativa, ou seja, com uma corrente de coletor,
conforme o valor de (Ic = IB). Para uma corrente de base acima de Ibsat,

72

operar na regio de saturao, ou seja, circular pelo coletor uma corrente

limite (ICsat), imposta de acordo com a polarizao.
Estas mesmas condies podem ser observadas nas caractersticas Ic e V CE
do transistor, onde tambm podemos representar a reta de carga de um circuito
de polarizao. A figura 2 mostra essa caracterstica, bem como a reta de
carga.

A reta de carga obtida a partir da equao da malha de sada do circuito de

polarizao, no caso para fins de chaveamento, utilizaremos o circuito de
corrente de base constante.
Escrevendo a equao da malha temos:
Vcc = Rc.Ic + Vce
onde: VCE = Vcc = Rc.Ic
fazendo: Ic = 0, temos: VCE = VCC
fazendo: VCE = 0, temos: Ic =

Vcc
Rcc

(1 ponto da reta)
(2 ponto da reta)

73

Para fins de amplificao, o ponto de trabalho ser localizado na regio ativa.

Em operao como chave, o ponto ser localizado na regio de corte ou na
regio de saturao, reas hachuradas da caracterstica Ic = f(V CE).
O circuito da figura 3 mostra a configurao bsica de um transistor, operando
como uma chave.

Para o transistor operar na situao de corte, ou seja, como chave aberta

necessrio que o potencial VE seja menor que VBE ou nulo. Nesta situao, no
circular corrente de coletor, sendo Vs igual a Vcc.
Para o transistor operar na situao de saturao, ou seja, como chave
fechada necessrio que o potencial V E seja maior que VBE, dependendo do
dimensionamento de RB. Nesta situao, a corrente de coletor ser a mxima
possvel, conforme o valor de RC, sendo Vs igual a VCEsat (no mximo 0,3v).
Para facilitar o entendimento (funcionamento) da figura 3 lembremos as
condies de corte, saturao e o conceito de transio, como indicado na
tabela abaixo:
OPERAO DO TRANSISTOR COMO CHAVE
Estado do Transistor

Caractersticas
VBE = VBEC
Ic = ICBO 0

Cortado

VCE VCC
Junes ( B-E e C-B ) polarizadas inversamente.
VBE = VBES
Junes ( B-E e C-B ) polarizadas diretamente.

Saturado

Ic = grande
VCE = VCES

VBEC = Tenso Base-Emissor de Corte.

ICBO = Corrente Coletor-Base com o Emissor em aberto
ONDE: Corrente Inversa de Coletor-Base.
VBES = Tenso Base-Emissor de Saturao
VCES = Tenso Coletor-Emissor de Saturao

74

Conceito de transio: o estado dinmico do circuito, onde os parmetros

( tenso e corrente ) variam ao passar de um estado para outro. Pode ser
entendido pelo simples circuito da figura 4.

A tabela a seguir indica os valores tpicos das condies de corte e saturao.

VALORES TPICOS DAS CONDIES DE CORTE E SATURAO
REGIES
Transistor :

ATIVA

SATURAO

CORTE

Material

VBE

VBES

VCES

VBEC

Si

0,6

0,7

0,3

0,0

Ge

0,2

0,3

0,1

- 0,1

Exemplos de dimensionamento de Rc e RB para a saturao do transistor.

Vcc VCEsat
Ic

1 - Clculo de RC:

Rc

2 - Clculo de Ibsat:

IBsat

Ic

sat = 10 (pior caso possvel de

sat , onde

para garantia da saturao)

3 - Clculo de RB:
RB

Vcc VBE
IBsat

RB

VE VBE
,
IBsat

se VE = Vcc,

75

Para exemplificar, vamos dimensionar RB e RC para que no circuito da figura 5,

estando a chave S na posio 1 sature o transistor, acendendo o led (diodo
emissor de luz) e na posio 2 corte o transistor, mantendo o LED apagado.

Dados do Transistor:

Dados do LED

sat = 10

VL = 1,7v

VBE = 0,7V

IL = 20 mA

Dados do projeto:
VCC = 12V

VCE sat = 0,3V

1-Clculo de RC: Rc

Vcc VCEsat VL 12 0,3 1,7

500 , (RC adotado

Ic
20 x10 3

= 470)
IC

2 - Clculo de IBsat: IBsat sat

3 -Clculo de RB: RB =

20x103
2 mA
10

12 0,7
Vcc VBE

5,6K , (RB adotado =

IBsat
2 x103

5,6K).

Fototransistores

O funcionamento bsico dos dispositivos fotoeltricos foi introduzido

anteriormente com a descrio fotodiodo. Esta discusso ser agora estendida
para incluir o fototransistor, que possui uma juno p-n coletor-base
fotossensvel. A corrente induzida por efeitos fotoeltricos a corrente de base
do transistor.
Chamando de I corrente de base fotoinduzida, a corrente de coletor
Ic h fe I
resultante ser aproximadamente:

76

A figura 6 mostra um conjunto representativo de caractersticas para um

fototransistor (figura 6a) e a representao simblica (figura 6b) do dispositivo.

Figura 6
Note as semelhanas entre essas curvas e as de um transistor bipolar tpico.
Conforme esperado, um aumento na intensidade luminosa corresponde a um
aumento na corrente de coletor. Para tornar mais familiar a unidade de medida
de intensidade luminosa, miliwatts por centmetro quadrado, a figura 6a mostra
uma curva de corrente de base em funo da densidade. Note o aumento
exponencial da corrente de base com o aumento da densidade de fluxo.
Na mesma figura e mostrado um esboo do fototransistor com a identificao
dos terminais e o alinhamento angular.
Algumas das reas de aplicao para o fototransistor incluem leitoras de
carto, circuitos lgicos de computador, controle de iluminao (auto-estradas,
etc.), indicao de nvel, rels e sistemas de contagem.

77

Na figura 7 mostrada uma porta E de alta isolao usando trs

fototransistores e trs LEDs (diodos emissores de luz). A terminologia "alta
isolao" se refere simplesmente ausncia de conexo eltrica entre os
circuitos de entrada e sada.

Figura 7
Optoacoplador
Um optoacoplador (tambm chamado optoisolador ou isolador opticamente
acoplado) associa um LED a um fotodetetor numa nica embalagem. A figura 8
mostra um exemplo de um optoacoplador; ele possui um LED no lado da
entrada e um fotodiodo ou fototransistor no lado da sada. A tenso da fonte V 1
e o resistor em srie R1, produzem uma corrente atravs do LED. Por sua vez,
a luz que sai do LED atinge o fotodiodo, e isto estabelece a corrente reversa I 2.
Somando as tenses ao longo da malha de sada temos

Vsada - V2 + I2R2 = 0
ou
Vsada = V2 - I2R2

Figura 8
Observe que a tenso de sada depende da corrente reversa I 2. Se a tenso da
entrada V1 estiver variando, a quantidade de luz estar flutuando. Isto quer
dizer que a tenso de sada est variando de acordo com a tenso de entrada.
por isso que a associao de um LED com um fotodiodo chamada

78

optoacoplador; o dispositivo capaz de acoplar um sinal de entrada com um

circuito de sada.
A principal vantagem de um optoacoplador a isolao eltrica entre os
circuitos de entrada e de sada. Com um optoacoplador, o nico contato entre a
entrada e a sada um feixe de luz. Por causa disso, possvel ter uma
resistncia de isolao entre os dois circuitos na faixa dos milhares de
megohms. Uma isolao dessa vem a calhar em aplicaes com alta tenso,
onde os potenciais dos dois circuitos podem diferir de vrios milhares de volts.
A figura 9 mostra o acoplador ptico usando como elemento detector um
fototransistor.

a)

b)
Figura 9

PRTICA:
Prtica 1:
1 - Monte o circuito da figura abaixo:

79

2 - Com a chave S na posio 1 (saturao), mea e anote na tabela 3.1, os

valores de IB, IC, VBE e VCE. Repita as medies com a chave na posio 2
(corte), anotando os respectivos valores na mesma tabela.
TRANSISTOR COMO CHAVE
Chave
S

IB

IC

VBE

VCE

Pos 1
Pos 2

PROCEDIMENTOS
1- Com o uso do multmetro analgico na escala Rx1, identifique os terminais
anodo e
catodo, verificando se cada um dos LEDs acende ou permanece apagado;
2 - Repita as operaes anteriores com o uso do multmetro digital;
3 - Com uso do multmetro analgico, identifique os 7 seguimentos A - B - C D - E - F - G e o ponto decimal do display. Verifique se os displays so anodo
ou catodo comum.
4 - Monte o circuito abaixo, para verificar o funcionamento do acoplador ptico.

80

 Transistores de Efeito de Campo (FETs)

O nome de transistor de efeito de campo origina-se de seu princpio fsico de
operao. Um transistor de efeito de campo consiste essencialmente de um
canal de transporte de corrente formado de material semicondutor cuja
condutividade controlada por uma tenso aplicada externamente. A corrente
transportada por um tipo apenas de portador de carga; eltrons nos canais
formados de material de semicondutor do tipo N, buracos nos canais de
material do tipo P. Resumidamente, temos que a tenso entre dois terminais do
FET controla a corrente que circula no terceiro terminal e esse controle
baseado no campo eltrico estabelecido pela tenso aplicada no terminal de
controle. Portanto o FET pode ser usado como chave quanto como
amplificador.
O transistor de efeito de campo portanto s vezes chamado transistor
unipolar. Isto para distingui-lo do transistor de juno, cuja operao depende
de ambos os tipos de portador de carga, e que portanto chamado transistor
bipolar.
Os dois tipos de transistor de efeito de campo (FET): o FET de juno (JFET) e
o FET de porta isolada (IGFET). O FET de porta isolada mais comumente
usado o MOSFET, as iniciais MOS significando Metal xido Semicondutor e
indicando a estrutura do transistor. O nome abreviado MOST.
Os terminais so Fonte (S), Dreno (D) e Gate ou Porta (G).

