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Sistemas Eletrônicos de Comunicação CEFET-MG Campus IV Araxá

prof. S.
Pithan

02 - RESSONÂNCIA NOS CIRCUITOS RLC SÉRIE
Componentes sob tensão Senoidal
A tensão como função senoidal do tempo:

v  V sin t  0 
v  tensão instantânea (V)
V  tensão máxima ou de pico(V)

  freqüência angular(ra d/s)
t  tempo(s)

0  fase inicial(ra d)
  2f
f  freqüência (Hertz)

Resistor
R

l
r 2

RF

 R

v  Ri
v
R
i
R  resistência()
i  corrente

instantânea (A)

Indutor

di
dt
L  indutância (H)
vL  L

iL  I sin t 
di
 LI cos t 
dt
vL  LjI sin t 
vL  L

vL  jLiL
vL
 jL  jX L
iL
X L  2 f L

l f
2r

1

2

Laboratório de Fundamentos de Telecomunicações - 02

Capacitor

dv
dt
C  capacitância(F)
iC  C

vC  V sin t 
dv
 CV cos t 
dt
iC  jC V sin t 
iC  C

iC  jCvC
vC
1
j


  jX C
iC
j C  C
XC 

1
2 f C

Série RLC
Analisando o circuito série da Fig. 2.1. A impedância total é expressa por:
Z S  R  rL  jL 

1
 R  rL  j. X L  j. X C
jC

Variando a frequência, as tensões em L e C variam em sentidos opostos: VL cresce e
VC diminui com o aumento da frequência. Para uma frequência denominada de ressonância
as reatâncias são iguais em módulo e a impedância do circuito é mínima.

L 

1
 O 
C

1
(rad / s) ou
LC

fO 

1
2 LC

(Hz)

Fig. 2.1 Circuito RLC série

Na ressonância se estabelece o fator de qualidade Q do circuito como a razão entre a potência
armazenada (reativa) e a dissipada em cada ciclo. Como no circuito série a corrente é máxima,
sendo I a corrente eficaz. QS 

o L.I 2
R.I

2

XL
R

02 - Ressonância 3

BW

f1  fCI
f 2  f CS

Fig. 2.2 Curvas de ressonância do RLC
série
As curvas de ressonância da fig. 2.2 ilustram a diferença entre dois fatores de
qualidade diferentes. As curvas obtidas na prática (Fig. 2.3) ilustram os parâmetros
envolvidos na ressonância. A amplitude do sinal representa a corrente elétrica no circuito
série (ressonância de mínima impedância). No circuito paralelo a amplitude representa a
tensão (ressonância de máxima impedância). O ângulo de fase é 0° (zero) na ressonância, para
frequências menores que a de ressonância f  fO o circuito tem comportamento capacitivo,
para f  fO o circuito tem um comportamento indutivo.

Largura de Banda BW
A BW igual à diferença entra a frequência de corte superior e inferior. Frequência de corte é
definida como aquela onde a amplitude máxima fica dividida por raiz de dois ou a potência
fica reduzida pela metade da potência máxima (cai 3dB).

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Laboratório de Fundamentos de Telecomunicações - 02

A=amplitude
Indutivo

Curva de fase
Capacitivo

A

Curva de ressonância

2

0,1dB/div

f CI

f CS

BW

Fig. 2.3 Curva da ressonância e fase práticas

BW  f CS  f CI ;
O fator de mérito ou qualidade também pode ser definido como a relação entre a
freqüência de ressonância e largura de banda.
QS 

fO
X
f
Rf O
R
 Lo  O  BW 

BW
R
BW
2f O L 2L

f CS  freqüência de corte superior

f (Hz)
f (Hz)

f CI  freqüência de corte inferior
Formulário:

X L  2 f L

módulo da reatância indutiva

1
2 f C

módulo da reatância capacitiva

XC 

fO 

1
2 LC

BW  f CS  f CI

BWS 

R
2L

frequências de ressonância s e p
largura de banda s e p
largura de banda s

02 - Ressonância 5

BWP 
QS 

1
2RC

X Lo X Co
f

 O
R
R
BW

largura de banda p
fator de qualidade s

Z S ( f )  R  j 2fL  1 / 2fC 
QP 

R
R
f

 O
X Lo X Co BW

ZP ( f ) 

fator de qualidade p

R
1  jQ  f / f 0  f0 / f 

PRÁTICA

Ex. prática_2.1 Calcular os parâmetros da tabela abaixo.

