Multi­junction solar cell ­ Wikipedia, the free encyclopedia

Multi­junction solar cell
From Wikipedia, the free encyclopedia

Multi­junction (MJ) solar cells are solar cells with
multiple p–n junctions made of different semiconductor
materials. Each material's p­n junction will produce
electric current in response to different wavelengths of
light. The use of multiple semiconducting materials
allows the absorbance of a broader range of
wavelengths, improving the cell's sunlight to electrical
energy conversion efficiency.
Traditional single­junction cells have a maximum
theoretical efficiency of 34%. Theoretically, an infinite
number of junctions would have a limiting efficiency of
86.8% under highly concentrated sunlight.[2]

Black light test of Dawn​
 ' ​

s triple­junction gallium
arsenide solar cells[1]

Currently, the best lab examples of traditional
crystalline silicon solar cells have efficiencies between 20% and 25%,[3] while lab examples of multi­
junction cells have demonstrated performance over 43%.[4][5] Commercial examples of tandem, two layer,
cells are widely available at 30% under one­sun illumination,[6] and improve to around 40% under
concentrated sunlight. However, this efficiency is gained at the cost of increased complexity and
manufacturing price. To date, their higher price and higher price­to­performance ratio have limited their use
to special roles, notably in aerospace where their high power­to­weight ratio is desirable. In terrestrial
applications, these solar cells are emerging in concentrator photovoltaics (CPV), with a growing number of
installations around the world.[7]
Tandem fabrication techniques have been used to improve the performance of existing designs. In
particular, the technique can be applied to lower cost thin­film solar cells using amorphous silicon, as
opposed to conventional crystalline silicon, to produce a cell with about 10% efficiency that is lightweight
and flexible. This approach has been used by several commercial vendors,[8] but these products are
currently limited to certain niche roles, like roofing materials.

1 Description
1.1 Basics of solar cells
1.2 Loss mechanisms
1.3 Multi­junction cells
1.3.1 Material Choice
1.4 Structural elements
1.4.1 Metallic contacts
1.4.2 Anti­reflective coating
1.4.3 Tunnel junctions
1.4.4 Window layer and back­surface field
1.5 J­V characteristic



Multi­junction solar cell ­ Wikipedia, the free encyclopedia

1.5 J­V characteristic
1.6 Theoretical Limiting Efficiency
2 Materials
2.1 Gallium arsenide substrate
2.2 Germanium substrate
2.3 Indium phosphide substrate
2.4 Indium gallium nitride substrate
3 Performance improvements
3.1 Structure
3.2 Spectral variations
3.3 Use of light concentrators
4 Fabrication
5 Comparison with other technologies
6 Applications
7 References
8 Further reading
9 See also

Basics of solar cells
Traditional photovoltaic cells are commonly composed of doped silicon with metallic contacts deposited on
the top and bottom. The doping is normally applied to a thin layer on the top of the cell, producing a pn­
junction with a particular bandgap energy, Eg.
Photons that hit the top of the solar cell are either reflected or transmitted into the cell. Transmitted photons
have the potential to give their energy hν to an electron if hν ≥ Eg, generating an electron­hole pair.[10] In
the depletion region, the drift electric field Edrift accelerates both electrons and holes towards their
respective n­doped and p­doped regions (up and down, respectively). The resulting current Ig is called the
generated photocurrent. In the quasi­neutral region, the scattering electric field Escatt accelerates holes
(electrons) towards the p­doped (n­doped) region, which gives a scattering photocurrent Ipscatt (Inscatt).
Consequently, due to the accumulation of charges, a potential V and a photocurrent Iph appear. The
expression for this photocurrent is obtained by adding generation and scattering photocurrents: Iph = Ig +
Inscatt + Ipscatt.
The J­V characteristics (J is current density, i.e. current per unit area) of a solar cell under illumination are
obtained by shifting the J­V characteristics of a diode in the dark downward by Iph. Since solar cells are
designed to supply power and not absorb it, the power P = V∙Iph must be negative. Hence, the operating
point (Vm, Jm) is located in the region where V>0 and Iph<0, and chosen to maximize the absolute value of
the power |P|.[11]

Loss mechanisms


 which gives scattering photocurrent. notably reflection off the front surface or the metal terminals. In the case of solar cells at standard temperature and pressure. or wider bandgap materials will convert shorter wavelength. The limit describes several loss mechanisms that are inherent to any solar cell design. bandgap materials will convert longer wavelength. a loss mechanism that affects any material object above absolute zero. These move from conduction band to valence band. where the electrons created by the photoelectric effect meet the electron holes left behind by previous excitations.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. also called narrower. The first are the losses due to blackbody radiation. photons with more energy than the bandgap. it is not collected at all. is about 34%. although that represents almost half of the power coming from the sun. with modern high­quality cells at about 22%. which has the side­effect of further increasing blackbody losses. This lost energy turns into heat in the cell. this loss accounts for about 7% of the power. 66% of the energy in the sunlight hitting the cell will be lost. Practical concerns further reduce this. In silicon. say blue light.[12] Combining all of these factors. or by Escatt. An https://en. [9] If the photon has less energy than the bandgap. The second is an effect known as "recombination". Band diagram illustration of the photovoltaic effect. the dominant loss mechanism is the inability of a solar cell to extract all of the power in the photon. like conventional silicon cells. Lower. however. This is a major consideration for conventional solar cells. and the associated problem that it cannot extract any power at all from certain photons. However. higher energy light. under unconcentrated sunlight. Figure A. Depending on the location. the maximum efficiency for a single­ bandgap material. the free encyclopedia The theoretical performance of a solar cell was first studied in depth in the 1960s. which gives generation photocurrent. but this extra energy is lost through collisions in a process known as "relaxation". lower energy photons. That is. A multi­ junction cell. Photons give their energy to electrons in the depletion or quasi­neutral regions.wikipedia. Higher. 3/20 . initially eject an electron to a state high above the bandgap. Conversely. can exceed that limit. this accounts for another 10% of the power. It is essentially impossible for a single­junction solar cell. and is today known as the Shockley–Queisser limit.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies The Shockley­Queisser limit for the efficiency of a single­junction solar cell. to have more than ~34% efficiency. which are not sensitive to most of the infrared spectrum. electrons and holes are accelerated by Edrift. This is due to the fact that the electrons must have enough energy to overcome the bandgap of the material.