JFET

O primeiro FET desenvolvido foi o de juno, JFET (Junction Field Efect

Transistor). H dois tipos: Canal N e Canal P.
Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P),
envolvida no centro com material P (ou N), a regio N (ou P) esta parte,
estreita, chamado canal, por influir a corrente controlada.

81

A simbologia utilizada para representar o JFET :

Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno

PN. Esta barreira restringe a rea de conduo de canal ao outro.
Para entender o funcionamento do JFET considere o circuito de teste abaixo:

Temos um circuito de teste JFET com uma fonte varivel Ves, que controla a
corrente do canal ID. Note que Ves na polarizao reversa (- no gate P).
Inicialmente fazemos Ves = 0. O canal N est normalmente aberto, pois a
barreira de potncia mnima, assim, circula uma corrente mxima chamada
IDSS, caracterstica do JFET para Vds.
Agora vamos aumentar Ves, fazendo que a largura da barreira de potencial
aumente. Ento a rea de conduo diminui, que diminui a corrente de dreno.
O campo eltrico entre a porta e a fonte repele eltrons ao canal, nas
proximidades da juno e a corrente fica confinada ao centro, diminuindo. Este
o efeito de campo, que d nome ao transistor.
Quando maior a tenso reversa Ves, menor a corrente de dreno, com Vds fixa.
Se aumentarmos gradualmente, chegar num ponto em que a corrente se
anular. A tenso Vgs nesse ponto chamado Vgsoff ou Vgscorte, a tenso de
estrangulamento do canal, ou de corte.

82

A curva da regio ativa do JFET :

Esta curva, vlida para Vds > Vgs de corte, descreve o controle de corrente de
dreno pela tenso porta.
A curva caracterstica do Dreno :

Na regio ativa, a corrente de dreno controlada pela tenso Vgs, e quase no

varia com tenso Vds (compartimento de fonte de corrente controlada). Nesta o
JFET pode funcionar como multiplicador de fonte-de-corrente.
O JFET est nesta regio quando Vds > Vescorte nas curvas caractersticas
a parte horizontal da curva para uma certa Vgs (toda a rea fora de saturao,
hachurada, e entre as curvas Vgs1 e Vgs5)
A saturao ocorre quando Vds < Vgscorte. Aqui a corrente ID depende tanto
de Vgs como Vds (comportamento de resistor controlado). Nas curvas
caractersticas de dreno, a reta inclinada que une cada curva a origem do
grfico. Repare que as inclinao, relacionada resistncia do canal,
diferente em cada uma das curvas (valores de Vgs). Nesta regio, o JFET atua
como resistor controlado por tenso, ou chave, conforme a aplicao.
Quando Vgs Vgscorte, o JFET est na regio de corte, e a corrente de dreno
nula. Usada na operao como chave (alternando com a saturao - chave
fechada).

83

MOSFET

Este dispositivo de estado slido deriva seu nome diretamente do processo

fsico que envolve a sua operao. O MOSFET um transistor que controla a
corrente entre dois terminais (Fonte e Dreno) atravs de um mecanismo
baseado em um campo eltrico. Este campo eltrico produzido pela
aplicao de um potencial adequado a um terminal de controle chamado de
Porta. Desta forma, as letras FET (Field Effect Transistor) significam um
transistor de efeito de campo (lembre-se, campo eltrico) e as letras MOS
referem-se aos materiais usados na sua construo.
A corrente que este dispositivo controla formada por apenas um tipo de
portador (eltrons ou lacunas) definindo as duas classes de transistores:
NMOS (corrente de eltrons) ou PMOS (corrente de lacunas). Em algumas
literaturas o MOSFET tambm referenciado como sendo um transistor
unipolar por este motivo.
O transistor fabricado sobre um substrato do tipo P levemente dopado, que
serve, principalmente, de base de sustentao mecnica para o dispositivo ou
para todo o circuito no caso de um CI. Duas regies do tipo N, altamente
dopadas, denominadas de Fonte (S) e Dreno (D) so construdas no substrato
por um processo de difuso. Uma fina camada (tipicamente na faixa de 0,01 a
1 mm) de um material isolante (SiO2 Dixido de Silcio) de tima qualidade
acrescentada sobre a superfcie do substrato cobrindo a regio que existe entre
a Fonte e o Dreno. Sobre este isolante depositado um metal que ser o
terminal de controle, ou seja, a Porta.
Outros contatos metlicos so feitos para se obter os terminais efetivos da
Fonte, do Dreno e do Substrato (B). Neste ponto importante ressaltar que as
letras MOS do nome MOSFET so resultado desta estrutura, pois M representa
Metal, O representa xido (isolante) e S representa Semicondutor. Este nome
tem sido usado de maneira geral mesmo que o material da Porta no seja
metal. Na moderna fabricao destes dispositivos utilizado o processo porta
de silcio, no qual um certo tipo de silcio denominado de polisilcio, ou
simplesmente POLY, usado para formar o terminal da Porta ao invs do
metal.
Os princpios de operao a serem discutidos a seguir se aplicam quer sejam
MOSFETs com Porta de metal que sejam MOSFETs com Porta de POLY.
Observar que as regies da Fonte e do Dreno formam junes PN com o
substrato. Na operao normal destes dispositivos, estas junes estaro
polarizadas reversamente durante todo o tempo.
Estando o Dreno em uma tenso mais positiva que a Fonte (a razo desta
afirmao pelo fato de se tratar de um MOSFET canal N) as junes PN
estaro efetivamente polarizadas reversamente simplesmente conectando-se o
terminal do substrato ao terminal da Fonte.
Assume-se, de agora em diante, esta condio e pode-se afirmar que o
substrato no ter nenhum efeito sobre a operao do dispositivo.

84

Tambm, o MOSFET pode ser tratado como um componente de trs terminais:

Porta, Fonte e Dreno.

Atravs da aplicao de uma tenso apropriada no terminal de controle

possvel controlar o fluxo de corrente entre as regies da Fonte e do Dreno.
Esta corrente flui na direo longitudinal atravs de uma regio no substrato
que denominada de regio do canal ou, simplesmente, canal. O canal possui
um comprimento L e uma largura W, dois parmetros muito importantes no
projeto destes dispositivos e de seus circuitos. Tipicamente, o valor de L varia
entre 1m e 10 m podendo ser to pequeno quanto 0.35mm dependendo da
tecnologia de fabricao a ser usada. O valor de W pode ir de 2 m a 500 m
(valores tpicos) e chegando a mnimos de 0.6 m conforme a tecnologia.
Nota-se que diferentemente do transistor bipolar, o MOSFET simtrico o que
significa que as funes desempenhadas pela Fonte e pelo Dreno podem ser
intercambiadas sem alterar a operao e as caractersticas do dispositivo e que
o transistor MOS controlado por tenso uma vez que a corrente no seu
terminal de controle (Porta) praticamente zero.

85

Sem tenso aplicada ao terminal de controle, ou seja, a Porta, existem dois

diodos back-to-back em srie entre a Fonte e o Dreno. Um diodo formado
pela juno PN entre a regio N+ da Fonte e o substrato e o outro pela juno
PN entre a regio N+ do dreno e o substrato. Nesta situao, os diodos no
permitem a circulao de corrente entre a Fonte e o Dreno independente de
qualquer situao da presena de uma tenso VDS (obviamente que esta
tenso, se presente, no deve provocar a ruptura das respectivas junes).
Ento, no existe um caminho entre Fonte e Dreno, podendo esta situao
ser modelada pela presena de um resistor (RDS) de alto valor (tipicamente
1012 ).
Com o objetivo de criar um canal para a circulao de corrente, aterramos os
terminais da Fonte e do Dreno e aplicamos uma tenso positiva Porta,
segundo figura abaixo. Como a Fonte est aterrada interessante definir a
tenso aplicada na Porta como sendo VGS.

