TRANSISTORES

1.1 TRANSISTORES BJT

Caractersticas de los Transistores:

El consumo de energa es relativamente baja.

El tamao de los transistores es relativamente mas pequea que los tubos de

vaco.

El peso.

Una vida larga til (muchas horas de servicio).

Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).

No necesita tiempo de calentamiento.

Resistencia mecnica elevada.

Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad

(fenmenos sensibles a la luz).
Construccin de Transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se
desarrollar una apreciacin de la eleccin de esta notacin cuando se analice la
operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del
ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales.
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza un
portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.

a)

b)

Figura 4.14. Tipos de transistores: a) pnp; b) npn.

1

Operacin del Transistores

Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura
4.14a. la operacin del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran la
funciones que cumplen el electrn y el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el
transistor pnp sin la polarizacin base - colector. El espesor de la regin de agotamiento
se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por resultado un flujo muy
considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.

Figura 4.15. Unin con polarizacin directa de un transistor pnp.

Ahora se eliminar la polarizacin base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a,
segn se muestra en la figura 4.16. En resumen:
Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene
polarizacin inversa.
ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo
resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las
regiones de agotamiento, que indican con claridad cul unin tiene polarizacin directa
y cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de portadores mayoritarios a travs
de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la pregunta sera si
acaso estos portadores contribuirn de forma directa a la corriente de base IB o si
pasarn directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy
delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar
esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los
microamperes, comparando con miliamperes para las corrientes del emisor y del
colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la
unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del
colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios
pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se
considera que para el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios
inyectados aparecern como portadores con polarizacin inversa, los portadores
mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n.

En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la

regin de la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los
portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesar la unin con polarizacin
inversa de un diodo puede atribursele el flujo.

Figura 4.16. Unin con polarizacin inversa de un transistor pnp.

Configuracin de Base Comn

Para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn. La terminologa de la
base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la
salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a,
o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones
de corriente harn referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto
al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la
direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales,
como los amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas,
uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la
salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la
corriente de entrada (IE). el conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres
regiones bsicas de inters: la regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa
es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular:
En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente, mientras que la
unin emisor - base se polariza directamente.
La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 4.17. En el
extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la
verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin inversa ICO,
como lo seala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se compara con la
escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la
configuracin de base comn se muestra en la figura 4.19. La notacin que con ms
frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se
indica en la figura 4.19, ICBO.
3

Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los
transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia
baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo,
para las unidades de mayor potencia ICBO, as como Is, para el diodo (ambas corrientes
de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de
ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy
rpidamente con la temperatura.
En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor - base de un
transistor tienen polarizacin inversa.
En la regin de saturacin, tanto la unin como la emisor - base estn en polarizacin
directa.

a)

b)

Figura 4.17. Smbolos utilizados con la configuracin comn: a) transistor pnp; b)

transistor npn.

Figura 4.18. Caractersticas de salida o colector para un amplificador a transistor de

base comn.

Figura 4.19. Corriente de saturacin inversa.

Configuracin de Emisor Comn

La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura 4.20
para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido
a que el emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de
salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una
vez ms, se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el
comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o
base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor.
En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se
encuentra polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra
polarizada directamente.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la
configuracin de emisor comn se definir mediante IC = ICEO.

a)

b)

Figura 4.20. smbolos utilizados con la configuracin de emisor comn: a) transistor

npn; b) transistor pnp.
Configuracin de Colector Comn
La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de
acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una
baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y
de un emisor comn.
5

La figura 4.21 muestra una configuracin de circuito de colector comn con la

resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se
encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a
la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de
un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito
de la figura 4.21. puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la
configuracin de colector comn son la mismas que para la configuracin de emisor
comn.

Figura 4.21. Configuracin de colector comn utilizado para propsitos de

acoplamiento de impedancia.

4.7 BJT COMO CONMUTADOR

Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A travs
de un diseo adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para
aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor en los circuitos lgicos de
las computadoras.
Observe la figura 4.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic sobre la
base o a la terminal de entrada. Tambin obsrvese la ausencia de una fuente de dc
conectada al circuito de la base. La nica fuente de dc est conectada al colector o lado
de la salida, y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la

magnitud del nivel "alto" de la seal aplicada, en este caso 5 V.