f O kHz BW kHz Q X L k X C k

%-------------------------------------------------------------------------clear all; close all
disp('Exercício da prática 2.1') % definir as variáveis.
L=100e-3; C=0.001e-6 ; R = 1.218e3;
fo = 1/(2*pi*(L*C)^0.5);
fo
XLo = 2*pi*fo*L;
XLo
XCo = 1/(2*pi*fo*C);
XCo
BW = R/(2*pi*L);
BW
Qs = XLo/R;
Qs

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Laboratório de Fundamentos de Telecomunicações - 02
%--------------------------------------------------------------------------

Ex. prática_2.2 Retirando os resistores. Calcular novamente os parâmetros.

%-------------------------------------------------------------------------clear all; close all
disp('Exercício da prática 2.2') % definir as variáveis.
L=100e-3; C=0.001e-6 ; R=118;
fo = 1/(2*pi*(L*C)^0.5);
fo
XLo = 2*pi*fo*L;
XLo
XCo = 1/(2*pi*fo*C);
XCo
BW = R/(2*pi*L);
BW
Qs = XLo/R;
Qs
%--------------------------------------------------------------------------

Ex. prática_2.3 Aumentando a capacitância. Calcular novamente os parâmetros.

02 - Ressonância 7

f O kHz BW kHz Q X L k X C k
%-------------------------------------------------------------------------clear all; close all
disp('Exercício da prática 2.3') % definir as variáveis.
L = 100e-3; C = 2*0.001e-6 ; R = 118;
fo = 1/(2*pi*(L*C)^0.5);
fo
XLo = 2*pi*fo*L;
XLo
XCo = 1/(2*pi*fo*C);
XCo
BW = R/(2*pi*L);
BW
Qs = XLo/R;
Qs
%--------------------------------------------------------------------------

Ex. prática_2.4 Aumentando a resistência. Calcular novamente os parâmetros.

f O kHz BW kHz Q X L k X C k
%-------------------------------------------------------------------------clear all; close all
disp('Exercício da prática 2.4') % definir as variáveis.
L = 100e-3; C = 0.001e-6 ; R = 2.218e3;
fo = 1/(2*pi*(L*C)^0.5);
fo
XLo = 2*pi*fo*L;
XLo
XCo = 1/(2*pi*fo*C);
XCo
BW = R/(2*pi*L);
BW
Qs = XLo/R;
Qs
%--------------------------------------------------------------------------

Fazer as medições correspondentes aos exercícios e anotar no verso das páginas.
Q1) Como variam a BW e Q em função do valor de R?

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Laboratório de Fundamentos de Telecomunicações - 02

Sol: BW diminui e Q aumenta
Q2) Como variam as curvas de ressonância e fase em função do valor de R?
Sol: As curvas ficam com as inclinações mais acentuadas