A tenso VGS, inicialmente, faz com que as lacunas (cargas positivas)

presentes no substrato sejam repelidas da regio sob o xido (regio do canal).
Esta movimentao das lacunas (no sentido vertical para baixo) provoca o
aparecimento de uma regio de depleo, pois as cargas positivas que
forneciam a neutralidade do substrato esto sendo repelidas. Esta regio de
depleo formada, ento, por cargas negativas descobertas da estrutura
cristalina do substrato.
Em seguida, a tenso VGS atrai eltrons das regies da Fonte e do Dreno
(regies em que esto em grande quantidade) para o canal. Quando um
nmero suficiente de eltrons se acumula prximo interface entre o xido e o
substrato, uma regio do tipo N formada e estabelece um elo entre a Fonte e
o Dreno. Agora se for aplicada uma tenso VDS haver um fluxo de corrente
atravs desta regio e esta corrente ser composta somente por cargas
negativas mveis (eltrons). Isto justifica o nome unipolar para este dispositivo.
Diz-se, ento, que houve o aparecimento de uma camada de inverso (o
substrato passou de P para N) com a respectiva formao do canal. Para este
dispositivo em particular o canal do tipo N e, desta forma, o MOSFET passa a

86

ser um MOSFET canal N, ou mais simplificado, um NMOS. Note que um

NMOS sempre obtido quando fabricado em um substrato P.
A regio do canal no existe no dispositivo, ela precisa ser criada
enriquecendo-a com portadores negativos. O enriquecimento da regio uma
conseqncia direta da aplicao de uma tenso apropriada no terminal de
controle.
Um dado importante para a operao do dispositivo diz respeito ao valor de
tenso VGS, grande o suficiente, para provocar a formao da camada de
inverso e do canal. Observar que para o NMOS este valor ser sempre
positivo. Esta tenso denominada de Tenso de Limiar (Threshold Voltage) e
simbolizada por VT e depende de parmetros controlados durante a fabricao
do dispositivo. Tipicamente, seu valor situa-se entre 0,5 V a 1V.
Outra forma de analisar a formao do canal fazer uma analogia com um
capacitor de placas paralelas. Uma placa (superior) seria o material que forma
a Porta (metal ou POLY), o dieltrico seria o SiO 2 e a outra placa (inferior) seria
a regio do substrato em que o canal ir se formar.
A tenso VGS causa um acumulo de cargas positivas na placa superior e a
correspondentes cargas negativas so os eltrons na camada de inverso.
Obrigatoriamente, um campo eltrico se desenvolve na direo vertical entre as
duas placas e ele que controla a quantidade de cargas no canal.
Conseqentemente, controla a condutividade do canal que, por sua, vez define
a corrente entre Fonte e Dreno se uma tenso VDS estiver aplicada.
Uma vez que foi induzido um canal, ser aplicada uma tenso VDS de
pequeno valor (considerar algo em torno de 100 a 200 mV) ao dispositivo. A
corrente que flui pelo terminal do Dreno ser simbolizada por ID e a corrente
que flui pelo terminal da Fonte por IS. As correntes a serem consideradas neste
texto sempre sero correntes convencionais (fluxo da corrente contrrio ao
fluxo dos eltrons).
Uma primeira observao a ser feita relativa ao canal no possuir nenhum
desvio para a corrente, em outras palavras, pode-se afirmar que ID = IS e, de
agora em diante, ser referenciada somente a corrente ID. A corrente IG, em
uma primeira aproximao, pode ser assumida como sendo zero.
A magnitude de ID depende da densidade de eltrons que esto presentes no
canal, os quais dependem do valor da tenso VGS. Para VGS = VT o canal
acaba de ser formado e a corrente dever muito pequena. A operao do
dispositivo prximo a esta condio denominada de sub-limiar.
medida que VGS torna-se maior que VT, mais eltrons so atrados para o
canal tornando-o mais condutivo ou, reciprocamente, menos resistivo. Uma
forma de visualizar esta situao imaginar que o canal vai se aprofundando
no substrato com o aumento da tenso VGS. Quanto mais profundo o canal,
maior a sua rea de seo reta, menor a sua resistncia (maior condutncia).

87

Pode-se afirmar que, na realidade, a condutividade (resistividade) do canal

diretamente proporcional diferena (VGS - VT) conhecida como tenso
efetiva ou tenso de overdrive. Se a condutividade do canal afetada por
esta diferena de tenses, de se esperar que a corrente tambm seja
proporcional a este valor, assim como, proporcional tenso VDS.
Agora ser considerado um aumento na tenso VDS. Para facilitar a anlise,
VGS ser mantida constante em um valor superior a VT. Deve-se notar que a
tenso VDS aparece como uma queda de tenso ao longo do canal, ou seja,
caminhando da Fonte em direo ao Dreno a tenso (medida em relao
Fonte) aumenta gradativamente de zero at VDS. Est sendo assumido que a
queda de tenso nas regies N+ muito menor que ao longo do canal. Como
conseqncia, a diferena de potencial entre a Porta e pontos ao longo do
canal decrescem de VGS (prximo Fonte) para VGS VDS (prximo ao
Dreno). Foi explicado anteriormente que a profundidade do canal depende da
tenso VGS, ento, o canal no ser mais uniforme.

88

Como se pode observar na figura abaixo, o canal vai se afunilando na medida

em que se aproxima do Dreno e, quanto maior a tenso VDS, maior ser este
afunilamento. Este afunilamento tambm causa um aumento na resistncia do
canal, pois a sua rea de seo reta est diminuindo.

Desta forma deve-se considerar que as curvas caractersticas ilustradas

anteriormente (para pequenos valores de VDS) no mais sero linhas retas,
mas, ao invs disto, iro se inclinar cada vez mais no sentido de se tornarem
linhas horizontais (que representam uma condutividade zero, ou uma
resistncia infinita no plano ID x VDS).
Eventualmente, a tenso VDS pode atingir um valor grande o suficiente para
que a diferena de potencial VGS VDS seja igual a tenso de limiar VT ou, de
forma similar, que VDS seja igual a VGS VT.
Neste caso, o canal, em sua extremidade prxima ao Dreno, ter sua rea de
seo reta reduzida teoricamente a zero e obteve-se o que se denomina de
estrangulamento do canal (pinch-off). Aumentar a tenso VDS alm deste
ponto tem um efeito muito pequeno na forma do canal (teoricamente nenhum,
pois qualquer tenso adicional ser absorvida pela regio de depleo que
envolve a juno PN relativa ao Dreno) e a corrente atravs do dispositivo
permanece constante no valor alcanado quando VDS = VGS VT. Diz-se,
ento, que a corrente de Dreno saturou neste valor e o MOSFET dito estar
operando na regio de saturao. Uma notao especial assumida para o
valor de tenso VDS quando ocorre a saturao: VDS (SAT).

89

O transistor MOSFET do tipo enriquecimento, canal P, PMOS, fabricado em

um substrato N com regies P+ formando o Dreno e a Fonte. Neste transistor,
as lacunas fazem a conduo de corrente no canal. O dispositivo opera da
mesma maneira que o MOSFET canal N exceto que os valores de VDS, VGS e
VT so negativos. Por se tratar de uma corrente de lacunas, o seu sentido
convencional faz com que ela entre pelo terminal da Fonte e saia atravs do
terminal do Dreno.
A tecnologia PMOS foi originalmente a tecnologia dominante. Entretanto,
dispositivos NMOS podem ser fabricados ainda menores e por isto apresentam
maior velocidade de resposta. Apresentam, ainda, tenses de alimentao
menores e acabaram dominando o mercado. Os transistores PMOS no devem
ser desprezados, contudo, por duas razes: PMOS ainda so utilizados em
projetos discretos e, mais importante, transistores PMOS juntos com
transistores NMOS formam a tecnologia CMOS.
A tecnologia CMOS emprega os dois tipos de transistores, ou seja, NMOS e
PMOS. Embora circuitos CMOS sejam mais difceis de serem fabricados do
que circuitos NMOS, a disponibilidade de dispositivos complementares torna
possvel o projeto de sistemas muito mais poderosos. Nos dias de hoje, a
tecnologia CMOS a mais utilizada de todas as tecnologias que usam
MOSFETs, tanto para projetos analgicos quanto para projetos digitais. Outro
dado importante que, nos ltimos anos, a tecnologia CMOS vem substituindo,
rapidamente, em muitas aplicaes, o que era possvel de ser realizado
somente com tecnologias bipolares.

90

8. Amplificadores Lineares
A tarefa mais simples do processamento de sinais a amplificao de sinal. A
necessidade de amplificar resulta do fato de os transdutores - que so
dispositivos que permitem energia de um sistema controlar a energia de outro
sistema, ou seja, um conversor de energia, como por exemplo, um microfone e
alto-falante - produzirem sinais ditos fracos, isto , na gama de microvolt (V)
ou de milivolt (mV) e possuindo pequenos nveis de energia. Estes sinais so
muito pequenos para um processamento confivel que se torna muito mais fcil
se a amplitude do sinal fosse maior. O bloco funcional que realiza esta tarefa
o amplificador de sinal.
Quando se amplifica um sinal, necessrio garantir que no haja alterao da
informao contida no sinal, ou seja, garantir a linearidade no funcionamento
dos amplificadores, sem que uma nova informao seja introduzida. Assim,
quando se alimenta um amplificador com pretendemos que o sinal de sada
seja uma rplica exata do sinal de entrada, embora com maior amplitude, ou
seja, as ondulaes da forma de onda da sada devem ser idnticas s da
forma de onda da entrada. Qualquer alterao na forma de onda de sada
considerada distoro e obviamente indesejvel.
O circuito mais simples deste tipo apresentado de seguida:

O funcionamento: o potencimetro colocado de forma a que aparea V1, esta

tenso provoca o aparecimento de uma corrente de base o transistor
colocado em conduo - a corrente Im vai fluir do terminal positivo, atravs dos
enrolamentos do motor, para o coletor, emissor at ao terminal negativo. A
corrente Im faz o motor rodar, aparecendo tambm uma tenso oposta nos
terminais do tacmetro.
Situao de equilbrio: quando V2 atinge o regime estacionrio o motor no
pode andar mais rpido do que velocidade associada tenso V2. Caso a
situao anterior acontecesse, a corrente de base deixaria de fluir e o transistor
seria colocado ao corte, provocando a desacelerao do motor. O inverso
tambm se verifica (por exemplo: um aumento de carga), isto implica uma
diminuio na tenso V2 e um conseqente aumento da corrente de base
deste modo a condutividade do transistor aumenta e Im cresce.