Figura 4.24. Transistor inversor.

El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin conmute
de corte a la saturacin, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52.
para estos propsitos se asumir que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0 A (una excelente
aproximacin de acuerdo con las mejoras de las tcnicas de fabricacin).
Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el diseo debe asegurar que
la red est saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva IB, que
aparece cerca del nivel de saturacin. El nivel de saturacin para la corriente del
colector y para el circuito est definido por:
ICsat = Vcc/ Rc
4.8 TRANSISTOR DE POTENCIA
Mientras los circuitos integrados se usan para aplicaciones de pequeas seales y baja
potencia, la mayora de las aplicaciones de alta potencia todava requieren transistores
de potencia discretos. Las mejoras en las tcnicas de produccin han proporcionado
potencias ms altas en encapsulados de tamao pequeo; tambin han aumentado el
voltaje de ruptura mximo de transistor y han proporcionado transistores de potencia
con una velocidad de conmutacin mayor.
La potencia mxima manejada por un dispositivo particular y la temperatura de las
uniones del transistor estn relacionadas, debido a que la potencia disipada por el
dispositivo causa un incremento de temperatura en la unin del dispositivo. Es obvio
que un transistor de 100W proporcionar ms capacidad de potencia que un transistor
7

de 10 W. Se debe hacer notar que de los dos tipos de transistores bipolares (germanio y
silicio), aquellos de silicio proporcionan temperaturas nominales mximas. Por lo
general, la temperatura mxima de unin de estos tipos de transistores de potencia es:
Silicio: 150-200C
Germanio: 100-110C
Para muchas aplicaciones, la potencia promedio disipada puede aproximarse mediante
PD = VCEIC
Sin embargo, esta disipacin de potencia se permite solamente hasta una temperatura
mxima.
Por arriba de esta temperatura se debe reducir la capacidad de disipacin de potencia del
dispositivo (o prdida de disipacin) para que a temperaturas superiores del encapsulado
se reduzca la capacidad de manejo de potencia, llegando a 0 W a la temperatura mxima
del encapsulado del dispositivo.
Entre mayor sea la potencia manejada por el transistor, mayor ser la temperatura del
encapsulado. En la actualidad, el factor limitante en el manejo de potencia por un
transistor particular es la temperatura de la unin del colector del dispositivo. Los
transistores de potencia estn montados en encapsulados metlicos grandes para ofrecer
un rea grande a partir de la cual pueda radiar (transferirse) el calor generado por el
dispositivo. Aun as, la operacin de un transistor directamente en el aire (montado en
una tarjeta de plstico, por ejemplo) limita severamente la potencia nominal del
dispositivo. Si en vez de ello (como es lo usual) se monta el dispositivo en algn tipo de
disipador de calor, su capacidad de manejo de potencia puede acercarse ms al valor de
su potencia nominal mxima.

Figura 4.25. Curva de prdida de disipacin de potencia tpica para os transistores de

silicio.

TRANSISTORES
El Transistor Bipolar o BJT: Tipos, regiones de operacin
8

El transistor bipolar
- regiones operativas
- configuraciones
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser
de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el grfico de transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos
una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) ,
una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama
b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Transistor NPN

Transistor PNP

Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificacin) por
Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- IE = IC + IB
Corrientes en el transistor.
= IC / IB

Ecuacin de ganancia de corriente.

- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se
cambia Vcc. Ver figura.
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son
ejemplos para poder entender que a mas corriente la curva
es mas alta
Regiones
operativas del
transistor

- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib
=0)
- Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito
y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic
= Ib)
- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganacia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la mas importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con
transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen mejor para
cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est conduciendo. Normalmente
este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
- Emisor comn
- Colector comn
- Base comn
Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se
toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no afectan
en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

TRANSISTOR BJT
Un transistor de unin es un componente o dispositivo semiconductor que puede estar
constituido por cristales de Germanio o de Silicio. Tienen 3 capas de dopados, 2
uniones (J1 J2) y tres terminales cuya agrupacin da lugar a 2 tipos de transistores
segn la disposicin de las capas.
Transistor bipolar, de unin o BJT es lo mismo.
10

TRANSISTOR PNP

TRANSISTOR NPN

SIMBOLOGIA

Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transistor tipo PNP. Si el transistor

tiene la capa P en el medio es un transistor tipo NPN. Los tres terminales son: E =
Emisor, B = Base, C = Colector
Existen tres zonas de funcionamiento: zona de corte, zona de saturacin y zona
activa o de trabajo.
1. ZONA ACTIVA.
El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de
corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este
parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para
una corriente de colector dada (Ic);
Para que un transistor funcione en la zona activa, se debe de
polarizar la unin J1 directamente y la unin J2 inver

2. ZONA DE CORTE.
En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin
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(potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un

cortocircuito entre el colector y el emisor.
Un transistor funciona al corte cuando la unin J1 se polariza
inversamente (o no se polariza) y la J2 se polariza inversamente.

La corriente de emisor IE es casi nula. Tiene valores de microamperios.

3.- ZONA DE SATURACIN.
el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia,
circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo
atraviesan prcticamente nulas (y en especial Ic).
Para colocar un transistor en saturacin, debemos polarizar ambas uniones directamente.

En la zona activa los transistores funcionan como amplificadores. En la zona de corte

equivalen a un interruptor abierto y en la zona de saturacin a un interruptor cerrado.
4. ACTIVA INVERSA:
Esta zona se puede considerar como carente de inters.

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El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los

voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN.
Para encontrar el circuito PNP complementario:
1.Se el transistor NPN por un PNP.
2.Se invierten todos los voltajes y corrientes.
Observaciones.
La tensin colector - emisor tiene un valor prximo a
cero (0 V) Voltios. La IB (corriente de base) puede ser
comparable a IE e IC.
La ecuacin fundamental del transistor: IC = b IB - (1 + b ) ICSo no se
cumple cuando trabaja en saturacin.

Prueba de transistores
Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposicin (tiene dos uniones), por lo
tanto las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado,
pensando que el electrodo base es comn a ambas direcciones.

Se emplear un multmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el

instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x
10 tambin ohm x 100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente
cerciorarse del tipo de ste, ya que si es NPN se proceder de forma contraria que si se
trata de un PNP. Para el primer caso (NPN) se situar la punta negra (positivo) del
multmetro sobre el terminal de la base y se aplicar la punta roja sobre las patillas
correspondientes al emisor y colector. Con esto se habr aplicado entre la base y el
emisor o colector, una polarizacin directa, lo que traer como consecuencia la entrada en
conduccin de ambas uniones, movindose la aguja del multmetro hasta indicar un
cierto valor de resistencia, generalmente baja (algunos ohm) y que depende de muchos
factores.
13

A continuacin
se invertir la posicin
de las puntas del
instrumento, colocando
la punta roja (negativa) sobre la base y la punta negra sobre el emisor y despus sobre el
colector.
De esta manera el transistor recibir una tensin inversa sobre sus uniones con lo que
circular por l una corriente muy dbil, traducindose en un pequeo o incluso nulo
movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el mtodo a seguir es
justamente el opuesto al descrito, ya que las polaridades directas e inversas de las
uniones son las contrarias a las del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multmetro

entre los terminales de emisor y colector en las dos posibles combinaciones que puede
existir; la indicacin del instrumento ser muy similar a la que se obtuvo en el
caso de aplicar polarizacin inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la
base sin conexin el transistor estar bloqueado. Esta comprobacin no debe
olvidarse, ya que se puede detectar un cortocircuito entre emisor y colector y en
muchas ocasiones no se descubre con las medidas anteriores.