 This means that you can make a multi­junction cell by layering the different materials on top of each other. one tuned to red light and the other to green. while the energy of the red.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 4/20 . So. anti­reflective them together coating and metallic contacts. Producing a tandem cell is not an easy task.[13] Conveniently. it can be demonstrated that the perfect bandgaps for a two­gap device are at 1. together with the maximum electricity conversion efficiency for every outside the cell. Uni­Solar's products use three such layers to reach efficiencies around 9%. Lab examples using more exotic thin­film materials have demonstrated efficiencies over 30%. tunnel junctions.5 solar spectrum.5 spectrum. (a) The structure of an MJ solar cell. in the near infrared. Following analysis similar to those performed for single­bandgap devices. yellow and orange would be lost only to the bandgap of the red­sensitive material. which happens to be very close to the natural bandgap in silicon and a number of other useful semiconductors. There are six important types of layers: pn and then wire junctions.[13] https://en.8 eV. As the photons have to pass through the cell to reach the proper layer to be absorbed. For instance. it will respond to multiple light wavelengths and some of the energy that would otherwise be lost to relaxation as described above. can be captured and converted. largely due to the thinness of the materials and the difficulties extracting the current between the layers.1 eV. junction as a function of the wavelength. transparent conductors need to be used to collect the electrons being generated at each layer.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. [11] This technique is widely used by amorphous silicon solar cells.1 eV and 1. back surface field (BSF) layers.wikipedia. Multi­junction cells Cells made from multiple materials have multiple bandgaps. window layers. (b) Graph of spectral irradiance E vs. The easy solution is to use two mechanically separate thin film solar cells Figure C. then the extra energy in green. wavelength λ over the separately AM1. if one had a cell with two bandgaps in it. light of a particular wavelength does not interact strongly with materials that are not a multiple of that wavelength. cyan and blue light would be lost only to the bandgap of the green­sensitive material. shows the best balance is reached at about 1. the free encyclopedia analysis of the AM1. shortest wavelengths on the "top" and increasing through the body of the cell.

102 1400 1 7 2. which is the source power density at a given wavelength λ. the photocurrent generated in each layer needs to be matched. and Germanium for the bottom sub­cell (Eg = 0. It is plotted together with the maximum conversion efficiency for every junction as a function of the wavelength. resulting in lattice­matched devices. In particular.[14] The favorable values in the table below justify the choice of materials typically used for multi­junction solar cells: InGaP for the top sub­cell (Eg = 1. nm (λ = 0. and ease of production. Since each sub­cell is connected electrically in series.2 30 1200 – – 5. high minority carrier lifetimes τminority. the same current flows through each junction. current­ matching.67 eV). Eg.66 100–1000 0. where the cell consists of a number of layers that are mechanically and electrically connected. These cells are much more difficult to produce because the electrical characteristics of each layer has to be carefully matched.9 8500 3 4–5 6 50 Ge 0. Because the different layers are closely lattice­matched.8 ­ 1. a greater degree of mismatch or other growth imperfections can lead to crystal defects causing a degradation in electronic properties.5451 2 500 – 5 5. allowing sub­bandgap light (hc/λ < e∙Eg) to transmit to the lower sub­cells. This limits their construction to certain materials.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 5/20 .8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia.9 eV).wikipedia. Figure C(b) plots spectral irradiance E(λ). cm²/(V·s) τp. m/s c­Si 1. The use of Ge is mainly due to its lattice constant. which is directly related to the number of photons available for conversion into photocurrent.65 0.1–60 InGaP 1. low cost. the fabrication of the device typically employs metal­organic chemical vapor deposition (MOCVD).12 0. otherwise electrons will be absorbed between layers.[11] absorption µ . and high performance opto­electronic properties. the free encyclopedia The more difficult solution is the "monolithically integrated" cell. and high mobilities µ. Therefore. This technique is preferable to the molecular beam epitaxy (MBE) because it ensures high crystal quality and large scale production. This necessitates usage of materials with strong absorption coefficients α(λ). best met by the III­V semiconductors.5653 0.5431 0. InGaAs for the middle sub­cell (Eg = 1.5868 https://en.4 eV). eV a. µm/K Material Eg.6 0.8 μm).[13] Material Choice The choice of materials for each sub­cell is determined by the requirements for lattice­matching. 1/µm n (Mohs) S.5657 3 3900 1000 6 7 1000 InGaAs 1. µs Hardness α. For optimal growth and resulting crystal quality.4 0. the layers must be electrically optimal for high performance. The materials are ordered with decreasing bandgaps.86 0. This constraint has been relaxed somewhat in recently developed metamorphic solar cells which contain a small degree of lattice mismatch. Finally. robustness. suitable bandgaps must be chosen such that the design spectrum will balance the current generation in each of the sub­cells. However. achieving current matching. abundance. the crystal lattice constant a of each material must be closely matched.3 50 GaAs 1.