91

Amplificador Operacional

O Amplificador Operacional (AmpOp) um recurso muito utilizado da eletrnica

analgica atual. O AmpOp constitudo por cinco terminais, sendo que dois
correspondem a alimentao.

Este componente possui uma entrada no inversora, que tem a mesma

polaridade da sada (em fase), uma entrada inversora, com polaridade oposta
da sada (em contra-fase) e a sada.
Estes circuitos costumam ser alimentados de maneira simtrica, porm
adicionando-se alguns componentes, podemos aliment-lo de maneira
assimtrica.
Uma tpica configurao de um AmpOp no inversor mostrada a seguir.
Para seu funcionamento, bastam apenas dois resistores, que calculados de
forma correta, nos dizem o ganho ou a ganncia deste circuito.

O ganho do circuito o fator que multiplicamos pela tenso da entrada para

saber a de sada. Este fator encontrado dividindo-se R2 (resistor de
realimentao) por R1 (resistor que mantm certo nvel de referncia na
entrada inversora) + 1.
Outra configurao bastante comum a do AmpOp inversor. Neste caso o
sinal entra pela entrada inversora. Usa-se mais uma resistncia que no influi
no ganho. O fator encontrado dividindo-se R2 por R1. A sada a contra-fase
da entrada.

92

Outra configurao para o AO o amplificador seguidor. Pode parecer intil,

porm bastante usado para casamento de impedncias, ou quando
simplesmente precisamos de maior corrente, sem alterar a tenso. A ganncia
1 e a sada igual a entrada.

Para alimentar algumas configuraes de AO de forma assimtrica, preciso

polarizar a entrada no inversora at a metade da tenso de alimentao e
desacoplar a entrada e a sada com capacitores para evitar o surgimento de
tenses contnuas. O clculo d ganncia d-se do mesmo modo.

As tenses nos terminais de entrada (inversor e no-inversor) tm o mesmo

valor. A sada do AmpOp far tudo o que for necessrio para tornar a diferena
de tenso entre as entradas zero. No circula corrente para o interior do

93

AmpOp, pois a corrente de entrada que circula muito pequena (0.5 mA para
um 741C); em termos prticos, e para efeitos de clculo pode-se arredondar
para zero.
Diagrama esquemtico de um amplificador operacional:

94

EXERCCIOS:

Vcc = 12V
HFE=Hfe=200
1) Para o circuito amplificador da figura acima, determine:
a) A reta de carga para o circuito de polarizao explicitando o ponto de
operao (Q).
b) O circuito para sinais AC substituindo o TBJ pelo seu modelo equivalente.
c) A tenso na entrada do amplificador.
d) A impedncia de entrada (Zi).
e) A tenso de sada (Vo).
f) O TBJ saturar? Baseado na reta de carga, justifique sua resposta.
2) O que aconteceria com a impedncia de entrada do amplificador se o
capacitor Ce fosse desconectado? Desenhe o modelo para sinais AC e
determine o novo valor deste parmetro?

3) Calcule a potncia total dissipada pelo transistor.

95

4) Para o circuito da figura abaixo, determine:

a)
b)
c)
d)

O tipo de cada topologia empregada no circuito.

Vo1
Vo2
Rf, tal que Vo=2V

5) Obtenha a expresso para o ganho do amplificador no-inversor. possvel

obter um ganho inferior a 1 para este circuito? Como voc obteria um ganho
igual ou prximo a 1?

6) Suponha que voc necessite amplificar um sinal de tenso proveniente de

uma fonte de alta impedncia. Que transistor voc utilizaria no estgio de
entrada: TBJ ou JFET? Justifique sua resposta.

96

7) Deseja-se monitorar a temperatura de um determinado equipamento

eletrnico a fim de evitar o seu superaquecimento de tal forma que, quando a
temperatura atingir 100o C, um sistema de arrefecimento seja acionado. Para
isto, um projetista resolveu utilizar o sensor de temperatura LM50 cuja tenso
de sada dada pela seguinte equao:
Vout = (10mV * Temperatura) + 500mV
Projete um circuito de acionamento para o sistema de arrefecimento que
fornea 10V na sua sada.

8) Os grficos abaixo so fornecidos no datasheet do JFET canal N BF 245A.

a) Qual a tenso VGS tal que o canal estrangulado?
b) Qual o valor mximo de VDS voc utilizaria para que o FET trabalhasse como
um resistor varivel?
c) possvel definir um ganho de corrente para o FET? Justifique sua
resposta.

97

98

9. Circuitos Osciladores
Os circuitos osciladores so circuitos de importncia vital em sistemas de
telecomunicaes, nomeadamente para a implementao de moduladores e
desmoduladores em diversos tipos de aplicaes (e.g. comunicaes mveis,
redes de transmisso e recepo de dados, emissores e receptores de rdio e
televiso, etc.). Existem diversas topologias alternativas para a realizao de
osciladores quer em componentes discretos quer como blocos dentro de
circuitos integrados. As estruturas estudadas de seguida, so as topologias
bsicas para realizar a maioria dos osciladores disponveis. Nestes contextos
tambm muito comum associarem-se a malhas de captura de fase,
nomeadamente para a implementao de sintetizadores de freqncias ou
circuitos de recuperao de relgio ou portadora (ver malhas de captura de
fase).

Oscilador em Anel

O oscilador em anel um circuito constitudo por N (sendo N um nmero

impar) inversores montados em cascata, em que a sada do ltimo inversor
realimentada para a entrada do primeiro. A figura seguinte representa um
oscilador em anel com N =3.

O fato de o nmero de inversores ser impar garante que seja qual for a sua
situao inicial, o circuito tende para um regime oscilatrio (pois o nvel lgico
inicial na entrada do primeiro inversor contrariado quando se propagar at
sada do ltimo inversor). Tipicamente os inversores usados num oscilador em
anel so todos iguais, e o tempo de comutao de cada um depende da sua
impedncia de sada e da capacidade de entrada do inversor seguinte. A
tenso de comutao das portas lgicas, e conseqentemente, a definio das
gamas de tenso correspondentes aos nveis lgicos HIGH e LOW,
nomeadamente as tenses VOH, VIH e VOL, VIL (ver famlias lgicas) tm um
papel determinante na definio dos tempos de propagao (tPHL e tPLH) e no
comportamento deste circuito. Assim, aps um regime inicial de arranque, em
que os nveis lgicos no esto ainda bem definidos, o sistema entra em ciclo
com um perodo 2N vezes superior ao tempo individual de comutao (ou
tempo de propagao) de cada porta lgica. O comportamento da evoluo
temporal das tenses v1, v2 e v3 pode ser representado graficamente pela figura
seguinte.

99

Esta uma representao simplificada das tenses na sada de cada inversor.

Na realidade, a comutao entre nveis lgicos geralmente uma resposta de
1 ordem (ou 2 ordem) a um escalo. Assim sendo, a tenso em qualquer dos
ns do circuito pode ser analisada como uma carga ou descarga exponencial
semelhante s representadas nas figuras seguintes.

Os transistores MOS nas figuras representam os transistores de sada de uma

porta lgica, que esto ativos para impor o nvel na sada (LOW e HIGH
respectivamente) e que atacam a capacidade parasita da porta lgica seguinte
(ver famlias lgicas). A capacidade parasita de entrada da porta lgica
seguinte representada na figura pela capacidade C - geralmente muito
pequena (atualmente em tecnologia CMOS da ordem de 10 -15F) e a
impedncia de sada das portas lgicas baixa o que leva a valores da
constante de carga muito baixos, e conseqentemente a freqncias de
oscilao muito elevadas. Na figura seguinte est representada a evoluo das
tenses de sada v1, v2 e v3 respectivamente, partindo do princpio que estas
tm um comportamento de 1 ordem (cargas e descargas exponenciais). So
visveis na representao a fase transitria inicial e a subseqente
estabilizao do regime oscilatrio do oscilador em anel. Considerou-se neste
caso que tenses superiores a Vdd/2 so interpretadas como nvel lgico HIGH
e que tenses inferiores a Vdd/2 correspondem ao nvel lgico LOW.

100

Esta topologia permite implementar osciladores de muito alta freqncia (e.g. 1

GHz a 20 GHz), permitindo tambm a construo de fases parciais com
facilidade. No entanto, as variaes de fabrico tm um efeito muito forte no
valor da capacidade parasita de entrada e da impedncia de sada das portas
lgicas, bem como na definio dos valores de VOH, VIH, VOL e VIL, pelo que a
preciso e exatido da freqncia de oscilao so muito fracas. Este fato
limita fortemente o campo de aplicaes deste oscilador. As principais
vantagens desta topologia so a possibilidade de gerar freqncias elevadas e
a simplicidade de integrao em circuito integrado sem necessidades de
componentes externos.

Oscilador de Pierce

O oscilador de Pierce tambm tem por base um inversor cuja sada

realimentada para a entrada. No entanto, neste circuito a freqncia de
oscilao determinada pela freqncia de ressonncia do cristal e no por
componentes resistivos e capacitivos. Esta , alis, a sua grande vantagem,
dado que a exatido possvel de atingir com um cristal muito elevada (quer
devido ao baixo erro na definio do valor nominal da freqncia de oscilao
como na sua variao devido a fatores exteriores, e.g. temperatura, umidade,
etc.).