(2.1) Um circuito ressonante série, alimentado por uma tensão 4,00 Vrms com zero grau,
composto por L  125H C  38,3 pF R  50  , na frequência de ressonância, possui
ganho igual a 0 dB. Determinar:
(a) O valor da frequência de ressonância, a corrente e a potência em mW sobre a resistência R
(na frequência de ressonância).
(b) As reatâncias Indutiva e Capacitiva na ressonância.
(c) A impedância do circuito série na frequência de ressonância.
(d) A largura de banda BW e o fator de qualidade Q.
(e) A tensão sobre L, C e R na frequência de ressonância.
(f) módulo da corrente, em mA, nas frequências de corte.
(g) A potência em W e em dB desenvolvida sobre a resistência R  50  nas frequências de
corte.
Para um valor de frequência f = 2,332 MHz:
(h) As reatâncias Indutiva, Capacitiva e a impedância na frequência f.
(i) Corrente elétrica na frequência f.
(j) A tensão sobre L, C e R na frequência de ressonância.
(g) A potência em W e em dB desenvolvida sobre a resistência R  50  , na frequência f.
%-------------------------------------------------------------------------% clear all; close all
disp('Exercício 2.1') % definir as variáveis.
L = 125e-6;C = 38.3e-12 ;R = 50;Vin = 4;PodB =0;f = 2.3320e+06;
fo = 1/(2*pi*(L*C)^0.5); disp('(a)Freq. de Ressonância fo = ');
fo
Io = Vin/50;disp('(a)Corrente na frequência Ressonância Io =');
Io
Po = R*Io^2; disp('(a)Potência sobre R = ');
Po
XLo = 1j*2*pi*fo*L;disp('(b)Reatância Indutiva na fo = ');
XLo
XLo_p = [norm(XLo),angle(XLo)*180/pi];disp('(b)XLo na forma Polar'); XLo_p
XCo = -1j*1/(2*pi*fo*C);%disp('(b)Reatância Capacitiva na fo = ');
XCo
XCo_p = [norm(XCo),angle(XCo)*180/pi];disp('(b)XCo na forma Polar'); XCo_p
Zo = R+XLo+XCo;disp('(c)Impedância na fo = ');
Zo
BW = R/(2*pi*L);disp('(d)Largura de Banda BW = ');
BW
Qs = abs(XLo)/R; disp('(d)Fator de Qualidade Qs = ');
Qs
vLo = XLo*Io; %disp('(e)Tensão no Indutor na fo; vLo =');
vLo
vLo_p = [norm(vLo),angle(vLo)*180/pi];disp('(e)vLo na forma Polar'); vLo_p
vCo = XCo*Io; %disp('(e)Tensão no Capacitor na fo; vCo =');
vCo
vCo_p = [norm(vCo),angle(vCo)*180/pi];disp('(e)vCo na forma Polar'); vCo_p
vRo = R*Io;disp('(e)Tensão no Resistor na fo; vRo =');
vRo
Ifc = Io/(2^.5);disp('(f)Corrente na frequência de corte Ifc =');
Ifc
Pfc = Po/2; disp('(g)Potência na frequência de corte PmWfc =');
Pfc
PdBfc = PodB-3;disp('(g)Potência dB na frequência de corte PdBfc ='); PdBfc
XLf = 1j*2*pi*f*L; %disp('(h)Reatância Indutiva na f; XLf = ');
XLf
XLf_p = [norm(XLf),angle(XLf)*180/pi];disp('(h)XLf na forma Polar'); XLf_p
XCf = -1j*1/(2*pi*f*C); %disp('(h)Reatância Capacitiva na f; XCf = ');XCf
XCf_p = [norm(XCf),angle(XCf)*180/pi];disp('(h)XCf na forma Polar'); XCf_p
Zf = R+(XLf+XCf); %disp('(h)Impedância na f; Zf = ');
Zf
Zf_p = [norm(Zf),angle(Zf)*180/pi];disp('(h)Zf na forma Polar');
Zf_p
If = Vin/Zf; %disp('(i)Corrente na frequência f; If = ');
If
If_p = [norm(If),angle(If)*180/pi];disp('(i)If na forma Polar');
If_p

02 - Ressonância 9
vLf = XLf*If;%disp('(j)Tensão no Indutor na f; vLf =');
vLf
vLf_p = [norm(vLf),angle(vLf)*180/pi];disp('(j)vLf na forma Polar'); vLf_p
vCf = XCf*If;%disp('(j)Tensão no Capacitor na f; vCf = ');
vCf
vCf_p = [norm(vCf),angle(vCf)*180/pi];disp('vCf na forma Polar');
vCf_p
vRf = R*If;%disp('(j)Tensão no Resistor na f; vRf = ');
vRf
vRf_p = [norm(vRf),angle(vRf)*180/pi];disp('(j)vRf na forma Polar'); vRf_p
Pf = R*norm(If)^2; disp('(k)Potência na frequência f Pf =');
Pf
Pf_dB = 10*log10(Pf/Po); ('(k)Potência dB na frequência f Pf =');
Pf_dB
%--------------------------------------------------------------------------

(3) Para um circuito RLC ressonante série ser utilizado como filtro deve ter fator de
qualidade Q = 20, O indutor disponível tem indutância L = 10 µH. A frequência de
ressonância deve ser igual à 1,00 MHz. Determinar:
(a) O capacitor.
(b) A largura de banda.
(c) O resistor.
%-------------------------------------------------------------------------clear all; close all
disp('Exercício 2.2') % definir as variáveis.
fo = 1e6; Q = 20; L = 10e-6;
C = 1/(4*pi^2*fo^2*L);disp('Capacitor C = '); C
BW = fo/Q; disp('Largura de Banda, BW = '); BW
R = BW*2*pi*L; disp('Resistor R = '); R
%--------------------------------------------------------------------------