 there must be   to have the same amplitudes for reflected fields and nL1dL1 = 4λmin. because the current generated by the bottom cell is greater than the currents generated by the other cells.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. the free encyclopedia Structural elements Metallic contacts The metallic contacts are low­resistivity electrodes that make contact with the semiconductor layers. the trapping of the light in the material (because photons cannot easily get out the MJ structure due to pyramids) and therefore. the path length of photons in the material.nL2dL2 = λmin/4 to have opposite phase for reflected fields. the p­doped region of the top cell would be directly connected with the n­doped region of the middle cell. usually SiO2) and L2 (usually TiO2). electrons can easily tunnel through the depletion region. this maximizes JSC by matching currents of the three subcells. the voltage must be low https://en.[17] Without it. Hence. a pn junction with opposite direction to the others would appear between the top cell and the middle cell. Particularly. The J­V characteristic of the tunnel junction is very important because it explains why tunnel junctions can be used to have a low electrical resistance connection between two pn junctions. without it. This provides an electrical connection to a load or other parts of a solar cell array. an AR coating is very important at low wavelengths because.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 6/20 . The high doping reduces the length of the depletion region because Hence. In order to decrease this effect. Consequently. the photovoltage would be lower than if there would be no parasitic diode. the reflection coefficient R decreases to 1%. The region where electrons can tunnel through the barrier is called the tunneling region.wikipedia. the thickness of AR layers is adjusted so that the infrared (IR) transmission (which corresponds to the bottom cell) is degraded while the ultraviolet transmission (which corresponds to the top cell) is upgraded. Tunnel junctions The main goal of tunnel junctions is to provide a low electrical resistance and optically low­loss connection between two subcells. the negative differential resistance region and the thermal diffusion region. T would be strongly reduced to 70%. There. And are important to be on the back face so that shadowing on the lighting surface is reduced. Figure D shows three different regions: the tunneling region. the thickness of each AR layer is also chosen to minimize the reflectance at wavelengths for which the photocurrent is the lowest.[18] It is simply a wide band gap. the thickness of each AR layer is chosen to get destructive interferences. Consequently. a tunnel junction is used. Therefore.[9] On the one hand. Anti­reflective coating Anti­reflective (AR) coating is generally composed of several layers in the case of MJ solar cells. They are often aluminum.[16] As example. highly doped diode. The top AR layer has usually a NaOH surface texturation with several pyramids in order to increase the transmission coefficient T.[15] On the other hand. They are usually on two sides of the cell. In the case of two AR layers L1 (the top layer.

these cannot jump above the barrier formed by the heterojunction because they don't have enough energy. (b) Layers and band diagram of a BSF layer. the resistance is extremely low and consequently. Indeed. A window layer is used in order to reduce the surface recombination velocity S.[19] This is why tunnel junctions are ideal for connecting two pn junctions without having a voltage drop. as illustrated in figure E. electrons (holes) cannot recombine with holes (electrons) and https://en. Because the length of the depletion region is narrow and the band gap is high. Similarly. electrons cannot cross the barrier because energy states are no longer available for electrons. the peak current density) and the slope near the origin is therefore steep. Therefore.wikipedia. The last region. Consequently. called thermal diffusion region. The scattering of carriers is reduced.e.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. When voltage is higher. current density through the tunnel junction is high (with maximum value of  . the middle cell. In order to avoid the reduction of the MJ solar cell performances. Hence. The structure of these two layers is the same: it is a heterojunction which catches electrons (holes). a back­surface field (BSF) layer reduces the scattering of carriers towards the tunnel junction. corresponds to the J­V characteristic of the usual diode: Figure D: Layers and band diagram of the tunnel junction. the current density decreases and the differential resistance is negative. The surface recombination is reduced. tunnel junctions must be transparent to wavelengths absorbed by the next photovoltaic cell. i. EgTunnel > EgMiddleCell. Window layer and back­surface field Figure E: (a) Layers and band diagram of a window layer. the free encyclopedia enough so that energy of some electrons who are tunneling is equal to energy states available on the other side of the barrier. electrons can tunnel.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 7/20 . Then. the voltage too. despite the electric field Ed.

[23] To fully take advantage of Henry’s method. number of photons/m2/s). which are not necessarily equal for each subcell.e.[20] J­V characteristic For maximum efficiency. EgWindow > EgEmitter and EgBSF > EgEmitter. Henry.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 8/20 . If it is assumed that each photon absorbed by a subcell creates an electron/hole pair (which is a good approximation). this equates to: [22] The value of   is obtained by linking it with the absorption coefficient  . window and BSF layers must be transparent to wavelengths absorbed by the next pn junction i.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. By approximation. It measures the ratio between the amount of electron­hole pairs created and the incident photons at a given wavelength λ. this leads to:[20]  where di is the thickness of the subcell i and  of incident light which is not absorbed by the subcell i. H.[21] it results in the same relationship for the short­circuit current of the MJ solar cell: JSC = min (JSC1. it is necessary to carry out an intermediate unit conversion from the power of https://en. the total current through the solar cell is the lowest of the three.  is the percentage Similarly.e. the lattice constant must be close to the one of InGaP and the layer must be highly doped (n ≥ 1018 cm−3). each subcell should be operated at its optimal J­V parameters. the number of photons absorbed per unit of length by a material. If they are different.  are then given by the J­V diode equation: Theoretical Limiting Efficiency We can estimate the limiting efficiency of ideal infinite multi­junction solar cells using the graphical quantum­efficiency (QE) analysis invented by C. Because of the impossibility to obtain JSC1..5 spectral irradiance should be converted to that of photon flux (i. Furthermore. because . JSC2. By definition. JSC3 directly from the total J­V characteristic. the following approximation can be used:  The values of  . the free encyclopedia cannot diffuse through the barrier. the unit of the AM1. i. By the way.wikipedia. JSC3) where JSCi(λ) is the short­circuit current density at a given wavelength λ for the subcell i. To do that.e. the quantum efficiency QE(λ) is utilized. JSC2. Let φi(λ) be the photon flux of corresponding incident light in subcell iandQEi(λ) be the quantum efficiency of the subcell i.