101

Os componentes adicionais servem apenas para garantir o arranque e

funcionamento oscilatrio na zona de interesse. A resistncia Rf polariza o
inversor numa zona de ganho elevado, enquanto que R1 e C1 fazem um filtro
passa-baixo para evitar que o circuito oscile numa das harmnicas do sinal.
Os osciladores de cristal so, de longe, os osciladores mais precisos, e tem
apenas como desvantagem o fato de o componente de cristal no poder ser
facilmente integrado dentro de um chip juntamente com outros blocos, o que
aumenta significativamente o seu peso no custo dos sistemas que o usam.
O modelo equivalente de um cristal relativamente complexo. A figura seguinte
mostra a representao simblica de um cristal piezeltrico.

Multivibrador Astvel

Um multivibrador astvel tambm conhecido como multivibrador em roda

livre. Ele conhecido assim porque aps ser ligado fica a oscilar
indefinidamente entre dois nveis de tenso previamente definidos. A sada
mantm-se num ou noutro nvel durante um determinado perodo de tempo. Se
observarmos esta sada com um osciloscpio veremos contnuas ondas
quadradas ou retangulares. O multivibrador astvel tem duas sadas defasadas
de 180, mas no tem entradas.
Para entendermos porque que ele oscila vamos supor que o transistor Q1
satura e o transistor Q2 corta quando o circuito alimentado, esta situao
mostrada na figura abaixo. Supomos que Q1 satura e Q2 corta porque o
circuito propositadamente simtrico, ou seja, R 1=R4, R2=R3, C1=C2 e Q1=Q2.
na realidade impossvel dizer qual dos transistores conduz e qual corta quando
a alimentao ligada. Por esta razo para realizar esta anlise correto tanto
considerar um transistor como outro inicialmente a conduzir.

102

Praticamente toda a corrente do circuito flui por Q1, alis, devido a estar
saturado este no oferece praticamente nenhuma resistncia passagem
dessa corrente. Tenha em ateno que, entretanto o condensador C1 est a
carregar. Devido ao fato de Q1 no opor qualquer resistncia passagem da
corrente, o tempo de carga de C1 depende exclusivamente da constante de
tempo de R2 e C1 que dada por TC=R2*C1. Note que o terminal direito do
Condensador C1 est ligado base do tr. Q2, o qual est agora ao corte. Isso
decorre que o pino direito (e a armadura direita) do condensador C1, vai
ficando cada vez mais negativa. (Note que a alimentao Vcc negativa). Se a
base de Q2 ficar suficientemente negativa, ele passar do corte conduo.
Aps um determinado perodo de tempo, a base de Q2 estar suficientemente
negativa de modo a faz-lo passar do corte conduo. O tempo necessrio
para que Q2 fique em saturao dado por TC=R2*C1.
O prximo estado mostrado abaixo. A tenso negativa acumulada na
armadura direita do condensador C1 forou Q2 a passar conduo (devido
tenso negativa de base assim obtida).

Agora a prxima seqncia de acontecimentos ocorre quase

instantaneamente. Q2 comea a conduzir e muito rapidamente satura, a tenso
na sada 2 muda bruscamente de -Vcc para 0 volts. Esta mudana brusca de
tenso acoplada ("passa" a tenso porque qualquer condensador se ope a

103

variaes bruscas de tenso) atravs de C2 para a base de Q1, que assim fica
ao corte. Ento agora teremos Q1 ao corte e Q2 conduo (em saturao),
voltando, assim, primeira situao considerada.
Temos tambm que o multivibrador astvel pode ser realizado a partir de um
circuito bi-estvel tipo o comparador Schmitt-trigger.

Tal como no acontece no Schmitt-trigger, tambm neste circuito o amplificador

operacional funciona alternadamente na zona de saturao negativa e na zona
de saturao positiva. Assim, considerando R1 =R2 temos que v+ = voR1/(R1+R2)
= vo/2, de modo que o terminal positivo do AMPOP tem uma tenso igual a
metade da tenso de sada. Sendo a tenso de sada constante e igual a VDD
ou VSS, a malha R-C ir carregar/descarregar com um comportamento
exponencial.
Multivibrador Astvel CMOS
O multivibrador aestvel implementado em tecnologia CMOS pode ser feito
com dois inversores (neste caso implementado com portas lgicas NOR).

104

10.

Circuitos Temporizadores

0 circuito integrado 555 (tambm vendido como CA555, LM555, NE555,

MC1555, etc.) consiste num timer de grande versatilidade que apresentado
em invlucro DIL de 8 pinos.

Com este circuito integrado podemos fazer tanto temporizadores como

osciladores. O que significa que ele opera em duas configuraes bsicas;
monoestvel e astvel.

Monoestvel

Na configurao monoestvel ele ligado conforme mostra a figura abaixo:

Sua alimentao pode ser feita com tenses entre 5 e 18 Volts.

A entrada deste integrado que corresponde ao pino 2 deve ser mantida
positiva, ou seja, com uma tenso prxima a da fonte de alimentao o que
conseguido com um resistor cujo valor pode ficar entre 1k e 1M.
Nestas condies, a sada do integrado (pino 3) se mantm sem tenso, ou
seja, apresentando OV.
Se ligarmos alguma coisa, como por exemplo, um led, uma lmpada ou um
pequeno motor na sada deste integrado, no haver alimentao para seu
funcionamento, no entanto, se por um momento ligarmos a entrada (pino 2) do

105

integrado a ponto de 0V do circuito, ocorre seu disparo. Sua sada passar

ento a apresentar uma tenso positiva igual a da alimentao e poder
alimentar o circuito externo, por exemplo, acendendo um led, uma lmpada,
ativando um rel ou ainda motor. Veja, entretanto que, a sada no permanece
ativada permanentemente, mas por um intervalo de tempo que determinado
pelo capacitor C e pelo resistor R. A sada ficara "ligada" por um intervalo que
calculado pela formula:
T = 1,1 . R . C
Onde: R o valor do resistor em ohms
C o valor do capacitor em Farads
Para um capacitor de 1000 F e um resistor de 1 megohms temos:
C = 1000 F = 1000 x 10-6 = l0-3 F
R = 1M = 106 ohms
(Veja que fizemos a converso de microfarads em farads e de megohms em
ohms, para poder usar a frmula).
T = 1,1 x l06 x 10-3
T = 1100 segundos ou 18,3 minutos.
A sada do integrado ficar ativada ento por 18,3 minutos, desligando depois
automaticamente. Veja que isso acontece mesmo que o pulso de disparo, ou
seja, a durao do aterramento do pino 2 seja de apenas uma frao de
segundo.
Se usarmos um potencimetro no lugar de R podemos "ajustar" os intervalos
de tempo obtidos e assim obter um temporizador.

106

11.

107

13. Anexos
(Prticas)

108

rea Tecnolgica: Mecatrnica

PRTICA 01 Multmetro

SALVADOR
2003

109

1. Objetivos:
Familiarizar-se com uso do multmetro.
2.1. VOLTIMETRO
2.1.1 Introduo
Nesta experincia sero realizadas as medidas de tenso em alguns circuitos
com a utilizao do
voltmetro de C.C., disponvel no Multmetro.
O simbolo a ser utilizado para o voltmetro definido na Fig. 1. Este
instrumento, utilizado para
medir tenses, deve ser sempre ligado em paralelo com os pontos (ns) onde
se deseja saber a
diferena de potencial. Idealmente, o voltmetro no deve afetar o circuito a ser
medido.
No entanto, na prtica, ao inserirmos o voltmetro, este afeta o circuito,
alterando o circuito
equivalente. Isto se deve ao fato de ele apresentar uma resistncia interna Rv
de valor elevado,
porm no infinito. Assim, o circuito equivalente ser modificado com a
insero do voltmetro. O voltmetro com a sua resistncia interna
representado na Fig. 2.

Importante : o voltmetro deve sempre ser ligado em paralelo com os

pontos onde se deseja saber a tenso.
2.1.2 Montagem
Com o circuito a baixo , realizar os clculo e as medio das tenses
sobre cada elemento e entre os terminais A e B.Monte o circuito abaixo e faa o
procedimento que solicitado.

110

2.1.3 - Clculos Preliminares

a) Calcular a tenso sobre cada elemento do circuito e sobre os terminais A e B
e preencher os campos correspondentes na Tabela I
b) Calcular a corrente que circula pelo circuito.

2.1.4 - Comprovao Prtica

a) Com os valores obtidos nos clculos preliminares, utilizar a escala adequada
de tenso para cada uma das medidas no multmetro. Realizar as medidas
separadamente, conforme a baixo Preencher os campos correspondentes da
Tabela I.

2.1.5- Clculos Preliminares

a) Calcular a tenso sobre cada elemento do circuito e sobre os terminais A e B
e preencher os campos correspondentes na Tabela I
b) Calcular a corrente que circula pelo circuito.

111

2.2. Ampermetro
2.2.1 Introduo
Nesta experincia sero realizadas as medidas de corrente em alguns
circuitos com a utilizao
do ampermetro de C.C., disponvel no Multmetro.
O simbolo a ser utilizado para o ampermetro definido na Fig. 1. Este
instrumento, utilizado para
medir correntes, deve ser sempre ligado em srie com o elemento (ou
elementos) no(s) qual(is) se
deseja saber a corrente que circula. Idealmente, o ampermetro no deve afetar
o circuito a ser
medido.
No entanto, na prtica, ao inserirmos o ampermetro, este afeta o circuito,
alterando o circuito
equivalente. Isto se deve ao fato de ele apresentar uma resistncia interna Ra
de valor reduzido,
porm no nulo. Assim, o circuito equivalente ser modificado com a insero
do ampermetro. O
ampermetro com a sua resistncia interna representado na fig2.

