INFORME N 4 LABORATORIO DE ANALGICA 2

Informe N 4 Laboratorio de Analgica 2:

Caracterizacin MOSFET
Ivan Andres Muoz Rodriguez ivanmunoz@unisangil.edu.co
Edgar Alberto Peralta Camacho edgarperalta@unisangil.edu.co
UNISANGIL - Sede San Gil
Noviembre de 2013
Exponemos una prctica conjunta encaminada al estudio de las caractersticas operacionales de los transistores mosfet
dentro de las cual se hace estudio de las tensiones aplicables a la puerta ya sean fijas o variables, al igual que al drenador
o fuente dependiendo del tipo de canal que se est usando, ya sea tipo P o N; cuyo fin es el aprendizaje y comprensin de
las variables propias de estos integrados, como lo es , Vth, y , los cuales son propias de cada fabricante e incluso tienen
una muy pequea variacin de un integrado a otro.

Resumen La presente prctica tiene como fin conocer las

constantes de funcionamiento de los transistores tipo mosfet,
cual cuales han sido es producto de inmensidad de
investigaciones por la complejidad y utilidad de los mismos.
En la esta experiencia se har anlisis de dicho transistores en
la zona de triodo y saturacin, en donde se estudiarn las
correspondientes corrientes respecto a las tensiones aplicadas.
ndice de Trminos - Triodo, corte, saturacin, transistor,
mosfet.
I. INTRODUCCIN
En la actualidad, los circuitos integrados (CIs) o chips son
elementos electrnicos omnipresentes en cualquier sistema
electrnico, tales como sistemas de comunicaciones, cmputo,
control, bioelectrnica, metrologa, navegacin entre otros. Es
sabido que hace un par de dcadas los CIs contaban con solo
una decena de transistores, sin embargo, actualmente stos
pueden estar constituidos por millones de ellos. En la gran
mayora de los casos, el transistor ms utilizado en la
construccin de CIs es el transistor MOSFET, el cual puede
ser de tipo N o de tipo P, lo que da origen a la tecnologa de
MOSFET Complementado o simplemente tecnologa CMOS.
La tecnologa CMOS permite implementar transistores,
capacitores, resistencias, diferentes tipos de diodos, bobinas, y
otros interesantes elementos electrnicos con dimensiones
inferiores a los micrmetros cuadrados con un mismo proceso
de fabricacin, lo que permite que todos estos elementos
queden integrados en una diminuta pastilla de silicio. Por lo
tanto, todo un sistema electrnico puede implementarse sobre
esta pastilla de tan slo un par de milmetros cuadrados de
rea.
En las ltimas dos dcadas se dio prioridad a la creacin de
circuitos integrados digitales, cuyo mximo representante es el
microprocesador digital. Sin embargo, en la actualidad se ha
generado un gran inters por la creacin de circuitos
integrados analgicos debido a que stos otorgan ventajas en
el procesamiento de seales electrnicas que no son posibles

en circuitos enteramente digitales. En contraste con el diseo

digital, el diseo de CIs analgicos representa un reto
interesante debido a que los dispositivos electrnicos
involucrados no operan solamente con valores discretos de
voltajes y/o corrientes sino que procesan seales continuas que
pueden experimentar cambios paulatinos en un intervalo de
amplitudes determinadas. Esto ocasiona que el modelado
analgico del dispositivo requiera de un enfoque diferente y
esto puede ser un proceso ms complicado que el modelado
digital del mismo. La necesidad de analizar valores continuos
con lleva tambin a la necesidad de modelar dispositivos
semiconductores con valores variantes y continuos en un
intervalo dado. A pesar de esto, el uso de CIs analgicos ha
demostrado ser una alternativa viable para enriquecer el estado
del arte de los circuitos integrados en general y
particularmente en aquellos circuitos que se requieren
estrictamente para el procesamiento de seales continuas.
II.

MATERIALES EMPLEADOS

Protoboard
Circuito Integrado HSF 4007
Resistencia de 1 k
3 multmetros
Fuente de tensin contna
Puntas de prueba
III.

Transistor Mosfet

REFERENTE TERICO

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2
con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin
de tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o
IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un trmino
relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino
IGFET es un poco ms inclusivo, debido a que muchos
transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es
metlica, y un aislante de compuerta que no es un xido. Otro
dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de
efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metalinsulator-semiconductor field-effect transistor).