Then the photon flux per photon energy. the AM1. Based on the above result from the intermediate unit conversion. from [W/m2/eV] to [number of photons/m2/s/eV]).998∙10−25 [J∙s∙m/s]) = E∙λ∙5. dnph/dhν. (3):  As a result of this numerical integration. https://en. we can derive the photon flux by numerically integrating the photon flux per photon energy with respect to photon energy. h is Planck’s constant (h = 6. The numerically integrated photon flux is calculated using the Trapezoidal rule. as follows. Photon flux per photon energy from standard solar energy spectrum (AM of 1. Figure 1. as shown in Figure 1. (1): Eph = h∙f = h∙(c/λ) where Eph is photon energy. [number of photons/m2/s]. with respect to certain irradiance E [W/m2/eV] can be calculated as follows. (2):   = E/{h∙(c/λ)} = E[W/(m2∙eV)]∙λ∙(10−9 [m])/(1.03∙1015 [(# of photons)/(m2∙s∙eV)] As a result of this intermediate unit conversion.998*108 [m/s]). the following points have to be considered: A photon has a distinct energy which is defined as follows. as shown in Figure 2. c is speed of light (c = 2. the AM1.e.5). [number of photons/m2/s/eV]. For this intermediate unit conversion. the free encyclopedia electromagnetic radiation incident per unit area per photon energy to the photon flux per photon energy (i.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia.wikipedia.626*10−34 [J∙s]).org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 9/20 .5 spectral irradiance is given in unit of the photon flux. and λ is wavelength [nm].. f is frequency [1/s].5 spectral irradiance is given in unit of the photon flux per photon energy.

3096 eV because the standard (AM1.[24] Jrad can be approximated as follows. the current graphical QE analysis still cannot reflect the second intrinsic loss in the efficiency of solar cells.6.5) solar energy spectrum for hν < 0.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. the graphical QE analysis can be done using the only available data with a reasonable assumption that semiconductors are opaque for photon energies greater than their bandgap energy. first. It is should be noted that there are no photon flux data in the small photon energy range from 0 eV to 0. According to Shockley and Queisser method. Photon flux from standard solar energy spectrum (AM of 1. (6):  The current density delivered to the load is the difference of the current densities due to absorbed solar and thermal radiation and the current density of radiation emitted from the top surface or absorbed in the substrate. Jrad. This assumption accounts for the first intrinsic loss in the efficiency of solar cells.wikipedia. Regardless of this data unavailability. we have (7): J = Jph + Jth ­ Jrad https://en. the value for GaAs. but transparent for photon energies less than their bandgap energy. However. which is caused by the inability of single­junction solar cells to properly match the broad solar energy spectrum. we need to evaluate the radiative current density. however. To take the radiative recombination into account. the free encyclopedia Figure 2.5). The incident absorbed thermal radiation Jth is given by Jrad with V = 0. Defining Jph = enph.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 10/20 . radiative recombination.31 eV are not available. (4):  (5):  where Eg is in electron volts and n is evaluated to be 3.

 ≥ 0. as can be shown by evaluation of the above Jth equation. Then we can express J as follows. (8):  The open­circuit voltage is found by setting J = 0. is negligible compared to Jph for all semiconductors with E. (9):  The maximum power point (Jm.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 11/20 . we have (13):  Using the above equation. Wm (red line) is plotted in Figure 3 for different values of Eg (or nph). we will neglect this term to simplify the following discussion. https://en.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. Vm) is found by stetting the derivative  . Wm is given by (12):  Combining the last three equations. the free encyclopedia The second term. Thus. the maximum work (Wm) done per absorbed photon.g. Jth.wikipedia. The familiar result of this calculation is (10):  (11):  Finally.3 eV.

42eV. the free encyclopedia Figure 3. (This is why this method is called “graphical” QE analysis.[25][26] there is a small gap between the estimated value in this report and literature values.8% by comparing the shaded area defined by the red line with the total photon­flux area determined by the black line. Gallium arsenide substrate Dual junction cells can be made on Gallium arsenide wafers. Hence. This alloy range provides for the ability to have band gaps in the range of 1. Materials The majority of multi­junction cells that have been produced to date use three layers (although many tandem a­Si:H/mc­Si modules have been produced and are widely available). This minor difference is most likely due to the different ways how to approximate the photon flux from 0 eV to 0. Now.3096 eV.87eV.3096 eV as the same as the photon flux at 0. The shaded area under the red line represents the maximum work done by ideal infinite multi­junction solar cells. which has led to most of them being made of gallium arsenide (GaAs) compounds.92eV to 1.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 12/20 . the triple junction cells require the use of semiconductors that can be tuned to specific frequencies.5Ga. Maximum work by ideal infinite multi­junction solar cells under standard AM1.) Although this limiting efficiency value is consistent with the values published by Parrott and Vos in 1979: 64% and 68. taking into account the two major intrinsic losses in the efficiency of solar cells. Alloys of Indium gallium phosphide in the range In. the limiting efficiency of ideal infinite multi­junction solar cells is evaluated to be 68. we can fully use Henry’s graphical QE analysis. we approximated the photon flux from 0 eV to 0. Germanium substrate https://en.47P serve as the high band gap alloy. and GaInP2 for the top­cell. The two main intrinsic losses are radiative recombination. and the inability of single junction solar cells to properly match the broad solar energy spectrum.2% respectively.53Ga. often germanium for the bottom­.wikipedia. However.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia.31 eV. Here. GaAs for the middle­. The lower GaAs junction has a band gap of 1.5P through In.5 spectral irradiance.