Importante : o ampermetro deve sempre ser ligado em srie com a malha

onde se deseja saber a corrente que circula.
1- Clculos Preliminares
a) Calcular a corrente em cada ramo do circuito e preencher os campos
correspondentes na Tab. II
b) Calcular a tenso em cada componente do circuito.
c) Calcular a potncia dissipada em cada resistor
Verificar se estes
valores no ultrapassam os limites de potncia mxima dissipada em cada
resistor (1/8 W).

112

QUESTES
1. Qual a caracterstica interna do ampermetro?
2. Qual a caracterstica interna do voltmetro ?
3. O que aconteceria se o ampermetro fosse colocado em paralelo com o
circuito?
4. O que aconteceria se o voltmetro fosse colocado em srie com o circuito?

113

rea Tecnolgica: Mecatrnica

PRTICA 02 Osciloscpio e Gerador

de Funes

SALVADOR
2003

114

1.Objetivos:
Familiarizar-se com uso do osciloscpio, gerador de funes e protoboard.
2.Introduo:
O osciloscpio e o gerador de funes so instrumentos de bancada de grande
utilidade e versatilidade no laboratrio de eletrnica. Esta prtica dever
proporcionar ao aluno o primeiro contato com estes equipamentos. O aluno no
dever se preocupar em explorar todas as funes destes equipamentos, mas
dever aprender as funes bsicas para realizar suas atividades com
segurana. importante que o leitor atente para os procedimentos de
operao para evitar danos quaisquer aos equipamentos
A matriz de contatos, ou protoboard, ser utilizado na grande maioria das aulas
prticas devido facilidade e praticidade de montagem e desmontagem de
circuitos eletrnicos.
2.1. O gerador de funes:
O gerador de funes um instrumento capaz de gerar sinais de tenso
peridicos, isto , que se repetem no tempo.
Conecte o cabo de sada no terminal MAIN OUTPUT. Ao fazer isto, voc
poder gerar sinais senoidais, quadrados ou triangulares. Trs botes habilitam
o operador a selecionar formas de onda citadas. Quando um boto apertado
o outro boto anteriormente selecionado automaticamente desabilitado.
OBS: Jamais encoste os terminais de sada (garras de jacar) do gerador
um ao outro. Desta forma voc estar curto-circuitando o gerador de
funes e poder danific-lo.
Os sinais gerados podem estar numa faixa de freqncia de 0.2 Hz a 2MHZ. A
freqncia pode ser ajustada selecionando-se o fundo de escala (teclas com
nomenclatura em fundo azul). Girando o boto FREQ voc poder ajustar a
freqncia de 0.2 vezes o fundo de escala at 2X o fundo de escala. Por
exemplo, selecionando um fundo de escala de 100Hz, pode-se ajustar a
freqncia do sinal de 20Hz a 200Hz.
A amplitude do sinal pode ser feita girando-se o boto AMPLITUDE numa faixa
de 0 a 20V pico a pico. Para se obter valores baixos de amplitude, utilize o
boto MAIN OUTPUT ATTENUATOR em -20dB ou -40dB. OBS.: A amplitude
dever ser medida com um osciloscpio.
2.2. O osciloscpio:
O osciloscpio um instrumento capaz de mostrar graficamente a tenso (eixo
Y) em funo do tempo (eixo X), isto , ele permite visualizar a forma de onda
medida. Como veremos ao longo do curso, ele permite determinar alguns
parmetros muito teis de sinais, tais como o perodo e a freqncia, medir a
diferena de fase entre dois sinais, visualizar rudos, entre outros.
Os osciloscpios utilizados nas aulas so digitais. Os osciloscpios digitais
oferecem algumas vantagens em relao aos de tubo de raios catdicos

115

(TRC), pois eles podem se comunicar com o PC via serial, imprimir o sinal
medido ou mesmo salvar a tela no computador ou num diskete. Este recurso
dever ser muito til na elaborao de relatrios. Alm disso, o osciloscpio
digital pode tambm mostrar na tela automaticamente o valor pico a pico, o
valor RMS, perodo, freqncia entre outros parmetros. No entanto,
importante que o aluno saiba ler esses dados diretamente na tela sem utilizar
estes recursos para que no tenha dificuldade em manipular os osciloscpios
de TRC.
O osciloscpio possui dois canais (CH1 e CH2) que so conectados na parte
inferior do painel. Isto quer dizer que voc pode visualizar dois sinais ao
mesmo tempo. Note que as pontas de prova possuem dois terminais: um
terminal com garra de jacar preta, que geralmente conectado ao terminal
terra do circuito; o outro terminal coberto por uma capa retrtil.
OBS.: Ao fazer uma medida, voc s dever conectar um terminal de
terra, isto , jamais conecte as duas garras de jacar ao circuito.
Para ligar o osciloscpio, conecte a fonte de alimentao no terminal localizado
na parte traseira do equipamento. Verifique se a fonte est ajustada para
tenso de entrada de 220V. Aperte a tecla POWER (azul). Na tela aparecero
os dois canais: um na parte superior da tela e o outro na parte inferior.
Abaixo so descritas algumas funes que devero ser teis na manipulao
do osciloscpio.
Cada canal pode ser deslocado na tela para cima ou para baixo, pressionandose a tecla POSITION (seta para cima ou para baixo).
Para deslocar o sinal no eixo HORIZONTAL, pressione a tecla POSITION (seta
para direita ou esquerda).
Para visualizar, ou excluir um canal da tela, pressione a tecla DISPLAY para o
canal desejado.
Ajustando o fundo de escala de tenso (escala vertical): este ajuste
independente para cada canal. A tecla utilizada para isto possui a seguinte
indicao: V mV. Apertando V seleciona-se um fundo de escala maior,
permitindo visualizar sinais de amplitude maior. Do mesmo modo,
pressionando-se mV pode-se visualizar sinais de amplitude menor na tela. O
fundo de escala deve ser escolhido de modo a permitir a leitura mais adequada
da medida.
Ajustando o fundo de escala do eixo dos tempos (eixo horizontal): este ajuste
simultneo para ambos os canais. A tecla utilizada para este fim TIME.
Pressionando-se o boto no lado s, aumenta-se o fundo de escala do tempo
permitindo visualizar sinais de maior perodo. Pressionando-se a tecla TIME no
lado ns obtm-se o efeito inverso.
3. Medidas:
Faremos agora algumas medidas bsicas utilizando o osciloscpio.

116

3.1. Obter um sinal senoidal de 10Vpp (pico a pico) e freqncia de

5kHz utilizando o ajuste automtico.
a)Ajuste o gerador de funo para fornecer um sinal senoidal de 5kHz;
b)Conecte a sada do gerador ao canal 1 do osciloscpio;
c)Pressione a tecla AUTO SET do osciloscpio. Isto far com que o
osciloscpio ajuste adequadamente o fundo de escala do tempo e da tenso
automaticamente. O fundo de escala ser mostrado na parte inferior da tela.
Voc dever agora ajustar a amplitude do sinal girando o boto AMPLITUDE do
gerador de funes at obter 10Vpp;
d)Aps obter a amplitude desejada verifique se a freqncia do sinal medida
pelo osciloscpio a mesma medida pelo frequencmetro do gerador de
funes.
3.2. Determinando os parmetros do sinal automaticamente.
O osciloscpio digital, como j foi dito, oferece algumas facilidades ao usurio.
Ele pode determinar os valores pico a pico, RMS, perodo, freqncia, valor
mdio, entre outros.
Vamos agora visualizar na tela os parmetros do sinal obtido no item 3.1. Para
isto, proceda da seguinte maneira:
Pressione a tecla MATH, selecione a funo PARAME. Os submenus so
descritos a seguir:
- OFF: cancela todos os parmetros medidos.
- Pk-Pk: mostra o valor pico a pico da forma de onda mostrada na tela em volts.
- RMS: mostra o valor RMS (valor mdio quadrtico) de um ciclo da forma de
onda correntemente mostrada nos canais CH1 e CH2.
- Rise T: mostra o valor do tempo de subida da forma de onda correntemente
mostrada nos canais CH1 e CH2.
- Fall T: mostra o valor do tempo de descida da forma de onda correntemente
mostrada nos canais CH1 e CH2.
- Period: mostra o valor do perodo de um ciclo da forma de onda
correntemente mostrada nos canais CH1 e CH2.
- +Width: mostra o valor da largura positiva de um ciclo da forma de onda
correntemente mostrada nos canais CH1 e CH2.
- -Width: mostra o valor da largura negativa de um ciclo da forma de onda
correntemente mostrada nos canais CH1 e CH2.
- Duty: mostra o valor da razo de duty de um ciclo da forma de onda
correntemente mostrada nos canais CH1 e CH2.
- Save: salva as configuraes dos parmetros mostrados correntemente. Esta
funo usada para gravar as configuraes freqentemente usadas para
facilmente us-las mais tarde.
3.3.Montando o circuito.
Agora, iremos medir a defasagem entre a tenso do capacitor e corrente no
resistor. Para isso utilizaremos os seguintes materiais:
Protoboard
Osciloscpio
Gerador de Funes

117

1 capacitor de 6800 pF
1 resistor de 3K?