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor

o MOSFET (en ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect
transistor) es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar seales electrnicas. Aunque el MOSFET es un
dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S),
drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato
generalmente est conectado internamente a la terminal del
surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de
tres terminales similares a otros transistores de efecto de
campo. El transistor MOSFET est basado en la estructura
MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales,
aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular
en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales estn basados en transistores
MOSFET.
En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de
tensin entre el electrodo de la compuerta y el substrato
induce un canal conductor entre los contactos de drenador y
surtidor, gracias al efecto de campo. El trmino
enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la regin correspondiente al canal, que
tambin es conocida como la zona de inversin. El canal
puede formarse con un incremento en la concentracin de
electrones (en un nMOSFET o nMOS), o huecos (en un
pMOSFET o pMOS), en donde el sustrato tiene el tipo de
dopado opuesto: un transistor nMOS se construye con un
sustrato tipo p, mientras que un transistor pMOS se construye
con un sustrato tipo n. Los MOSFET de empobrecimiento
tienen un canal conductor que se debe hacer desaparecer
mediante la aplicacin de la tensin elctrica en la compuerta,
lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores
de carga y una disminucin respectiva de la conductividad.1
El trmino 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET
es actualmente incorrecto debido a que el material de la
compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una
capa de silicio policristalino. En sus inicios se utiliz aluminio
para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando el
silicio policristalino comenz a dominar el mercado gracias a
su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las
compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad,
debido a que es complicado incrementar la velocidad de
operacin de los transistores sin utilizar componentes
metlicos en la compuerta.
De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la
compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales

HCF4007

El HCF4007UB es un circuito integrado monoltico,

disponible en disponible en 14-lleve el plstico del en-lnea
dual o cermico el paquete y el micropackage plstico. Los
tipos de HCC4007UB comprendieron de tres: n-canal y tres
tipos de mejora de p-canal MOS los transistores. Los
elementos del transistor son accesibles a travs de los trminos
del paquete para proporcionar un conveniente los medios por
construir los varios circuitos tpicos como mostrado en las
aplicaciones tpicas.
IV.
1.
2.
3.
4.

PROCEDIMIENTO

Familiarizarnos con las conexiones del transistor

MOSFET HCF 4007 para sus respectivos canales p y
n.
Realizar las conexiones establecidas por el docente y
tomar los datos respectivos.
Calcular los valores de VTH, y para cada tipo de
canal.
Sacar conclusiones.

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V.

VI.

FORMULAS A EMPLEAR

DIAGRAMAS Y DATOS

MOSFET Canal N
Diagrama 1

Diagrama 2

VD

TABLA 2
IO (A)

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0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6

9.13 micro
17.5 micro
0.141 ma
0.176 ma
0.204 ma
0.223 ma

7.8 mv
15 mv
151.8 mv
0.211 v
0.277 v
0.361 v

0.39197

Diagrama 3

TABLA 4

TABLA 3
VDD
ID (A)
V
5 VTH
0.256 ma 4.71
5 VTH +1
0.257
5.69
5 VTH +2
0.259
6.69
5 VTH +3
0.26
7.69
5 VTH +4
0.261
8.71
5 VTH+ 5
0.263
9.69

9.2655 * 10^-3

VSG
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
VT
H

MOSFET Canal P
Diagrama 4

Diagrama 5

IO (A)
V
9.8 mV
10.7 mV
10
10
10
10
10
10
10
10
0.02 A
10
0.32 A
10
2.87 A
10
14.67A
10
0.038 mA
10
0.074 mA
10
0.746819 - 1.16807
V

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VDD
5 VTH
5 VTH +1
5 VTH +2
5 VTH +3
5 VTH +4
5 VTH+ 5

TABLA 6
ID (A)
V
0.291 mA 5 V
0.304 mA 6 V
0.316 mA 7 V
0.328 mA 8 V
0.340 mA 9 V
0.351 mA 10 V
0.0553

VI. CONCLUSIN

VDO
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6

P'

TABLA 5
IO (A)
0.031 mA
0.072 mA
0.105 mA
0.133 mA
0.158 mA
0.178 mA

V
0.1 V
0.2 V
0.3 V
0.4 V
0.5 V
0.6 V

0.00035595

Al realizar la caracterizacin del integrado HCF4007 se

logr reconocer los puntos de saturacin, corte y trodo
del integrado antes mencionado. Esto se logr gracias a la
variacin de los voltajes entre el drenador y el surtidor.
Tambin para realizar una caracterizacin adecuada
debimos manipular el voltaje de la puerta.

Adquirimos los valores experimentales de K*W/L y

realizando las mediciones adecuadas en el laboratorio de
UNISANGIL.

Aplicando un bajo voltaje no variable en la puerta y una

tensin ms alta en el drenador, podemos saturar
rpidamente el mosfet.

Gracias a las aclaraciones realizadas por el Ingeniero

Alonso Retamoso se aclararon dudas sobre el correcto
funcionamiento de los Mosfets.
VII.

Diagrama 6

BIBLIOGRAFA

[1] CIRCUITOS MICROELECTRICOS AUTOR ADEL

S, SEDRA
Universidad de Toronto y Hong Kong
Traducido de la cuara edicin de ingles de
Microelectronic Circuits
[2]

Principios de la electrnica Alberth Paul Malvino

Sexta Edicin. Captulo, Amplificadores Operacionales.