 resulting in a lower defect density. Indium Phosphide has a band gap of 1.wikipedia. and Ge (0. A quaternary alloy of Indium gallium arsenide phosphide can be lattice matched for any band gap in between the two. one can use a wider range of materials for the bottom cell because more materials are lattice­matched to GaAsSb than to Ge. have a lower tunneling distance. the free encyclopedia Triple junction cells consisting of indium gallium phosphide (InGaP).4 eV. because the lattice constant is larger for GaAsSb than Ge.47As) is lattice matched to Indium Phosphide with a band gap of 0.[31][32] Performance improvements Structure All MJ photovoltaic cells use III­V semiconductor materials.53Ga0. Its bandgap can be tuned by varying the amount of indium in the alloy from 0.74eV. is increased.985As. Due to the huge band gap difference between GaAs (1. instead of conventional InGaP highly doped tunnel diodes described above.35eV and 0. Later cells have utilized In0. Early cells used straight gallium arsenide in the middle junction.[18] Consequently. Indium phosphide­based cells have the potential to work in tandem with gallium arsenide cells. GaAsSb heterojunction tunnel diodes offer other advantages. the valence band of GaAsSb is higher than the valence band of the adjoining p­doped layer. with the Ge junction operated significantly current limited. its conversion efficiencies because of technological factors unrelated to bandgap are still not high enough to be competitive in the market. Current efficiencies for commercial InGaP/GaAs/Ge cells approach 40% under concentrated sunlight.7 eV to 3.66eV). The two cells can be optically connected in series (with the InP cell below the GaAs cell). the tunneling distance dtunnel is reduced and so the tunneling current. The same current can be achieved by using a lower doping.015Ga0.[30] However.[29] Indium phosphide substrate Indium phosphide may be used as a substrate to fabricate cells with band gaps between 1. in the heterostructure formed by GaAsSb and InGaAs.[18] https://en. It is a ternary group III/V direct bandgap semiconductor. gallium arsenide (GaAs) or indium gallium arsenide (InGaAs) and germanium (Ge) can be fabricated on germanium wafers. Indeed. Hence. due to the better lattice match to Ge.[33] Secondly.35eV. Indium gallium nitride substrate Indium gallium nitride (InGaN) is a semiconductor material made of a mix of gallium nitride (GaN) and indium nitride (InN). the current match is very poor.42eV).8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia.74eV. the voltage is lower than that of the InGaP tunnel junction. which exponentially depends of dtunnel.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 13/20 .[27][28] Lab cells (partly using additional junctions between the GaAs and Ge junction) have demonstrated efficiencies above 40%. or in parallel through the use of spectra splitting using a Dichroic filter. Indium gallium arsenide (In0. GaAsSb­based heterojunction tunnel diodes. thus making it an ideal material for solar cells.

36 pn junctions. This results in the variation of φ(λ). one might expect a three­layer cell of 30% efficiency. 50. produces the highest efficiencies seen to date. It can be shown that a high (low) value for APE means low (high) wavelengths spectral conditions and higher (lower) efficiencies. which inhibits performance.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 14/20 . 72% for 1. The intensity concentration ratio (or “suns”) is the average intensity of the focused light divided by 0. The theoretical efficiency of MJ solar cells is 86. and light guide optics.[34] covering a larger part of the solar spectrum and obtain a higher open­circuit voltage VOC.wikipedia. meaning that a 1 cm² cell can use the light collected from 0. α(λ) and thus the short­circuit currents JSCi. reflective dishes (parabolic or cassegraine). If its value is X then the MJ current becomes X higher under concentrated illumination. the free encyclopedia Chemical components can be added to some layers.[34] InGaP is advantageous because of its high scattering coefficient and low solubility in Ge.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. The three types of light concentrators in use are refractive lenses like Fresnel lenses.8% for an infinite number of pn junctions.[20] The exponential relationship implies that as the cell approaches the limit of efficiency. Decreasing the thickness of the top cell increases the transmission coefficient T. but existing commercial prototypes have already demonstrated over 40%. Spectral variations Solar spectrum at the Earth surface changes constantly depending on the weather and sun position. The maximum theoretical efficiency is 37. Three­layer cells are fundamentally limited to 63%.[35] Use of light concentrators Light concentrators increase efficiencies and reduce the cost/efficiency ratio.[36][37] Using concentrations on the order of 500 to 1000. so assuming the same is true for a non­concentrated version of the same design. with the number of junctions increasing exponentially to achieve equal effiency increments.[35] Thus APE is a good indicator for quantifying the effects of the solar spectrum variations on performances and has the added advantage of being independent of the device structure and the absorption profile of the device.1 W/cm². the increase cost and complexity grow rapidly.[20] Finally. 56. an InGaP hetero­layer between the p­Ge layer and the InGaAs layer can be added in order to create automatically the n­Ge layer by scattering during MOCVD growth and increase significantly the quantum efficiency QE(λ) of the bottom cell.1 m² (as 1 m² equal 10000 cm²). Adding about one percent of Indium in each layer better matches lattice constants of the different layers. https://en. light arriving on a large surface can be concentrated on a smaller cell. Adding aluminium to the top cell increases its band gap to 1. These variations can be quantified using the average photon energy (APE) which is the ratio between the spectral irradiance G(λ) (the power density of the light source in a specific wavelength λ) and the total photon flux density. As a result. Thanks to these devices. QE(λ). 3.[38] [39] These cells capture about 2/3 of their theoretical maximum performance. respectively.[34] Without it.[11] implying that more junctions increase efficiency.96 eV.08 percent of mismatching between layers. the current densities Ji are not necessarily matched and the total current becomes lower. there is about 0. 2.