Desacople as pontas de prova e monte no Protoboard (figura 2 ) o circuito a

seguir (figura 1):
Figura 1

Figura 2 - PROTOBOARD
Alimente o circuito com a onda senoidal encontrada anteriormente - 10Vpp e
5KHz. Coloque garra positiva do Gerador de Funes na entrada do capacitor
e a negativa na sada do resistor.
Acople o CH1 do osciloscpio na entrada do capacitor -a garra negativa dever
estar junto da garra do gerador de funes, o terminal terra - mea a Vpp e
anote na tabela abaixo.
Agora acople o canal 2 no resistor (NO PRECISA ACOPLAR A GARRA DO
NEGATIVO DO CANAL 2, BASTA O CANAL 1) e mea o valor da tenso picoa- pico (anote na tabela).
Agora mea a defasagem entre os canais:

118

Sobreponha as duas senides (fig. 2) atravs dos botes SHIFT + SET 0V de

cada canal. Aumente a escala do tempo atravs do boto TIME. Se precisar,
aumente a escala da tenso ( mV V).
Figura 2
Mea o perodo (anote na tabela) e a defasagem das ondas (no esquea de
multiplicar o valor encontrado pela escala situada esquerda na parte de baixo
da tela).
Com a frmula abaixo, transforme o valor dessa defasagem em graus (anote
os valores na tabela):

Esse valor encontrado coerente?

Tabela
Vpp canal 1

Vpp canal 2

Perodo

Defasagem (s)

Defasagem
(graus)

Perceba que a tenso do resistor est adiantada 90 em relao tenso do

capacitor. Conseqentemente a corrente do resistor tambm estar adiantada
da tenso no capacitor, pois a tenso e a corrente no resistor esto em fase.

119

120

121

rea Tecnolgica: Mecatrnica

PRTICA 03 - Diodo

SALVADOR
2003

122

1.Objetivos:
Analisar o comportamento do diodo em corrente contnua e corrente alternada
(retificao).
2.Introduo:
Diodos so componentes que conduzem corrente eltrica num sentido
determinado. Uma das aplicaes mais comuns de um diodo no circuito
retificador.
O diodo um dispositivo no-linear (o grfico V x I no uma reta) e seu
grfico I x V apresenta um joelho. Nessa regio ocorre a transio de alta
resistncia para baixa resistncia. Na prtica o diodo nunca deve estar
conectado diretamente a uma fonte de alimentao na polarizao direta, j
que, nesta condio, ele praticamente se comporta como curto-circuito. Por
isso, necessrio ligar um resistor Rs em srie com o diodo para limitar a
corrente direta e polariz-lo de forma adequada em corrente contnua, evitando
que as suas especificaes mximas de tenso e corrente sejam atingidas.
3.Preparao:
Medindo V e testando o funcionamento do diodo
Antes de efetuar as medidas, devemos conferir o estado do diodo:
a)
No multmetro, selecione a chave para teste de diodo, ento coloque os
terminais do multmetro no diodo (conecte o lado positivo e negativo
corretamente); quando o dispositivo est polarizado diretamente e em bom
estado, o instrumento mostrar a tenso de barreira do diodo (V), anote esse
valor.
V =

Nem todo multmetro possui a funo de teste de diodo. Uma outra

forma de identificar os terminais do diodo e verificar o seu estado de
funcionamento medindo sua resistncia esttica. Selecione a escala de
resistncia do multmetro. Quando polarizado diretamente, o diodo apresenta
uma resistncia baixa em relao resistncia de polarizao reversa. Mea
estes valores e anote abaixo.
b)

RD =

RR =

Dimensionar Rs para polarizar o diodo com 100 mA

Pelo Datasheet, adquirimos os valores :
VFmx = 1,1 V
IFmx = 1 A
VRmx = 400 V

123

Observe o circuito abaixo:

Agora calcule a resistncia Rs que dever ser usada para no danificar o

diodo, atravs da seguinte frmula:
Rs = (Vs - V)/I
Para a montagem do circuito, adote o valor comercial mais prximo.
Calcule a Potncia sobre o resistor:
Prs = Rs x I2
4.Medidas:
Material necessrio:
e)Protoboard
f)Osciloscpio
g)Gerador de Funes
h)Diodo1N4004
i)Resistncia
j)Fonte DC
Polarizao direta
Aps dimensionar o resistor, monte o circuito da figura1.
Aumente gradativamente a tenso conforme a tabela e anote os valores. O
valor da corrente no ser medido, mas calculado. O calculo da potncia
dissipada pelo resistor Rs tambm dever ser calculada posteriormente.
Tabela I
E
0,4
0,6
0,8
1,0
2,0
2,5
3,0
4,0
8,0

VRS

VF

IF

PRS

124

Trace a reta IF x VF a partir dos pontos medidos

Polarizao reversa
Verifique o funcionamento do circuito.

Figura 2
Mea a tenso nos terminais do diodo (V bc) para Vs =10 V, 20 V e 30 V e
comente o resultado observado.
Corrente alternada
Monte o circuito e aplique uma tenso alternada atravs do gerador de funes
e com o osciloscpio observe a forma de onda, como mostra a figura 3:
4.Vs = 8Vpp
5.f = 1KHz
6.Rs = 1K
Cuidado!: conectar somente um terminal de terra do osciloscpio!

Figura 3
Esboce a forma de onda observada e anote os parmetros na tabela abaixo.
Perodo

Frequncia Amplitude

RMS

Valor Mdio

QUESTES

125

5. O que representa a tenso V medida? O diodo pode se comportar como

uma chave aberta para VF< V? Explique.
6. Qual o comportamento do diodo polarizado reversamente? Isso pode ser
verificado no circuito da figura 3?
7. O que aconteceria com o diodo (1N4004) se ele fosse polarizado
reversamente com tenses de 300V e 500V?Explique.

126

rea Tecnolgica: Mecatrnica

PRTICA 04 Circuitos Retificadores

SALVADOR
2003

127

Circuito Retificador
1.Objetivos:
Com este experimento vamos montar os trs tipos de retificadores,
medir suas caractersticas de entrada e sada, verificar suas formas de onda
utilizando o osciloscpio, comparar a tenso eficaz calculada e medida e
verificar as caractersticas dos transformadores de tenso.
2.Introduo:
2.1 Transformadores
A tenso de alimentao apresenta um valor fixo, este nem sempre o
necessrio de uma dada aplicao, portanto seremos forados a aument-lo ou
reduzi-lo segundo nossas necessidades.
Se aplicarmos ao primrio do transformador um sinal varivel no tempo, este
produzir um fluxo varivel, que por sua vez ir induzir uma tenso no
secundrio, cuja a amplitude poder ser maior, menor ou igual ao sinal
aplicado, dependendo da relao de espiras.
Para sinais contnuos aplicados ao primrio, teremos um fluxo
constante,que no produz tenso induzida no secundrio.
2.2 Os circuitos que utilizam dispositivos semicondutores, necessitam ser
alimentados com tenses continuas para sua devida polarizao. Para
podemos aproveitar a rede eltrica, por se tratar de tenso alternada,
necessitamos em convert-la em tenso contnua.
Atravs destes circuitos obtemos:
a) Tenso de pico ou tenso mxima
Vmax = Vef x 2
Onde:
Vmax = tenso de pico ou tenso mxima
Vef = Tenso eficaz
b) Retificadores meia onda
VDC = Vmax/
Onde:
VDC = Valor mdio da tenso na carga.
Vmx = Tenso mxima
c) Retificadores onda completa com center type
Vr = 2 x Vmax
Onde:
Vr = Tenso reversa ou tenso de ruptura
Vmax = Tenso mxima

128

VDC = 2max/
Onde:
VDC = Valor mdio da tenso na carga.
Vmx = Tenso mxima
d) Retificadores onda completa sem center type
VDC = 2max/
Onde:
VDC = Valor mdio da tenso na carga.
Vmx = Tenso mxima

Equipamentos:
- 1 Transformador com derivao central
- 4 diodo 1N4004
- 1 resistor 1K
- 1 multmetro
- 1 Osciloscpio
Procedimentos
- Testar os diodos
- Testar o resistor
- Testar o transformador.
- Alimentar o primrio do transformador e verificar a tenso no secundrio.
- Observar com o osciloscpio a forma de onda no secundrio do
Transformador
a) Retificador de meia onda
a)
b)
c)
d)

Montar circuito retificador de meia onda

Medir a tenso no secundrio do transformador
Mea a tenso na carga
Verifique com o osciloscpio a forma de onda no diodo e na carga.

129

b) Retificador de onda completa com derivao central

e)
f)
g)
h)

Montar circuito retificador de onda completa

Medir a tenso eficaz no secundrio do transformador
Mea a tenso na carga
Verifique com o osciloscpio a forma de onda no diodo e na carga.

130

b) Retificador de onda completa sem derivao central

i)
j)
k)
l)

Montar circuito retificador de onda completa

Medir a tenso eficaz no secundrio do transformador
Mea a tenso na carga
Verifique com o osciloscpio a forma de onda no diodo e na carga.

131

QUESTES
1. Calcule as Tenses VDC,Vmax e Vr para todos os circuitos.
2. Explique o que aconteceria com no circuito 2 se o diodo D1 estiver aberto?
3. O que aconteceria se no houvesse defasagem entre os terminais do
secundrio do transformador com derivao central ?