14

PRACTICA N 2

I.- FUNDAMENTO TEORICO

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus
respectivos contactos llamados; colector(C), base(B) y emisor(E).
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de
corriente: electrones y lagunas o agujeros.
A.- CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:
1.- Por la disposicin de sus capas
- Transistores PNP
- Transistores NPN
2.- Por el material semiconductor empleado
- Transistores de Silicio
- Transistores de Germanio
3.- Por la disipacin de Potencia
- Transistores de baja potencia
-Transistores de mediana potencia
- Transistores de alta potencia
4.- Por la frecuencia de trabajo
- Transistores de baja frecuencia
- Transistores de alta frecuencia

B.- POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

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Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo

correctamente. Para ellos se debe cumplir que:
- La juntura BASE - EMISOR este polarizado directamente, y
- La juntura COLECTOR BASE este polarizado inversamente.
Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un voltaje positivo con respecto al
emisor y el colector debe tener un voltaje tambin positivo pero, mayor que el de la
base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario.
C.- CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores tienen un cdigo de identificacin que en algunos casos especifica la
funcin que cumple y en otros casos indica su fabricacin.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos,
Japoneses y Americanos.
CODIFICACION EUROPEA
Primera letra
A : Germanio
B : Silicio
Segunda Letra
A : Diodo (excepto los diodos tnel)
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia
E : Diodo tnel de potencia
F : Transistor de alta frecuencia
L : Transistor de alta frecuencia y potencia
P : Foto semiconductor
S : Transistor para conmutacin
U : Transistor para conmutacin y de potencia
Y : Diodos de potencia
Z : Diodo Zener
Nmero de serie
100 999: Para equipos domsticos tales como radio, TV, amplificadores,
grabadoras, etc.
10 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.
Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son de
baja frecuencia.
16

CODIFICACION JAPONESA
Primero
0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo
1 : Diodos
2 : Transistor
Segundo
S : Semiconductor
Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C : Transistor NPN de RF
D : Transistor NPN de AF
F : Tiristor tipo PNPN
G : Tiristor tipo NPNP
Cuarto
Nmero de serie : comienza a partir del nmero 11
Quinto
Indica un transistor mejor que el anterior
Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que el 2SA186.

CODIFICACION AMERICANA
Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo 2N
y a continuacin un nmero que indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo 2N3055,
2N2924, etc.
Actualmente, cada fbrica le antepone su propio prefijo, as se tiene por ejemplo :
TI1411, ECG128, etc. que corresponden respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y
SYLVANIA.
17

II.- MATERIALES Y EQUIPO

Una Fuente de Tensin de 0 a 15 V
Un transistor 2N3904 (NPN) o equivalente
9 Resistencias de W: 100,750, 910, 1K, 2.2K, 3.3K, 10K, 270K,
470K.
Un VOM (Multmetro digital o analgico)
III.- PROCEDIMIENTO
POLARIZACION FIJA DE BASE
- El circuito con el que se trabaj es el siguiente:

En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados:

Prctico

Terico

VC

7.5V

7.53V

VB

0.7V

0.7V

VE

0V

VCE

7.5V

7.53V

IC

10mA

9.96mA

IE

10mA

9.96mA

IB

52.96A

52.96A

188.82

0V

188

RESULTADOS TEORICOS
18

Si consideramos B=188
Tenemos
En la Malla de base:
Ib(270K)+0.7V=15V
Ib = (15V-0.7V)/(270K)
Ib = 52.96uAIc = B(Ib)
Ic = (188)(52.96uA)
Ic = 9.96 mA
En la malla de colector
Ic(750)+Vce = 15V
Vce = 15V (9.96mA)(750)
Vce = 7.53 V
POLARIZACION POR EMISOR
- El circuito con el que se trabaj es el siguiente:

En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados:

Prctico

Terico
19

VC

10V

10.09V

VB

1.2V

1.24V

VE

0.55V

0.54V

VCE

9.6V

9.55V

IC

5.1mA

5.4mA

IE

5.1mA

5.4mA

IB

27A

29.25uA

188.88

188

Si consideramos B=188
Tenemos
En la Malla de base:
Ib(470K)+0.7V+Ie(100) = 15V
Ib = (15V-0.7V)/(470K+100(188+1))
Ib = 29.25uA
Ic = Ib(188)
Ic = (29.25uA)(188)
Ic = 5.4 mA
En la malla de colector
Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V
Vce = 15V (910)(5.4mA)-(100)(5.4mA)
Vce = 9.55 V
Ve = (100)(5.4mA)
Ve = 0.54 V
Vc = 9.55V + 0.54V
Vc = 10.09V
Vb = 0.7V + 0.54V
20