089 33 1 CdTe 16. the free encyclopedia This is not enough of an advantage over traditional silicon designs to make up for their extra production costs.8 63 100 Polysilicon 20. normally using mirrors or fresnel lenses.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia.86 0. along with a concentrator. the main property of a MJ solar cell is having more than one pn junction in order to catch a larger photon energy spectrum while the main property of the thin film solar cell is to use thin films instead of thick layers in order to decrease the cost efficiency ratio. Using a concentrator also has the added benefit that the number of cells needed to cover a given amount of ground area is greatly reduced. almost all multi­junction cell research for terrestrial use is dedicated to concentrator systems. MJ solar panels are more expensive than others.6 1.5 – – – 1 MJ 40. Categories Crystalline silicon cells Thin film solar cells Multi­junction cells Technology η (%) VOC (V) ISC (A) W/m² t (µm) Refs Monocrystalline 24. A conventional system covering 1 m² would require 625 16 cm² cells.35 211 200 Amorphous silicon 11. Physically. The argument for concentrated Multi­junction cells has been that the high cost of the cells themselves would be more than offset by the reduction in total number of cells. but also cost.5 0. the downside of the concentrator approach is that efficiency drops off very quickly under lower lighting conditions.81 476 140 MJ solar cells and other photovoltaic devices have significant differences (see the table above). For this reason. CIGS and CdTe). A new technique was announced that year that allowed such cells to use a substrate of glass or steel. [40] Comparison with other technologies There are four main categories of photovoltaic cells: conventional mono and multi crystalline silicon (c­Si) cells.63 0. the concentrator system has to track the sun as it moves to keep the light focused on the cell and maintain maximum efficiency as long as possible. As of 2010. https://en. thin film solar cells (a­Si.1 0.7 2.3 0.029 – 5 CIGS 19. using techniques similar to semiconductor device fabrication. lower­ cost vapors in reduced quantities that was claimed to offer costs competitive with conventional silicon cells. This requires a solar tracker system. emerging photovoltaics.615 8. The fourth category. These differences imply different applications: MJ solar cells are preferred in space and c­Si solar cells for terrestrial applications.wikipedia.7 0. which increases yield. and multi­junction (MJ) solar cells.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 15/20 . usually metalorganic vapour phase epitaxy but on "chip" sizes on the order of centimeters. contains technologies that are still in the research or development phase and are not listed in the table below. In order to maximize its advantage over traditional cells and thus be cost competitive.5 0. However. Fabrication As of 2014 multi­junction cells were expensive to produce. but for a concentrator system only a single cell is needed.

 To improve current match. with light concentrators under illumination of at least 400 suns.5 spectrum as the reference.87eV vs. Measurements on MJ solar cells are usually made in laboratory. the cost of MJ solar cells was too high to allow use outside of specialized applications. but QE(λ) contains no information on the matching of currents of subcells. The cells have a poor current match due to a greater photon flux of photons above 1. using light concentrators (this is often not the case for the other cells) and under standard test conditions (STCs). An important comparison point is rather the output power per unit area generated with the same incident light. Nevertheless. performance of MJ solar cells in terrestrial environment is inferior to that achieved in laboratory.[42] MJ cells are currently being utilized in the Mars rover missions. Because there is no atmosphere.[43] The environment in space is quite different. the solar spectrum is different (AM0).87eV and 1. MJ solar cells are designed such that currents are matched under STC. MJ solar panels become practical. Applications As of 2010.wikipedia. while the efficiency of solar modules and multi­ junction technology are progressing. This air mass (AM) corresponds to a fixed position of the sun in the sky of 48° and a fixed power of 833 W/m². The high cost is mainly due to the complex structure and the high price of materials.[41] Consequently. the AM1.42eV. the free encyclopedia The efficiencies of solar cells and Si solar technology are relatively stable. those between 1. but not necessarily under field conditions. One can use QE(λ) to compare performances of different technologies. Moreover. for terrestrial applications. This results in too little current in the GaAs junction. STCs prescribe.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. and hampers the overall efficiency since the InGaP junction operates below MPP current and the GaAs junction operates above MPP current. Therefore. spectral variations of incident light and environmental parameters are not taken into account under STC.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 16/20 .[20] As less expensive multi­junction materials become available other applications involve bandgap engineering for microclimates with varied atmospheric conditions. the InGaP layer is intentionally thinned to allow additional photons to penetrate to the lower GaAs layer. https://en.