132

rea Tecnolgica: Mecatrnica

PRTICA 05 Filtros Capacitivos e

Estabilizador Zener

SALVADOR
2003

133

1.Objetivos:
Verificar a filtragem e regulagem de uma fonte DC.
2.Introduo:
Uma fonte de alimentao DC, em geral, apresenta 4 etapas. A primeira delas
consiste em abaixar ou elevar (a depender do projeto) a tenso da rede atravs
de um transformador. O transformador, alm de modificar o nvel de tenso da
rede, tem por finalidade isolar o circuito da rede.
A segunda etapa consiste em retificar o sinal (meia onda ou onda completa)
transformando-o em um sinal contnuo, porm varivel no tempo.
Na sada do retificador liga-se o filtro capacitivo em paralelo com a carga.
Consiste em um capacitor eletroltico de alto valor e tem a finalidade de filtrar
as grandes variaes da tenso retificada, tornando-a quase constante, porm
com uma pequena ondulao denominada ripple.
A ltima etapa da fonte constitui de um estgio regulador. Nesse experimento,
vamos estudar a forma mais simples de um circuito regulador: o diodo zener
em paralelo com a carga.
3. Medidas:
Material necessrio:
k)Protoboard
l)Osciloscpio
m)01 Transformador 12+12V
n)02 Diodos retificadores 1N4004
o)01 Diodo zener 1N4742
p)Resistores: 1K, 220, 820 (01 un)
q)02 Capacitores 470 F
r)Multmetro
s)Trimpot 470

3.1 Filtragem a capacitor

Observe o circuito abaixo:

134

Figura 1
Este circuito corresponde ao circuito montado no seu protoboard.
1.
Mea os valores de pico (Vp), RMS (VRMS) e a freqncia (f) da sada do
transformador e anote abaixo:
f=

Vp=

VRMS=

2. Agora mea a tenso DC sobre a carga. Para isto, proceda da seguinte

maneira: ajuste o osciloscpio em DC e verifique o valor mdio (mean).
Vdc=

3.2 Regulagem a zener

Observe o circuito abaixo:

Figura 2
Monte este circuito no protoboard, retirando o segundo capacitor e a resistncia
de carga e acrescente os outros componentes como mostra a figura 2.
Observe que na sada a tenso DC, ento aumente a resistncia no trimpot
at o mximo e mea sua tenso (c-n), mea tambm a tenso de sada e a
tenso no zener, anote na tabela esses valores. Repita esse procedimento para
o mnimo do trimpot.
Vtrimpot

Vsada

Vzener

Mximo
Mnimo
VLED

ILED

LED

135

Izener

Vzener

Pzener

Zener

QUESTES
1. Para o circuito da figura 1, calcule a ondulao ripple pico a pico usando a
aproximao ideal e a segunda aproximao para o diodo.
2. Para o circuito da figura 2 calcule a corrente no zener (Iz), na carga (IL) e a
corrente em R1 (IR1) quando R3=0 e R3=470.
3. Calcule a potncia dissipada pelo zener (Pz). Ele est dentro do limite
especificado pelo fabricante?

rea Tecnolgica: Mecatrnica

136

PRTICA 06 Amplificador a TJB em

Circuito CC e CA

SALVADOR
2003
OBJETIVO: Verificar o comportamento AC e DC do TJB operando em
pequenos sinais.
MATERIAL:
01 Gerador de sinais
01 Osciloscpio
01 Multmetro
01 Fonte DC
01 transistor BC547B
Resistores: 82k (01 un.), 32k (01 un.), 1k (02 un.), 2.4k (01 un.), 3k (01 un.)
Capacitores: 47 uF
1.

POLARIZAO:

Para sinais DC, temos o seguinte circuito:

137

Procedimentos:
1Ajustar o osciloscpio para medidas DC.
2Alimentar o circuito conforme a figura.
3Medir as tenses de polarizao e anotar os valores na tabela abaixo.
4Comparar as medidas com os resultados tericos.
hFE

VB

VC

VE

VBE

VCE

VCB

IC

Medida
OBS: Atente para as unidades de medidas!

138

2.

CIRCUITO PARA SINAIS AC:

Procedimento:
1Desligue a fonte DC e monte o circuito para sinais AC conforme a
figura. Observar a polaridade dos capacitores!
2Com o auxlio do osciloscpio, ajuste o gerador de funes para
fornecer um sinal senoidal de 100mV pico a pico e freqncia de 1KHz na sua
sada.
3Alimente o circuito (fontes AC e DC).
4Ajuste o osciloscpio para medidas AC. Mea e anote os valores na
tabela abaixo.
5Comparar as medidas com os resultados tericos.
vb

vc

ve

ic

Is

Ib

Zent

Av

Medida
QUESTES
1. Qual o ganho de corrente e de Tenso nos circuitos estudados?

139

rea Tecnolgica: Mecatrnica

PRTICA 07- Transistores como Chave

SALVADOR
2003
1.Objetivos:
Analisar o comportamento do transistor funcionando como chave e como
amplificador.

140

2.Introduo:
2.1 O TRANSISTOR COMO CHAVE
A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave, significando
uma operao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da
reta de carga.
Quando o transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do
coletor para o emissor. Quando o transistor est cortado, como uma chave
aberta.
CORRENTE DE BASE
A corrente de base controla a posio da chave. Se IB for zero, a corrente de
coletor prxima de zero e o transistor est em corte. Se IB for IB(SAT) ou
maior, a corrente de coletor mxima e o transistor satura.
Saturao fraca significa que o transistor est levemente saturado, isto , a
corrente de base apenas suficiente para operar o transistor na extremidade
superior da reta de carga. No aconselhvel a produo em massa de
saturao fraca devido variao de cC e em IB(SAT).
Saturao forte significa dispor de corrente da base suficiente para saturar o
transistor para todas as variaes de valores de CC. No pior caso de
temperatura e corrente, a maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal
tem um CC maior do que 10.
Portanto, uma boa orientao de projeto para a saturao forte de considerar
um cC(SAT)=10, ou seja, dispor de uma corrente de base que seja de
aproximadamente um dcimo do valor saturado da corrente de coletor.Diodos
so componentes que conduzem corrente eltrica num sentido determinado.
Uma das aplicaes mais comuns de um diodo no circuito retificador.
O diodo um dispositivo no-linear (o grfico V x I no uma reta) e seu
grfico I x V apresenta um joelho. Nessa regio ocorre a transio de alta
resistncia para baixa resistncia. Na prtica o diodo nunca deve estar
conectado diretamente a uma fonte de alimentao na polarizao direta, j
que, nesta condio, ele praticamente se comporta como curto-circuito. Por
isso, necessrio ligar um resistor Rs em srie com o diodo para limitar a
corrente direta e polariz-lo de forma adequada em corrente contnua, evitando
que as suas especificaes mximas de tenso e corrente sejam atingidas.
3.Preparao:
Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmmetro
1. Encosta-se a ponta de prova negativa na base do transistor
2. Encosta-se a ponta de prova positiva no coletor do transistor. O ohmmetro
deve indicar resistncia alta.
3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor. O
ohmmetro deve indicar resistncia alta.

141

4. Inverte-se as pontas de provas, isto , encosta-se a positiva na base e

repete os itens 2 e 3. As resistncias devem ser baixas.
4.Material necessrio:
t)Protoboard
u)Multmetro
v)Transistor BC 548
w)Resistores 5,6K,470
x)Fonte DC
Montar o circuito

TRANSISTOR COMO CHAVE

Chave
S

IB

IC

VBE

VCE

Pos 1
Pos 2
QUESTES
1.

Explique o fenmeno que acontece com o LED com a chave em S1.

2. Explique o fenmeno que acontece com o LED com a chave em S2.

3. Se retiramos o resistor de 470 o que acontece com LED?

142

rea Tecnolgica: Mecatrnica

PRTICA 08- Circuitos Temporizador

SALVADOR
2003
1.Objetivos:
Analisar o comportamento do C.I. 555 funcionando como temporizador e como
biestvel.

143

4.Material necessrio:
y) Protoboard
z) LED
aa) C.I. 555
bb) 2 Resistores 4,7k
cc) Resistores 56k,1k
dd) Capacitor Eletroltico 4,7F,470F
ee) Fonte DC
Montar o circuito
T= 1.44/(R1 + 2R3)C1

144

5. 4.Material necessrio:
ff) Protoboard
gg) LED
hh) Resistores 100k,20k,1K.
ii) 2 Capacitor Eletroltico 4,7F,1 capacitor Eletroltico 470F
jj) C.I 555
kk) Fonte DC
Montar o circuito
T=1,1R1C1

QUESTES
1. Faa o esboo das formas de ondas dos circuitos acima.
2. Calcule a constante de tempo nos dois circuitos

145

REFERNCIA BIBLIOGRFICA
BOYLESTAD, Robert e NASHELSSKY, Louis. Dispositivos eletrnicos e
teoria de circuitos. 3 ed. So Paulo: Prentice-Hall , 1984.
CAPUANO, Francisco Gabriel e MARINO, Maria Aparecida Mendes.
Laboratrio de eletricidade e eletrnica. 10 ed. So Paulo: rica, 1995.
CIPPELLI, Antonio Marco Vicarie e SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e
desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos. 17 ed. So Paulo:
rica, 1995.
FERREIRA, Aitan Pvoas. Curso bsico de eletrnica. 3 ed. Rio de
Janeiro: Freitas Bastos, 1983.

MALVINO, Albert. Eletrnica. 4 ed. So Paulo: Makron Books, 1995.

MARKUS, Otvio. Circuitos com diodos e transistores. So Paulo:

Editora rica. 3 ed. 2002.
SEDRA, Adel e SMITH, Kenneth. Microeletrnica. 4 ed. So Paulo:
Makron Books, 2000.

SENAI CETIND. Eletrnica geral. Lauro de Freitas-Ba., 1996.

---------. Tecnologia dos componentes eletrnicos. Lauro de Freitas-Ba.,

1995.

146