Vb = 1.24V
POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE
- El circuito con el que se trabaj es el siguiente:
En las mediciones prcticas se obtuvieron los siguientes resultados:
Prctico

Terico

VC

8.4V

8.45V

VB

2.7V

2.65V

VE

2.1V

1.95V

VCE

6.6V

6.5V

IC

1.8mA

1.97mA

IE

1.8mA

1.97mA

IB

8A

8.77uA

225

225

Si consideramos B=225
Tenemos
En la Malla de base:
Ib(Rbb)+0.7V+Ie.Re = Vbb
Ib(1.8K)+0.7V+Ie(1000) = 2.7V
Ib = (2.7V-0.7V)/(1.8K+1000(225+1))
Ib = 8.77uA
Ic = Ib(225)
Ic = (8.77uA)(225)
Ic = 1.97mA
En la malla de colector
Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V
Vce = 15V (3.3K)(1.97mA)-(1000)(1.97mA)
21

Vce = 6.5 V
Ve = (1000)(1.97mA)
Ve = 1.95V
Vc = 6.5V + 1.97V
Vc = 8.45V
Vb = 0.7V + 1.95V
Vb = 2.65 V
IV.- CONCLUSIONES
La corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del emisor. La
corriente de base es mucho ms pequea, generalmente menor que el 5% de la corriente
de emisor.
La razn de la corriente de colector a la corriente de base se llama ganancia de
corriente, y se le denota por CD o bien por hFE.
Cuando el transistor se usa como amplificador, el transistor opera en la regin activa.
Cuando se usa en circuitos digitales, el transistor usualmente opera en las regiones de
saturacin o corte.

22

LABORATORIO N 2: EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA BJT

POLARIZACION Y COMO AMPLIFICADOR SE SEAL ALTERNA
1.- Objetivo de experiencia.
2.- Cuestionario previo.
2.1 Dibuje el esquema del transistor. En configuracin emisor comn.
2.2 Defina a que se llama el .
Defina el concepto de punto de operacin.
Defina el concepto de recta de carga.
Por qu polarizamos un transistor?
En qu condiciones se puede usar un transistor como amplificador?
2.7 Qu es el valor 0.7 V.?
2.8 Investigue cuales las especificaciones tcnicas de los transistores que,
indicando las mas importantes.
3.- Polarizacin:
3.1 Arme el circuito y determine los valores de:
VCG =
VBG =

VCC
12V

XMM1
R1

5.6k

R3

12k

Q1

VEG =
IC

IB

Determinar el del transistor.

2SC945

R4

2.2k

R2

1.0k

FIG 1

4.- El transistor como amplificador de seales:

4.1 Arme el circuito, calibre el generador de seales sinusoidales con una
Frecuencia de 1 KH y una tensin pico a pico de 0.3 V.
4.2 Con el osciloscopio medir los valores de:
- V 0 de salida del amplificador.
- El desfase de V0 versus V1
- Determinar la ganancia V0 / V1
23

XSC1
Ext Trig
+
_
B

A
+

VCC
12V

R4

R3

12k

XFG1

5.6k

C2

Q1

C1
10uF-POL

10uF-POL

2SC945

R1

2.2k

R2

1.0k

FIG 2

24

RESUMEN DE LAS FORMULAS Y EL PROCESO

Las formulas empleadas en este anlisis son las siguientes.
Corriente de divisor:

I=

VCC / R1 + R2

Tensin de base:

V B = I R2

Tensin de emisor:

VE = VB - VBE

Corriente de emisor:

I E = VE / R E

Tensin de colector:

VC = VCC - IC RC

Tensin de colector emisor:

VCE = VC - VE

Recta de carga:
IC (Sat.) = VCC / RC
VC (CORTE) = VCC
Punto Q:
IC = VE / RE
VCE = VC VE

25