 U.Zolper. Solar Energy Research Institute (1982) 11.CO%3B2­8).5% Efficiency" (http://news. There are two kinds of damage: ionisation and atomic displacement.028). Cnet.Klem.S.vacuum.Park.html) 14.asp?id=234&LangType=1033).com/2012/05/31/sharp­hits­ concentrator­solar­cell­efficiency­record­43­5/) 6. "Photovoltaic solar cells: Choice of materials and production methods".A.google.  Daniel J.solmat. C (2000). series interconnected solar cells" (http://photovoltaics. 18. "Antireflection coating design for multi­junction.google.superstrate.006 (https://dx. K (2006). O.site.1016/S0921­5107(99)00272­X (https://dx. p.  Green.01. M; Takamoto. doi:10.Yastrebova (2007).eecs. 2008­11­18.pdf).  Green.  "Uni­Solar Energy Production" (http://www.2006.org/10. Third Generation Photovoltaics: Advanced Solar Energy Conversion. 17. S; Guillet.emcore.  Miles.Bulteel.[20] References 1.  "New South Innovations News ­ UNSW breaks solar cell record" (http://www.Flandre. 13.nrel. doi:10.doi.  "Sharp Hits Concentrator Solar Cell Efficiency Record.0. 43.  Yamaguchi. 20.doi. M.com/books?id=_Xs6QgAACAAJ).1016%2Fj.uni­solar.  "Concentrating Photovoltaic Technology" (http://www. 12.  "Dawn Solar Arrays" (http://www.679. "Super high­efficiency multi­junction and concentrator solar cells".1016/j. Springer. NREL 8.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia.html). NewSouth Innovations. Progress in Photovoltaics: Research and Applications 8 (6): 563–570.pdf).doi.net/pv/limit/tandem.ca/wp­content/uploads/2014/pdf/HiEfficMjSc­CurrStatusFuturePotential. doi:10.org/10.com. J; Levyclement.0. higher efficiency and a lower temperature coefficient.Delamare.1002/1099­159X(200011/12)8:6<563::AID­PIP327>3.2006. Dutch Space.html). MJ cells offer higher radiation resistance.[44] Still. 5.  J. 65.uottawa. Solar Energy Materials and Solar Cells 90 (18–19): 3068–3077.com/assets/photovoltaics/ZTJ_datasheet.nl/pages/business/content.1016%2FS0921­5107%2899%2900272­X).V.sandia. Semiconductor tunnel junction with enhancement layer. 2.  "Tandem solar cells" (http://www. S.1002%2F1099­159X%28200011%2F12%298%3A6%3C563%3A%3AAID­ PIP327%3E3. Conversion lumière/électricité: notions fondamentales et exemples de recherche 10.org/10. doi:10. 4. (2003).01.87eV. Technical Information Office. Retrieved 2012­06­23. Materials Science and Engineering B.doi.  "Solar Junction Breaks Concentrated Solar World Record with 43.Wheeldon et al. S; Bastide. Vacuum 80 (10): 1090– 1097. T; Araki.F.au/news/solar_cell_record. Retrieved July 18.Aiken (2000).06. Patent 5. emcore 7.  "Basic Photovoltaic Principles and Methods" (http://books.com/wp­content/uploads/pdf/Energy_Production_EN.  Luque & Hegedus 2003.uottawa.5%" (http://cleantechnica. 15. ISBN 3­540­26562­7. J.solmat.1016%2Fj. 2011.cnet.2006. (2009). "AlGaAs Tunnel Junction for high efficiency multi­junction solar cells: simulation and measurement of temperature­dependent operation" (http://sunlab.  R. 69­70: 81–86. Martin A. 390 ff https://en. 3.  "ZTJ Space Solar Cell" (http://www.  Strehlke. Third Generation Photovoltaics.gov/csp/concentrating_pv.pdf) (PDF).pdf) (PDF). Springer­Verlag.  N.1016/j.F. the free encyclopedia In terrestrial concentrating applications.org/10.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 17/20 .ca/pdf/conferences/PVSC2009_JWheeldon_AlGaAsTjHiEfficMjSc­ Sim&MeasTDep.pdf) (PDF).963 (https://www.028 (https://dx.006). High­efficiency multi­junction solar cells: current status and future potential (http://sunlab. p.CO;2­8 (https://dx.nsinnovations.gov/docs/PDF/aikencell.com/patents/US5679963)(1997) 19. (2003). 2007.06.Radiation particles that are no longer filtered can cause damage the cell. D. better balancing the junction currents. R (2006).com.com/8301­ 11128_3­20053851­54. "Design of porous silicon antireflection coatings for silicon solar cells". Uni­Solar 9.2006.  J.vacuum. the scatter of blue light by the atmosphere reduces the photon flux above 1.C.html). 16.dutchspace.wikipedia.

.edu/abs/2005SoEn. Xingwang (2008).W. physical properties and emission mechanisms".org/10.1063%2F1.2004. (1979).org/10. 33.1007/s11661­013­ 1622­1 (https://dx. A. (1961). Fubao; Yin.2003.1007%2Fs11661­013­1622­1).  McLaughlin.1002%2Fpip. K; Ekinsdaukes.51.  J. 27. Azurspace. "InGaN: An overview of the growth kinetics.  Luque & Hegedus 2003. "Complete compositional tunability of InGaN nanowires using a combinatorial approach". "A simple method for quantifying spectral impacts on multi­junction solar cells". doi:10. 31.solener. Zolper et al. A. J.2009.. M. doi:10.1088/0022­3727/12/3/014 (https://dx. 23..83.doi.  Luque & Hegedus 2003.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. T; Araki. Lei; Chen. CNET News.; Warta.51. pp.78Y).php/en/products/products­ cpv/cpv­solar­cells).1063/1.; Dunlop. 25.htm).1016/j.doi..1306273 (inactive 2015­02­01).78Y (http://adsabs.79. pp.; Pearce. J.; Emery.org/10.009).doi.org/10. "The limiting efficiency of an edge­illuminated multigap solar cell".2009.. 30. Journal of Applied Physics 51 (8): 4494.azurspace. Zhigang; Zhang. K.solener. Retrieved 2014­08­17.1063/1.83. Superlattices and Microstructures 43 (1). 22.1016%2Fj.  "Impact of spectral effects on the electrical parameters of multijunction amorphous silicon cells" (https://dspace. T.edu/2635794/Progress_in_Indium_Gallium_Nitride_Materials_for_Solar_Photovoltaic_En ergy_Conversion). "Multi­junction III–V solar cells: current status and future potential".2267 (https://dx.wikipedia.79. the free encyclopedia 21. Han; Gao. M; Takamoto.K.  Green. 24.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 18/20 .1109/WCPEC. Bibcode:2009SoEn.solener. Peidong (2007).1736034). 32.05.1109%2FWCPEC.09. doi:10.com/Solar­cell­breaks­efficiency­ record/2100­11395_3­6141527. doi:10..edu/abs/1980JAP.A.academia. doi:10. Proceedings of 1994 IEEE 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion ­ WCPEC (A Joint Conference of PVSC.cnet. Solar Energy 79 (1): 78–85. "Detailed Balance Limit of Efficiency of p­n Junction Solar Cells".D..A. 61 ff 37. D. "Detailed balance limit of the efficiency of tandem solar cells". 26. Bibcode:2005SoEn.  Michael Kanellos.; Ulrich.org/10.. 34..1736034 (https://dx.  Liu.doi. W. 35. G.solener. Retrieved 2015­08­04.org/10.harvard.; Hishikawa.1002/pip.2004.com/dataSheets.; Hassan.1109/WCPEC. (2008).  "CPV Solar Cells—Azurspace Power Solar GmbH" (http://www.edu/abs/2009SoEn.2267).harvard... E. Journal of Physics D: Applied Physics 12: 441–450. Ming; Zhang..org/10. Journal of Applied Physics 32: 510. Nature 6.  "The World's leading provider of compound semiconductor and lighting products" (http://www.harvard. G. ISBN 0­7803­ 1460­3. Spectrolab. H.009 (https://dx.org/10..P.org/10.09. Nuofu; Bai.  Shockley. PVSEC and PSEC) 2: 1843. Yiming; Cui. doi:10. doi:10.M. F.4494H (http://adsabs.  Peharz. doi:10. 29.1588P). "Quantum efficiency and temperature coefficients of GaInP/GaAs dual­junction solar cell".  Henry. doi:10.uk/dspace­jspui/bitstream/2134/8216/1/betts3.1588P (http://adsabs.doi. Metallurgical and Materials Transactions A 44 (4): 1947–1954. (2009).  Vos.V. 6 December 2006 https://en.. Bibcode:1980JAP.osti.spectrolab.1088%2F0022­ 3727%2F13%2F5%2F018).  Parrott.org/10. 36.520724 (https://dx.html)..pdf) (PDF). 449 ff 38. (2013).lboro. N (2005). (1980). 28. W; Queisser.520724). D. "Limiting efficiencies of ideal single and multiple energy gap terrestrial solar cells"..328272).  Yam.ac.1007/s11431­008­0203­9 (https://dx.018).1088/0022­3727/13/5/018 (https://dx. Philipp; Aloni.  Yamaguchi. (2012).doi. doi:10.doi. Y.. Journal of Physics D: Applied Physics 13: 839–846. "Solar cell efficiency tables (version 40)". Science China Technological Sciences 52 (5): 1176–1180. Z. C.doi.1016/j.1994.4494H). Solar Energy 83 (9): 1588–1598. "Progress in Indium Gallium Nitride Materials for Solar Photovoltaic Energy Conversion" (https://www.018 (https://dx.328272 (https://dx.doi. 2009.doi.1088%2F0022­ 3727%2F12%2F3%2F014).  Kuykendall. (1994).1994. "Ga As Sb­based heterojunction tunnel diodes for tandem solar cell interconnects" (http://www.C.com/index.1063%2F1.. doi:10.05. H.; Siefer.1007%2Fs11431­008­0203­9). (1980). "Solar cell breaks efficiency record" (http://news. Shaul; Yang.; Bett. Progress in Photovoltaics: Research and Applications 20 (5): 606–14.gov/bridge/servlets/purl/10107906­3FIrKs/webviewable/).1016%2Fj.

google. Kevin (2014­06­09).edu/abs/2004AcAau. Gwamuri. International Journal of Photoenergy. Crisp.1016%2Fj.com/news/527926/exotic­highly­efficient­solar­cells­may­soon­get­ cheaper). Ewell (2004). you agree to the Terms of Use and Privacy Policy. Text is available under the Creative Commons Attribution­ShareAlike License; additional terms may apply.com/News/2011/11/Energy­Solar­ Energy­Berkeley­Lab­Research­Sparks­Record­Breaking­Solar­Cell­Performances/)) See also List of semiconductor materials Organic photovoltaic cell PIN diode Micromorph ( a­Si/μc­Si tandem­cell) Retrieved from "https://en. Zhang. T (2007). Handbook of Photovoltaic Science and Engineering (http://books.1016/j.. A. H; Gottschalg..com/books?id=u­bCMhl_JjQC&pg=PT390). C. doi:10.technologyreview.8 Percent" (http://www. at 02:13. 42.doi. doi:10. and J.harvard.  D. By using this site.html). News Center (Lawrence Berkeley National Laboratory). (2003)... 13 August 2008 40. Antonio; Hegedus.54.php?title=Multi­junction_solar_cell&oldid=675354528" Categories:  Solar cells Energy conversion Semiconductor devices Electronics This page was last modified on 10 August 2015.nrel. R; Betts.lbl. . "High Efficiency Solar Cells for the Price of Conventional Ones | MIT Technology Review" (http://www. 44.012 (https://dx. Pearce. "Modeling the effect of varying spectra on multi junction A­SI solar cells". Retrieved 2014­08­17.academia. 414 ff Further reading Luque.83C (http://adsabs. ISBN 0­471­ 49196­9.org/10.org/w/index.  Albuflasa.S.  "NREL Solar Cell Sets World Efficiency Record at 40.gov/news/press/2008/625.com.open access (https://www.  Luque & Hegedus 2003. https://en.83C). "The performance of gallium arsenide/germanium solar cells at the Martian surface".54.desal.1016%2FS0094­5765%2802%2900287­4).04.  Bullis.1016/S0094­ 5765(02)00287­4 (https://dx. Design of Multi­Junction Photovoltaic Cells Optimized for Varied Atmospheric Conditions.. Berkeley Lab Research Sparks Record­Breaking Solar Cell Performance (http://newscenter.514962. eds.  C.rdmag.gov/feature­stories/2011/11/07/record­breaking­solar­cell­performances/). Yarris. Steven.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia. Bibcode:2004AcAau.desal. "Theoretical research by scientists with the U. Inc. Retrieved 10 Dec 2011. 41. Desalination 209 (1–3): 78–85.012). Pathareb and R.04. J. the free encyclopedia 39. Department of Energy (DOE)’s Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) has led to record­breaking sunlight­to­electricity conversion efficiencies in solar cells. (2014).edu/9178398/Design_of_Multijunction_Photovoltaic_Cells_Optimized_for_Varied_Atmos pheric_Conditions) 43.org/10. R. a non­profit organization. Technologyreview.doi. Andrews." (reprinted in R&D Magazine (http://www..wikipedia.org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 19/20 . 1­7. pp. a.2007. Wikipedia® is a registered trademark of the Wikimedia Foundation. Lynn (7 Nov 2011).2007. John Wiley & Sons. pp. National Renewable Energy Laboratory. Progress in Photovoltaics: Research and Applications 54 (2): 83–101. M..wikipedia.

org/wiki/Multi­junction_solar_cell#Comparison_with_other_technologies 20/20 . the free encyclopedia https://en.8/11/2015 Multi­junction solar cell ­ Wikipedia.wikipedia.